专利名称：光刻设备及器件制造方法
技术领域：
本发明涉及一种光刻设备，其包括布置为沿着随后定靶的靶部分的预定的轨迹移动基底的基底台，以及用于制造器件的方法。
背景技术：
光刻设备是一种将所需图案施加在基底上，通常施加在基底的靶部分上的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，构图装置，可替换地称作掩模或分划板，可用于产生要形成在IC单独层上的电路图案。该图案可以传递到基底(例如硅晶片)的靶部分上(例如包括部分、一个或者多个管芯)。图案的传递通常通过成像到基底上提供的一层辐射敏感材料(抗蚀剂)上。一般地，单个基底将包含依次构图的相邻靶部分的网格。已知的光刻设备包括所谓的步进器，其中通过将全部图案一次曝光在靶部分上而辐照每一靶部分，以及所谓的扫描器，其中通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描图案、并同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描基底来辐照每一靶部分。还可以通过将图案压印在基底上来从构图装置将图案传递到基底。
在最近的开发中，由于诸如在浸渍光刻的新领域中对图像分辨率的日益增加的苛刻要求，出现了提供热稳定性基底的增加的问题。这里，因为浸渍液体可能通过转变为汽相来造成热冷却，所以出现热稳定性的增加的问题。因此，发现在基底中出现局部热梯度，且这样的梯度应该被稳定。此外，发现在基底的光刻处理期间，由于靶部分的随后照射，基底趋向于不均匀地变热，具有越过基底的表面区域前进的温度前沿。该温度前沿也可以引起热梯度，其导致基底的局部变形。明显的，对于纳米投射精度，这可能导致聚焦问题和重叠误差。也就是，由于热变形，基底的表面可能弯曲离开理想的投射平面，这可能导致聚焦失败或者至少图像平面的显著的侧向移动，使得可能出现重叠问题。
发明内容
本发明的一个方面是提供一种光刻设备，其中，可以处理前述热问题，以及其中可以提供基底的改进的热稳定性。
根据本发明的一个方面，提供了一种光刻设备。该设备包括构造为调节辐射束的照射系统，以及构成为支撑构图装置的构图装置支撑件。构图装置能够给辐射束在其截面中赋予图案，以形成带图案的辐射束。该设备还包括构成为支撑基底的基底支撑件，以及构造为将带图案的辐射束投射到基底的靶部分上的投影系统。基底支撑件布置为沿着基底的随后定靶的靶部分的预定的轨迹移动基底。基底支撑件包括输送管构造，用于给基底提供热稳定性。该输送管构造布置为在支撑件中输送热稳定介质，以及经由支撑基底的前面定靶的部分的基底支撑件的部分将介质充分输送离开支撑靶部分的基底支撑件的一部分，使得保持随后定靶的靶部分热稳定。
根据本发明的一个方面，提供了一种用于在光刻设备中支撑基底的基底支撑件。该基底支撑件包括输送管构造，其布置为在支撑件中输送热稳定介质，以及经由支撑基底的前面定靶的部分的基底支撑件的部分将介质充分输送离开支撑接收带图案的辐射束的基底的靶部分的基底支撑件的一部分，使得保持随后定靶的靶部分热稳定。
这样，随后的靶部分不受来自定靶的部分的加热的介质的热影响，使得实现更好的热稳定性。热稳定介质也称为冷却剂，尽管使用提供热稳定性的更广泛的意义是明显的。
根据本发明的一个方面，提供了一种使用光刻设备制造器件的方法。该方法包括将带图案的辐射束投射到由与基底热接触的基底支撑件支撑的基底的靶部分上，以及从开始靶部分到最终靶部分沿着预定的轨迹移动基底。该轨迹限定了基底支撑件运动的平均的前进方向。该方法还包括在与基底支撑件运动的平均的前进方向相对的流的平均的方向上在基底支撑件中输送热稳定介质。
在一个实施例中，提供了一种使用光刻设备制造器件的方法。该方法包括将带图案的辐射束投射到由与基底热接触的基底支撑件支撑的基底的靶部分上，从开始靶部分到最终靶部分沿着预定的轨迹移动基底，以及经由基底的前面定靶的部分将在支撑件中的热稳定介质输送离开靶部分，使得保持随后定靶的部分热稳定。
根据本发明的一个方面，提供了一种浸渍光刻设备。该浸渍光刻设备包括构造为调节辐射束的照射系统，以及构成为支撑构图装置的构图装置支撑件。构图装置能够给辐射束在其截面中赋予图案，以形成带图案的辐射束。该设备还包括构成为支撑基底的基底支撑件，以及构造为将带图案的辐射束投射到基底的靶部分上的投影系统。投影系统布置为提供基底和投影系统之间的光学液体，用于提供浸渍光刻。基底支撑件布置为沿着随后定靶的靶部分的预定的轨迹移动基底。基底支撑件包括输送管构造，用于给基底提供热稳定性。该输送管构造布置为在支撑件中输送热稳定介质，以及经由支撑基底的前面定靶的部分的基底支撑件的部分将介质充分输送离开支撑靶部分的基底支撑件的一部分，使得保持随后定靶的靶部分热稳定。
根据本发明的一个方面，提供了一种制造用于支撑基底的基底支撑件的方法。该方法包括在基底支撑件的顶层和/或底层中产生输送管布局构造，用于通过其输送腐蚀介质。顶层构造为接触基底。该方法还包括在顶层和底层之一上沉积用于阳极结合顶层和底层以产生结合层的材料，以及通过阳极结合将顶层结合到底层，使得在顶层和底层之一中迁移结合层的材料，以防止腐蚀敏感的结合面。
现在仅仅通过例子的方式，参照附图描述本发明的各个实施例，在图中，相应的附图标记表示相应的部件，其中图1表示根据本发明一个实施例的光刻设备；图2表示图1的设备的基底支撑件的一个实施例；图3表示图1的设备的基底支撑件的另一个实施例；图4提供了图2的基底支撑件的实施例更详细的视图；图5提供了根据本发明的基底支撑件的另一个实施例的更详细的视图，以及图6示意性地说明了用于提供根据本发明的基底支撑件的制造方法。
具体实施例方式
图1示意性地表示了根据本发明一个实施例的光刻设备。该设备包括构造为调节辐射束B(例如UV辐射)的照射系统(照射器)IL，构成为支撑构图装置(例如掩模)MA并与构造为根据某些参数精确定位该构图装置MA的第一定位器PM连接的支撑结构(例如掩模台)MT，构成为保持基底(例如涂敷抗蚀剂的晶片)W并与构造为根据某些参数精确定位该基底的第二定位器PW连接的基底台(例如晶片台)WT，以及构造为将通过构图装置MA赋予辐射束B的图案投射在基底W的靶部分C(例如包括一个或多个管芯)上的投影系统(例如折射投影透镜系统)PS。
照射系统可以包括各种类型的光学部件，如包括用于引导、成形或者控制辐射的折射、反射、磁、电磁、静电或其他类型的光学部件或其任意组合。
支撑结构MT支撑构图装置MA，即承受构图装置MA的重量。该支撑结构按照如下方式保持构图装置MA，所述方式为根据构图装置MA的定向、光刻设备的设计，以及例如构图装置MA是否保持在真空环境中等其他条件。该支撑结构MT可利用机械、真空、静电或其他夹紧技术来保持构图装置。支撑结构MT可以是框架或台，例如，其根据需要可以是固定的或者是可移动的。该支撑结构MT可以确保构图装置MA位于例如相对于投影系统的所需位置处。这里的任何术语“分划板”或者“掩模”的使用可认为与更普通的术语“构图装置”同义。
这里使用的术语“构图装置”应广义地解释为指可以用于给辐射束在其截面中赋予图案，以在基底的靶部分中产生图案的任何装置。应该注意，例如，如果图案包括相移特征或者所谓的辅助特征，赋予辐射束的图案可以不与在基底的靶部分中所需图案完全一致。一般地，赋予辐射束的图案与在靶部分中形成的器件如集成电路的特定功能层相对应。
构图装置可以是透射的或是反射的。构图装置的例子包括掩模，可编程反射镜阵列和可编程LCD控制板。掩模在光刻中是公知的，它包括如二进制型、交替相移型、和衰减相移型的掩模类型，以及各种混合掩模类型。可编程反射镜阵列的一个例子利用小反射镜的矩阵排列，反射镜的每个能够独立地倾斜，从而沿不同方向反射入射的辐射束。倾斜的反射镜在由反射镜阵列反射的辐射束中赋予图案。
这里使用的术语“投影系统”应广义地解释为包含任何类型的投影系统，包括折射、反射、反折射、磁、电磁和静电光学系统，或其任何组合，如适合，用于所用的曝光辐射，或者用于其他方面，如使用浸渍液或使用真空。这里任何术语“投影透镜”的使用可以认为与更普通的术语“投影系统”同义。
如这里描述的，设备是透射型的(例如使用透射掩模)。替代地，设备可以是反射型的(例如使用如上所述类型的可编程反射镜阵列，或者使用反射掩模)。
光刻设备可以是具有两个(双台)或者多个基底台(和/或两个或者多个掩模台)的类型。在这种“多台式”机器中，可以并行使用这些附加台，或者可以在一个或者多个其它台用于曝光时，在一个或者多个台上进行准备步骤。
光刻设备也可以是这样一种类型，其中基底的至少一部分由具有相对较高折射率的液体，例如水覆盖，以填充投影系统和基底之间的空间。浸渍液也可以应用于光刻设备中的其他空间，例如，掩模与投影系统之间。浸渍技术在本领域是公知的，用于增大投影系统的数值孔径。这里所用的术语“浸渍”不意味着必须将诸如基底的结构浸没在液体中，而仅仅意味着在曝光过程中液体位于投影系统和基底之间。
参考图1，照射器IL接收来自辐射源S0的辐射束。该源和光刻设备可以是单独的机构，例如当源是受激准分子激光器时。在这种情况下，不认为源是形成光刻设备的一部分，以及通常借助于例如包括适当的导向镜和/或扩束器的束传输系统BD将辐射束从源SO传送到照射器IL。在其他情况下，源可以是光刻设备的整体部分，例如当源是汞灯时。源S0和照射器IL，如果需要与束传输系统BD一起，可称作辐射系统。
照射器IL可以包括调节辐射束的角强度分布的调节器AD。一般地，至少可以调节照射器光瞳平面内强度分布的外和/或内径向范围(通常分别称为σ-外和σ-内)。此外，照射器IL可包括各种其他部件，如积分器IN和聚光器CO。照射器可用于调节辐射束，从而该辐射束在其截面具有所需的均匀度和强度分布。
辐射束B入射到保持在支撑结构(例如掩模台MT)上的构图装置(例如掩模MA)上，并由该构图装置对其构图。穿过掩模MA后，辐射束B通过投影系统PS，该投影系统将该束聚焦在基底W的靶部分C上。在第二定位器PW和位置传感器IF(例如是干涉测量装置、线性编码器或电容传感器)的辅助下，基底台WT可以精确地移动，以例如在辐射束B的路径中定位不同的靶部分C。类似地，例如在从掩模库中机械取出掩模MA后或在扫描期间，可以使用第一定位器PM和另一个位置传感器(图1中未明确示出)将掩模MA相对辐射束B的路径进行精确定位。一般地，借助于长行程模块(粗略定位)和短行程模块(精确定位)来实现掩模台MT的移动，该长行程模块和短行程模块形成第一定位器PM的一部分。类似地，利用长行程模块和短行程模块可以实现基底台WT的移动，该长行程模块和短行程模块形成第二定位器PW的一部分。在步进器的情况下(与扫描器相对)，掩模台MT可以只与短行程致动器连接，或者固定。掩模MA与基底W可以利用掩模对准标记M1，M2和基底对准标记P1，P2进行对准。尽管如图所示的基底对准标记占据了专用的靶部分，但是它们也可以位于靶部分之间的空间中(这些已知为划线(scribe-lane)对准标记)。类似地，在掩模MA上提供多于一个管芯的情况下，掩模对准标记可位于管芯之间。
所示的设备可以按照下面的模式中的至少一种使用1.在步进模式中，掩模台MT和基底台WT基本保持不动，赋予辐射束的整个图案被一次投射到靶部分C上(即单次静态曝光)。然后基底台WT沿X和/或Y方向移动，以便能够曝光不同的靶部分C。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制在单次静态曝光中成像的靶部分C的尺寸。
2.在扫描模式中，同步扫描掩模台MT和基底台WT，并将赋予辐射束的图案投射到靶部分C上(即，单次动态曝光)。基底台WT相对于掩模台MT的速度和方向由投影系统PS的放大(缩小)和图像反转特性来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制单次动态曝光中靶部分的宽度(沿非扫描方向)，而扫描移动的长度确定靶部分的高度(沿扫描方向)。
3.在其他模式中，掩模台MT基本保持不动，并保持可编程构图装置，移动或扫描基底台WT，并将赋予辐射束的图案投射到靶部分C上。在这种模式中，一般采用脉冲辐射源，并且在基底台WT的每次移动之后或者在扫描期间连续的辐射脉冲之间，根据需要更新可编程构图装置。这种操作模式可以很容易地应用于无掩模光刻中，所述无掩模光刻利用可编程构图装置，如上面提到的一种类型的可编程反射镜阵列。
还可以采用在上述所用模式的组合和/或变化，或者采用与所用的完全不同的模式。
图2和3给出了用于在基底支撑件2中提供冷却剂结构1的替代实施例。如从附图可以明白，基底支撑件2通过在图1中参考PS描述的投影系统4下面的夹盘3运动，该投影系统将带图案的辐射束5提供到基底6上照射的靶位置，并且这里不进一步讨论。所示的是夹盘3相对于投影系统4(其保持固定)总的运动方向7，其中，在垂直于观察平面的行中扫描管芯8的行(参见图4和5)，限定了要被照射的靶的前进方向P。在该配置中，支撑结构2通常确定为“晶片台”，其通常为刚性结构，通常由玻璃类型或者陶瓷材料制成，其为基底6提供支撑的平面，且与基底直接接触。晶片台2可以包括多个突出，其限制接触面积，使得污染物对支撑的理想平面产生最小的扭曲。在图2中，晶片台2提供有输送管结构1，如参考图4和5进一步说明的。替代地，或者另外可能，如图3所示，输送管结构1可以提供在基底支撑件2的下部部分中，其通过晶片台2间接热耦合到基底6，如图2所示。这样的下部部分通常称为夹盘3，或者第二定位器PW，尤其是其精确行程模块，如上参考图1说明的。该替代位置在热稳定性中可能不太有效，因为其需要通过晶片台2热传导。然而，结构1可以较容易实现，因为晶片台2通常具有刚性结构，且冷却剂输送管9可能不太容易实现。
图4示出了根据本发明的用于晶片台2的输送管构造1的实施例。特别地，所示的输送管构造1是同中心布置在圆形晶片台2中的。多个输送管9通过至少一个中心输送管10连接。输送管9、10布置为移动或者输送热稳定介质，特别是水，通过晶片台2，用于给在晶片台2的顶部上保持热接触的基底6(没有显示)提供热稳定性。通过平衡输送管回路的流阻力，可以提供优化流条件。在该图的下半部中，示意性地示出了随后照射的靶部分8的轨迹11。该照射通常一行一行进行，且箭头P限定了晶片的随后照射的部分8(“管芯”)的平均的前进方向。可以看出，在晶片台中的输送管构造1在与平均的前进方向P相对的方向上限定了热稳定介质流方向的平均的方向。这样，仍要以较高的随后顺序照射的靶部分8可以以最小的方式由来自定靶的部分的加热的介质影响，且朝着出口12排放。来自入口13的新鲜的冷却剂应该不受已经被照射的晶片的部分影响，因此，对于还要被照射的部分可以实现更好的热稳定性。这样，可以进一步防止热变形。
图5示出了根据本发明的晶片台2的第二个实施例。如图5可以看出，输送管构造1具有中心连接部分14，出口12和入口13部分都布置在该中心连接部分处。输送管9布置为从入口部分13通过晶片台2的周边边缘15直接将热稳定介质输送到晶片台2的其它侧。因为晶片的周边可能对热扰动最敏感，所以该构造还可以帮助热稳定基底6的周边。当流通过与连接部分14相对的侧时，输送管进一步按照蜿蜒回路16布置。这样，冷却剂通过镜像的逐行构造从基底支撑件1的一侧流到相对侧，该逐行构造可以与要被照射的管芯8的行构造(参见图4)相符。
参考在图6中显示的实施例，已经发现，通过提供结合在一起的分层的结构，输送管结构1可以整合在晶片台2中。在结合的层17的一个或者两个中，可以提供输送布局，以形成为结合的构造的输送管9。该结合优选通过阳极结合形成。而且，可以使用防腐蚀材料。特别是，阳极结合层18可以是防腐蚀的，或者完全迁移到结合的层17中，如参考图6进一步说明的。
尽管在本申请中特别参考在制造IC中使用光刻设备，但是应该理解，这里描述的光刻设备可能具有其它应用，例如，它可用于制造集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等等。本领域的技术人员将理解，在这种可替换的用途范围中，在这里的任何术语“晶片”或者“管芯”的使用应认为分别与更普通的术语“基底”或“靶部分”同义。在曝光之前或之后，可以在例如轨迹器(通常将抗蚀剂层施加于基底并将已曝光的抗蚀剂显影的一种工具)、计量工具和/或检验工具中对这里提到的基底进行处理。在可应用的地方，这里的披露可应用于这种和其他基底处理工具。另外，例如为了产生多层IC，可以对基底进行多次处理，因此这里所用的术语基底也可以指的是已经包含多个已处理层的基底。
尽管上面特别参考将本发明的实施例用于光学光刻范围内，但是应该理解，本发明也可以用在其他应用中，例如压印光刻，和上下文允许的范围，不限于光学光刻。在压印光刻中，构图装置中的形貌限定了在基底上产生的图案。构图装置的形貌可以印制在供给到基底的抗蚀剂层中，在该抗蚀剂层上，通过作用电磁辐射、热、压力或其组合来固化该抗蚀剂。在抗蚀剂固化之后，可以将构图装置从抗蚀剂处移开，将图案留在其中。
这里使用的术语“辐射”和“束”包含所有类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射(例如具有或大约为365，355，248，193，157或者126nm的波长)和远紫外(EUV)辐射(例如具有5-20nm范围的波长)，以及粒子束，如离子束或者电子束。
上下文中涉及的术语“透镜”可以指各种类型的光学部件的任一种或组合，包括折射、反射、磁、电磁和静电光学部件。
尽管上面已经描述了本发明的具体实施例，但是应该理解，本发明可以按照不同于所述的方式实施。例如，本发明可以采取计算机程序的形式，该计算机程序包含描述如上面披露的方法的一个或多个机器可读的指令序列，或者采取其中存储这种计算机程序的数据存储媒体的形式(例如半导体存储器、磁盘或光盘)。
上面的描述是示例性的，不是限制性的。这样，本领域的技术人员可以明白，在不偏离下面权利要求书阐述的范围的情况下，可以对所述发明进行修改。
权利要求
1.一种光刻设备，其包括构造为调节辐射束的照射系统；构成为支撑构图装置的构图装置支撑件，该构图装置能够给辐射束在其截面中赋予图案，以形成带图案的辐射束；构成为支撑基底的基底支撑件；以及构造为将带图案的辐射束投射到基底的靶部分上的投影系统，所述基底支撑件布置为沿着基底的随后定靶的靶部分的预定的轨迹移动基底，其中，所述基底支撑件包括输送管构造，用于给所述基底提供热稳定性，所述输送管构造布置为在所述支撑件中输送热稳定介质，以及经由支撑基底的前面定靶的部分的所述基底支撑件的部分将介质充分输送离开支撑所述靶部分的所述基底支撑件的一部分，使得保持随后定靶的靶部分热稳定。
2.根据权利要求1所述的光刻设备，其中，所述轨迹限定了所述基底的所述随后定靶的部分沿着纵轴线的平均的前进方向，以及其中在所述基底支撑件中的所述输送管构造限定在与所述平均的前进方向相对方向上的所述热稳定介质的流的平均的方向。
3.根据权利要求1所述的光刻设备，其中，所述输送管构造包括分别用于所述热稳定介质的入口和出口的入口部分和出口部分，其中，所述入口部分和出口部分布置为在基底支撑件的一侧上彼此邻近，以及其中输送管布置为从所述入口部分通过所述基底支撑件的周边边缘将热稳定介质输送到基底支撑件的相对侧。
4.根据权利要求1所述的光刻设备，其中，所述热稳定介质通过蜿蜒回路从基底支撑件的一侧流到相对侧。
5.根据权利要求1所述的光刻设备，其中，所述输送管构造包括多个输送管，其同中心布置，所述输送管通过至少一个径向定向的输送管连接。
6.根据权利要求5所述的光刻设备，其中，所述热稳定介质从基底支撑件的一侧流到相对侧。
7.根据权利要求1所述的光刻设备，其中，所述输送管构造包括跟随随后的扫描的轨迹的布局。
8.一种用于在光刻设备中支撑基底的基底支撑件，所述基底支撑件包括输送管构造，其布置为在所述支撑件中输送热稳定介质，以及经由支撑基底的前面定靶的部分的所述基底支撑件的部分将介质充分输送离开支撑接收带图案的辐射束的基底的靶部分的所述基底支撑件的一部分，使得保持随后定靶的靶部分热稳定。
9.根据权利要求8所述的基底支撑件，其中，所述基底支撑件包括用于所述热稳定介质的入口和出口的入口部分和出口部分，其中，所述入口部分和出口部分布置为在基底支撑件的一侧上彼此邻近，以及其中输送管布置为从所述入口部分通过所述基底支撑件的周边边缘将热稳定介质直接输送到基底支撑件的相对侧。
10.根据权利要求8所述的基底支撑件，其中，所述冷却剂通过蜿蜒回路从基底支撑件的一侧流到相对侧。
11.一种使用光刻设备制造器件的方法，该方法包括将带图案的辐射束投射到由与基底热接触的基底支撑件支撑的基底的靶部分上；从开始靶部分到最终靶部分沿着预定的轨迹移动基底，所述轨迹限定了所述基底支撑件运动的平均的前进方向；以及在与所述基底支撑件运动的所述平均的前进方向相对的流的平均的方向上在所述基底支撑件中输送热稳定介质。
12.一种使用光刻设备制造器件的方法，该方法包括将带图案的辐射束投射到由与基底热接触的基底支撑件支撑的基底的靶部分上；从开始靶部分到最终靶部分沿着预定的轨迹移动基底；以及经由基底的前面定靶的部分将在所述支撑件中的热稳定介质输送离开所述靶部分，使得保持随后定靶的部分热稳定。
13.一种浸渍光刻设备，其包括构造为调节辐射束的照射系统；构成为支撑构图装置的构图装置支撑件，该构图装置能够给辐射束在其截面中赋予图案，以形成带图案的辐射束；构成为支撑基底的基底支撑件；以及构造为将带图案的辐射束投射到基底的靶部分上的投影系统，所述投影系统布置为提供基底和投影系统之间的光学液体，用于提供浸渍光刻；所述基底支撑件布置为沿着随后定靶的靶部分的预定的轨迹移动基底；其中，所述基底支撑件包括输送管构造，用于给所述基底提供热稳定性，所述输送管构造布置为在所述支撑件中输送热稳定介质，以及经由支撑基底的前面定靶的部分的所述基底支撑件的部分将介质充分输送离开支撑所述靶部分的所述基底支撑件的一部分，使得保持随后定靶的靶部分热稳定。
14.一种制造用于支撑基底的基底支撑件的方法，其包括在基底支撑件的顶层和/或底层中产生输送管布局构造，用于通过其输送腐蚀介质，所述顶层构造为接触基底；在所述顶层和底层之一上沉积用于阳极结合所述顶层和底层以产生结合层的材料；以及通过阳极结合将所述顶层结合到所述底层，使得在顶层和底层的所述一个中迁移结合层的材料，以防止腐蚀敏感的结合面。
全文摘要
一种光刻设备包括构成为支撑基底的基底支撑件，和构造为将带图案的辐射束投射到基底的靶部分上的投影系统。该基底支撑件布置为沿着基底的随后定靶的靶部分的预定的轨迹移动基底。该基底支撑件包括输送管构造，用于给基底提供热稳定性。该输送管构造布置为在支撑件中输送热稳定介质，以及经由支撑基底的前面定靶的部分的基底支撑件的部分将介质充分输送离开支撑靶部分的基底支撑件的一部分，使得保持随后定靶的靶部分热稳定。
文档编号H01L21/68GK1766739SQ200510118070
公开日2006年5月3日 申请日期2005年10月25日 优先权日2004年10月26日
发明者J·J·奥坦斯, J·J·S·M·梅坦斯, F·E·德荣格, K·戈尔曼, B·门奇特奇科夫, E·A·M·范戈佩 申请人:Asml荷兰有限公司