垂直磁性记录介质的制作方法

专利名称：垂直磁性记录介质的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种垂直磁性记录介质，它可安装在包括计算机外存装置的垂直磁性记录设备中。
背景技术：
垂直磁性记录系统替代常规的纵向磁性记录系统，而作为获得高密度磁性记录的方法引起了人们的注意。特别是双层垂直磁性记录介质是已知获得高记录密度的良好垂直磁性记录介质。双层垂直磁性记录介质在记录信息的磁性记录层下方有一层被称作软磁性背衬层的软磁性膜。软磁性背衬层能使磁头产生的磁通量穿透，并具有高的饱和磁通量密度Bs。双层垂直磁性记录介质能提高磁头产生的磁场的强度和梯度，提高记录记录分辨率，并增加从介质的泄通量。
这样结构的垂直磁性记录介质存在的一个问题是尖峰噪声，它是介质产生的一类噪声，已知是在软磁性背衬层形成的磁畴壁引起的。要在垂直磁性记录介质中达到低噪声，必须避免在软磁性背衬层中形成磁畴壁。
已经提出了某些抑制软磁性背衬层中磁畴壁生成的方法。专利文献1提出在软磁性背衬层上面和/或下面形成钴合金等的铁磁层，并且将该铁磁层按照所需方向进行磁化的方法。专利文献2提出一种方法，该方法是形成IrMn等合金的反铁磁层并在层间利用交换耦合，以一定取向来固定磁化。后一种利用反铁磁层的方法即使在从储存装置的外面施加磁场的情况下，也几乎不会形成磁畴壁。因此，可以认为后一种方法较使用铁磁层的方法显示出更优良的抗环境能力。
为了确保适当的交换耦合的程度并抑制形成磁畴壁，反铁磁层和软磁性背衬层的简单层叠并不合适，而是需要在形成反铁磁层之前形成合适的晶种层，以控制反铁磁层的晶体取向(crystal alignment)和结晶度。例如专利文献2公开通过在沉积反铁磁层之前沉积钽晶种层和NiFe合金的取向控制层来提高反铁磁层和软磁性背衬层之间的交换耦合。
专利文献3提出一种垂直磁性记录介质，该介质包含在非磁性基片上顺序层叠的以下各层CoTaZr合金薄膜和NiFe合金薄膜的层叠物的软磁性背衬层；锰合金如IrMn的反铁磁层；TiCr合金、PdB等的非磁性下层(underlayer)；CoCr-基合金，或者钴和铂或钴和钯的层叠结构的磁记录层；以及保护层。根据该专利文献，通过由反铁磁层抑制软磁性背衬层的磁畴形成来抑制尖峰噪声，并通过加入最大厚度为5nm的非磁性下层来控制磁记录层的晶体取向和晶粒粒度，从而获得了优良性能。
如前面所述，由于提供了软磁性背衬层，垂直磁性记录系统能够提高由磁头产生的磁场强度和梯度。但是，为发挥软磁性背衬层最佳效果，必须使磁头和软磁性背衬层之间保持尽可能小的距离。除了使保护层和磁记录层厚度最小之外，较佳的还要使磁记录层和软磁性背衬层之间的非磁性下层的厚度尽可能小。
例如专利文献3公开在一种包含5nm厚度的保护层，20nm厚度的磁记录层和10nm厚度的反铁磁层的介质中，如果非磁性下层厚度大于或等于5nm，在用浮动高度为16nm的磁头的测定中，记录效率会降低，记录性能会下降，因此非磁性下层厚度必须小于或等于5nm，较好在1-3nm范围。在常规的CoCr合金磁记录层中，增加非磁性下层厚度，有时会由于其本身厚度增加而使磁记录层的晶粒粒度增大。因此，过厚的非磁性下层并不有利。
然而，本发明人的研究揭示，厚度不大于5nm的非磁性下层会明显降低磁记录层的磁性性质和记录性能，尤其是在在磁场中进行热处理和冷却过程以进行磁畴控制的情况下。在使用反铁磁层的磁畴控制时，基片必须在至少沉积反铁磁层和软磁性背衬层之后，加热到约250℃和350℃之间(取决于反铁磁层的材料)，并一般在向磁盘径向施加磁场的情况下冷却，使软磁性背衬层的磁化对准。可以认为，记录性能下降的原因是在为磁畴控制而进行的热处理期间，层中原子扩散引起的反铁磁层和磁记录层之间的磁性相互作用。
对垂直磁记录层的磁记录层，所谓颗粒磁记录层正在引起人们的注意，颗粒磁记录层由钴合金的铁磁性晶粒以及例如在铁磁性晶粒周围的非磁性非金属的氧化物颗粒边界组成，如专利文献4揭示的。在氧化物等构成的磁记录层中具有晶粒边界的颗粒结构比加入铂等的CoCr合金的常规磁记录层能更有效地降低晶粒之间的磁性相互作用。结果是，这种颗粒结构明显降低了介质中产生的噪声，并具有良好的记录性能，达到高密度记录。
为了降低噪声以及提高颗粒磁记录层的热稳定性，需要适当的结构控制，包括晶体取向、铁磁性晶粒的粒度和粒度分布、以及氧化物等晶粒边界的宽度。为此目的，一般在形成磁记录层之前，要形成包括晶种层和下层的许多层。例如专利文献4揭示，在沉积颗粒磁记录层之前，沉积无定形结构的晶种层、NiFe等合金的取向控制层、以及钌等下层，可以降低介质噪声。此文献还公开了为控制磁记录层结构，钌下层的厚度必须至少3nm，较好至少5nm。
通过结合上述各现有技术，具体是专利文献2揭示的对软磁性背衬层的磁畴控制技术以及专利文献4所揭示的技术控制记录层结构的颗粒磁记录层及层结构，能形成优良的垂直磁性记录介质，它具有不产生尖峰噪声的软磁性背衬层以及噪声低和热稳定性高的颗粒磁记录层。然而，采用这些层结构制得的介质应有顺序层叠在非磁性基片1上的至少9层不同层，如图3所示。这9个层是晶种层8，第一取向控制层9，反铁磁层3，软磁性背衬层2，第二取向控制层10，非磁性下层4，颗粒磁记录层5，保护层6以及润滑剂层7。这许多层的层叠需要复杂且价格高的沉积设备，因此提高了介质的制造成本。许多层的层叠使得控制厚度和磁性性质非常复杂，这也是现有技术存在的问题。
日本未审查专利申请公开号H6-180834[专利文献2]日本未审查专利申请公开号2002-352417[专利文献3]日本未审查专利申请公开号2002-298326[专利文献4]日本未审查专利申请公开号2003-77122发明内容鉴于上述问题，本发明的一个目的是提供一种垂直磁性记录介质，它通过抑制软磁性背衬层产生的尖峰噪声而具有优良的磁记录性能。本发明的另一个目的是提供一种具有良好产率的垂直磁性记录介质。
本发明的垂直磁性记录介质包含按以下顺序层叠在非磁性基片上的至少一个软磁性背衬层、反铁磁层、非磁性下层和磁记录层。非磁性下层由具有六方密堆积的结构(hcp，hexagonal closed packed structure)的钌或钌合金构成，厚度至少为5nm。磁记录层由主要由铁磁CoPt合金组成的铁磁性晶粒以及主要由包围该晶粒的氧化物组成的非磁性颗粒边界构成。反铁磁层包含至少含锰的合金，具有面心立方结构(fcc，face centered cubic structure)。反铁磁层直接层叠在软磁性背衬层上。
较好的是，反铁磁层由IrMn等合金构成。
软磁性背衬层较好具有面心立方晶体结构，并由至少含镍和铁的合金构成。
较好的是，软磁性背衬层具有两个或多个直接层叠的软磁性层组成的结构。与反铁磁层接触的第一软磁性背衬层具有面心立方晶格结构，由至少含镍和铁的合金构成。夹在非磁性基片和第一软磁性背衬层之间的第二软磁性背衬层具有无定形结构，并至少含有钴。
软磁性背衬层的上表面与磁记录层的下表面之间的距离宜最大为25nm。
本发明能够制造优良的垂直磁性记录介质，这种介质具有不产生尖峰噪声的软磁性背衬层以及噪声低和稳定性高的颗粒磁记录层，与目前要求的层结构相比，它采用显著简化的层结构。由于制造这些层的沉积设备简单而价廉，降低了介质的制造成本。还可以简化对各层厚度和磁性性质的控制。
厚度不小于5nm的钌或钌合金的非磁性下层有利于控制颗粒磁记录层的结构，即使在为磁畴控制进行热处理时，也能中途阻止反铁磁层和磁记录层之间的相互作用。因此，得以实现所需的记录。
锰合金的反铁磁层和钌或钌合金的非磁性下层的层叠结构不需要增加总的膜厚度，比常规的钌或钌合金的非磁性下层的单层能更有效地控制颗粒磁记录层的显微结构。即，在软磁性背衬层和磁记录层之间存在的各非磁性层厚度不比常规厚度增加情况下，能获得软磁性背衬层的最大效果。
由于钌比IrMn更贵，本发明中钌或钌合金非磁性下层厚度减小意味着本发明层结构中IrMn和钌的层叠物的制造成本低于常规单层钌层的制造成本。
下面将结合附图描述本发明优选实施方式的某些方面。
附图简单说明

图1所示是本发明第一实施方式的垂直磁性记录介质结构剖面示意图；图2所示是本发明第二实施方式的垂直磁性记录介质结构剖面示意图；图3所示是现有技术的垂直磁性记录介质结构剖面示意图；
图4所示是实施例1的垂直磁性记录介质中交换耦合磁场Hex随IrMn反铁磁膜厚度的变化曲线；图5所示是实施例2和3以及比较例1和2的垂直磁性记录介质中信噪比(SNR)随钌非磁性下层膜厚度的变化曲线。
附图中符号说明1 非磁性基片2 软磁性背衬层21第一软磁性背衬层22第二软磁性背衬层3 反铁磁层4 非磁性下层5 磁记录层6 保护层7 润滑剂层8 晶种层9 第一取向控制层10第二取向控制层具体实施方式
图1所示是本发明垂直磁性记录介质的结构的第一个例子。本发明的垂直磁性记录介质包含按以下面顺序层叠在非磁性基片上的各个层软磁性背衬层2、反铁磁层3、非磁性下层4、磁记录层5和保护层。在保护层6上面，形成润滑剂层7。图2所示是本发明垂直磁性记录介质的结构的第二个例子，其中软磁性背衬层2由两个层组成。在非磁性基片上形成的是如下顺序的各层第二软磁性背衬层22、第一软磁性背衬层21、反铁磁层3、非磁性下层4、磁记录层5和保护层6。润滑剂层7形成在保护层6上面。
非磁性基片1可选自在磁记录介质中通常使用的基片，包括镀Ni-P的铝合金基片、化学增强玻璃或晶化玻璃的玻璃基片、硅基片、和其它光滑基片。
磁记录层5是所谓的颗粒磁记录层，它由铁磁性晶粒以及主要由包围晶粒的非磁性金属氧化物构成的非磁性颗粒边界组成。具有这样结构的磁记录层5可采用先以含有构成非磁性颗粒边界的氧化物的铁磁金属钯溅射的方法、或采用在含氧的氩气气氛中用铁磁金属钯进行活性溅射的方法进行沉积来制造。
CoPt-基合金是宜用于构成铁磁性晶粒的一种材料。也可以使用其它铁磁材料，没有任何具体限制。CoPt-基合金较好含有至少一种选自Cr、Ni、Ta和B的元素，以用来降低磁性记录介质的噪声。构成非磁性颗粒边界的材料可以是至少一种选自下列元素的氧化物Cr、Co、Si、Al、Ti、Ta、Hf和Zr。这些材料能够形成稳定的颗粒结构。磁记录层5的厚度可根据所需磁性性质适当决定，开且要求该厚度可达到足够的读-磁头重现输出和在读-写过程中的读-写分辨率。
用于保护层6的可为，例如主要由碳构成的薄膜。碳保护层可采用溅射法或化学气相沉积(CVD)法制造。用于润滑剂层7的可为，例如全氟聚醚的液体润滑剂。
非磁性下层4由具有hcp晶体结构的钌或钌合金构成。下层厚度至少为5nm。为适当控制具有颗粒结构的磁记录层5的显微结构，将磁记录层5直接层叠在钌或钌合金的非磁性下层4上面。
非磁性下层的厚度小于5nm时，就不能对颗粒磁记录层提供适当结构控制，并且不能达到要求的磁性性质和记录特性。当磁记录层并不具有颗粒结构，而是由常规Co-Cr-基合金构成时，提供厚度为1-5nm的极薄非磁性下层可能经常进行所需的磁性层结构控制，这意味着主要减小晶粒和控制晶体取向。另一方面，增加非磁性下层厚度会由于其本身中晶粒增多而使磁记录层中的晶粒增多。因此，太厚的非磁性下层是不适宜的。
在含氧化物的颗粒磁记录层的结构控制中，非磁性下层除了使晶粒最小化和控制晶体取向之外，还起了促进氧化物沉淀到晶粒边界的作用。这种情况下，根据本发明人的研究，非磁性下层的最好材料是钌或钌合金，其厚度必须至少为5nm。颗粒磁记录层的晶粒粒度由于存在氧化物而几乎不受下层厚度增加的影响。因此，与CoCr-基合金的磁记录层相比，非磁性下层的厚度可有所增加，但是如下所述存在一定的上限。
此外，本发明的垂直磁性记录介质中，如果非磁性下层是厚度小于5nm的薄膜且受到在对磁畴控制进行的热处理期间可能发生的原子扩散的影响，则可能在反铁磁层和磁记录层之间发生磁性相互作用，降低记录特性。
反铁磁层3由至少含具有fcc结构的锰的合金构成。为使软磁性背衬层2具有高的交换各向异性，特别优选含10-30原子％范围的IrMn合金。软磁性背衬层和反铁磁层直接层叠是必需的，这意味着软磁性背衬层和反铁磁层是处于直接交换耦合条件的。为了抑制尖峰噪声，由于软磁性背衬层与铁磁层的交换各向异性以及软磁性层所具有的不存在畴壁的单磁畴结构，将其磁化曲线在一个方向上位移是必需的。为提高抑制尖峰噪声的作用，反铁磁层3的厚度宜为至少4nm。
为达到单磁畴状态，一种可能的方法是，在保护层6上沉积所有层结构之后，在进行沉积过程的真空室中，将具有该层结构的基片一次加热到高于阻塞温度(blocking temperature)的温度，在阻塞温度下，反铁磁层3和软磁性背衬层2之间的交换耦合消失。该阻塞温度一般在250-350℃范围，需要时可更高。通过随后在平行于非磁性基片沉积表面的大约100Oe的均匀磁场中冷却，使磁化与施加的磁场具有相同取向，由此获得了不存在畴壁的单磁畴状态。在盘形非磁性基片情况下，宜在径向上施加磁场。
软磁性背衬层2较好具有fcc结构，并且是至少含镍和铁的合金，以利于控制层叠在软磁性背衬层2上的反铁磁层3的对准和结晶度，并获得高的交换各向异性。具有这种特性的软磁性背衬层有利于通过反铁磁层的结构来控制非磁性下层的结构，提供颗粒磁记录层所需的显微结构。
平行于膜表面的晶体取向平面在软磁性背衬层2中宜为fcc(111)平面，在反铁磁层3中宜为fcc(111)平面，在非磁性下层中宜为hcp(002)平面，在磁记录层中宜为hcp(002)。这种结构能够使所有层连续外延生长，从而最终提高磁记录层的晶体取向。
在图2所示的本发明第二种结构的例子中，软磁性背衬层由两个层叠的层组成与反铁磁层3接触的第一软磁性背衬层21和位于第一软磁性背衬层21和非磁性基片1之间的第二软磁性背衬层22。第一软磁性背衬层21较好由具有fcc结构并至少含有镍和铁的合金构成，而第二软磁性背衬层22由具有无定形结构并至少含有钴的合金构成。第一软磁性背衬层21和第二软磁性背衬层22需要直接层叠，以使得这两个层响应于施加的磁场的磁化性能几乎表现得象一个整体一样。这种情况下，如上所述，在由两个层构成的软磁性背衬层2和反铁磁层3之间形成交换耦合，并且软磁性背衬层2的磁化接受来自反铁磁层3的交换的各向异性。为抑制尖峰噪声，需要将磁化曲线在一个方向上位移，并且软磁性背衬层2成为不存在畴壁的单磁畴。
在此第二结构的例子中，第二软磁性背衬层22的作用是作为晶种层，以提高第一软磁性背衬层21的晶体取向和结晶度，并提供优良的垂直磁性记录介质。
包含由钽构成的取向控制层例如还可以提供在非磁性下层4和反铁磁层3之间。在此，为使软磁性背衬层的效果最大，软磁性背衬层上表面和磁记录层下表面之间的距离，即非磁性下层、反铁磁层和上述取向控制层的总厚度较好至多为25nm，更好至多为20nm。
还可以在软磁性背衬层2和非磁性基片1之间具有另外的软磁性层或非磁性层。
具有本发明这种层结构的垂直磁性记录介质具有至少六层构成的层结构，与至少需要九层的常规垂直磁性记录介质相比，这是一种简化得多的层结构。此外，本发明的垂直磁性记录介质具有优良的记录性能。
下面，将描述本发明垂直磁性记录介质的一些具体实施方式
。
实施例1所使用的非磁性基片是增强的盘形玻璃基片，其公称直径为2.5英寸(N-5，由HOYA公司制造)。清洁之后，将该基片放入溅射设备。在5毫乇氩气压力下，用Ni22Fe合金靶(数字代表后面元素的原子百分数，即，22原子％铁和余量的Ni。同样标注可应用于下面的描述)，形成厚150nm的fcc结构NiFe合金的软磁性背衬层2。随后，在20毫乇氩气压力下，用Ir80Mn合金的靶，形成fcc结构IrMn合金的反铁磁层3。反铁磁层厚度可以在0-10nm范围改变。随后，在30毫乇氩气压力下，用钌靶，形成厚10nm的hcp结构钌的非磁性下层4。然后，使用RF溅射法，在10毫乇氩气压力下，用含90摩尔％的(Co10Cr12Pt)-10摩尔％(SiO2)的靶，形成厚15nm的颗粒磁记录层5。之后，层叠上厚5nm的碳保护层6。随后，将具有直达保护层的这些层的基片用灯加热器在溅射设备的真空室中加热至250℃。之后立刻将基片留在具有永久磁体的磁路内，该永久磁体在盘的径向施加120Oe的磁场。基片温度下降至低于100℃后，从真空室中取出该基片。之后，施涂1.5nm厚的液体润滑剂。这样就制成具有图1所示结构的垂直磁性记录介质。
将制成的垂直磁性记录介质切割成8mm见方的样品，使用振动样品磁力计(VSM)，在样品平面方向和切割前盘的径向上施加最大能达1kOe的磁场，测定磁化曲线。图4所示是所获得的磁化曲线的回路偏移(loop shift)，即交换耦合磁场Hex随IrMn膜厚度的变化。Hex是软磁性背衬层和反铁磁层之间交换耦合的强度指数。
虽然测定的Hex值在IrMn膜的厚度为3nm时接近零，但是对厚度在4-10nm范围的IrMn膜获得的Hex值约为10Oe。
然后，使用配备用于垂直磁性记录的单磁极头(磁道宽度为0.2μm，浮动高度为10nm)的旋转立式测试仪测定读-写特性。首先，以50mA书写电流在磁盘整个表面上进行直流电去磁。然后，在整个磁盘表面上进行信号重现，测定尖峰噪声。表1列出实施例1中具有不同厚度IrMn膜的垂直磁性记录介质所产生的尖峰噪声。根据图4的结果，厚度大于或等于4nm的IrMn膜能防止尖峰噪声，其获得了高Hex值。相反，在没有IrMn膜的介质或IrMn膜厚度小于或等于3nm的介质中产生了尖峰噪声，并且未获得的足够高的Hex。因此，已经证实由厚度大于或等于4nm的IrMn膜制备的垂直磁性记录介质防止了尖峰噪声的产生。
表1

实施例2按照和实施例1相同的方式制造具有图1结构的垂直磁性记录介质，不同之处是，反铁磁层厚度固定为5nm，非磁性下层厚度在0-25nm范围改变。
实施例3按照和实施例1相同的方式制造具有图2结构的垂直磁性记录介质，不同之处是，在溅射设备中放入清洁的非磁性基片后，在5毫乇氩气压力下，用Co5Zr5Nb靶，形成120nm厚的无定形结构CoZrNb合金的第二软磁性背衬层22，随后，形成30nm厚的NiFe合金的第一软磁性背衬层21。
比较例1按照和实施例2相同的方式制造垂直磁性记录介质用作比较，不同之处是，没有反铁磁层。
比较例2按照和实施例2相同的方式制造垂直磁性记录介质用作比较，不同之处是，在沉积非磁性下层后，用灯式加热器在真空室内加热基材至250℃，然后，采用DC溅射法，在10mTorr氩气压力下，用Co20Cr10Pt靶，形成15nm厚的CoCrPt合金的磁记录层15。
使用配备用于垂直磁性记录的单磁极头(磁道宽度为0.2μm，浮动高度为10nm)的旋转立式测试仪，在这些介质上测定读-写特性。首先，以50mA书写电流(write current)在磁盘整个表面上进行直流电去磁。然后，在整个磁盘表面上进行信号重现，测定尖峰噪声。在实施例2和3的所有垂直磁性记录介质中没有检测到尖峰噪声，而在比较例1的所有垂直磁性记录介质中检测到尖峰噪声。
然后，以370kFCI记录密度(每英寸的磁通量变化)测定信噪比(SNR)。图5所示是SNR依赖于介质的钌膜厚度的曲线。
在实施例2的垂直磁性记录介质中，SNR随钌膜厚度增加而提高，并在5nm钌膜厚度时达到15dB。在钌膜厚度大于15nm的范围内，即钌膜和IrMn反铁磁膜总厚度大于20nm范围内，SNR稍微下降。当钌膜厚度大于20nm时再次发生SNR下降。在很厚的钌膜中SNR的下降可以设想是由软磁性背衬层和磁头之间距离增加引起的。
实施例3的垂直磁性记录介质的SNR显示和实施例2垂直磁性记录介质类似的钌膜厚度依存关系，而实施例3的SNR值比实施例2大0.5-1.0dB。这是由软磁性背衬层的双层结构产生的，其中，在NiFe合金的第一软磁性层下面形成的CoZrNb合金的第二软磁性层，其作用是作为晶种层，有利于改变磁记录层的显微结构。
比较例1的垂直磁性记录介质对小于10nm的钌膜厚度显示小于10dB的极低SNR值。SNR随钌膜厚度增加而提高，并在钌膜厚度为15-25nm范围达到约15dB。约15dB的SNR值相当于实施例1中钌膜厚度为10-20nm范围的SNR值。这意味着在实施例1的垂直磁性记录介质中，可以以更薄的钌膜厚度获得相当于比较例1的SNR值。
比较例2的垂直磁性记录介质甚至在1nm的极薄钌膜时，也显示大约11dB的SNR值。因此，使用没有颗粒结构的CoCr合金作为磁记录层的比较例2在极薄钌膜中显示相对高的SNR值。但是，该SNR值比包含具有颗粒结构的磁记录层的实施例2和3小相当大的4dB。
对3nm或更厚的钌膜，SNR逐渐下降，这主要归功于和钌膜厚度增加相关的磁记录层的晶粒粒度增大。
权利要求
1.一种垂直磁性记录介质，其包含依序层叠在非磁性基片上的至少一个软磁性背衬层、反铁磁层、非磁性下层和磁记录层，其中，所述非磁性下层由具有六方密堆积的结构(hcp)的钌或钌合金构成，厚度至少为5nm；所述磁记录层由主要由铁磁CoPt合金组成的铁磁性晶粒以及主要由包围该晶粒的氧化物组成的非磁性颗粒边界构成；所述反铁磁层由至少含锰，并具有面心立方结构(fcc)的合金构成；以及所述反铁磁层直接层叠在软磁性背衬层上面。
2.如权利要求1所述的垂直磁性记录介质，其特征在于，所述反铁磁层由IrMn合金构成。
3.如权利要求1或2所述的垂直磁性记录介质，其特征在于，所述软磁性背衬层具有面心立方结构，并由至少含镍和铁的合金构成。
4.如权利要求1或2所述的垂直磁性记录介质，其特征在于，所述软磁性背衬层具有由两个或多个直接层叠的软磁性层构成的结构，其中，与反铁磁层接触的第一软磁性背衬层具有面心立方晶格结构并由至少含镍和铁的合金构成，并且位于非磁性基片和第一软磁性背衬层之间的第二软磁性背衬层具有无定形结构并至少含有钴。
5.如权利要求1-4中任一项所述的垂直磁性记录介质，其特征在于，软磁性背衬层上表面和磁记录层下表面之间的距离至多为25nm。
全文摘要
本发明目的是提供一种垂直磁性记录介质，它能通过抑制由于软磁性背衬层的尖峰噪声而显示优良的磁性能，并能获得优良的产率。本发明的垂直磁性记录介质包含依序层叠在非磁性基片上的至少一个软磁性背衬层、反铁磁层、非磁性下层和磁记录层，其中，磁记录层具有颗粒结构，非磁性下层由具有hcp结构的钌或钌合金构成，至少厚5nm，反铁磁层由具有fcc结构并至少含有锰的合金构成，反铁磁层直接层叠在软磁性背衬层上面。较好地，反铁磁层由IrMn合金构成，软磁性背衬层具有fcc结构并至少含有镍和铁。有利地，软磁性背衬层由两个或多个直接层叠的软磁性层构成，并且软磁性背衬层上表面和磁记录层下表面之间的距离至多为25nm。
文档编号H01F10/26GK1815566SQ200510128760
公开日2006年8月9日 申请日期2005年12月2日 优先权日2004年12月2日
发明者上住洋之, 酒井泰志, 竹野入俊司, 渡边贞幸 申请人:富士电机电子设备技术株式会社