专利名称：侧面发射的激光二极管封装结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种侧面发射的激光二极管封装结构，特别涉及一种能广泛应用于光储存、光通讯及其它各种产业的激光二极管封装结构。
背景技术：
激光二极管(Laser Diode，LD，或称半导体激光)在近二十年迅速发展，被广泛的应用于光储存、光通讯，例如作为读写头的光源，或光纤网路的传输光源等，以及其它国防、民生、实验等领域的用品，诸如激光列表机、制版、读码、微像产生、质量控制和机器人视觉等。习知的半导体激光二极管可大概分为边射型激光二极管(Edge-Emitting Laser，EELD)，及垂直共振腔面射型激光二极管(Vertical Cavity Surface Emitting Laser，VCSEL，简称面射型激光二极管)，其应用上大都以金属封罐(基座加上封盖)加以密封保护，防止外在环境影响发光质量。
边射型激光二极管的一般封装方式如图7所示，是将激光晶粒10结合于一基座20上的支柱201侧，令其侧边发光方向与基座20呈垂直，该基座20底端凸设有数支导电端子202，而上端罩设有一金属封盖30，并于封盖30对应激光晶粒10发光处设有一透光孔301及透镜302；面射型激光二极管的一般封装方式如图8所示，将一激光晶粒10水平结合于基座20上，使其发光方向与基座20呈垂直，并于基座20上设有相同的封盖30、透光孔301及透镜302。
上述习知激光二极管封装方式，均使发光方向与基座20呈垂直，如图9所示，前者需设有一支柱201作为结合部，后者无需该支柱201，因此二种基座20结构形式不同，增加制造、质量管理程序的麻烦；且该基座20以其导电端子202插植于电路板40，特别需要与电路板40呈平行方向发射光源时，该基座20的数个导电端子202须再弯折，如图10所示，徒增制造及质量管理的复杂性，尤其弯折的精确度，不足以符合光学组件精密对准需求。
实用新型内容本实用新型的目的是要解决上述习知逃生指示装置存在的光线在浓烟中穿透力效果不强、逃生时无法辨识逃生方向的问题，而提供一种具有高穿透力效果的激光逃生指引装置。
本实用新型包括有一基座、一激光晶粒及一封盖，该基座的顶面设有一支柱，底面设有数个导电端子，该激光晶粒结合于支柱侧面，该封盖罩设于基座将支柱及激光晶粒封住，其特征在于，激光晶粒为边射型激光二极管，其边发光端的发光方向与基座呈平行，与导电端子呈垂直；该封盖侧壁开设有一透光孔对应发光方向，以组成侧面发射的激光二极管封装结构。
所述的激光晶粒可为面射型激光二极管，其面发光端的发光方向与基座呈平行，与导电端子呈垂直；并对应于封盖的透光孔。
所述的封盖的透光孔可设有一透镜。
本实用新型藉以激光晶粒与基座的结合结构，以及金属封盖封装的结构改进，使一种基座可通用于边射型激光二极管及面射型激光二极管，且无需弯折基座导电端子，即可使发光方向与后接的电路板呈平行。
图1为本实用新型的立体示意图。
图2为本实用新型的立体分解示意图。
图3为本实用新型边射型激光二极管的纵向剖视示意图。
图4为本实用新型边射型激光二极管的横向剖视示意图。
图5为本实用新型面射型激光二极管的纵向剖视示意图。
图6为本实用新型面射型激光二极管的横向剖视示意图。
图7为习见边射型激光二极管的结构示意图。
图8为习见面射型激光二极管的结构示意图。
图9为习见激光二极管的应用状态示意图一。
图10为习见激光二极管的应用状态示意图二。
具体实施方式
请参阅图1至图6所示，本实用新型是一种广泛应用于光储存、光通讯及其它各种产业的激光二极管封装结构，其包括有一基座1、一激光晶粒2及一封盖3；其中，如图1、图2、图3所示，基座1可为一圆形或其它形状的饿板片，在顶面凸设有一支柱11供下述激光晶粒2结合，在底面与基座1呈垂直向设有数个导电端子12，供电性连接于电路板；如图3、图4所示，激光晶粒2可为边射型激光二极管(Edge-EmittingLaser，EELD)，或如图5、图6所示，也可为面射型激光二极管(VerticalCavity Surface Emitting Laser，VCSEL，又称垂直共振腔面射型激光二极管)，并结合于基座1的支柱11侧面，使边射型激光二极管的边发光端21及面射型激光二极管的面发光端22发光方向均与基座1呈平行，且令激光晶粒2与导电端子12构成电性连接；其中，所述边射型激光二极管及面射型激光二极管为习知技术，其发光原理等不另赘述；如图1、图2、图3所示，封盖3可为金属∏形筒体，外观可为圆形、D形、矩形或其它形状，乃罩设于基座1顶部固定，将所述支柱11及激光晶粒2封住，防止灰尘进入妨碍发光，该封盖3并于侧壁设有对应激光晶粒2边发光端21或面发光端22发光方向的透光孔31，且可视需要于透光孔31设有一透镜32，或不使用透镜，使激光晶粒2的激光束可由透光孔31射出。
藉上述基座1、激光晶粒2及封盖3结构特征及结合关系，即组成侧面发射的激光二极管封装结构，可以以基座1的导电端子12插植于电路板40构成电性连接，如图3、图5所示，使不论为边射型激光二极管(EELD)或面射型激光二极管(VCSEL)，均与基座1及电路板40呈平行向发射激光束，而可弹性应用于光储存、光通讯及其它各种产业。
本实用新型的激光晶粒2是结合于基座1的支柱11侧面，使不论为边射型激光二极管(EELD)或面射型激光二极管(VCSEL)与基座1及电路板40呈平行向发射激光束，故能改善习知基座必须因应不同激光二极管而制造不同结构的麻烦，使该基座1通用于结合边射型激光二极管及面射型激光二极管，其仅需在封盖3罩设封盖时转换适当角度，即能使激光束射出；且因激光晶粒2的发光方向均与基座1呈平行，该基座1以其导电端子12插植于电路板40上时，不必再行弯折导电端子12的工作，不仅免除加工、质量管理的麻烦，并能增进其应用上的精确度。
权利要求1.一种侧面发射的激光二极管封装结构，其包括有一基座、一激光晶粒及一封盖，该基座的顶面设有一支柱，底面设有数个导电端子，该激光晶粒结合于支柱侧面，该封盖罩设于基座将支柱及激光晶粒封住，其特征在于激光晶粒为边射型激光二极管，其边发光端的发光方向与基座呈平行，与导电端子呈垂直；该封盖侧壁开设有一透光孔对应发光方向。
2.按照权利要求1所述的一种侧面发射的激光二极管封装结构，其特征在于所述的封盖的透光孔设有一透镜。
专利摘要本实用新型公开了一种侧面发射的激光二极管封装结构，其包括有一基座、一激光晶粒及一封盖，该基座的顶面设有一支柱，底面设有数个导电端子，该激光晶粒结合于支柱侧面，该封盖罩设于基座将支柱及激光晶粒封住，激光晶粒为边射型激光二极管或面射型激光二极管，其边发光端或面发光端的发光方向与基座呈平行，与导电端子呈垂直；该封盖侧壁开设有一透光孔对应发光方向，以组成侧面发射的激光二极管封装结构，本实用新型藉以激光晶粒与基座的结合结构，以及金属封盖封装的结构改进，使一种基座可通用于边射型激光二极管及面射型激光二极管，且无需弯折基座导电端子，即可使发光方向与后接的电路板呈平行。
文档编号H01S5/00GK2829158SQ20052000774
公开日2006年10月18日 申请日期2005年3月18日 优先权日2005年3月18日
发明者郑祝良 申请人:联钧光电股份有限公司