专利名称：突波吸收装置的制作方法
技朮领域本发明是有关于一种突波吸收装置，特别是指一种通过若干层绝缘套管层层套置于压敏电阻而形成的突波吸收装置。
背景技朮参阅图1、2，一般正常状况之下，输入电子装置的电源电压应为一定的额定电压，但是在某些状况下，如遭遇雷击或供电系统故障等因素发生时，亦或电子装置的电源开关动作的瞬间。皆会造成此电子装置的输入电压会在瞬间，出现高过额定电压值的突波。这些不正常的突波，虽然都只在瞬间发生，但其于往往高过额定值甚多，严重时足以破坏此电子装置。一般防制方式，是于电子装置的电路中布设有一具有突波吸收器2(Varistor)的回路。如图1所示，为一简易的布设有突波吸收器的电路，其中，突波吸收器2的电气特性是于一般正常状况时，其奥姆值约为兆欧级，当突波吸收器2的端电压超过其崩溃电压时，其奥姆值将急速下降到甚至小于1奥姆的极小值。如此，依据电流分流法则，输入电流Iin将大半通过突波吸收器2，并进而融断保险丝(Fuse)，达到保护电子装置的目的。但由于有时因突波电压过大而击穿突波吸收器2时，将造成突波吸收器2爆裂且四处飞散的状况，这将造成由突波吸收器2形成的回路呈现开路，而无法流通电流，因此，无法达到保护电子装置的状况。面对此种情况，一般防制措施是于突波吸收器2外，另包裹一层热缩套管3，但于实际使用时，仍近有五成机率，无法有效防止突波吸收器2炸裂散逸。
发明内容
因此，本发明的目的，即在提供一种可有效确保吸收突波功效的突波吸收装置。
于是，本发明一种突波吸收装置，包含一压敏电阻，及若干绝缘套管。压敏电阻是具有一本体及二突伸于本体的接脚；若干绝缘套管层层地包裹于本体上。
图1是一电路图，说明习知应用突波吸收器的基本电路。
图2是一示意图，说明习知防止突波吸收器爆裂的防制手段。
图3是一示意图，说明本发明突波吸收装置的一较佳实施例。
图4是一示意图，说明一压敏电阻。
具体实施例方式
有关本发明之前述及其它技术内容、特点与功效，在以下配合参考图式的较佳实施例的详细说明中，将可清楚的呈现。
参阅图3、4，本发明突波吸收装置1，包含一压敏电阻11及若干绝缘套管12。压敏电阻11亦可称的为突波吸收器(varistor)，是一种伏安特性呈非线性的压敏属性电阻器。在正常电压条件下，相当于一电容器。其电气特性是当压敏电阻11的端电压超过其崩溃电压预定值时，其内阻将急剧下降并迅速导通，有效地将装设有此突波吸收装置1的电路上的电流分流，从而保护了电路上的其它组件不致因过压而损坏。
其中，压敏电阻11具有一本体111及二突伸于本体111的接脚112，其内部微观结构如图4所示。本体111由内而外是可概分为晶界层114，极板113，包裹层115。其中，极板113是为两接脚112于本体111内的一端是所形成的扁平状金属片，彼此相对应并平行间隔地放置，于两极板113间是为一具有氧化锌晶粒以及包裹此等晶粒的介质所形成的晶界层114。包裹层115则用以包裹此极板113及晶界层114。
氧化锌晶粒的电阻值很低，而介质的电阻值却很高，相接触的两个晶粒之间形成了一个相当于齐纳二极管的障壁电势，这就形成一压敏电阻单元。而晶界层114即是由若干个压敏电阻单元彼此串、并联所形成，串联的单元越多，压敏电阻11崩溃电压就愈高，晶界层114的横截面积越大，其并联路径也愈多，相对地此压敏电阻11的额定电流值也越大。压敏电阻11在工作时，每个压敏电阻单元都在承受突波电能量，这就是压敏电阻11能承受能量极大的突波的原因。
但当压敏电阻11承受一超过其崩溃电压值的突波电压，或承受突波电压的能量超过其额定焦耳值时，则其产生的高热将使得晶界层114因热胀冷缩的效应而急速膨胀，当其超过包裹层115所提供的应力时，将使得压敏电阻11爆开散裂。而使得压敏电阻11呈现一断路的特性，这与原本压敏电阻11于接收突波时，而呈现低电阻值的电气特性完全相异，故将丧失保护电路的效果。
为防止上述状况发生，此突波吸收装置1更于压敏电阻11的本体111上层层地包裹了若干层绝缘套管12。在本实施例中，是包裹有两层，且绝缘套管12是为一柔软、具耐燃性的材质所形成，其可为一热缩套管。其中，由于热缩套管是可紧密的收缩并包裹于被包裹物上，因此当于压敏电阻11的本体111上包裹了若干的绝缘套管12时，当压敏电阻11承受了一超过额定值的突波时，将由于此两层的绝缘套管12所提供一极大的应力包裹住该本体111，而使得本体111不会有爆开散裂的情事发生，连带地，维持了本体111的基本结构，而有效地让压敏电阻11的内阻急剧下降，而维持了压敏电阻11的电气特性，并因此确实地保护了应用此突波吸收装置1的电子产品免于遭受到突波的影响。
归纳上述，本发明突波吸收装置1是于压敏电阻11的本体111上包裹有若干绝缘套管12，而避免了压敏电阻11的本体111因承受一高于其崩溃电压额定值的突波而有炸裂散逸的情事发生，连带地大略维持了本体111的内部结构，而维持了压敏电阻11原本的电气特性，故确实能达到本发明的目的。
权利要求
1.一种突波吸收装置，其特征在于一压敏电阻，具有一本体及二突伸于本体的接脚；及若干绝缘套管，层层地包裹于本体上。
2.根据权利要求1所述的突波吸收装置，其特征在于该压敏电阻的本体上以包裹有两层绝缘套管为最佳。
3.根据权利要求1和2所述的突波吸收装置，其特征在于该等绝缘套管为热缩套管。
4.根据权利要求1所述的突波吸收装置，其特征在于该压敏电阻的本体为具有氧化锌晶粒的材质所形成。
全文摘要
本发明揭示了一种突波吸收装置，包含一压敏电阻，及若干绝缘套管。压敏电阻是具有一本体及二突伸于本体的接脚；若干绝缘套管层层地包裹于本体上。
文档编号H01C7/105GK101042953SQ200610034409
公开日2007年9月26日 申请日期2006年3月20日 优先权日2006年3月20日
发明者李吉泰 申请人:佛山市顺德区顺达电脑厂有限公司, 神达电脑股份有限公司