薄膜晶体管显示器件及其制造方法

专利名称：薄膜晶体管显示器件及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种半穿透半反射式液晶显示器及其制造方法，且特 别涉及一种半穿透半反射式液晶显示器之薄膜晶体管显示器件及其 制造方法。
背景技术：
薄膜晶体管显示器件(Thin Film Transistor displaying device, TFT displaying device)是液晶显示器之重要器件之一。每一薄膜晶体管显 示器件均可驱动液晶显示器之液晶旋转，使得穿越液晶之光线产生折 射而组合成显示画面。半穿透半反射式显示器(Transflecrive display device)之光源可 同时由外界光源及显示器内部之背光模块(Backlightmodule)所提供。 相对于全穿透式显示器，半穿透半反射式显示器可减少电源之使用。 且相对于全反射式显示器，半穿透半反射式显示器还可以在外界光源 不足的情况下，由背光模块提供足够之光源。半穿透半反射式显示器 可大幅提高阳光下的可读性，并可节省耗电量，使其广泛地应用于各 种电子产品中。传统之半穿透半反射式显示器之薄膜晶体管显示器件之像素区 域具有透光区及反射区。传统薄膜晶体管显示器件之制造方法包括以 下步骤。首先利用四道光掩模依序形成栅极(Gate electrode)、栅极 绝缘层、源极金属层(Source metal layer)及漏极金属层(Drain metal layer)于基板上，其中源极金属层及漏极金属层以电绝缘方式位于栅 极上方。接着，形成钝化层(PassivationLayer)覆盖于栅极、源极金 属层及漏极金属层。然后，利用第五道光掩模形成过孔(Via)贯穿 钝化层，用以暴露出漏极金属层之部分表面。接着，利用第六光掩模 形成透光区电极于透光区之该钝化层之上方。然后，利用第七道光掩 模形成多重表面层于反射区之钝化层上。最后，利用第八道光掩模形 成及反射区电极于多重表面层上。然而一道光掩模制作过程包括光阻涂敷、软烤、硬烤、曝光、 显影、蚀刻、去光阻及清洗等步骤。在薄膜晶体管显示器件之制造过 程中，每一制造程序均有机会造成微粒子的污染，而影响产品之合格 率。且每一制造程序均花费许多的工时成本、人力成本及机台购置成 本。发明内容有鉴于此，本发明的目的就是提供一种薄膜晶体管显示器件及其 制造方法，其利用半色调光掩模定义过孔、透光区电极以及反射区电 极三者其中之二，使得制作过程光掩模数减少。不仅缩短制作过程步 骤，还能减少微粒子污染之机会和工时成本、人力成本及机台购置成 本的支出。根据本发明之目的，提出一种薄膜晶体管显示器件制造方法。薄 膜晶体管显示器件设置于一半穿透半反射式显示器，薄膜晶体管显示 器件具有一透光区及一反射区。首先，形成一栅极、 一源极金属层及 一漏极金属层于一基板上，其中源极金属层及漏极金属层电绝缘地位 于栅极之上方。接着，形成一钝化层覆盖于该栅极、该源极金属层及 该漏极金属层。然后，形成一过孔贯穿钝化层，用以暴露出漏极金属 层之部分表面。接着，形成一透光区电极于透光区之钝化层上方。接 着，形成一反射区电极于反射区之钝化层上方。其中，以一半色调光 掩模定义过孔、透光区电极以及反射区电极三者其中之二。根据本发明之目的，再提出一种薄膜晶体管显示器件，薄膜晶体 管显示器件设置于一半穿透半反射式显示器。薄膜晶体管显示器件具 有一透光区及一反射区所构成之一像素区。薄膜晶
置于栅极上方。漏极金属层与源极金属层电绝缘地设置于栅极上方。 钝化层覆盖栅极、源极金属层及漏极金属层，且钝化层包括一过孔， 以暴露漏极金属层之部分表面。透光区电极设置于钝化层上，并位于 透光区。透明导电层设置于钝化层上方，并位于反射区。反射区电极 设置于钝化层上方，并位于反射区。根据本发明之目的，另提出一种薄膜晶体管显示器件，薄膜晶体 管显示器件设置于一半穿透半反射式显示器。薄膜晶体管显示器件具 有一透光区及一反射区所构成之一像素区。薄膜晶体管显示器件包括 一栅极、 一源极金属层、 一漏极金属层、 一钝化层、 一透光区电极及 一反身才区电极。栅极设置于一基板上。源极金属层设置于栅极上方。 漏极金属层与源极金属层电绝缘地设置于栅极上方。钝化层覆盖栅 极、源极金属层及漏极金属层，且钝化层包括一过孔，以暴露漏极金 属层之部分表面。反射区电极设置于钝化层上方，并位于反射区，其 中反身寸区电极层还填满过孔。透光区电极设置于钝化层上，并位于透 光区。为让本发明之上述目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举 较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。


图1 A 1L示出了依照本发明之实施例一的半穿透半反射式显示 器之薄膜晶体管显示器件之制造方法的流程图。图2A 2J示出了依照本发明之实施例二的半穿透半反射式显示 器之薄膜晶体管显示器件之制造方法的流程图。图3A 31示出了依照本发明之实施例三的半穿透半反射式显示 器之薄膜晶体管显示器件之制造方法的流程图。图4A 4J示出了依照本发明之实施例四的半穿透半反射式显示 器之薄膜晶体管显示器件之制造方法的流程图。图5A 5H示出了依照本发明之实施例五的半穿透半反射式显示器之薄膜晶体管显示器件之制造方法的流程图。
具体实施方式
本发明的主要构想就在于提供一种薄膜晶体管显示器件及其制 造方法，其利用半色调光掩模定义过孔、透光区电极以及反射区电极 三者其中之二，可减少一道制作过程光掩模数。以下举几组实施例配 合附图做详细说明，然此些实施例与附图仅为本发明之发明精神下的 几种实施方式，并不会对本发明之欲保护范围进行限縮，本发明之欲 保护范围仍以申请专利范围所述者为限。实施例一本发明之实施例一利用半色调光掩模定义透光区电极以及反射区电极，使得制作过程光掩模数减少。图1A 1L示出了依照本发明 之实施例一的半穿透半反射式显示器之薄膜晶体管显示器件之制造 方法的流程图。本实施例之半穿透半反射式显示器之薄膜晶体管显示 器件具有由透光区A23及反射区A25所构成之像素区A2。薄膜晶体 管显示器件还具有像素间隔区A3，包围透光区A23以及反射区A25。首先，如图1A所示，形成栅极(Gate electrode) 13、栅极绝缘 层14、沟道层15、重掺杂欧姆接触层16、源极金属层(Sourcemetal layer) 17及漏极金属层(Drainmetal layer) 18于基板11上。其中， 源极金属层17及漏极金属层18电绝缘地位于栅极13上方。接着， 如图1B所示，形成钝化层(Passivation Layer) 19覆盖于栅极13、 源极金属层17及漏极金属层18。较佳的是，如图1C所示，形成多 重角度表面层22于钝化层19上。多重角度表面层22位于反射区A25 中，并具有数个峰部22a及谷部22b。接着，如图1D所示，形成过孔26贯穿钝化层19。过孔26用以 暴露出漏极金属层18之部分表面。需注意的是，在接下来的制作过程中，将利用一道半色调光掩模 定义出透光区电极以及反射区电极。本步骤主要是利用半色调光掩模 形成之高度具有差异的光阻层，配合差异画蚀刻光阻层，使得光阻层
经蚀刻前后分定义出不同区域，藉此同时定义出透光区电极以及反射区电极，其详细步骤描述如下。首先，如图1E所示，形成透明导电 层24于钝化层19以及多重角度表面层22上。透明导电层24还填满 过孔26，透明导电层24为一种具有导电性及透光性之材质，例如是 氧化铟锡层(Indium Tin Oxide layer, ITO layer)。接着，如图IF所 示，形成反射金属层27于透明导电层24上。其中，反射金属层27 沿着多重角度表面层22之峰部22a及谷部22b，形成数个峰部27a 及数个谷部27b于反射区A25中。峰部27a及谷部27b用以提供不 同角度之反射角，以反射出多角度之光线。反射金属层27为具有导 电性及可反射光线之材质，例如是铝层。然后，如图1G所示，均匀 地涂敷光阻层30于反射金属层27上。接着，如图1H所示，利用半 色调光掩模图案化光阻层30，并据以形成第一图案化光阻层311。第 一图案化光阻层311具有开口 311b于像素间隔区A3。位于透光区 A23之第一图案化光阻层311具有第一厚度D1，位于反射区A25之 第一图案化光阻层311具有第二厚度D2，且第一厚度Dl小于第二厚 度D2。然后，如图1I所示，以第一图案化光阻层311为屏蔽，去除 开口 311b中之反射金属层27及透明导电层24。使得像素间隔区A3 两侧之反射金属层27及透明导电层24相互绝缘。接着，如图1J所 示，由第一图案化光阻层311之顶面311a向下去除第一厚度Dl之第 一图案化光阻层311,例如是利用氧等离子体灰化(02 plasma ashing) 制作过程，以形成第二图案化光阻层321。第二图案化光阻层321还 暴露出透光区A23，并覆盖反射区A25。然后，如图1K所示。以第 二图案化光阻层321为屏蔽，去除透光区A23之反射金属层27，并 据以形成透光区电极231及反射区电极251。其中，透光区电极231 为透光区A23之透明导电层24，反射区电极251包括反射区A25之 透明导电层24以及反射金属层27。藉此在一道光掩模制作过程中， 配合多道次蚀刻步骤同时形成反射区电极以及透光区电极。最后，如图1L所示，去除第二图案化光阻层321。以形成半穿 透半反射式显示器之薄膜晶体管显示器件1，包括栅极13、源极金属 层17、漏极金属层18、钝化层19、透光区极231及反射区电极251。
栅极13设置于基板11上。源极金属层17设置于栅极13之上方，漏 极金属层18与源极金属层17电绝缘地设置于栅极13上方。钝化层 19覆盖栅极13、源极金属层17及漏极金属层18，且钝化层19包括 过孔26，以暴露漏极金属层18之部分表面。透光区电极231为透光 区A23之透明导电层24，反射区电极251包括反射区A25之透明导 电层24以及反射金属层27。虽然本发明之薄膜晶体管显示器件100是以先形成多重角度表 面层22，再形成过孔26为例作说明，但是本发明亦可先形成过孔26， 再形成多重角度表面层22。只要是利用半色调光掩模定义过孔26、 透光区电极231及反射区电极251，以达到形成半穿透半反射式显示 器之薄膜晶体管显示器件100之目的，皆不脱离本发明之技术范围。实施例二本发明之实施例二利用半色调光掩模定义过孔以及反射区电极。 在操作步骤上，本实施例之薄膜晶体管显示器件之制造方法与实施例 一之薄膜晶体管显示器件之制造方法不同处在于形成钝化层之后的 步骤，且薄膜晶体管显示器件之结构不同之处在于过孔及反射区之结 构，其余相同之处并不再赘述。请参照图2A 2J示出了依照本发明之实施例二的半穿透半反射 式显示器之薄膜晶体管显示器件之制造方法的流程图。首先，如图 2A所示，如上述实施例一所述之方法依序形成栅极13、栅极绝缘层 14、沟道层15、重掺杂欧姆接触层16、源极金属层17及漏极金属层 18于基板11上。在接下来的制作过程中，将利用一道半色调光掩模定义出透光区 电极以及过孔，其详细步骤描述如下。首先，形成透明导电层24于 钝化层19之上方，并涂敷光阻层30于透明导电层24上，如图2B 所示。然后，如图2C所示，以半色调光掩模图案化光阻层30以形 成第一图案化光阻层312。其中，第一图案化光阻层312具有开口 312b，开口 312b对应至漏极金属层18。位于透光区A23之第一图案 化光阻层312具有第一厚度Dl，位于像素间隔区A3及反射区A25 之第一图案化光阻层312具有第二厚度D2。第一厚度Dl大于第二 厚度D2。然后，如图2D所示，以第一图案化光阻层312为屏蔽， 去除开口 312b中之透明导电层24及钝化层19，并据以形成过孔26。 接着，如图2E所示，由第一图案化光阻层312之顶面312a向下去除 第二厚度D2之第一图案化光阻层312，以形成第二图案化光阻层 322。第二图案化光阻层322暴露出像素间隔区A3及反射区A25， 并覆盖透光区A23。然后，如图2F所示。以第二图案化光阻层322 为屏蔽，去除位于像素间隔区A3及反射区A25之透明导电层24， 以形成透光区电极232。透光区电极232包括透光区A23之透明导电 层24。接着，如图2G所示，去除第二图案化光阻层322。藉此在一 道光掩模制作过程中，配合多道次蚀刻步骤同时形成过孔以及透光区 电极。较佳的是，如图2H所示，形成多重角度表面层22于钝化层19 上，并位于反射区A25。接着，如图2I所示。形成反射金属层27于 多重角度表面层22上及透光区电极232上，并填满过孔26。最后，如图2J所示。图案化反射金属层27，以形成反射区电极 252。藉此形成实施例二之薄膜晶体管显示器件200。其中实施例二 之薄膜晶体管显示器件200与实施例一之薄膜晶体管显示器件100大 致上相同，惟实施例二之过孔26由反射金属层27所填满，且反射区 电极252为反射区A25之反射金属层27。实施例三本发明之实施例三利用半色调光掩模定义过孔以及反射区电极。 本实施例之薄膜晶体管显示器件之制造方法与实施例二之薄膜晶体 管显示器件之制造方法不同处在于涂敷光阻后的步骤，且薄膜晶体管 显示器件之结构不同之处在于反射区之结构，其余相同之处并不再赘 述。请参照图3A 31示出了依照本发明之实施例三的半穿透半反射 式显示器之薄膜晶体管显示器件之制造方法的流程图。首先，如图 3A所示，按照上述实施例之方法依序形成栅极13、栅极绝缘层14、 沟道层15、重掺杂欧姆接触层16、源极金属层17及漏极金属层18、 钝化层19、透明导电层24以及光阻层30于基板11上，如图3A所示。在接下来的制作过程中，将利用一道半色调光掩模定义出透光区 电极以及过孔，其详细步骤描述如下。接着，如图3B所示，以半色 调光掩模图案化光阻层30以形成第一图案化光阻层313。其中，第 一图案化光阻层313具有开口 313b,开口 313b对应至漏极金属层18。 位于透光区A23及反射区A25之第一图案化光阻层313具有第一厚 度Dl，位于像素间隔区A3之第一图案化光阻层313具有第二厚度 D2。第一厚度D1大于第二厚度D2。然后，如图3C所示，以第一图 案化光阻层313为屏蔽，去除开口 313b中之透明导电层24及钝化层 19，并据以形成过孔26。接着，如图3D所示，由第一图案化光阻层 313之顶面311a向下去除第二厚度D2之第一图案化光阻层313，以 形成第二图案化光阻层323，第二图案化光阻层323暴露出像素间隔 区A3，并覆盖透光区A23及反射区A25。然后，如图3E所示。以 第二图案化光阻层323为屏蔽，去除位于像素间隔区A3之透明导电 层24，以形成透光区电极A23。透光区电极233包括透光区A23之 透明导电层24。接着，如图3F所示，去除第二图案化光阻层323。 藉此在一道光掩模制作过程中，配合多道次蚀刻步骤同时形成反射区 电极以及透光区电极。然后，如图3G所示，形成多重角度表面层22于透明导电层24 上，并位于反射区A25。接着，如图3H所示。形成反射金属层27 于多重角度表面层22上及透光区电极233上，并填满过孔26。最后，如图3I所示。图案化反射金属层27，以形成反射区电极 253。藉此形成实施例三之薄膜晶体管显示器件300。实施例三之薄 膜晶体管显示器件300与实施例二之薄膜晶体管显示器件200之结构 大致上相同，惟实施例三之薄膜晶体管显示器件于反射区增加一层透 明导电层24，且透明导电层24介于多重角度表面层22及钝化层19 之间。
实施例四本发明之实施例四利用半色调光掩模定义过孔以及反射区电极。 本实施例之薄膜晶体管显示器件之制造方法与实施例二之薄膜晶体 管显示器件之制造方法不同处在于形成钝化层之步骤后的步骤，其余 相同之处并不再赘述。请参照图4A 4J示出了依照本发明之实施例四的半穿透半反射 式显示器之薄膜晶体管显示器件之制造方法的流程图。首先，请参照 图4A，如上述实施例所述之方法依序形成栅极13、栅极绝缘层14、 沟道层15、重掺杂欧姆接触层16、源极金属层17、漏极金属层18 以及钝化层19于基板11上，并形成多重角度表面层22于钝化层19 之上方，并位于反射区A25。接着，如图4B所示，形成透明导电层 24于钝化层19及多重角度表面层22上。接着，请参照图4C，涂敷 光阻层30于透明导电层24上。然后，如图4D所示，以半色调光掩模图案化光阻层30以形成 第一图案化光阻层314。其中，第一图案化光阻层314具有一开口 314b，开口 314b对应至漏极金属层18。位于透光区A23之第一图案 化光阻层314具有第一厚度Dl，位于像素间隔区A3及反射区A25 之第一图案化光阻层314具有第二厚度D2。第一厚度Dl大于第二 厚度D2。然后，如图4E所示。以第一图案化光阻层314为屏蔽，去 除开口 314b中之透明导电层24及钝化层19，并据以形成过孔26。接着，如图4F所示，由第一图案化光阻层314之顶面314a向下 去除第二厚度D2之第一图案化光阻层314。以形成第二图案化光阻 层324，第二图案化光阻层324暴露出像素间隔区A3及反射区A25， 并覆盖透光区A23。然后，请参照图4G。以第二图案化光阻层324 为屏蔽，去除位于像素间隔区A3及反射区A25之透明导电层24， 以形成一透光区电极A23。透光区电极234包括透光区A23之透明 导电层24。接着，进入图4H，去除第二图案化光阻层324。然后， 如图41所示，形成反射金属层27于透光区电极234及多重角度表面 层22上，并填满过孔26。最后，如图4J所示。图案化反射金属层27，以形成反射区电极254。藉此形成实施例四之薄膜显示晶体管器件400。其中实施例四之薄膜晶体管显示器件400与实施例二之薄膜晶体管显示器件200结 构上相同。实施例五本实施例之薄膜晶体管显示器件之制造方法与实施例四之薄膜 晶体管显示器件之制造方法不同处在于涂敷光阻层之步骤后的步骤， 且薄膜晶体管显示器件之结构不同之处在于过孔及反射区之结构，其 余相同之处并不再赘述。请参照图5A 5H示出了依照本发明之实施例五的半穿透半反 射式显示器之薄膜晶体管显示器件5之制造方法的流程图。首先，请 参照，如上述实施例所述之方法依序形成栅极13、栅极绝缘层14、 沟道层15、重掺杂欧姆接触层16、源极金属层17、漏极金属层18、 钝化层19、多重角度表面层22、透明导电层24及光阻层30于基板 11上，如图5A所示。接着，如图5B所示，以半色调光掩模图案化 光阻层30以形成第一图案化光阻层315。第一图案化光阻层315具 有开口 315b，开口 315b对应至漏极金属层18。位于透光区A23及 反射区A25之第一图案化光阻层315具有第一厚度Dl ，位于像素间 隔区A3之第一图案化光阻层315具有第二厚度D2。第一厚度Dl大 于第二厚度D2。然后，如图5C所示。以第一图案化光阻层315为屏 蔽，去除开口 315b中之透明导电层24及钝化层19，并据以形成过 孔26。接着，如图5D所示，由第一图案化光阻层315之顶面315a向 下去除第二厚度D2之第一图案化光阻层315，以形成第二图案化光 阻层325，第二图案化光阻层325暴露出像素间隔区A3，并覆盖透 光区A23及反射区A25。然后，请参照图5E，以第二图案化光阻层 325为屏蔽，去除位于像素间隔区A3之透明导电层24，以形成透光 区电极A23。透光区电极235包括透光区A23之透明导电层24。接 着，请参照图5F，去除第二图案化光阻层325。然后，如图5G所示，形成反射金属层27于透光区电极235及
反射区A25之透明导电层24上，并填满过孔26。最后，如图5H所示。图案化反射金属层27,以形成反射区电极 255。藉此形成实施例五之薄膜晶体管显示器件500。需注意的是， 实施例五之薄膜晶体管显示器件500与实施例四之薄膜晶体管显示 器件400结构上大致相同，惟实施例五之薄膜晶体管显示器件于反射 区增加一层透明导电层24，且透明导电层24介于多重角度表面层22 及反射金属层19之间。本发明上述实施例所揭露之薄膜晶体管显示器件及其制造方法， 其利用一半色调光掩模定义过孔、透光区电极以及反射区电极三者其 中之二，使得制作过程光掩模数减少。不仅縮短制作过程步骤，还能 减少微粒子污染之机会和工时成本、人力成本及机台够制作过程本的 支出。综上所述，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以 限定本发明。本发明所属技术领域中任何普通技术人员，在不脱离本 发明之精神和范围内，当可作各种之更动与润饰。因此，本发明之保 护范围当视后附之权利要求所界定者为准。
权利要求
1.一种薄膜晶体管显示器件之制造方法，该薄膜晶体管显示器件设置于一半穿透半反射式显示器，该薄膜晶体管显示器件具有一透光区及一反射区，包括形成一栅极于一基板上；形成一栅极绝缘层以覆盖该栅极；形成一沟道层于该栅极绝缘层上；形成一重掺杂欧姆接触层于该沟道层上；电绝缘地形成一源极金属层和一漏极金属层于该重掺杂欧姆接触层上；形成一钝化层覆盖于该栅极、该源极金属层及该漏极金属层；形成一过孔贯穿该钝化层，用以暴露出该漏极金属层之部分表面；形成一透光区电极于该透光区之该钝化层之上方；以及形成一反射区电极于该反射区之该钝化层之上方；其中，以一半色调光掩模定义该过孔、该透光区电极以及该反射区电极三者其中之二。
2. 如权利要求1所述之制造方法，其中该半色调光掩模用以定 义该透光区电极以及该反射区电极。
3. 如权利要求2所述之制造方法，其中于形成该钝化层之步骤 之后该方法还包括形成一多重角度表面层于该钝化层上，并位于该反射区。
4. 如权利要求3所述之制造方法，其中该薄膜晶体管显示器件 还具有一像素间隔区，包围该透光区以及该反射区所构成之一像素 区，该形成该透光区电极及该反射区电极之步骤包括-形成一透明导电层于该钝化层以及该多重角度表面层上，并填满 该过孔；形成一反射金属层于该透明导电层上； 涂敷一光阻层于该反射金属层上；利用该半色调光掩模图案化该光阻层，并据以形成一第一图案化 光阻层，该第一图案化光阻层具有一开口于该像素间隔区，位于该透 光区之该第一图案化光阻层具有一第一厚度，位于该反射区之该第一 图案化光阻层具有一第二厚度，且该第一厚度小于该第二厚度；以该第一图案化光阻层为屏蔽，去除该开口中该反射金属层及该 透明导电层；由该第一图案化光阻层之一顶面向下去除该第一厚度之该第一 图案化光阻层，以形成一第二图案化光阻层，该第二图案化光阻层还 暴露出该透光区，并覆盖该反射区；以该第二图案化光阻层为屏蔽，去除该透光区之该反射金属层， 并据以形成一透光区电极及一反射区电极；以及去除该第二图案化光阻层。
5. 如权利要求1所述之制造方法，其中该半色调光掩模用以定 义该透光区电极以及该过孔。
6. 如权利要求5所述之制造方法，其中该薄膜晶体管显示器件 还具有一像素间隔区，包围该透光区以及该反射区所构成之一像素 区，该形成该过孔以及该透光区电极之步骤包括形成一透明导电层于该钝化层之上方； 涂敷一光阻层于该透明导电层上；以该半色调光掩模图案化该光阻层以形成一第一图案化光阻层， 该第一图案化光阻层具有一开口，该开口对应至该漏极金属层，位于 该透光区之该第一图案化光阻层具有一第一厚度，位于该像素间隔区 之该第一图案化光阻层具有一第二厚度，且该第一厚度大于该第二厚 度；以该第一图案化光阻层为屏蔽，去除该开口中之该透明导电层及该钝化层，并据以形成一过孔；由该第一图案化光阻层之一顶面向下去除该第二厚度之该第一 图案化光阻层，以形成一第二图案化光阻层，该第二图案化光阻层暴 露出该像素间隔区，并覆盖该透光区；以该第二图案化光阻层为屏蔽，去除位于该像素间隔区之该透明 导电层，以形成一透光区电极；以及去除该第二图案化光阻层。
7. 如权利要求6所述之显示器件之制造方法，还包括 形成一多重角度表面层于该钝化层上，并位于该反射区； 形成一反射金属层于该多重角度表面层上及该透光区电极上，并填满该过孔；以及图案化该反射金属层，以形成该反射区电极。
8. 如权利要求6所述之制造方法，还包括 形成一多重角度表面层于该透明导电层上，并位于该反射区； 形成一反射金属层于该多重角度表面层上及该透光区电极上，并填满该过孔；以及图案化该反射金属层，以形成该反射区电极。
9. 如权利要求6所述之制造方法，还包括 形成一多重角度表面层于该钝化层上，并位于该反射区； 形成一反射金属层于该多重角度表面层上之透明导电层上及该透光区电极上，并填满该过孔；以及图案化该反射金属层，以形成该反射区电极。
10. 如权利要求6所述之显示器件之制造方法，其中位于该反射 区及该像素间隔区之该第一图案化光阻层具有一第二厚度，该形成该 透光区电极之步骤还包括以该第二图案化光阻层为屏蔽，同时去除位于该反射区以及该像素间隔区之该透明导电层，以形成该透光区电极。
11. 如权利要求6所述之显示器件之制造方法，其中形成该钝化 层之步骤之后，该制造方法还包括形成一多重角度表面层于该钝化层上，并位于该反射区。
12. —种薄膜晶体管显示器件，该薄膜晶体管显示器件设置于一 半穿透半反^f式显示器，该薄膜晶体管显示器件具有一透光区及一反 射区所构成之一像素区，该薄膜晶体管显示器件包括一栅极，设置于一基板上； 一源极金属层，设置于该栅极之上方；一漏极金属层，与该源极金属层电绝缘地设置于该栅极之上方； 一钝化层，覆盖该栅极、该源极金属层及该漏极金属层，且该钝 化层包括一过孔，以暴露该漏极金属层之部分表面；一透光区电极，设置于该钝化层上，并位于该透光区； 一透明导电层，设置于该钝化层之上方，并位于该反射区；以及 一反射区电极，设置于该钝化层之上方，并位于该反射区。
13. 如权利要求12所述之薄膜晶体管显示器件还包括一多重角 度表面层，设置于该反射区处之该钝化层之上方，并介于反射区电极 以及钝化层之间。
14. 如权利要求12所述之薄膜晶体管显示器件，其中该透明导 电层介于该多重角度表面层以及该反射区电极之间。
15. 如权利要求13所述之薄膜晶体管显示器件，其中该透明导 电层介于该钝化层以及该多重角度表面层之间。
16. 如权利要求13所述之薄膜晶体管显示器件，其中该透明导 电层填满该过孔，并介于该多重角度表面层以及该反射区电极之间。
17. —种薄膜晶体管显示器件，该薄膜晶体管显示器件设置于一 半穿透半反射式显示器，该薄膜晶体管显示器件具有一透光区及一反射区所构成之一像素区，该薄膜晶体管显示器件包括一栅极，设置于一基板上； 一源极金属层，设置于该栅极之上方；一漏极金属层，与该源极电绝缘地设置于该非栅极之上方；一钝化层，覆盖该栅极、该源极金属层及该漏极金属层，且该钝 化层包括一过孔，以暴露该漏极金属层之部分表面；一反射区电极，设置于该钝化层之上方，并位于该反射区，其中 该反射区电极层还填满该过孔；以及一透光区电极，设置于该钝化层上，并位于该透光区。
18. 如权利要求17所述之显示器件还包括一多重角度表面层， 设置于该反射区之该钝化层之上方，并介于反射区电极以及钝化层之 间。
19. 如权利要求18所述之薄膜晶体管显示器件还包括一透明导 电层，位于该反射区，其中该透明导电层介于该钝化层以及该多重角 度表面层之间。
20. 如权利要求19所述之显示器件还包括一透明导电层，位于 该反射区，其中该透明导电层介于该多重角度表面层以及该反射区电 极之间。
全文摘要
一种薄膜晶体管显示器件及其制造方法。薄膜晶体管显示器件设置于一半穿透半反射式显示器，薄膜晶体管显示器件具有一透光区及一反射区。首先，形成一栅极于一基板上。接着，形成一栅极绝缘层以覆盖该栅极。然后，形成一沟道层于该栅极绝缘层上。接着，形成一重掺杂欧姆接触层于该沟道层上。然后，电绝缘地形成一源极金属层和一漏极金属层于该重掺杂欧姆接触层上。接着，形成一钝化层覆盖于该栅极、该源极金属层及该漏极金属层。然后，形成一过孔贯穿钝化层，用以暴露出漏极金属层之部分表面。接着，形成一透光区电极于透光区之钝化层之上方。接着，形成一反射区电极于反射区之钝化层之上方。其中，以一半色调光掩模定义过孔、透光区电极以及反射区电极三者其中之二。
文档编号H01L21/70GK101154635SQ20061013999
公开日2008年4月2日 申请日期2006年9月28日 优先权日2006年9月28日
发明者许博文 申请人:奇美电子股份有限公司