专利名称：图像传感器及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种传感器及其制造方法，尤其涉及一种图像传感器及其 制造方法。
背景技术：
图像传感器(image sensor)是将光学资讯转换为电信号的装置。图像 传感器的种类可大致分为影像管与固定摄像元件。目前，固定摄像元件包 括电荷耦合(Charged Coupled Device, CCD)型与互补式金属氧化物半导 体(CMOS)型两种。
CMOS图像传感器驱动方式简便，可实现多种扫描方式，而且可将信 号处理电路制作成单一芯片，不仅可使产品实现小体积，而且相容于CMOS 技术，可节省制造成本、降低电力损耗。因此，CMOS图像传感器可广泛 应用于由于低阶影像产品如安全监控、数字相机、玩具、手机、图像电话 等。
然而，现有的CMOS图像传感器的彩色滤光片(color filter, CF)为有机 材料，熔点很低，约小于300。C,因此，彩色滤光片通常是在金属内连线形 成之后，才形成在保护层上方，以避免被工艺的高温熔融。由于光线通过 彩色滤光片之后，并非直接传递至光电二极管，而必须经过保护层、金属 内连线结构，才能被光电二极管(photodiode)所接收，因此，光线会被介电 层或保护层等膜层所吸收，其光线的穿透率低，互补式金属氧化物半导体 晶体管图像传感器的感光效能不佳。另一方面，由于聚光镜之间有间隙， 因此容易造成散射光线直接穿透间隙，甚至照射至相邻的光感测区，因而 发生色干扰(cross-talk)现象，使CMOS图像传感器的噪声增加。
发明内容
本发明的目的是提供一种图像传感器及其制造方法，其可以提升光效 能并且可减緩色干扰的现象。
本发明提出一种图像传感器，其包括多个位于基底中的光电二极管掺 杂区、位于基底上方的保护层、位于基底与保护层之间的介电层以及多个 位于介电层之中且与光电二极管掺杂区相对应的彩色滤光片。
依照本发明实施例所述，上述彩色滤光片设置于介电层中的高度大致 相同。彩色滤光片可设置于紧邻基底表面的介电层中、设置于紧邻保护层 的介电层中，或是设置于介电层中未与保护层接触且未与基底接触之处。
依照本发明实施例所述，上述彩色滤光片设置于介电层中的高度不相 同。彩色滤光片可分别设置于介电层中紧邻基底表面之处、紧邻保护层之 处、和未与保护层接触且未与基底接触之处。
依照本发明实施例所述，上述彩色滤光片中至少有一者包括至少一第 一彩色滤光片与一第二彩色滤光片，相互对应地分别设置于介电层中不同 高度之处。
依照本发明实施例所述，上述图像传感器，可还包括一抗反射层，配 置于基底与介电层之间。此外，还可包括多个微透镜，设置于保护层上， 与光电二极管掺杂区相对应。
依照本发明实施例所述，上述介电层包括一内介电层与一金属层间介 电层，且上述彩色滤光片位于内介电层中、位于金属层间介电层中或位于 内介电层与金属层间介电层之间。
依照本发明实施例所述，上述彩色滤光片的材质为无机材料。
本发明提出一种图像传感器的制造方法。此方法是在基底中形成多个 光电二极管掺杂区，接着，在基底上形成介电层与多个与光电二极管掺杂 区相对应的彩色滤光片。在形成介电层以及彩色滤光片之后，于介电层上 形成保护层。
依照本发明实施例所述，上述在基底上形成介电层与彩色滤光片的步 骤包括在基底上形成多个与光电二极管掺杂区相对应的第一彩色滤光片， 接着，在第一彩色滤光片周围形成第一介电层。
依照本发明实施例所述，上述图像传感器的制造方法，还包括在第一 介电层上形成多个与第一彩色滤光片相对应对准的第二彩色滤光片，再于 第二彩色滤光片周围形成第二介电层。
依照本发明实施例所述，上述在基底上形成介电层与彩色滤光片的步 骤包括在基底上形成至少一第一彩色滤光片，其与光电二极管掺杂区之一相对应。接着，在第一彩色滤光片的周围形成第一介电层。然后，在第一 介电层上形成至少一第二彩色滤光片，其与光电二极管掺杂区的另一相对 应。之后，在第一介电层上形成第二介电层，覆盖于第二彩色滤光片周围。 依照本发明实施例所述，上述在基底上形成介电层与彩色滤光片的步 骤包括在基底上形成第一介电层，并在第一介电层中形成多个与光电二极 管掺杂区相对应的第一开口。接着，在第一开口中形成多个第一彩色滤光 片。
依照本发明实施例所述，上述图像传感器的制造方法，可再于基底上 形成第二介电层，并在其中形成多个与第一彩色滤光片相对应对准的第二 开口。然后，再于第二开口中形成多个第二彩色滤光片。
依照本发明实施例所述，上述在基底上形成介电层与彩色滤光片的步 骤包括在基底上形成第一介电层，并在其中形成至少一第一开口，与光电 二极管掺杂区之一相对应。接着，在第一开口中形成一第一彩色滤光片。 之后，在基底上形成一第二介电层，并于其中形成至少一第二开口，与光 电二极管掺杂区的另一相对应。其后，在第二开口中形成一第二彩色滤光 片。
依照本发明实施例所述，上述彩色滤光片的材质为无机材料。
依照本发明实施例所述，上述图像传感器的制造方法，可在形成彩色 滤光片与介电层之前，在基底上形成一抗反射层。此外，还可在保护层上 形成多个与光电二极管掺杂区相对应对准的微透镜。
由于本发明图像传感器的彩色滤光片设置在保护层下方，因此，其可 以提升光效能并且可减緩色千扰的现象。
为让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举 优选实施例，并配合附图，作详细说明如下。
图1是依照本发明一实施例所绘示的一种图像传感器的部分剖面示意
图2是依照本发明另一实施例所绘示的一种图像传感器的部分剖面示
意图3是依照本发明又一实施例所绘示的一种图像传感器的部分剖面示意图4是依照本发明再一实施例所绘示的一种图像传感器的部分剖面示
意图5是依照本发明另一实施例所绘示的一种图像传感器的部分剖面示
意图6是依照本发明又一实施例所绘示的一种图像传感器的部分剖面示
意图7是依照本发明再一实施例所绘示的一种图像传感器的部分剖面示
意图8是依照本发明另一实施例所绘示的一种图像传感器的部分剖面示
意图9是依照本发明又一实施例所绘示的一种图像传感器的部分剖面示
意图IOA至IOB是依照本发明实施例所绘示的一种图像传感器的制造方 法的部分流程剖面图11是依照本发明另 一 实施例所绘示的 一种图像传感器的部分剖面示
意图12A至12B是依照本发明又一实施例所绘示的另一种图像传感器的 制造方法的部分流程剖面图13是依照本发明另 一 实施例所绘示的 一种图像传感器的部分剖面示 意图。
主要元件符号说明
10:图像传感器
100、 700:基底
102、 702:抗反射层
104、 704:光电二极管掺杂区
106、 106a、 106b、 106ba、 106bb、 106bc、 106c、 706、 706a、 706b、 706c:介电层
108、 108a、 108b、 108ba、 108bb、 108c、 708、 708a、 708b、 708ba、 708bb、 708c、 708aa、 708ab、 708ba、 708bb:彩色滤光片 110、 710:保护层
112、 712:微透镜
758a、 758aa、 758ab、 758b、 758ba、 758bb、 758c、 768a、 768b、 768c:
开口
具体实施例方式
本发明的图像传感器的彩色滤光片是设置于保护层底下的介电层之 中，因此，相对于现有将彩色滤光片设置于保护层上方的情形，本发明的 图像传感器的彩色滤光片较接近光电二极管掺杂区，故，具有较高的光线 穿透率并且可减緩色干扰的现象。以下特举数个实施例来详细说明本发明 的实施型态。在以下的实施例中，彩色滤光片可以是同一种颜色的滤光片 或是不同颜色的滤光片。
请参照图1,本发明的一实施例的图像传感器IO例如是一互补式金属 氧化物半导体图像传感器或是接触式图像传感器，但不限于此。图像传感 器10包括光电二极管掺杂区104、介电层106、彩色滤光片108以及保护 层IIO。光电二极管掺杂区104,位于基底100之中。介电层106介于基底 IOO与保护层IIO之间。彩色滤光片108则是配置于介电层106之中。彩色 滤光片108可以是由单层膜或是多层膜所构成。单层膜例如是一层无机膜 如氮化硅层、氮氧化硅层或是非晶硅层。多层膜例如是由多层的无机材料 堆叠而成，例如二氧化钛与氧化硅的堆叠层或是五氧化二钽与氧化硅的堆 叠层。
除了上述的构件之外，在基底100与介电层106之间还可再配置一抗 反射层102。此外，在一实施例中，在保护层IIO上还设置了微透镜112。
彩色滤光片108可以依据产品的需求而配置于介电层106中紧邻该基 底IOO表面之处如标示108a,或是配置于介电层106中紧邻保护层110之 处如标示108c,或是配置于介电层106中未与保护层IIO接触且未与基底 IOO接触之处如标示108b。
在一实施例中，彩色滤光片108设置于介电层106中的高度不相同， 如图1所示。在另一实施例中，彩色滤光片108设置在介电层106中的高 度则大致相同，可以是配置于介电层106中未与保护层IIO接触且未与基 底100接触之处(如图2所示)，或是配置于介电层106中紧邻该基底100 表面之处(如图3所示)，或者是配置于介电层106中紧邻保护层IIO之处
(如图4所示)。
请参照图5，在又一实施中，介电层106包括第一介电层106a与第二 介电层106b。第一介电层106a例如是内介电层。第二介电层106b例如是 金属层间介电层，且其可细分成第一金属层间介电层106ba、第二金属层间 介电层106bb、第三金属层间介电层106bc。依照彩色滤光片与第一介电层 106a以及第二介电层106b的厚度的不同，彩色滤光片可以是位于第一介电 层106a之中，如标示108a。或是，位于第二介电层106b之中，如标示108c。 抑或是，位于第一介电层106a与第二介电层106b之间，如标示108b。
请参照图5，通常，彩色滤光片的厚度可高达l-2微米，而介电层106 中的第一介电层106a的厚度小于l微米。在进行工艺时，当彩色滤光片与 第一介电层106a形成之后，彩色滤光片108b将凸出于第一介电层106a的 表面，使得后续形成的第二介电层106b的表面有明显的高低起伏落差。请 参照图6,本发明可以依据实际工艺的需要，而将图6的彩色滤光片108b 拆成二部分108ba、 108bb，如图6所示，或是拆成更多部分，来达到相同 的滤光效果。
中，其形成的方法可以先形成图案化的彩色滤光片，然后再形成介电层。 也可以采用另一种方法，先在基底上形成介电层，并于介电层中形成开口， 再将彩色滤光片形成于开口之中。其具体的实施方式以以下的实施例来说明。
请参照图7，在基底700中形成多个光电二极管掺杂区704。其形成的 方法可以在基底700上形成图案化的光致抗蚀剂层(未绘示)，再以光致抗蚀 剂层为掩模，进行离子注入工艺，将离子注入于基底700之中，之后，再 将光致抗蚀剂层去除。接着，在基底700上形成抗反射层702。抗反射层 702的材质例如是氮化硅或是氮氧化硅，形成的方法例如是化学气相沉积 法。之后，在抗反射层702上形成彩色滤光片708a。彩色滤光片708a可以 是由单层膜或是多层膜经图案化而形成。单层膜例如是一层无机膜如氮化
硅层、氮氧化硅层或是非晶硅层。多层膜例如是由多层的无机材料堆叠而 成的堆叠层，其中堆叠层例如二氧化钛与氧化硅的堆叠层、五氧化二钽与 氧化硅的堆叠层或是五氧化二铌与氧化硅的堆叠层。在一实施例中，是在 低温下进行蒸镀，以形成结构较为松散的堆叠层，其蒸镀的条件例如是温度为4聂氏80度至240度；压力为0.1毫托至IO托；通入的气体为10至50sccm 的氣气以及0至50sccm的氮气；离子源(ion source )为100至200伏特/1 至10安培。接着，蚀刻此结构较为松散的堆叠层，以使其图案化。之后， 再于高温下进行退火，以使图案化的堆叠层的结构变得较为致密。在一实 施例中，彩色滤光片的工艺是属于前段工艺，则退火的温度例如是摄氏300 度至900度左右。在另一实施例中，彩色滤光片的工艺是属于后段工艺， 则退火的温度例如是摄氏300度至400度左右。退火工艺所使用的气体选 自于氮气、氮气及氢气、氨气、氨气及氢气所组成的族群其中之一。退火 的时间为10分钟至4小时。由于低温下所形成的堆叠层的结构较为松散， 而高温下所形成的堆叠层的结构较为致密，因此，在低温下形成的堆叠层 的蚀刻速率较高，可用以提升工艺的产能。
接着，再依序形成彩色滤光片708b、 708c。彩色滤光片708b、 708c的 形成方法同样可以采用以上所述者。之后，在基底700上形成介电层706a 与保护层710。介电层706a的材质例如是氧化硅或是介电常数低于4的低 介电常数材料层，其形成的方法可以采用化学气相沉积法。保护层710例 如是由氧化硅层与氮化硅层所构成，其形成的方法可以采用化学气相沉积 法。在一实施例中，在形成保护层710之后可再形成微透镜712。 图8为本发明的另一实施例的图像传感器的部分示意图。 请参照图8,上述的彩色滤光片708a、 708b、 708c是形成在大致相同 的高度上，而本实施例则是形成在不同的高度上。此图像传感器的制造方 法可以依照上述的方法，形成光电二极管掺杂区704、抗反射层702、彩色 滤光片708a以及介电层706a。之后，于介电层706a上形成彩色滤光片708b, 其与光电二极管掺杂区704相对应。彩色滤光片708b的材质与形成的方法 可以采用以上所述者。然后，在基底700上形成另一层介电层706b，此介 电层706b例如是第一层的金属层间介电层。介电层706b的材料与形成的 方法可以采用以上所述者。然后，再于介电层706b上形成彩色滤光片708c。 彩色滤光片708c的材质与形成的方法可以采用以上所述者。之后，在基底 700上形成另 一层介电层706c，此介电层706c例如是第二层的金属层间介 电层。介电层706c的形成的方法可以采用以上所述者。其后，再于介电层 706c上形成保护层710。在一实施例中，在形成保护层710之后可再形成微 透镜712。 在上述图8的制造方法中，若是彩色滤光片708a、 708b的厚度(如虚线 所示)大于介电层706a、 706b的厚度，则后续形成的介电层706b、 706c的 表面将会有明显的高低起伏落差。若是高低起伏落差造成光刻上的问题， 则可以依据实际工艺的需要，而将图8的彩色滤光片708a与708b分别拆成 二部分708aa、 708ab与708ba、 708bb,如图9所示，或是拆成更多部分， 来达到相同的滤光效果。
请参照图9，图像传感器10的制造方法可以依照上述的方法来形成光 电二极管掺杂区704、抗反射层702。接着，于抗反射层702上形成彩色滤 光片708a，再形成介电层706a。之后，于介电层706a上分别形成光电二极 管掺杂区704相对应的彩色滤光片708ab与708ba。然后，在基底700上形 成另一层介电层706b，此介电层706b例如是第一层的金属层间介电层。介 电层706b的形成的方法可以采用以上所述者。然后，再于介电层706b上 分别形成彩色滤光片708bb与708c。彩色滤光片708aa、708ab、708ba、708bb、 708c的材质与形成的方法可以采用以上所述者。之后，在基底700上形成 另一层介电层706c与保护层710。在一实施例中，在形成保护层710之后 可再形成微透镜712。
上述图像传感器的形成方法是先形成图案化的彩色滤光片，然后再形 成介电层。以下的实施例将说明用另一种方法，先在基底上形成介电层， 接着，在介电层中形成开口，再将彩色滤光片形成于开口之中。
图IOA至IOB是依照本发明实施例所绘示的一种图像传感器的制造方 法的流程剖面图。
请参照图IOA，依照上述的方法，形成光电二极管掺杂区704、抗反射 层702。接着，形成介电层706a，再进行光刻、蚀刻工艺，以在介电层706a 中形成与光电二极管掺杂区704对应的开口 758a。
之后，请参照图IOB，在开口 758a中形成彩色滤光片708a。其形成的 方法可以在基底700上形成彩色滤光片膜层，填入于开口 758a之中并覆盖 于介电层706a上，之后，再回蚀刻去除覆盖于介电层706a上者。其后，在 介电层706a中形成开口 758b,再于开口 758b中形成彩色滤光片708b。之 后，在介电层706a中形成开口 758c。然后，在开口 758c中形成彩色滤光 片708c。之后，再于基底700上形成保护层710。在一实施例中，在形成保 护层710之后可再形成微透镜712。
在上述的方法中，若是彩色滤光片708a、 708b的厚度大于介电层的厚 度，则可将彩色滤光片分成两个部分彩色滤光片708aa及708ab、彩色滤光 片708ba及708bb、彩色滤光片708ca及708cb来完成，如图11所示。
请参照图11，依照上述的方法形成光电二极管掺杂区704、抗反射层 702。之后，在介电层706a中分别形成第一部分的彩色滤光片708aa、 708ba、 708ca。然后，在基底700上形成介电层706b,再于介电层706b中分别形 成开口 768a、 768b、 768c并分别于其中形成第二部分的彩色滤光片708ab、 708bb、 708cb。之后，再于基底700上形成保护层710。
以上的实施例是以彩色滤光片的高度大致相同且是形成在单一层介电 层之中来做说明，但是，本发明并不限于此。本发明的彩色滤光片亦可以 是形成在介电层中的不同高度之处。
图12A至12B是依照本发明实施例所绘示的一种图像传感器的制造方 法的流程剖面图。
请参照图12A,依照上述的方法，形成光电二极管掺杂区704、抗反射 层702。接着，形成介电层706a,再进行光刻、蚀刻工艺，以在介电层706a 中形成与光电二极管掺杂区704对应的开口 758a。
之后，请参照图12B，在开口 758a中形成彩色滤光片708a。其形成的 方法可以在基底700上形成彩色滤光片膜层，填入于开口 758a之中并覆盖 于介电层706a上，之后，再回蚀刻去除覆盖于介电层706a上者。其后，形 成介电层706b,并于其中形成开口 758b。接着，在开口 758b中形成彩色 滤光片708b。之后，形成介电层706c,并于其中形成开口 758c。然后，在 开口 758c中形成彩色滤光片708c。之后，再于基底700上形成保护层710。 在一实施例中，在形成保护层710之后可再形成微透镜712。
同样地，在上述的方法中，若是彩色滤光片708a、 708b的厚度大于介 电层706a、 706b的厚度，则可将彩色滤光片分成两个部分彩色滤光片708aa 及708ab、彩色滤光片708ba及708bb来完成。
请参照图13，依照上述的方法形成光电二极管掺杂区704、抗反射层 702、介电层706a。之后，在介电层706a中形成开口 758aa并于其中形成 第一部分的彩色滤光片708aa。然后，在基底700上形成介电层706b，再于 介电层706b中形成开口 758ab并于其中形成第二部分的彩色滤光片708ab。 之后，于介电层706b中形成开口 758ba并于其中形成第一部分的彩色滤光
片708ba。之后，在基底700上形成介电层706c,再于介电层706c中形成 开口 758bb并于其中形成第二部分的彩色滤光片708bb。其后，于介电层 706c中形成开口 758c并于其中形成彩色滤光片708c。在一实施例中，在形 成保护层710之后可再形成微透镜712。
由于本发明图像传感器的彩色滤光片是设置在保护层下方，因此，其 可以提升光线穿透率并且可减緩色干扰的现象。
权利要求
1.一种图像传感器，包括多个光电二极管掺杂区，位于基底中；保护层，位于该基底上方；介电层，位于该保护层与该基底之间，且覆盖该些光电二极管掺杂区；以及多个彩色滤光片，设置于该介电层中，且与该些光电二极管掺杂区相对应。
2. 如权利要求1所述的图像传感器，其中该彩色滤光片设置于该介电 层中的高度大致相同。
3. 如权利要求2所述的图像传感器，其中该彩色滤光片设置于紧邻该 基底表面的该介电层中。
4. 如权利要求2所述的图像传感器，其中该些彩色滤光片设置于紧邻 该保护层的该介电层中。
5. 如权利要求2所述的图像传感器，其中该些彩色滤光片设置于该介 电层中未与该保护层接触且未与该基底接触之处。
6. 如权利要求1所述的图像传感器，其中该些彩色滤光片设置于该介 电层中的高度不相同。
7. 如权利要求6所述的图像传感器，其中该些彩色滤光片分别设置于 该介电层中紧邻该基底表面之处、紧邻该保护层之处、和未与该保护层接 触且未与该基底接触之处。
8. 如权利要求1所述的图像传感器，其中该些彩色滤光片中至少有一 者包括至少一第一彩色滤光片与一第二彩色滤光片，分别设置于该介电层 中不同高度之处且对应于同 一光电二极管掺杂区。
9. 如权利要求1所述的图像传感器，还包括抗反射层，配置于该基底 与该介电层之间。
10. 如权利要求1所述的图像传感器，其中该介电层包括内介电层与 金属层间介电层，且该些彩色滤光片位于该内介电层中、位于该金属层间 介电层中或位于该内介电层与该金属层间介电层之间。
11. 如权利要求1所述的图像传感器，其中该些彩色滤光片的材质为 无机材料。
12. 如权利要求1所述的图像传感器，还包括多个微透镜，设置于该 保护层上与该些光电二极管掺杂区相对应。
13. —种图像传感器的制造方法，包括 在基底中形成多个光电二极管掺杂区；在该基底上形成介电层与多个彩色滤光片，其中该些彩色滤光片与该 些光电二极管掺杂区相对应；以及在形成该介电层以及该些彩色滤光片之后，于该介电层上形成保护层。
14. 如权利要求13所述的图像传感器的制造方法，其中在该基底上 形成该介电层与该些彩色滤光片的步骤包括在该基底上形成多个第一彩色滤光片，与该些光电二极管掺杂区相对 应；以及在该些第一彩色滤光片周围形成第一介电层。
15. 如权利要求14所述的图像传感器的制造方法，还包括 在该第一介电层上形成多个第二彩色滤光片，与该些第一彩色滤光片相对应对准；以及在该些第二彩色滤光片周围形成第二介电层。
16. 如权利要求14所述的图像传感器的制造方法，其中在该基底上 形成该介电层与该些彩色滤光片的步骤包括在该基底上形成至少一第一彩色滤光片，与该些光电二极管掺杂区之 一相对应；在该第一彩色滤光片的周围形成第一介电层； 在该第一介电层上形成至少一第二彩色滤光片，与该些光电二极管掺杂区的另一相对应；以及在该第一介电层上形成第二介电层，覆盖于该第二彩色滤光片周围。
17. 如权利要求13所述的图像传感器的制造方法，其中在该基底上 形成该介电层与该些彩色滤光片的步骤包括在该基底上形成第一介电层；在该第一介电层中形成多个第一开口，与该些光电二极管掺杂区相对 应；以及在该些第一开口中形成多个第一彩色滤光片。
18. 如权利要求17所述的图像传感器的制造方法，还包括在该基底上形成第二介电层，以覆盖该些第一彩色滤光片与该第一介电层；在该第二介电层中形成多个第二开口，与该些第一彩色滤光片相对应 对准；以及在该些第二开口中形成多个第二彩色滤光片。
19. 如权利要求13所述的图像传感器的制造方法，其中在该基底上 形成该介电层与该些彩色滤光片的步骤包括在该基底上形成第一介电层；在该第一介电层中形成至少一第一开口，与该些光电二极管掺杂区之 一相对应；在该第一开口中形成第一彩色滤光片；在该基底上形成第二介电层，覆盖该第一介电层与该第一彩色滤光片； 在该介电层中形成至少一第二开口 ，与该些光电二极管掺杂区的另一 相对应；以及在该第二开口中形成第二彩色滤光片。
20. 如权利要求13所述的图像传感器的制造方法，其中该些彩色滤 光片的材质为无机材料。
21. 如权利要求13所述的图像传感器的制造方法，还包括在形成该 些彩色滤光片与该介电层之前，在该基底上形成抗反射层。
22. 如权利要求13所述的图像传感器的制造方法，还包括在该保护 层上形成多个微透镜，其与该些光电二极管掺杂区相对应对准。
全文摘要
一种图像传感器，其包括多个位于基底中的光电二极管掺杂区、位于基底上方的保护层、位于基底与保护层之间的介电层以及多个位于介电层之中且与光电二极管掺杂区相对应的彩色滤光片。
文档编号H01L27/146GK101179089SQ200610143569
公开日2008年5月14日 申请日期2006年11月9日 优先权日2006年11月9日
发明者吴沂庭 申请人:联华电子股份有限公司