专利名称：芯片慢熔型保险丝结构与制造方法
技术领域：
本发明涉及一种芯片慢熔型保险丝结构与制造方法，特别涉及一种基板为陶 瓷材料，可直接印刷金属薄膜的保险丝结构与制作方法。
背景技术：
一般电子产品，当电路板(PCB)承载电流量超过额定最大使用电流时，常 会使昂贵设备受损或烧毁，而保险丝最主要的功用就是防止超量的电流流过所述 的电子电路，造成危险，当超额的电流流过保险丝时将使它产生高温而导致熔断 电路，以保护电子电路免受伤害与危险，故当保险丝的基板使用塑料材料时，不 耐高温烧灼保护不完全，而且仅可使用电镀制造方式的金属薄膜，制造困难成本 高，产品稳定度不佳，且使用电镀的金属薄膜，浪费材料而且生产不合格率高。
再者，目前随着电器设备越来越复杂，需要的零件越来越多，电路板上的线 路与电子组件也越来越密集，于是电路基板的线路趋向微细化，电子组件芯片放
置在已沾有锡膏的电路板上，然后再利用加热技术使组件固定在电路板的表面， 已是惯常使用的方法，其可使电路板的零件较为密集，使更多功能安置在同样面 积的印刷电路板上，或者能够以面积更小的电路板维持同样的功能，然而， 一般 保险丝是将零件安置在电路板的一面，凭借保险丝座装设，并将保险丝座接脚焊 在另一面上，此种零件会需要占用大量空间，而且接脚的焊点也比较大，遇超额 的电流流过保险丝，无法隔绝高温，容易将电路板烧灼，且占用大量空间，不能 满足市场上的需求，有鉴于此，本案发明人基于多年从事相关产品设计的经验， 有感上述现有品的不便，经潜心研究，试作改良，终使本发明得以诞生，以符合 使用者喜好、使用方便。
发明内容
本发明的目的是提供一种芯片慢熔型保险丝结构与制造方法，特别是指一种 基板为陶瓷材料，可直接印刷金属薄膜的慢熔型保险丝结构与制造方法。
本发明的结构技术方案是 一种芯片慢熔型保险丝结构，包括 一基板，为 陶瓷材料制成，用以直接印刷形成金属薄膜；至少一熔炼部，由第一金属薄膜上 迭印一层面积小于第一金属薄膜的第二金属薄膜而形成于所述基板正面上；所述 的第二金属薄膜熔点低于第一金属薄膜；二电极端部，分别设于所述的基板两侧 面端部，并延伸至所述的基板正面、反面端部，且与所述的熔炼部的第一金属薄 膜电连接； 一包覆体，完全覆盖所述的熔炼部上，起保护作用。
本发明的另一结构技术方案是 一种芯片慢熔型保险丝结构，包括 一基板， 为陶瓷材料制成，用以直接印刷形成金属薄膜；至少一熔炼部，是由第一金属薄 膜上迭印一层面积小于第一金属薄膜的第二金属薄膜而形成设置于所述基板正面 与反面上；所述的第二金属薄膜熔点低于第一金属薄膜；二电极端部，分别设在 所述的基板两侧面端部，并延伸至所述的基板正面、反面端部，且与所述的熔炼 部的第一金属薄膜电连接； 一包覆体，完全覆盖所述的熔炼部上，起保护作用。
本发明的制造方法技术方案是 一种芯片慢熔型保险丝制造方法，其包括以 下步骤(A)提供一基板，在所述的基板正面两端部，分别印刷金属薄膜，使 形成二电极端部；(B)将所述的基板反面两端部，分别印刷金属薄膜，使形成 二电极端部；(C)在所述的基板正面二电极端部之间，印刷设置熔炼部的第一 金属薄膜，且所述的第一金属薄膜与电极端部形成电连接；(D)将所述的基板 正面第一金属薄膜上，迭印一层面积小于第一金属薄膜的第二金属薄膜形成熔炼 部，其中所述的第二金属薄膜熔点低于第一金属薄膜；(E)将所述的基板二侧 面端部，分别印刷金属薄膜，形成所述的基板正面、反面两端部的二电极端部电 连接；(F)形成一包覆体，完全覆盖所述的熔炼部上，达到保护所述熔炼部的作 用；(G)将所述的包覆体上，印刷设置规格标示。
本发明的另一制造方法技术方案是 一种芯片慢熔型保险丝制造方法，其包 括以下步骤(A)提供一基板，在所述的基板正面两端部，分别印刷金属薄膜， 使形成二电极端部；(B)将所述的基板反面两端部，分别印刷金属薄膜，使形 成二电极端部；(C)在所述的基板正面二电极端部之间，印刷设置熔炼部的第 -一金属薄膜，且所述的第一金属薄膜与电极端部形成电连接；(C-l)在所述的基 板反面二电极端部之间，印刷设置熔炼部的第一金属薄膜，且所述的第一金属薄 膜与电极端部形成电连接；(D)将所述的基板正面第一金属薄膜上，迭印一层 面积小于第一金属薄膜的第二金属薄膜形成熔炼部，其中所述的第二金属薄膜熔 点低于第-"金属薄膜；(D-l)将所述的基板反面第一金属薄膜上，迭印一层面积 小于第一金属薄膜的第二金属薄膜形成熔炼部，其中所述的第二金属薄膜熔点是 低于第一金属薄膜；(E)将所述的基板二侧面端部，分别印刷金属薄膜，形成 所述的基板正面、反面两端部的二电极端部电连接；(F)形成一包覆体，完全覆 盖所述的熔炼部上，达到保护所述熔炼部的作用；(G)将所述的包覆体上，印 刷设置规格标示。
与现有技术相比较，本发明具有的有益效果是利用上述制造方法，提供一 种可直接印刷金属薄膜，縮小体积、形成熔炼部可以在额定负载电压与额定两倍 负载电流下，经过l秒后才熔化阻断电流，完成芯片慢熔型保险丝结构的慢熔功 效，提高产品的优良率与稳定度。
为使本发明更加显现出进步与实用性，特再与现有物品作一比较分析如下
现有缺点
1. 现有的基板使用塑料材料，不耐高温烧灼保护不完全。
2. 现有的基板使用塑料材料，使用电镀的金属薄膜制造困难成本高，产品稳 定度不佳。
3. 现有使用电镀的金属薄膜，浪费材料与生产不良率高。
4. 现有保险丝将接脚焊在电路板上，接脚的焊点比较大，遇超额的电流流过 保险丝，无法隔绝高温，容易将电路板烧灼，且又占用大量空间。
本发明的优点
1. 本发明的基板使用陶瓷材料，可耐高温烧灼具保护作用。
2. 本发明的基板使用陶瓷材料可直接印刷金属薄膜，制作简便成本低，提高 产品稳定度。
3. 本发明直接印刷金属薄膜，节省材料与生产良率性。
4. 本发明直接印刷金属薄膜、电极端部，且在第一金属薄膜上迭印第二金属 薄膜，可负载额定电压与额定两倍负载电流下，经过l秒后才熔化阻断负载电流， 可达慢速熔断的效果，保障用电安全。
图1是本发明芯片慢熔型保险丝制造方法实施例流程图； 图2是本实施例中在基板表面印刷金属薄膜的正面视图3是本实施例中在基板表面印刷金属薄膜的反面视图4是本实施例中在基板表面印刷金属薄膜的剖视图5是本发明芯片慢熔型保险丝制造方法另一实施例流程图6是另一实施例中在基板表面印刷金属薄膜的正面视图7是另一实施例中在基板表面印刷金属薄膜的反面视图8是另一实施例中在基板表面印刷金属薄膜的剖视图。
附图标号说明l基板；ll熔炼部；lll电极端部；112第一金属薄膜；113 第二金属薄膜；114侧面端部；13正面；12反面；2包覆体；21规格标示；3(单
面)芯片慢熔型保险丝；4 (双面)芯片慢熔型保险丝。
具体实施例方式
首先请参阅图l，本发明芯片慢熔型保险丝制造方法实施例流程图，其结合
附图与实施例作进一步描述如下
一种芯片慢熔型保险丝制造方法，其包括以下步骤(A)提供一基板l，在 所述的基板1反面12两端部，分别印刷金属薄膜，使形成二电极端部lll; (B) 将所述的基板1正面13两端部，分别印刷金属薄膜，使形成二电极端部111; (C)
在所述的基板1正面13 二电极端部111之间，印刷设置熔炼部11的第一金属薄 膜112，且所述的第一金属薄膜112与电极端部111是形成电连接；(D)将所述 的基板1正面13第一金属薄膜112上，迭印一面积较小于第一金属薄膜112的第 二金属薄膜113形成熔炼部11，其中所述的第二金属薄膜113熔点是低于第一金 属薄膜112; (E)将所述的基板1 二侧面端部114，分别印刷金属薄膜，所述的 基板1反面12、正面13同一端部的二电极端部111均形成电连接；(F)形成一 包覆体2，完全覆盖在所述的熔炼部11上，达成保护所述的熔炼部11作用；(G) 将所述的包覆体2上，印刷设置一规格标示21，达成本发明一种(单面)芯片慢 熔型保险丝3。
再请参阅图2、图3和图4，是本实施例中在基板表面印刷金属薄膜的正视图、 后视图与剖视图；本发明一种芯片慢熔型保险丝结构，包括 一基板l，为陶瓷 材料制成，用以直接印刷形成金属薄膜；至少一熔炼部11，是由第一金属薄膜112 上迭印一面积较小于第一金属薄膜112的第二金属薄膜113，形成设置所述的基 板1反面12上；至少二电极端部lll，是分别设在所述的基板1的两侧面端部114，并延伸至所述的基板反面12、正面13端部，且与所述的熔炼部11的第 -金属薄 膜112电连接；--包覆体2，是设置完全覆盖所述的熔炼部11上，达成保护作用， 可负载额定电压与额定两倍负载电流下，经过1秒后才熔化阻断负载电流，可达 慢速熔断的效果，保障用电安全。
又请参阅图5，为本发明芯片慢熔型保险丝制造方法另一实施例流程图，本 发明的又一制造方法； 一种芯片慢熔型保险丝制造方法，其包括以下步骤(A) 提供一基板l，在所述的基板1反面12两端部，分别印刷金属薄膜，使形成二电 极端部lll; (B)将所述的基板1正面13两端部，分别印刷金属薄膜，使形成 二电极端部lll; (C)在所述的基板1正面13 二电极端部111之间，印刷设置 熔炼部11的第一金属薄膜112，且所述的第一金属薄膜112与电极端部111是形 成电连接；(C-l)在所述的基板1反面12二电极端部111之间，印刷设置熔炼 部11的第一金属薄膜112，且所述的第一金属薄膜112与电极端部111是形成电 连接；(D)将所述的基板1反面12第一金属薄膜112上，迭印一面积较小于第 一金属薄膜112的第二金属薄膜113形成熔炼部ll，其中所述的第二金属薄膜113 熔点是低于第一金属薄膜112; (D-l)将所述的基板1正面13第一金属薄膜112 上，迭印一面积较小于第一金属薄膜112的第二金属薄膜113形成熔炼部11，其 中所述的第二金属薄膜U3熔点是低于第一金属薄膜112; (E)将所述的基板l 二侧面端部114，分别印刷金属薄膜，形成所述的基板1反面12、正面13两端部 的二电极端部111电连接；(F)形成一包覆体2，设置完全覆盖所述的熔炼部11 上，达成保护所述的熔炼部ll作用；(G)将所述的包覆体2上，印刷设置一规 格标示21，达成本发明另一种(双面)芯片慢熔型保险丝4。
另请参阅图6、图7和图8，是另一实施例中在基板表面印刷金属薄膜的正面 视图、反面视图与剖视图；本发明一种芯片慢熔型保险丝结构，包括 一基板l， 为陶瓷材料制成，用以直接印刷形成金属薄膜；至少一熔炼部ll，是由第一金属 薄膜112上迭印一面积较小于第一金属薄膜112的第二金属薄膜113，形成设置 所述的基板1反面12与正面13上；至少二电极端部lll，是分别设在所述的基 板1的两侧面端部114，并延伸至所述的基板反面12、正面13端部，且与所述的 熔炼部11的第一金属薄膜112电连接； 一包覆体2，是设置完全覆盖所述的熔炼 部11上，达成保护作用，可负载额定电压与额定两倍负载电流下，经过l秒后才 熔化阻断负载电流，可达慢速熔断的效果，保障用电安全。
以上说明对本发明而言只是说明性的，而非限制性的，本领域普通技术人员 理解，在不脱离权利要求所限定的精神和范围的情况下，可作出许多修改、变化 或等效，但都将落入本发明的权利要求可限定的范围之内。
权利要求
1.一种芯片慢熔型保险丝结构，其特征在于包括一基板，为陶瓷材料制成，用以直接印刷形成金属薄膜；至少一熔炼部，是由第一金属薄膜上迭印一层面积小于第一金属薄膜的第二金属薄膜形成，设置在所述的基板上；其中所述的第二金属薄膜熔点低于第一金属薄膜；二电极端部，分别设在所述的基板两侧面端部，并延伸至所述的基板正面、反面端部，且与所述的熔炼部的第一金属薄膜电连接；一包覆体，完全覆盖所述的熔炼部上，起保护作用。
2. 根据权利要求1所述的芯片慢熔型保险丝结构，其特征在于所述的至少 一熔炼部设置在所述的基板正面。
3. 根据权利要求l所述的芯片慢熔型保险丝结构，其特征在于所述的基板 正面与反面均设置有一个所述的熔炼部。
4. 一种芯片慢熔型保险丝制造方法，其包括以下步骤(A) 提供一基板，在所述的基板反面两端部，分别印刷金属薄膜，形成二 电极端部；(B) 将所述的基板正面两端部，分别印刷金属薄膜，使形成二电极端部；(C) 在所述的基板正面二电极端部之间，印刷设置熔炼部的第一金属薄膜， 且所述的第一金属薄膜与电极端部形成电连接；(D) 将所述的基板正面第一金属薄膜上，迭印一层面积小于第一金属薄膜 的第二金属薄膜形成熔炼部，其中所述的第二金属薄膜熔点低于第一金属薄膜；(E) 将所述的基板二侧面端部，分别印刷金属薄膜，所述的基板正面、反 面同一端部的二电极端部均形成电连接；(F) 形成一包覆体，完全覆盖所述的熔炼部上，达到保护所述的熔炼部作用。
5. 根据权利要求4所述的芯片慢熔型保险丝制造方法，其特征在于 紧接在步骤C之后，还包括子步骤C-1:(C-l)在所述的基板反面二电极端部之间，印刷设置熔炼部的第一金属薄膜， 且所述的第一金属薄膜与电极端部形成电连接； 紧接在步骤D之后，还包括子步骤D-1: (D-l)将所述的基板反面第一金属薄膜上，迭印 --层面积小于第一金属薄膜的第二金属薄膜形成熔炼部，其中所述的第二金属薄膜熔点低于第-金属薄膜。 6.根据权利要求4所述的芯片慢熔型保险丝制造方法，其特征在于 紧接在步骤F之后，还包括步骤G: (G)将所述的包覆体上，印刷设置规格标示。
全文摘要
本发明提供一种芯片慢熔型保险丝结构与制造方法，其包括一基板，至少一熔炼部，二电极端部与一包覆体，完全覆盖所述的熔炼部上；其制造方法，包括(A)在一基板正面两端部，分别形成二电极端部；(B)形成二电极端部；(C)在二电极端部之间，印刷设置熔炼部的第一金属薄膜；(D)将所述的基板正面第一金属薄膜上，迭印一层面积小于第一金属薄膜的第二金属薄膜形成熔炼部，其中所述的第二金属薄膜熔点低于第一金属薄膜；(E)将所述的基板二侧面端部，分别印刷金属薄膜；(F)形成一包覆体，完全覆盖所述的熔炼部上，达到保护所述的熔炼部作用。凭借上述制造方法，获得可慢速熔化、耐高温与使用方便的芯片保险丝。
文档编号H01L23/62GK101197351SQ20061016213
公开日2008年6月11日 申请日期2006年12月5日 优先权日2006年12月5日
发明者邱鸿智 申请人:邱鸿智