有机发光晶体管元件及其制造方法

专利名称：有机发光晶体管元件及其制造方法
技术领域：
本发明涉及有才几发光晶体管元件及其制造方法。更详细地说，在 垂直型有机发光晶体管元件中，本发明涉及有机发光晶体管元件及其 制造方法，其中促进了在阳极与阴极之间的电流控制。
背景技术：
有机电致发光元件具有简单的结构，预期可成为更薄、更轻、面 积更大和成本更低的下一代显示器的发光元件。因此，近年来对有机 电致发光元件的研究十分活跃。
作为驱动有机电致发光元件的驱动方法， 一种使用薄膜晶体管
(TFT)的有源矩阵类型场效晶体管(FET)被认为在工作速度和功耗方面 具有优势。另一方面，作为形成薄膜晶体管的半导体材料，诸如硅半 导体或化合物半导体等非有机半导体材料的研发一直盛行，但近年来 对使用有机半导体材料的有机薄膜晶体管(有机TFT)的研究也十分活 跃。有机半导体材料已预期成为下一代的半导体材料。但是，与非有 机半导体材料相比，有机半导体材料具有电荷转移率低和电阻高的问 题。
对于场效晶体管，其结构为垂直布置的垂直型FET结构类型静电 感应晶体管(SIT^皮认为具有优势，因为晶体管的沟道宽度可缩短，其 整个表面的电极可有效利用，能够实现快速响应和/或功率增强，并且 可使界面的影响变小。
因此，近年来基于静电感应晶体管(SIT)的上述有利特征，对由此 类SIT结构和有机电致发光元件结构复合成的有机发光晶体管进行了 研发(例如，Kazuhiro Kudo所著"有机晶体管的当前条件和未来展
望，，(Current Conditions and Future Prospects of Organic Transistor), J. Appl. Phys. Vol. 72, No. 9, pp. 1151-1156 (2003); JP-A-2003-324203(特 别是权利要求1); JP-A-2002-343578(特别是图23》。
图20是示意剖视图，示出在上述文件"有机晶体管的当前条件和 未来展望"(Current Conditions and Future Prospects of Organic Transistor)中所述的由SIT结构和有机电致发光元件结构复合成的有 机发光晶体管一个实施例。如图20所示，有机发光晶体管101具有 垂直型FET结构，其中，由透明电极膜构成的源电极103、其中嵌有 狭缝状肖特基电极105的空穴转移层104、发光层106及漏电极107 已依次形成层叠在玻璃衬底102上。
如上所述，在复合型有机发光晶体管101中，狭缝状肖特基电极 105嵌入空穴转移层104中。在空穴转移层104与栅电极105之间形 成肖特基结，从而在空穴转移层104中形成耗尽层。耗尽层的扩展根 据栅极电压(在源电才及103与栅电极105之间施加的电压)变化。因此， 可通过改变栅极电压来控制沟道宽度，并且，可通过控制在源电极103 与漏电极107之间施加的电压来控制电荷生成量。
图21是示意剖^L图，示出JP-A-2002-343578中所述一例由FET 结构和有机电致发光元件结构复合成的有机发光晶体管。如图21所 示，该有机发光晶体管111具有衬底112，辅助电极113和绝缘层118 层叠在该衬底上。随后，在绝缘层118上部分地形成阳极115。此外， 在绝缘层118上形成发光材料层116，使得发光材料层116覆盖阳极 115。在发光材料层116上形成阴极117。在阳极115上形成阳极緩冲 层119。阳极緩冲层119具有让空穴通过而从阳极115到到达发光材 料层116的功能，但抑制电子从发光材料层116到阳极115。在有机 发光晶体管lll中，也可通过改变在辅助电极113和阳极115之间施 加的电压来控制沟道宽度，并可通过控制在阳极115和阴极117之间 施加的电压来改变电荷生成量。

发明内容
在上述文件和上述专利出版物中，参照图21所述，由SIT结构和 有机电致发光元件结构复合成的有机发光晶体管中，在阳极115和阴 极117之间施加某个电压(-Vdl <0)时，在阴极117相对的阳极115 表面上生成许多空穴，并且这些空穴向阴极117流动(形成电荷流动)。 这里，为得到更大的电流(即得到更大的发光)在阳极115和阴极117 之间施加电压Vd- -Vd2<< -Vdl时，阳极115和阴极117之间的 电荷生成及电荷流占主导。因此，无法通过控制在辅助电极113与阳 极115之间施加的电压(Vg)来控制电荷生成量，因而难以控制发光量。
本发明是为解决上述问题而完成的。本发明的目的是提供一种垂 直型有机发光晶体管元件及其制造方法，有助于进行阳极与阴极之间 的电流控制。
本发明是一种有机发光晶体管元件，包括衬底；在衬底的上表 面侧设置的辅助电极层；在辅助电极层的上表面侧设置的绝缘膜；在 绝缘膜的上表面侧局部地设置的第一电极，第一电核二菱盖预定大小的 区域；在第一电极的上表面上设置的电荷注入抑制层，电荷注入抑制 层在平面图中具有与第 一电极相同的大小；在绝缘膜的上表面側未设 第一电极的区域和电荷注入抑制层的上表面上设置的电荷注入层；在 电荷注入层的上表面上设置的发光层；以及在发光层的上表面侧设置 的第二电极层。
或者，本发明是一种有机发光晶体管元件，包括衬底；在衬底 的上表面侧设置的辅助电极层；在辅助电极层的上表面侧设置的绝缘 膜；在绝缘膜的上表面侧局部地设置的第一电极，第一电极覆盖预定 大小的区域；在第一电极的上表面上设置的电荷注入抑制层，电荷注 入抑制层在平面图中具有与第一电极相同的大小；在绝缘膜的上表面 侧未设第一电极的区域设置的电荷注入层；在电荷注入层的上表面上 和电荷注入层的上表面上设置的发光层；以及在发光层的上表面侧设 置的第二电极层。
或者，本发明是一种有机发光晶体管元件，包括衬底；在村底 的上表面侧设置的辅助电极层；在辅助电极层的上表面侧设置的绝缘 膜；在绝缘膜的上表面侧局部地设置的第一电极，第一电极覆盖预定 大小的区域；在第一电极的上表面上设置的电荷注入抑制层，电荷注 入抑制层在平面图中具有与第一电极相同的大小；在绝缘膜的上表面 侧未设第 一 电极的区域^殳置的电荷注入层；在电荷注入层的上表面上 和电荷注入层的上表面上设置的发光层；以及在电荷注入抑制层的上 表面侧和发光层的上表面侧设置的第二电极层。
根据具有任何上述结构的有机发光晶体管元件，通过在第一电极 和第二电极之间施加恒定电压，同时在辅助电极与第一电极之间施加
可变电压，可控制发光量。
根据具有任何上述结构的有机发光晶体管元件，由于在第一电极 上设置了在平面图中具有与第一电极相同大小的电荷注入抑制层，因 此，在第一电极和第二电极之间施加恒定电压时，抑制在笫一电极的 上表面上电荷(空穴或电子)的生成，并且抑制电荷流向第二电极。例 如，在第一电极上生成的电荷主要在两个边缘表面(两个侧面)生成， 各边缘表面的面积小，未i殳电荷注入抑制层。由此生成的电荷;波高效 地注入与两个边缘表面相邻的电荷注入层，并且随后流(移)向第二电 极。因此，在第一电极和第二电极之间施加恒定电压的条件下，可抑 制在第一电极和第二电极之间的电流值。因此，可通过控制在辅助电 极与第一电极之间施加的电压，控制在第一电极和第二电极之间流动
的电流，^v而可控制发光量。
在上述说明中，电荷注入层的厚度最好大于第一电极的厚度。这 时，第一电极的至少一个边缘部分最好与电荷注入层接触。而且在这 种情况下，可在分层结构之间形成一个或多个发光层，每层由第一电 极和电荷注入抑制层构成，以形成矩阵图案配置的元件。更具体地i兌， 电荷注入层厚度最好大致等于或大于第 一 电极和电荷注入抑制层的 总厚度。
另外，在绝缘膜与第一电极及电荷注入层之间，可设置由与电荷 注入层相同材料或不同材料构成的第二电荷注入层。这种情况下，电 荷也可在第一电极的绝缘膜侧的表面上生成。也可通过在辅助电极与 第一电极之间施加的电压，控制在第一电极的绝缘膜侧表面上生成的 电荷流，从而可控制在第一电极和第二电极之间的电流，也就是说， 可控制发光量。
另外，最好在发光层与第二电极层之间设置用于第二电极层的第 三电荷注入层。这种情况下，根椐与第一电极相邻而设的电荷注入层 相同的原理，由于第三电荷注入层与第二电极相邻而设，有助于对发 光层的电荷注入。
此外，这种情况下，最好在发光层与笫三电荷注入层之间设置电 荷输送层，以改进电荷输送性能。
另外，电荷注入抑制层优选由绝缘材料构成，更优选由光阻材料 构成。这种情况下，容易完成在第一电极上形成电荷注入抑制层的步 骤。另外，可提高电荷注入抑制层形成的尺寸精度。
例如，第一电极可作为阳极使用，笫二电极可作为阴极使用。或 者，第一电极可作为阴极使用，第二电极可作为阳极使用。无论第一 电极和第二电极具有哪个极性，通过控制在辅助电极与第一电极之间 施加的电压(栅极电压)，可灵敏地改变电荷量。因此，可控制在第一 电极和第二电极之间的电流，从而可灵敏地控制发光量。
另外，本发明是一种有机发光晶体管，包括具有上述任一特征 的有机发光晶体管元件；笫一电压供给单元，配置成在有机发光晶体 管元件的第一电极和第二电极之间施加恒定电压；以及第二电压供给 单元，配置成在有机发光晶体管元件的第一电极与辅助电极之间施加 可变电压。
根据本发明，通过第一电压供给单元和第二电压供给单元，可在 第一电极和第二电极之间施加恒定电压，并且在第一电极与辅助电极 之间施加可变电压。因此，可灵敏地改变电荷量，以控制第一电极和200680051941.1
说明书第6/31页
第二电极之间的电流，并可灵敏地控制发光量。
另外，本发明是一种发光显示装置，包括以矩阵图案配置的多个 发光部分，其中，多个发光部分各自具有含上述任一特征的有机发光 晶体管元件。
根据发光显示装置，容易控制发光量，从而容易进行亮度调整。 另外，本发明是一种有机发光晶体管元件的制造方法，该制造方
法包括如下步骤准备衬底，在其上表面辅助电极层和绝缘膜已依次 形成；在绝缘膜的上表面侧局部地设置第一电极，第一电极在平面图 中具有预定大小；在第一电极的上表面上设置电荷注入抑制层，电荷 注入抑制层在平面图中具有与第一电极相同的大小，电荷注入抑制层 由可通过光照射去除的(正型)光敏材料构成；在绝缘膜的上表面侧未 设第 一 电极的区域和电荷注入抑制层的上表面上设置电荷注入层；在 电荷注入层的上表面上设置发光层；以及在发光层的上表面侧设置第 二电极层；其中，在设置第一电极的步骤中，使用不透过光敏材料的 曝光波长的材料作为形成第一电极的材料；设置电荷注入抑制层的步 骤包括如下步骤在绝缘膜的上表面側大致整个区域上设置光敏材料 以覆盖第一电极；使光敏材料从衬底侧曝光，以仅在未设第一电极的 区域去除绝缘膜的上表面侧的光敏材料。
或者，本发明是一种有机发光晶体管元件的制造方法，该制造方 法包括如下步骤准备衬底，其上已依次形成辅助电极层和绝缘膜； 在绝缘膜的上表面侧局部地设置第一电极，第一电极在平面图中具有 预定大小；在第一电极的上表面上设置电荷注入抑制层，以使电荷注 入抑制层在平面图中具有与第一电极相同的大小，电荷注入抑制层由 可通过光照射去除的光敏材料构成；在绝缘膜的上表面侧未设第一电 极的区域设置电荷注入层；在电荷注入抑制层的上表面上和电荷注入 层的上表面上设置发光层；以及在发光层的上表面側设置第二电极 层；其中，在设置第一电极的步骤中，使用不透过光敏材料的曝光波 长的材料作为形成第 一电极的材料；以及设置电荷注入抑制层的步骤
14 包括如下步骤在绝缘膜的上表面侧大致整个区域上设置光敏材料以 覆盖第一电极；以及使光敏材料从衬底侧曝光，以仅在未设第一电极 的区域去除绝缘膜的上表面侧的光敏材料。
或者，本发明是一种有机发光晶体管元件的制造方法，制造方法 包括如下步骤准备衬底，其上已依次形成辅助电极层和绝缘膜；在 绝缘膜的上表面侧局部地设置第一电极，第一电极在平面图中具有预 定大小；在第一电极的上表面上设置电荷注入抑制层，电荷注入抑制 层在平面图中具有与第一电极相同的大小，电荷注入抑制层由可通过 光照射去除的光敏材料构成；在绝缘膜的上表面侧未设第一电极的区 域设置电荷注入层；在电荷注入层的上表面上设置发光层；以及在电 荷注入抑制层的上表面侧和在发光层的上表面侧设置第二电极层；其 中，在设置第一电极的步骤中，使用不透过光敏材料的曝光波长的材 料作为形成第一电极的材料；设置电荷注入抑制层的步骤包括如下步 骤在绝缘膜的上表面侧大致整个区域上设置光敏材料以覆盖第 一 电 极；以及使光敏材料从衬底侧曝光，以仅在未设第一电极的区域去除 绝缘膜的上表面侧的光敏材料。
根据有机发光晶体管元件的任何上述制造方法，可容易且精确地 形成电荷注入抑制层。
在上述的有机发光晶体管元件的制造方法中，设置电荷注入层的 步骤最好通过如掩冲莫淀积法或喷墨法等图案化工艺实施，且电荷注入 层的厚度不小于第一电极的厚度。更具体地说，在电荷注入层由低分 子材料形成时，最好通过掩才莫淀积法等来形成图案。在电荷注入层由 聚合物(高分子)材料形成时，最好通过喷墨法等来形成图案。根据这 些方法，电荷注入层可在相邻的第一电极之间形成，以形成元件。另 外，发光层可在相邻的分层结构之间形成，各分层结构由第一电极和 电荷注入抑制层构成，以形成矩阵图案配置的元件。
另外，最好在设置第一电极的步骤前，进行在绝缘膜的上表面上 设置由与电荷注入层相同材料或不同材料构成的第二电荷注入层的
步骤。
另外，本发明是一种有机晶体管元件，包括村底；在衬底的上 表面侧设置的辅助电极层；在辅助电极层的上表面侧设置的绝缘膜； 在绝缘膜的上表面侧局部地设置的第一电极，第一电极覆盖预定大小 的区域；在第一电极的上表面上设置的电荷注入抑制层，电荷注入抑 制层在平面图中具有与第一电极相同的大小；在绝缘膜的上表面侧未 设第 一电极的区域设置的有机半导体层；以及在有机半导体层的上表 面侧设置的笫二电极层。


图1是本发明一实施方式的有机发光晶体管元件的示意剖视图； 图2是概念地表示图1的有机发光晶体管元件中电荷流动的说明
图3A到3C是分别表示本发明其它实施方式的有机发光晶体管元 件的示意剖视图4是表示本发明另一实施方式的有机发光晶体管元件的示意剖 视图5是表示本发明另一实施方式的有机发光晶体管元件的示意剖 视图6是表示本发明另一实施方式的有机发光晶体管元件的示意剖 视图7是表示本发明另一实施方式的有机发光晶体管元件的示意剖 视图8是示出本发明一实施方式的有机晶体管元件的示意剖视图； 图9A到9F是表示本发明一实施方式的有机发光晶体管元件制造 方法的工序图IOA到IOF是表示本发明另一实施方式的有机发光晶体管元件 制造方法的工序图11是表示一例构成本发明一实施方式的有机发光晶体管元件
的电才及布置的平面图12是表示另一例形成本发明一实施方式的有机发光晶体管元 件的电极布置的平面图13是表示一例其中嵌有本发明一实施方式的有机发光晶体管 元件的发光显示装置的概略图14是表示一例有机发光晶体管的示意电路图，包括为发光显示 装置中的各像素(单位元件)而设的本发明一实施方式的有机发光晶体 管元件；
图15是另一例有机发光晶体管的示意电路图，包括为发光显示装 置中的各像素(单位元件)而设的本发明一实施方式的有机发光晶体管 元件；
图16A是实施例1的有机发光晶体管元件的示意剖视图16B是实施例1的有机发光晶体管元件获得的亮度(强度)曲线
图17A是实施例2的有机发光晶体管元件的示意剖视图17B是实施例2的有机发光晶体管元件获得的亮度(强度)曲线
图18是关于实施例2的有机发光晶体管元件和比较例1的有机发 光晶体管元件的所测量的栅极电压VG与漏极电流密度之间的关系的 曲线图19是示出相对于一个实施例的有机发光晶体管元件和比较例2 的有机发光晶体管元件测量的栅极电压VG与漏极电流密度之间关系 的图形；
图20表示一例由SIT结构和有机EL(电致发光)元件的结构复合 成的传统的有机发光晶体管的示意剖视图；以及
图21表示另一例由SIT结构和有机EL(电致发光)元件的结构复 合成的传统的有机发光晶体管的示意剖视图。
具体实施例方式
现根据其实施方式对本发明进行详细说明。图1至图7表示本发 明的有机发光晶体管元件30的各实施方式。本发明的有机发光晶体 管元件是具有有机EL元件的结构和垂直型FET结构的场效应型有机 发光晶体管元件。
图1所示的实施方式至少包含村底1;在衬底1上表面上设置 的辅助电极层2;在辅助电极层2上表面上设置的绝缘膜3;在绝缘 膜3上表面上局部地设置的第一电极4，以覆盖预定大小区域；在第 一电极4上表面上设置的电荷注入抑制层5,电荷注入抑制层5在平 面图中具有与第一电极4相同的大小；在绝缘膜3上表面上未设第一 电极4的区域和电荷注入抑制层5上表面上设置的电荷注入层12;在 电荷注入层12上表面上设置的发光层11;以及在发光层11上表面上 设置的第二电极层7。
在本说明书中，电荷注入层12和发光层11统称为有机层6。根 据需要，电荷输送层(下述)也可包括在有机层6中。
在图1的实施方式中，电荷注入层12和第一电极4的边缘部分(端 面)4a相互接触。在第一电极4的边缘部分4a,电荷(空穴或电子)通过 施加在第一电极4与辅助电极2之间的栅极电压VG生成。电荷在第 一电极4与第二电极7之间施加的漏极电压VD的作用下从第一电极 4向第二电极7输送。
在本实施方式中(虽然其它实施方式也相同)，通过在第一电才及4 与第二电极7之间施加恒定电场(漏极电压VD)和改变在辅助电极2 与第一电极4之间施加的4册极电压VG,可控制电荷的生成量。生成 的电荷输送到发光层11 ，并且与笫二电极7供给的电荷复合而发光(发 射光)。因此，在电荷的生成量^皮控制时，发光量得到控制。
可通过在第一电极4上设置电荷注入抑制层5，实现对发光量的 这种控制。如图2所示，在第一电极4与第二电极7之间施加恒定电 压(漏极电压VD)时，由于存在电荷注入抑制层5，因此，抑制了在第
一电极4上表面上生成的电荷向第二电极7的流动。只有不在电荷注 入抑制层5覆盖范围内的面积小的边缘部分(端面)4a生成的电荷流向 第二电极7。因此，在第一电极4与第二电极7之间施加恒定电压(漏 极电压VD)的情况下，抑制了在第一电极和第二电极之间的电流。因 此，通过控制在辅助电极2与第一电极4之间施加的电压(栅4及电压 VG)，有助于电荷的生成，从而可控制电荷生成量，于是可控制发光 量。
至于电极极性，第一电极4可构成为阳极，第二电极7可构建为 阴极。或者，第一电极4可构成为阴极，第二电极7可构建为阳极。 无论第一电极4和第二电极7各具何种极性，均可通过控制在辅助电 极2与第一电极4之间施加的电压来灵敏地改变电荷量。因此，可控 制在第一与第二电极之间的电流，从而可控制发光量。
此处，在第一电极4为阳极，第二电极7为阴极时，与第一电极 4相邻的电荷注入层是空穴注入层。随后，如果设置与第二电极7相 邻的另一电荷注入层14(第三电荷注入层)(参见图6),则电荷注入层 14是电子注入层。另一方面，在第一电极为阴极，第二电极7为阳极 时，与笫一电极4相邻的电荷注入层是电子注入层。随后，如果设置 与第二电极7相邻的另一电荷注入层14(参见图6)，则电荷注入层14 是空穴注入层。
重要特征是第一电极4在绝缘膜3上表面侧形成(其间可设置第二 电荷注入层参见图5)，并且第一电极4的边缘部分4a构成为与电 子电荷注入层12相接(相邻)。其它特征可以有各种更改。例如，可采 用如图3A到图7所示的各种实施方式。
例如，关于具有电荷注入层12和发光层11的有机层6的结构形 式，有(i)如图l所示，电荷注入层12可形成为具有不小于第一电极 4厚度Tl,并且也不小于第一电极4和电荷注入抑制层5的总厚度 T2的厚度T3; (ii)如图3A所示，电荷注入层12可形成为具有大致与 第一电极4厚度Tl相同的厚度；以及(iii)如图3B所示，电荷注入层
12可形成为具有大致与第一电极4和电荷注入抑制层5的总厚度T2 相同的厚度。在上述的任一实施方式中，第一电极4的边缘部分4a 可与电荷注入层12"f妻触。
另外，例如，如图3C所示，电荷注入层12可形成为具有大致与 第一电极4厚度T1相同的厚度，且发光层11可在电荷注入层12上 形成，具有大致与电荷注入抑制层5厚度相同的厚度。(如图3C所示， 发光层的最大厚度可基本上与电荷注入抑制层5的厚度相同。发光层 的厚度可以比电荷注入抑制层5的厚度薄。)图3C的有机发光晶体 管元件的第一电极的边缘部分4a同样也可与电荷注入层12接触。另 外，在图3C的实施方式的有机发光晶体管元件中，发光层11在叠层 结构体8之间形成，每个结构体由第一电极4和电荷注入抑制层5构 成，从而可实现矩阵图案布置的元件。
例如，有机层6的分层形式作为示例有如图1至图3C所示， 电荷注入层12和发光层11依次在绝缘膜3上形成的双层结构；如图 4和5所示，第二电荷注入层12'和电荷注入层12及发光层1依次在 绝缘膜3上形成的三层结构；如图6所示，电荷注入层12和发光层 11及电荷注入层14依次在绝缘膜3上形成的三层结构；如图7所示， 电荷注入层12和电荷输送层13及发光层11依次从绝缘膜3侧形成 的三层结构。有机层6的结构并不限于此。根据需要，可设置电荷输 送层等。另外，电荷注入层材料和/或电荷输送层材料可包括在发光层 11中，以使发光层11的单层能够具有电荷注入层和/或电荷输送层的 功能。
如上所述，在图4和图5所示的各实施方式中，电荷注入层12' 和电荷注入层12及发光层11在绝缘膜3上依次形成。也说是说，在 这些实施方式的有机发光晶体管元件30、 40中，在绝缘膜3与第一 电极4及电荷注入层12之间设置了由与电荷注入层12相同或不同材 料构成的电荷注入层12'。在有机发光晶体管元件30、 40中，由于还 设置了电荷注入层12'，因此也可在绝缘膜3侧的第一电极4的表面生
成电荷。生成的电荷受在辅助电极2与第一电极4之间施加的电压控 制。因此，可控制在第一与第二电极之间的电流，从而可控制发光量。
各实施方式的有机发光晶体管元件可以为顶面发射型发光(光发 射)晶体管元件或底面发射型发光晶体管元件。每层的透光率根据采用 的类型设计。有机发光晶体管元件的各剖视图对应于有机发光晶体管 的一个像素。因此，如果发光层的形成可为每个像素发出预定颜色的 光，则能够形成彩色显示器等发光显示装置。
另外，如图8所示，本发明的特征可用于有机晶体管元件。在图 8的有机晶体管元件70中，在与第二电极7相对的第一电极4上形成 电荷注入抑制层5。因此，可抑制(控制)流向有机半导体层15(例如， 电荷注入层或电荷输送层)的电荷量。(通过抑制电荷从第一电极4的 上表面直接流向第二电极7，可改善有机晶体管元件的控制特征。)
<有机发光晶体管元件之结构>
如下说明各实施方式的有机发光晶体管元件中的层和电极。 村底1不受特别限制，而是可根据要层叠的层材料等进行适当的 选择。例如，它可从诸如金属等各种材料中选择，例如，铝、玻璃、 石英或树脂。若为具有从衬底侧射出光的底面发射结构的有机发光晶 体管元件，则衬底最好由透明或半透明材料形成。另一方面，若为具 有从第二电极7 —侧射出光的顶部透过结构的有机发光晶体管元件， 则无需使用透明或半透明材料。也说是说，衬底l可由不透明材料形 成。
最好能使用通常已用作有机EL器件衬底的各种材料。例如，视 应用而定，可选择柔性材料或刚性材料或其它材料。具体而言，可使 用由诸如以下材料等构成的衬底玻璃、石英(硅石)、聚乙烯、聚丙 烯、聚对苯二曱酸乙二酯、聚曱基丙烯酸酯、聚曱基丙烯酸曱酯、聚 丙烯酸甲酯、聚酯和聚^友酸酯。
衬底1可具有单独的形状或持续的形状(薄膜或SUS巻(薄SUS 巻))。具体而言，可才是供的实施例有卡状、薄膜状、圆盘片状等等。
作为电极，设置有辅助电极2、第一电极4和第二电极7。作为用 于各电极的材料，可使用金属、导电氧化物、导电聚合物等。
第一电极4以预定大小局部地设置在绝缘膜3上表面侧。该预定 大小不受特别限制。例如，设置了线宽约1至500 pm，线距约1至 500 pm的梳状电极4(在图11中示为叠层结构体8),这在下面参照图 11描述。或者，可设置具有格栅宽约1至500 pm和格栅距约1至500 Hm的格栅状电极4(在图12中示为X方向上的叠层结构体8x和Y方 向上的叠层结构体8y),这在下面参照图12描述。第一电极4的形状 并不限于梳状形或格栅状形，而可为各种形状，如菱形或圓形。其线 宽和线距也不受特别限制。另外，线宽和/或线距可以不一致。
作为形成辅助电极2的材料，例如有ITO(铟锡氧化物)、氧化铟、 IZO(铟锌氧化物)、Sn02和ZnO等透明导电膜；如金和铬等具有大的 功函数的金属；如银和铝等一般的金属；以及如聚苯胺、聚乙炔、聚 烷基噻吩衍生物及聚硅烷衍生物等导电聚合物。辅助电极2设置在衬 底1上表面侧。阻挡层和/或平滑层可设置在衬底1与辅助电极2之间。
作为阴极形成第一电极4或第二电极7的材料，例如有如铝和 银等单金属；如MgAg等镁合金；如AlLi、 AlCa和AlMg等铝合金； 如Li和Ca等碱金属材料；如LiF等碱金属合金；以及具有小功函数 的其它金属材料。
另一方面，作为阳极形成第一电极4或笫二电极7材料，例如有 与用于辅助电极2和上述阴极的电极形成材料，它们是与4妄触阳极的 有机层(电荷注入层或发光层)某个材料产生"欧姆接触"的金属。此类 材料最好是如金和铬等具有大功函数的金属；如ITO(铟锡氧化物)、 氧化铟、IZO(铟锌氧化物)、Sn02和ZnO等透明导电膜；以及如聚苯 胺、聚乙炔、聚烷基噻吩衍生物及聚硅烷衍生物等导电聚合物。
辅助电极2、第一电极4和第二电极7每个可以为由任何上述材 料构成的单层电极或由多个上述材料构成的多层电极。
此处，如下所述，在可通过光照射去除的光敏材料用作电荷注入抑制层5的材料时，优选使用不透过光敏材料的曝光波长的材料作为 用于第一电极4的材料，并且优选使用透过光敏材料的曝光波长的材 料作为辅助电极2的材料。
每个电极的厚度不受限制，但通常在10到1000 nm范围内。 有机发光晶体管元件是底面发射型时，最好是位于发光层11下方 的电极是透明或半透明的。另一方面，有机发光晶体管元件是顶面发 射型时，最好是位于发光层11上方的电极是透明或半透明的。任何 上述透明导电膜、金属薄膜和导电聚合物薄膜可用作透明电极材料。 此处，"下方"和"上方"在附图平面的垂直方向上定义。
上述各个电极根据诸如真空淀积等真空工艺、溅镀或CVD或涂 层工艺形成。每个电极的厚度(薄膜厚度)取决于用于电极的材料。例 如，最好厚度在约10 nm到约1000 nm范围内。此处，在诸如发光层 11和/或电荷注入层12等有机层上形成电极时，可在有机层上i殳置保 护层(未示出)以减少在电极形成时对有机层的损坏。在通过'减镀法等 在有机层上形成电极的情况下，保护层可在电极形成之前设置。例如， 真空淀积薄膜或溅镀薄膜最好通过由金、银、铝等构成的半透明薄膜 形成，或者通过由ZnS、 ZnSe等构成的非有机半导体薄膜形成，这在 形成薄膜时很少会损坏有机层。保护层的厚度最好在约1至500 nm 范围内。
绝缘层3在辅助(补助)电极2上形成。绝缘层3可从诸如二氧化 硅、氮化硅或三氧化二铝等非有机材料或有机材料形成，有机材料包 括诸如聚氯丁烯、聚对苯二甲酸乙二酯、聚曱醛、聚氯乙烯、聚偏二 氟乙烯、氰乙基普鲁多糖、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯苯酚、聚砜、 聚-友酸酯或聚酰亚胺或在本领域常用的市售的抗蚀剂材料。绝缘膜3 可以为由任何上述材料构成的单层绝缘膜，或者由多个上述材料构成 的多层绝缘膜。此处，如下所述，在可通过光照射去除的光^U才料用 作电荷注入抑制层5的材料时，最好使用透过光敏材料的曝光波长的 材料作为绝缘膜3的材料。
具体而言，在本发明中，鉴于制造成本和/或制造简易性，最好使 用在本领域常用的抗蚀剂材料。预定的图案可通过丝网印刷法、旋涂 法、铸造法、提拉法、印花法、喷墨法、光刻法等形成。由上述非有
机材料构成的绝缘膜3可通过诸如CVD等现有图案化工艺形成。绝 缘膜3的厚度最好较薄。但是，如果厚度太薄，则辅助电极2与第一 电极4之间的漏极电流往往会很大。因此，厚度通常在大约0.001 pm 到5.0pm范围内。
在有机发光晶体管元件为底面发射型时，绝缘膜3位于发光层11 下方。因此，绝缘膜3优选为透明或半透明的。另一方面，在有机发 光晶体管元件是顶面发射型时，绝缘膜3无需是透明或半透明的。
电荷注入抑制层5在第一电极4上设置，并且用于抑制在与第二 电极7相对的第一电极4上表面生成的电荷(空穴或电子)流向第二电 极7。在本发明中，在与第二电极7相对的第一电极4上表面上设置 电荷注入抑制层5。因此，电荷(电荷流)主要在边缘部分4a生成，而 边缘部分面积小，并且不在电荷注入抑制层5覆盖范围内。在第一电 极4边缘部分4a生成的电荷(电荷流)量由在辅助电极2与第一电极4 之间施加的栅极电压VG控制。另外，在边缘部分4a生成的电荷(电 荷流)通过在第 一 电极4与第二电极7之间施加的漏极电压VD而移向 第二电极7。因此，通过控制在辅助电极2与第一电极4之间施加的 栅极电压VG，可控制在第一电极4与第二电极7之间流动的电流。 因此，发光量可受到控制。
只要可抑制上述效应，电荷注入抑制层5可用各种材料中的任一 种形成。对电荷注入抑制层5有用的薄膜，包括有非有机或有机绝缘 膜。例如，电荷注入抑制层5可以是诸如二氧化硅、氮化硅或三氧化 二铝等非有机绝缘材料薄膜，或者是传统的有机绝缘材料薄膜，传统 的有机绝缘材料包括诸如聚氯丁烯、聚对苯二甲酸乙二酯、聚甲醛、 聚氯乙烯、聚偏二氟乙烯、氰乙基普鲁多糖、聚甲基丙烯酸甲酯、聚 乙烯苯酚、聚砜、聚碳酸酯或聚酰亚胺。电荷注入抑制层5可以为由
任何上述材料构成的单层电荷注入抑制层，或者由多个上述材料构成
的多层电荷注入抑制层。电荷注入抑制层5通过诸如真空淀积等真空 工艺、溅镀或CVD或涂层工艺形成。电荷注入抑制层5的厚度取决 于用于电荷注入抑制层5的材料。例如，最好是厚度在大约0.001 nm 到约10nm范围内。
电荷注入抑制层5最好由容易获得、容易形成且容易精确成型的 绝缘材料构成。具体而言，优选使用由可通过光照射去除的光敏材料 构成的薄膜，更具体地说使用正型树脂膜。在正型光敏材料用作电荷 注入抑制层5的材料时，光敏材料在绝缘膜3上设置以覆盖第一电极 4，并且随后从村底1侧曝光。因此，只有在第一电极4之间设置的 正型光敏材料可容易且精确地被去除。因此，在平面图中具有与第一 电极4同样大小的电荷注入抑制层5可大小精确地在第一电极4上形 成。
电荷注入抑制层5至少会在与第二电极7相对的第一电极4上表 面上形成。此处，第一电极4的边缘部分4a布置为与电荷注入层12 接触。为满足此要求，最好在第一电极4上形成电荷注入抑制层5, 以使电荷注入抑制层5在平面图中具有与第一电极4相同的大小。此 处，"相同的大小"不但包括完全相同的大小，而且包括可实现共同效 应的大小。由于上方的电荷注入抑制层5已形成，因此，电荷(电荷流) 不在与第二电极7相对的第一电极4上表面生成。但是，电荷(电荷流) 在面积小的边缘部分4a生成。因此，通过控制在辅助电极2与第一电 极4之间施加的电压(4册极电压)，可灵敏地更改电荷生成量(生成的空 穴)。因此，可控制在第一与第二电极之间的电流，从而可控制发光量。
如上所迷，有机层6至少包含电荷注入层12和发光层11。需要 时，可添加电荷输送层等。或者，有才几层6可具有含电荷注入材术+的 发光层ll。有机层6不受特别限制，只要这些条件得到满足。也说是 说，可采用上述各种方式。作为有机层6的组成部分，各层形成为适 合的厚度(例如，在O.l nm到1 j^m范围内)，具体视元件的结构和/或
材料种类而定。此处，如果有机层每层的厚度太大，则可能需要大电 压以得到预定的光发射，这在光发射效率方面较差。另一方面，如杲 有机层每层的厚度太小，则会生成针孔等，这导致在施加电场时亮度 不足。
通常在有机EL器件中用作发光层的任何材料均可用于发光层 11。例如，可使用颜料发光材料、金属络合物发光材料、聚合物发光 材料等。
发光颜料例如包括环戊二烯衍生物、四苯基丁二烯衍生物、三 苯基胺衍生物、噁二唑类衍生物、吡唑并唾啉衍生物、二苯乙烯苯^f汙 生物、联苯乙烯衍生物、硅杂环戊烯衍生物、p塞吩环状化合物、吡啶 环状化合物、紫环酮衍生物、芘衍生物、低聚漆汾衍生物、三富马酰 胺(triftimanylamine)衍生物、噁二唑二聚物及吡唑啉二聚物。发光 金属络合物的，例如有喹啉酚根合铝络合物、苯并喹啉铍络合物、苯 并噁唑锌络合物、苯并噻唑锌络合物、偶氮曱基(azomethyl)锌络合 物、卟啉锌络合物及铕络合物。发光金属络合物的其它，例如有具有 诸如铝、锌或铍等此类金属或诸如铽、铕或镝等稀土金属为中心金属， 以及噁二哇、瘗二唑、苯基吡啶、苯基苯并咪唑或会淋结构为配体的 金属络合物。发光聚合物的，例如有聚对苯撑乙烯衍生物、聚瘗吩衍 生物、聚对苯撑衍生物、聚硅烷衍生物、聚乙炔衍生物、聚乙烯p卡唑、 聚药酮衍生物、聚药衍生物、聚#喔啉衍生物及这些衍生物的共聚物。
诸如掺杂物等添加物可添加到发光层11以使改进光发射效率或 更改透过波长。在此处有用的掺杂物的，例如有芘衍生物、香豆素衍 生物、红荧烯衍生物、会吖衍生物、只夕7l/々厶(squaleum)衍生 物、卟啉衍生物、苯乙烯染料、丁省衍生物、吡唑啉衍生物、十环烯、 p分噁漆酮、喹喔啉衍生物、呼唑衍生物及芴衍生物。
对形成电荷注入层12有用的材料，例如有上表面作为发光材料实 施例列举的复合物。对电荷注入层12有用的其它材料包括苯胺、星 状胺、酞菁、聚并苯、诸如钒基氧化物、氧化钼、氧化钌和氧化铝等
氧化物及无定形碳、聚苯胺、聚苯胺等的衍生物。
用于第二电极的电荷注入层14(参见图6)可在第二电极7发光层 11侧上形成。第二电极7用作阴极时可用于形成电荷(电子)注入层14 的材料，例如有作为用于发光层11发光材料实施例的上述复合物及 碱金属、碱金属卣化物、具有碱金属的有机络合物等等，如铝、氟化 锂、锶、氧化镁、氟化镁、氟化锶、氟化钙、氟化钡、氧化铝、氧化 锶、钙、聚曱基丙烯酸甲酯、降钾树脂、锂、铯及氟化铯。
第一电极4用作阳极时可用于形成电荷(空穴)输送层13的材料， 例如有通常用作正空穴转移材料的那些材料，如酞菁、萘酞菁、卟啉、 噁二唑、三苯基胺、三唑、咪唑、咪哇啉酮、p比哇啉、四氬。末哇、腙、 均二苯代乙烯、并五苯、聚噻吩、丁二烯及这些复合物的衍生物。也 可使用可通过商业途径得到的聚(3,4)乙烯基二氧噻汾/聚磺苯乙烯(缩 写PEDOT/PSS,由拜尔^>司生产，商品名Baytron P AI4083，作 为一种水溶液销售)及诸如此类作为对形成电荷输送层13有用的材
料。含有上表面列举的任何复合物的电荷输送层形成涂覆液用于形成 电荷输送层13。电荷输送层可包含到发光层11中，或者包含到电荷 注入层12中。
此外，虽然图中未示出，但电荷输送层可在发光层11第二电极侧 上形成。第二电极7用作阴极时可用于形成电荷(电子)输送层的材料， 例如有通常用作电子输送材料的那些材料，如蒽醌二甲烷 (anthraquinodimethane)、亚药基甲烷、四氰基乙烯、药酮、二苯并 苯醌噁二哇、蒽酮、二氧化漆响、联苯醌、苯醌、丙二腈(marononitrile )、 二硝基苯、硝基蒽醌、顺丁烯二酸酐、菲四羧酸及这些复合物的衍生 物。^^有上表面列举的任何复合物的电荷输送层形成涂覆液用于形成 电荷(电子)输送层。电荷输送层可包含到发光层11中，或者包含到电 荷注入层12中。
诸如低聚物或树枝状材料等发光材料或电荷传递/注入材料可包 含在根据需要由发光层11、电荷注入层12、电荷输送层13等复合成
的有机层中。真空淀积工艺用于形成构成有机层的每个层。或者，通 过在诸如曱苯、氯仿、二氯曱烷、四氢呋喃或二氧杂环乙烷等此类溶 剂中溶解或分散形成每层的材料来准备涂覆液，该液体可通过涂液器 等涂敷或印制以形成每个层。
如上所述，视相应的分层(层叠)方式而定，有机层6通过发光层 形成材料、电荷注入层形成材料、电荷输送层形成材料和/或其他等形 成。这里，有机层6由间壁(未示出)分成几个区域，并在预定位置形 成。这些间壁(未示出)分割而形成用于在包括有机发光晶体管元件的 发光显示装置平面中相应发光颜色的区域。通常用作间壁材料的任何 传统的材料可用作这些间壁的材料，例如，感光树脂、活性能量射束 可固化树脂、热固化树脂、热塑性树脂等。用于所采纳间壁材料的适 合方法可用作形成间壁的方法。例如，厚薄膜印刷法或感光树脂的成 型法可用于形成间壁。
在图3C所示的实施方式中，电荷注入抑制层5 ^h口厚以使与第 二电极7接触。这种情况下，由第一电极4和电荷注入抑制层5复合 成的叠层结构体8'用作间壁。在其它实施方式中，对于由第一电极4 和电荷注入抑制层5复合成的叠层结构体，电荷注入抑制层5的厚度 形成得薄，例如，如图3A所示。因此，通过为由间壁(未示出)围绕(分 割)的区域设置相应颜色的有机EL发光层，形成了光发射部分。另夕卜， 图3A所示结构可布置在图3C所示结构围绕的区域内。这种情况下， 图3C的叠层结构体8'用作间壁，并且通过为由其它间壁(未示出)围绕 (分割)的区域设置相应颜色的有机EL发光层，光发射部分得以形成。
<有机发光晶体管元件的制造方法>
下面将说明根据本发明的有机发光晶体管元件的制造方法实施方 式。图9A到9F是示出本发明一实施方式的有机发光晶体管元件制造 方法的工序根据本实施方式的有机发光晶体管元件制造方法至少包含如下步 骤准备村底l，其上依次形成辅助电极层2和绝缘膜3(参见图9A);
在绝缘膜3上局部地设置第一电极4，以使第一电极4具有预定大小(参 见图9B);在第一电极4上设置电荷注入抑制层5，以使电荷注入抑 制层5在平面图中具有与第 一电极4相同的大小(参见图9C和9D); 在绝缘膜3上表面侧未设第一电极4的区域和电荷注入抑制层5上表 面上设置电荷注入层12(参见图9F);在电荷注入层12上设置发光层 ll(参见图9F);以及在发光层11上设置第二电极层7。
在上述步骤中，在第一电极4上形成电荷注入抑制层5的步骤中， 如上所述的各种材料可用作电荷注入抑制层材料。最好将可通过光照 射去除的光敏材料(正型抗蚀剂)用作电荷注入抑制层5的材料。这种 情况下，优选使用不透过光敏材料的曝光波长的材料为第一电极4的 材料。在绝缘膜3整个区域上设置光敏材料以覆盖第一电极(参见图 9C)后，光敏材料从衬底1侧曝光(参见图9D)。因此，只可去除在绝 缘膜3上设置的正型光敏材料(参见图9E)。结果，只有在绝缘膜3上 设置的正型光敏材料可容易且精确地去除。
不透过光敏材料的曝光波长的材料包括诸如铝(Al)、金(Au)、 铬(Cr)、铂(Pt)和钛(Ti)等金属和由其上表面或下表面层叠有 金(Au)、铝(Al)等的ITO或IZO构成的透明电极。在由这些材 料构成的第一电极4是阳极时，最好是第一电极4包括由易于将电荷 (空穴)注入与第一电极4接触的电荷(空穴)注入层的材料构成的一个 层，这些材料具体而言是金(Au)、铬(Cr)、铂(Pt)、钛(Ti)、 ITO或IZO。另一方面，在第一电极是阴极时，最好是第一电极4包 括由易于将电荷(电子)注入与第一电极4的电荷(电子)注入层接触的 材料构成的一个层。
也说是说，如图9C所示，正型抗蚀剂5'在绝缘膜3上设置以覆 盖第一电极4。之后，如图9D所示，正型抗蚀剂5'的曝光波长光线从 村底1侧照射到正型抗蚀剂5',使得在第一电极4之间设置的正型抗 蚀剂5'被曝光。随后，如图9E所示，暴露的正型抗蚀剂5'被显现， 使得仅在第一电极之间设置的正型抗蚀剂54皮去除。因此，电荷注入 抑制层5可在第一电极4上形成，以使电荷注入抑制层5在平面图中 具有与第 一电极4相同的大小。
图9A到9F对应于图1所示有机发光晶体管元件10的制造方法。 但是，图3A到3C所示有机发光晶体管元件可以用相同的方式制造。
在制造图3A所示有机发光晶体管元件20A时，通过诸如摘一莫淀 积法或喷墨法等图案化工艺形成电荷注入层12，这样，电荷注入层 12的厚度T3不小于第一电极4的厚度Tl,并且大致与第一电极4的 厚度T1相同。之后，形成发光层11以均匀覆盖电荷注入层12的上 表面和电荷注入抑制层5的上表面。
在制造图3B所示有机发光晶体管元件20B时，通过诸如掩冲莫淀 积法或喷墨法等图案化工艺形成电荷注入层12，这样，电荷注入层 12的厚度T3大致与第一电极4和电荷注入抑制层5的总厚度T2相 同。之后，形成发光层ll以均匀覆盖电荷注入层12的上表面和电荷 注入抑制层5的上表面。
在制造图3C所示有机发光晶体管元件20C时，通过诸如l^;漠淀 积法或喷墨法等图案化工艺形成电荷注入层12，这样，电荷注入层 12的厚度T3大致与第一电极4的厚度Tl相同。之后，通过诸如掩 模淀积法或喷墨法等图案化工艺形成发光层11，这样，电荷注入层 12和发光层11的总厚度不超过第一电极4和电荷注入抑制层5的总 厚度，而是与其大致相同。
在如上所述图3A到3C所示有机发光晶体管元件的制造方法中， 在电荷注入层由低分子材料形成时，最好是通过掩模淀积法等执行形 成图案执行，并且在电荷注入层由聚合物(高分子)材料形成时，最好 是形成图案通过喷墨法等执行。通过此类方法，电荷注入层12可在 相邻的第一电极4， 4之间形成以形成元件。另外，如图3C所示，发 光层11可在相邻叠层结构体8之间形成以实现矩阵图案配置的元件， 而每个分层结构由第一电才及4和电荷注入抑制层5组成。
图IOA到IOF是示出图4所示有机发光晶体管元件制造方法实施
例的流程图。4.在如图IOA到10F所示的此制造方法中，在设置第 一电极4的步骤前，执行设置由与绝缘膜3上表面上电荷注入层12 相同材料或不同材料构成的第二电荷注入层12'的步骤。其它特征与图 9A到9F所示制造方法相同。相同步骤的说明被省略。
如关于图9A到9F的说明中所述，对于通过将正型抗蚀剂暴露在 衬底1侧光线下以只去除绝缘膜3上设置的正型抗蚀剂的步骤，最好 是预先在绝缘膜3上形成的第二电荷注入层12'由透过正型抗蚀剂的 曝光波长的材料构成。
图5到7所示有机发光晶体管元件和图9所示有机晶体管元件也 可通过大致与上述步骤相同的步骤制造。
根据上述制造方法，电荷注入抑制层5在第一电极4上形成时， 设置正型光敏材料以覆盖第一电极4,并随后从衬底l侧曝光。因此， 只可容易且精确地去除在第一电极4,4之间的绝缘膜3上设置的正型 光敏材料。
<有机发光晶体管和发光显示装置>
下面将说明有机发光晶体管和发光显示装置的实施方式。本发明 不受如下说明的限制。
在本实施方式的有机发光晶体管中，多个有机发光晶体管元件在 片状衬底上以矩阵图案配置。本实施方式的有机发光晶体管包括多 个有机发光晶体管元件；第一电压供给单元，配置成在每个有机发光 晶体管元件的第一电极4与第二电极7之间施加恒定电压(漏极电压 VD);以及第二电压供给单元，配置成在每个有机发光晶体管元件的 第一电极4与辅助电极2之间施加可变电压(栅极电压VG)。
图11和12是示出本实施方式有机发光晶体管中包括的有机发光 晶体管元件电极布置实施例的平面图。图11是配置图，其中以梳状 形成由第一电极4和电荷注入抑制层5复合成的叠层结构体8。图12 是配置图，其中以格栅状形状形成分层结构，。图11所示电极布置 包括在平面图中垂直方向延伸的辅助电极2、具有从垂直于辅助电极
2的一侧横向延伸的梳状形状的叠层结构体8(第一电极4)及从垂直于 辅助电极2的另一侧横向延伸并与叠层结构体8重叠的第二电极7。 在图12所示电极布置中，除图11所示梳状形状的叠层结构体8外， 设置了在X方向上延伸的叠层结构体8x和在Y方向上延伸的叠层结 构体8y,这形成了格栅方式。此处，图11和12的布置只是实施例。
在本实施方式的发光显示装置中，多个发光部分以矩形方式布置。 多个发光部分各自具有含本发明特征的有机发光晶体管元件。
图13是示出其中嵌有本发明一实施方式的有机发光晶体管元件 的发光显示装置实施例的概略图。图14是示出有机发光晶体管一个 实施例的示意电路图，包括根据本发明一个实施方式为发光显示装置 中的各像素(单位元件)设置的有机发光晶体管元件。此处说明的发光 显示装置是一个实施例，其中每个像素(单位元件)180具有一个开关 晶体管。
图13和14中所示的每个像素180连接到交叉布置的第一开关线 187和第二开关线188。如图13所示，第一开关线187和笫二开关线 188连接到电压控制电路164。电压控制电路164连接到图像信号供 给源163。另外，在图13和14中，附图标记186表示地线，并且附 图标记189表示恒定电压施加线。
如图14所示，第一开关晶体管183的源极193a连接到第二开关 线188,第一开关晶体管183的栅极194a连接到第一开关线187，并 且第一开关晶体管183的漏极195a连接到有4几发光晶体管140的辅助 电极2和电容器185的一端以保持电压。保持电压的电容器185的另 一端接地186。有机发光晶体管140的第二电极7也接地186。有机 发光晶体管140的第一电极4连接到恒定电压施加线189。
下面将说明图14所示的电路动作。电压施加到第一开关线187 时，该电压就被加到第一开关晶体管183的栅极194a。因此，源极193 和漏极195a ^皮电连接。在这种情况下，电压施加到第二开关线188 时，该电压就^皮加到漏极195a，因此，电荷存储在保持电压的电容器 185中。因此，即使施加到第一开关线187或第二开关线188的电压 断开，在电容器185中存储的电荷消失前，也可继续向有机发光晶体 管140的辅助电极2施加一定的电压。另一方面，在电压施加到有机 发光晶体管140第一电极4时，第一电极4和第二电极7电连接，因 此，电流从恒定电压供给线189通过有机发光晶体管140流到地线 186。因此，有机发光晶体管140变亮(发光)。
图15是有机发光晶体管另一实施例的示意电路图，包括根据本发 明一个实施方式为发光显示装置中的各像素(单位元件)设置的有机发 光晶体管元件。此处说明的发光显示装置是一个实施例，其中每个像 素(单位元件)181有两个开关晶体管。
图15所示的每个像素181以与图14所示情况相同的方式连接到 交叉布置的第一开关线187和第二开关线188。如图13所示，第一开 关线187和第二开关线188连接到电压控制电路164。电压控制电路 164连接到图像信号供给源163。另夕卜，在图15中，附图标记186表 示地线，附图标记209表示电流供给线，附图标记189表示恒定电压 施力口线。
如图15所示，笫一开关晶体管183的源极193a连接到第二开关 线188，第一开关晶体管183的栅极194a连接到第一开关线187，并 且第一开关晶体管183的漏极195a连接到第二开关晶体管184的栅极 194b和电容器185的一端以保持电压。保持电压的电容器185的另一 端接地186。第二开关晶体管184的源极193b连接到电流源209,并 且第二开关晶体管184的漏极195b连接到有机发光晶体管140的辅 助电极2。有机发光晶体管140的第二电极7连接到地线186。有机 发光晶体管140的第一电极4连接到恒定电压施加线189。
接着，将说明图15所示的电路动作。电压施加到第一开关线187 时，该电压被加到第一开关晶体管183的栅极194a。因此，源极193 和漏极195a电连4妻。在这种情况下，电压施加到第二开关线188时， 该电压^L加到漏极195a，因此，电荷存储在保持电压的电容器185中。
因此，即使施加到第一开关线187或第二开关线188的电压断开，在 电容器185中存储的电荷消失前，也可继续向第二开关晶体管184的 栅极194b施加一定的电压。由于电压施加到第二晶体管184的栅极 194b，因此，源极193b和漏极195b电连接。因此，电流从恒定电压 供给线189通过有机发光晶体管140流到地线186。因此，有机发光 晶体管140变亮(发光)。
图13所示图像信号供给源163包括或连接到图像信息的重现装 置，或者将输入电磁信息转换成电信号的装置。图像信息重现装置包 括或连接到记录图像信息的图像信息介质。图像信号供给源163配置 成将已从图像信息重现装置或从将输入电磁信息转换成电信号的装 置发送的电信号转换成电压控制装置164可接受的电信号方式。电压 控制装置164还将转换来自图像信号供给源163的电信号，计算哪个 像素180、 181将发光及像素将发光多长，并随后确定施加到第一开 关线187和第二开关线188的电压、电压施加时长及其定时。因此， 发光显示装置可基于图像信息显示所需的图像。
相邻的小像素分别发出RGB三种颜色，即基于红色的颜色、基 于绿色的颜色和基于蓝色的颜色时，就可得到彩色图像显示装置。
<实施例>
如下说明实施例和比较例。 (实施例1)
绝缘膜3是通过旋涂法，在玻璃衬底1上由基于PVP的抗蚀剂(由 TOKYO OHKA KOGYO CO. Ltd.制造，商品名TMR-P10)形成，厚 度为300nm，衬底具有由ITO薄膜形成的100 nm厚的辅助电极2。
接着，通过使用掩才莫的真空淀积法，由金形成第一电极4(阳级)(其 厚度为30nm)。随后，为覆盖第一电极4，通过旋涂法在绝缘膜3上 涂正型抗蚀剂(由TOKYO OHKA KOGYO CO. Ltd.制造，商品名 TMR-PIO)。随后，包括405 nm和436 nm波长的曝光从村底1侧射出， 以使第一电极4(阳极)之间的正型抗蚀剂膜被曝光。随后，通过碱性显
影液(商品名NMD-3)显影而形成正型抗蚀剂膜。因此，只在第一电 极4上形成作为电荷注入抑制层5的抗蚀剂膜(其厚度为100 nm),并 且抗蚀剂膜的其余部分被去除。
随后，通过真空淀积法，在叠层结构体8之间的绝缘膜3上淀积 作为电荷(空穴)注入层12的并五苯(厚度50 nm),而每个叠层结构体8 由第一电极4和电荷注入抑制层5组成。随后，通过真空淀积法，淀 积作为电荷(空穴)输送层13的a-NPD(厚度40 nm),以覆盖电荷注入 层12和电荷注入抑制层5。此外，通过真空淀积法，由三(会啉酚根) 合铝(厚度60 nm)形成的发光层11/由氟化锂(厚度1 nm)形成的电子注 入层14/由铝(厚度100 nm)形成的第二电极7依次层叠。于是，制成 如图16A所示实施例1的有才几发光晶体管元件。
虽然在实施例1的有机发光晶体管元件第一电极4与第二电极7 之间施加-10 V(漏极电压VD)的电压，但在辅助电极2与第一电极4 之间施加的另一电压(栅极电压VG)会变化。图16B是表示所获得的 亮度变化的曲线图。
根据图16B的结果，在10 V的栅极电压亮度设为基准，可知在 -40 V栅极电压VG时亮度增大50倍。此处，亮度的测量是通过 MINOLTA出品的亮度计(商品名CS-100A)在室温和大气条件下测量 得出。
(实施例2)
绝缘膜3是通过旋涂法，在玻璃衬底1上由基于PVP的抗蚀剂(由 TOKYO OHKAKOGYO CO. Ltd.制造，商品名TMR-P10)形成，厚 度为300 nm,衬底具有由ITO薄膜形成的厚度为100nm的辅助电极 2。
接着，通过使用掩;f莫的真空淀积法，依次层叠由并五苯(厚度 50 nm)形成的电荷(空穴)注入层12'/由金(厚度30 nm)形成的第一电极 4(阳极)/由二氧化硅(厚度100 nm)形成的电荷(空穴)注入抑制层5/在叠 层结构体8之间由并五苯(厚度50 nm)形成的电荷(空穴)注入层12，每个叠层结构体由第一电极4和电荷注入抑制层5组成/由a-NPD(厚度 90 nm)形成的电荷(空穴)输送层13/由三(喹啉酚根)合铝(厚度60 nm) 形成的发光层11/由氟化锂(厚度1 nm)形成的电子注入层14/由铝(厚度 100nm)形成的第二电极7。于是，制成如图17A所示的实施例2的有 机发光晶体管元件。
实施例2的有机发光晶体管元件的亮度变化以与实施例1相同的 方式测量。图17B是示出所获得的亮度变化的曲线图。
根据图17B，在10V的栅极电压下的亮度设为基准时，可知在-20 V栅极电压VG下的亮度增大30倍。
(实施例3)
绝缘膜3是通过旋涂法，在玻璃衬底1上由基于PVP的抗蚀剂(由 TOKYO OHKAKOGYO CO. Ltd.制造，商品名TMR-P10)形成，厚 度为300 nm，该衬底1具有由ITO薄膜形成的厚度为100 nm的辅助 电极2。
接着，通过使用掩才莫的真空淀积法，由金(Au)形成第一电极4(阳 级)(其厚度为30 nm)。随后，为覆盖第一电极4，通过旋涂法在绝缘 膜3上涂敷正型抗蚀剂(由TOKYO OHKA KOGYO CO. Ltd.制造，商 品名TMR-PIO)。随后，包括405 nm和436 nm波长的曝光/人衬底1 侧射出，以使第一电极4(阳极)之间的正型抗蚀剂膜被曝光。随后，通 过碱性显影液(商品名NMD-3)显影。因此，只在第一电极4上形成 作为电荷注入抑制层5的抗蚀剂膜(其厚度为100 nm)，并将抗蚀剂膜 的其它部分去除。
随后，通过喷墨法，在叠层结构体8之间的绝缘膜3上淀积作为 电荷(空穴)注入层12的聚3-己基噻汾(厚度80 nm),而各叠层结构体 由第一电极4和电荷注入抑制层5组成。随后，通过真空淀积法淀积 作为电荷(空穴)输送层13的a-NPD(厚度40 nm)，以覆盖电荷注入层 12和电荷注入抑制层5。此外，通过真空淀积法，依次层叠由三 啉酚根)合铝(厚度60nm)形成的发光层11/由氟化锂(厚度1 nm)形成 的电子注入层14/由铝(厚度100nm)形成的第二电极7。因此，制成实 施例3的有机发光晶体管元件。实施例3的剖面结构类似于图16A中 所示实施例1的剖面结构。 (实施例4)
绝缘膜3是通过旋涂法在玻璃村底1上由基于PVP的抗蚀剂(由 TOKYO OHKA KOGYO CO. Ltd.制造，商品名TMR-P10)形成，厚 度为300 nm,该村底1具有由ITO薄膜形成的厚度为100 nm的辅助 电极2。
接着，通过使用掩;f莫的真空淀积法，依次由并五苯(厚度50 nm) 淀积为电荷(空穴)注入层12'，并且由金(厚度30 nm)淀积为第一电极 4(阳极)。随后，为覆盖第一电极4，通过旋涂法在电荷注入层12'上涂 正型抗蚀剂(由TOKYO OHKA KOGYO CO. Ltd.制造，商品名 TMR-PIO)。随后，包括405 nm和436 nm波长的曝光从村底1侧射出， 以使第一电极4(阳极)之间的正型抗蚀剂膜被曝光。随后，通过碱性显 影液(商品名NMD-3)形成正型抗蚀剂膜。因此，只在笫一电极4上 形成作为电荷注入抑制层5的抗蚀剂膜(其厚度为100 nm),并且去除 抗蚀剂膜的其它部分。
随后，通过掩冲莫真空淀积法，在叠层结构体8之间的电荷注入层 12'上淀积作为电荷注入层12的并五苯(厚度80 nm)，而各叠层结构体 由第一电极4和电荷注入抑制层5组成。随后，通过真空淀积法依次 层叠由a-NPD(厚度40nm)形成的电荷输送层13/由三(会啉酚根)合 铝(厚度60nm)形成的发光层11/由氟化锂(厚度1 nm)形成的电子注入 层14/由铝(厚度100nm)形成的第二电极7。因此，制成实施例4的有 机发光晶体管元件。实施例4的剖面结构类似于图17A中所示的实施 例2的剖面结构。
(实施例5)
绝缘膜3是通过旋涂法在玻璃村底1上由基于PVP的抗蚀剂(由 TOKYO OHKAKOGYO CO. Ltd.制造，商品名TMR-P10)形成，厚
度为300 nm，该村底1具有由ITO薄膜形成的厚度为100 nm的辅助 电极2。
接着，通过使用掩才莫的真空淀积法，由金形成第一电极4(阳级)(其 厚度为30nm)。随后，为覆盖第一电极4通过旋涂法在绝缘膜3上涂 正型抗蚀剂(由TOKYO OHKA KOGYO CO. Ltd.制造，商品名 TMR-PIO)。随后，包括405 nm和436 nm波长的曝光从衬底1侧射出， 以使第一电极4(阳极)之间的正型抗蚀剂膜被曝光。随后，通过碱性显 影液(商品名NMD-3)形成正型抗蚀剂膜。因此，只在第一电极4上 形成作为电荷注入抑制层5的抗蚀剂膜(其厚度为300 nm),抗蚀剂膜 的其它部分^L去除。
随后，通过旋涂法在叠层结构体8之间的绝缘膜3上淀积作为电 荷注入层12的聚3-己基瘗吩(厚度80nm)，而各叠层结构体由第一电 极4和电荷注入抑制层5组成。随后，通过真空淀积法，金(厚度70 nm) 淀积为第二电极7。因此，制成实施例5的有机发光晶体管元件。实 施例5的剖面结构就是图8所示的剖面结构。
(比较例1)
比较例1的有机发光晶体管元件以与实施例2相同的方式制造， 1旦未淀积作为电荷注入抑制层5的二氧化硅(Si02)。 (比较例2)
比较例2的有机晶体管元件以与实施例5相同的方式制造，但未 设置作为电荷注入抑制层5的正型抗蚀剂。
<栅极电压VG与漏才及电流密度之间的关系>
图18是表示对于实施例2的有机发光晶体管元件和比较例1的有 机发光晶体管元件测量后得到的栅极电压VG与漏极电流密度之关系 的曲线图。
在图18中，符号"A"示出不包含电荷注入抑制层5的比较例1的 结果，符号"x"示出包含电荷注入抑制层5的实施例2的结果。附加于 结果数据的-2V到-10V的电压值是在第 一电极4与第二电极7之间
施力口的电压。
根据图18可知，与不包括电荷注入抑制层5的情况(符号"A")相 比，在包含电荷注入抑制层5的情况(符号"x")下电流密度可通过栅极 电压VG灵敏地控制。
这里，上述测量是在以下测量条件下通过KEITHLEY制造的源表 (商品名6430)执行在手套箱中；在Ar气氛中；湿度和/或氧浓度 不超过O.l ppm。
图19是表示对于实施例5的有机发光晶体管元件和比较例2的有 机发光晶体管元件测量后得到的栅极电压VG与漏极电流密度之关系 的曲线图。
图19中，实线示出包含电荷注入抑制层5的比较例5的结果，虚 线示出不包含电荷注入抑制层5的实施例2的结果。图19中所示的 电压值是在辅助电极2与第一电极4之间施加的栅极电压VG。
如图19所示，与比较例2有机晶体管元件(虚线)相比，在实施例 5的有机晶体管元件(实线)中即使施加大的漏极电压VD ( - IOV)时漏 极电流也很小。因此知道，从第一电极4上表面向第二电极7的电流 受到抑制。因此可知，在实施例5的有机晶体管元件中，可通过栅极 电压VG灵敏地控制漏极电流。
这里，上述测量也是在以下测量条件下通过KEITHLEY制造的源 表(商品名6430)执行在手套箱中；在Ar气氛中；湿度和/或氧浓 度不超过O.l ppm。
权利要求
1.一种有机发光晶体管元件，包括衬底；在所述衬底的上表面侧设置的辅助电极层；在所述辅助电极层的上表面侧设置的绝缘膜；在所述绝缘膜的上表面侧局部地设置的第一电极，所述第一电极覆盖预定大小的区域；在所述第一电极的上表面上设置的电荷注入抑制层，所述电荷注入抑制层在平面图中具有与所述第一电极相同的大小；在所述绝缘膜的上表面侧未设所述第一电极的区域和所述电荷注入抑制层的上表面上设置的电荷注入层；在所述电荷注入层的上表面上设置的发光层；以及在所述发光层的上表面侧设置的第二电极层。
2. —种有机发光晶体管元件，包括 衬底；在所述衬底的上表面侧设置的辅助电极层；在所述辅助电极层的上表面侧设置的绝缘膜；在所述绝缘膜的上表面侧局部地设置的第一电极，所述第一电极 覆盖预定大小的区域；在所述第一电极的上表面上设置的电荷注入抑制层，所述电荷注 入抑制层在平面图中具有与所述第 一 电极相同的大小；在所述绝缘膜的上表面侧未设所述第一电极的区域设置的电荷 注入层；在所述电荷注入抑制层的上表面上和所述电荷注入层的上表面 上设置的发光层；以及在所述发光层的上表面侧设置的第二电极层。
3. —种有机发光晶体管元件，包括 衬底5在所述衬底的上表面侧设置的辅助电极层；在所述辅助电极层的上表面侧设置的绝缘膜；在所述绝缘膜的上表面侧局部地设置的第一电极，所述第一电极 覆盖预定大小的区域；在所述第一电极的上表面上设置的电荷注入抑制层，所述电荷注 入抑制层在平面图中具有与所述第 一 电极相同的大小；在所述绝缘膜的上表面侧未设所述第 一 电极的区域设置的电荷 注入层；在所述电荷注入层的上表面上设置的发光层；以及置的第二电极层。
4. 如权利要求1或2所述的有机发光晶体管元件，其中 所述电荷注入层的厚度大于所述第一电极的厚度。
5. 如权利要求1至4中任一项所述的有机发光晶体管元件，其中 由与所述电荷注入材料相同或不同的材料构成的第二电荷注入层设置在所述绝缘膜与所述第 一电极及所述电荷注入材料之间。
6. 如权利要求l至5中任一项所述的有机发光晶体管元件，其中 所述第二电极层用的第三电荷注入层设置在所述发光层与所述第二电极层之间。
7. 如权利要求1至6中任一项所述的有机发光晶体管元件，其中 电荷输送层设置在所述发光层与所述第三电荷注入层之间。
8. 如权利要求1至7中任一项所述的有机发光晶体管元件，其中 所述电荷注入抑制层由绝缘材料构成。
9. 如权利要求1至8中任一项所述的有机发光晶体管元件，其中 所述第一电极作为阳极使用，而所述第二电极作为阴极使用。
10、如权利要求1至8中任一项所迷的有机发光晶体管元件，其中 所述笫一电极作为阴极使用，而所述第二电极作为阳极使用。
11. 一种有机发光晶体管，包括如权利要求1至10中任一项所述的有机发光晶体管元件； 配置成在所述有机发光晶体管元件的第一电极与所述第二电极之间施加恒定电压的第一电压供给单元；以及配置成在所述有机发光晶体管元件的第一电极与所述辅助电极之间施加可变电压的第二电压供给单元。
12. —种发光显示装置，包括以矩阵图案配置的多个发光部分，其中所述多个发光部分各自具有如权利要求1至10中任一项所述的 有机发光晶体管元件。
13. —种有机发光晶体管元件制造方法，该方法用于制造如权利 要求1所述的有机发光晶体管元件，其中包括如下步骤准备其上已依次形成辅助电极层和绝缘膜的衬底；在所述绝缘膜的上表面側局部地设置第一电极，使所述第一电拟^ 在平面图中具有预定大小；在所述第一电极的上表面上设置电荷注入抑制层，使所述电荷注 入抑制层在平面图中具有与所述第一电极相同的大小，所述电荷注入 抑制层由可通过光照射去除的光敏材料构成；在所述绝缘膜的上表面侧未设所述第一电极的区域和所述电荷 注入抑制层的上表面上设置电荷注入层；在所述电荷注入层的上表面上设置发光层；以及在所述发光层的上表面侧设置第二电极层，其中在设置所述第一电极的所述步骤中，使用不透过所述光敏材料的 曝光波长的材料作为形成第一电极的材料；并且 设置所述电荷注入抑制层的步骤包括如下步骤 在所述绝缘膜的上表面側大致整个区域上设置所述光敏材料，以 覆盖所述第一电极；以及将所述光敏材料从所述衬底侧曝光，以仅在所述绝缘膜的上表面 侧未设所述第一电极的区域去除所述光敏材料。
14. 一种有机发光晶体管元件制造方法，该方法用于制造如权利 要求2所述的有机发光晶体管元件，其中包括如下步骤准备其上已依次形成辅助电极层和绝缘膜的衬底；在所述绝缘膜的上表面侧局部地设置第一电极，使所述第一电极 在平面图中具有预定大小；在所述第一电极的上表面上设置电荷注入抑制层，使所述电荷注 入抑制层在平面图中具有与所述第一电极相同的大小，所述电荷注入 抑制层由可通过光照射去除的光敏材料构成；在所述绝缘膜的上表面侧未设所述第一电极的区域设置电荷注 入层；在所述电荷注入抑制层的上表面上和所述电荷注入层的上表面 上设置发光层；以及在所述发光层的上表面侧设置第二电极层， 其中在设置所述第一电极的所述步骤中，使用不透过所述光敏材料的 曝光波长的材料作为形成第一电极的材料；并且设置所述电荷注入抑制层的步骤包括如下步骤在所述绝缘膜的上表面侧大致整个区域上设置所述光敏材料，以 覆盖所述第一电极；以及将所述光敏材料从所述村底侧曝光，以仅在所述绝缘膜的上表面 侧未设所述第一电极的区域去除所述光敏材料。
15. —种有机发光晶体管元件制造方法，该方法用于制造如权利 要求3所述的有机发光晶体管元件，其中包括如下步骤准备其上已依次形成辅助电极层和绝缘膜的衬底； 在所述绝缘膜的上表面侧局部地设置第一电极，以使所述第一电 极在平面图中具有预定大小；在所述第一电极的上表面上设置电荷注入抑制层，使所述电荷注 入抑制层在平面图中具有与所述第一电极相同的大小，所述电荷注入 抑制层由可通过光照射去除的光敏材料构成；在所述绝缘膜的上表面侧未设所述第一电极的区域设置电荷注入层；在所述电荷注入层的上表面上设置发光层；以及 在所述电荷注入抑制层的上表面侧和所述发光层的上表面側设 置第二电极层； 其中在设置所述第一电极的所述步骤中，使用不透过所述光敏材料的 曝光波长的材料作为形成所述笫一电极的材料；并且设置所述电荷注入抑制层的步骤包括如下步骤在所述绝缘膜的上表面侧大致整个区域上设置所述光敏材料，覆 盖所述第一电极；以及将所述光敏材料从所述衬底侧曝光，以仅在未设所述第一电极的 区域去除所述绝缘膜的上表面侧上的所述光敏材料。
16. 如权利要求13至15中任一项所述的有机发光晶体管元件的 制造方法，其中设置所述电荷注入层的步骤用如掩模淀积法或喷墨法等图案化 工艺执行；并且所述电荷注入层形成为具有所述第一电极的厚度以上的厚度。
17. 如权利要求13至15中任一项所述的有机发光晶体管元件的 制造方法，其中在设置所述第一电极的步骤前，执行在所述绝缘膜的上表面上设 置由与所述电荷注入层相同或不同的材料构成的第二电荷注入层的 步骤。
18. —种有机晶体管元件，包括 村底；在所述衬底的上表面侧设置的辅助电极层；在所述辅助电极层的上表面侧设置的绝缘膜；在所述绝缘膜的上表面侧局部地设置的第一电极，所述第一电极 覆盖预定大小的区域；在所述第一电极的上表面上设置的电荷注入抑制层，所述电荷注 入抑制层在平面图中具有与所述第 一 电极相同的大小；在所述绝缘膜的上表面侧未设所述第一电极的区域设置的有机 半导体层；以及在所述有机半导体层的上表面侧设置的第二电极层。
19. 一种有机发光晶体管元件，包括 村底；在所述衬底的上表面侧设置的辅助电极层；在所述辅助电极层的上表面侧设置的绝缘膜；在所述绝缘膜的上表面侧局部地设置的第一电极，所述第一电极 覆盖预定大小的区域；在所述第一电极的上表面上设置的电荷注入抑制层，所述电荷注 入抑制层在平面图中具有与所述第 一 电极相同的大小；在所述绝缘膜的上表面侧未设所述第一电极的区域和所述电荷 注入抑制层的上表面上设置的发光层；以及在所述发光层的上表面侧设置的第二电极层；其中所述发光层包含电荷注入层材料。
20. —种有机发光晶体管元件，包括 衬底；在所述衬底的上表面侧设置的辅助电极层； 在所述辅助电极层的上表面侧设置的绝缘膜； 在所述绝缘膜的上表面侧局部地设置的第一电极，所述第一电极 覆盖预定大小的区域；在所述第一电极的上表面上设置的电荷注入抑制层，所述电荷注 入抑制层在平面图中具有与所述第一电才及相同的大小；在所述绝缘膜的上表面侧未设所述第一电极的区域设置的发光 层；以及在所述发光层的上表面侧设置的第二电极层， 其中所述发光层包含电荷注入层材料。 21. —种有机发光晶体管元件，包括 衬底；在所述衬底的上表面側设置的辅助电极层； 在所述辅助电极层的上表面侧设置的绝缘膜； 在所述绝缘膜的上表面侧局部地设置的第一电极，所述第一电极 覆盖预定大小的区域；在所述第一电极的上表面上设置的电荷注入抑制层，所述电荷注 入抑制层在平面图中具有与所述第 一 电极相同的大小；在所述绝缘膜的上表面側未设所述第一电极的区域设置的发光 层；以及J主入抽法"尽 置的第二电极层， 其中所述发光层包含电荷注入层材料-
全文摘要
本发明是一种有机发光晶体管元件，包括衬底；在衬底上表面上设置的辅助电极层；在辅助电极层的上表面上设置的绝缘膜；在绝缘膜的上表面上局部地设置的第一电极，该第一电极覆盖预定大小的区域；在第一电极的上表面上设置的电荷抑制层，该电荷注入抑制层在平面图中具有与第一电极相同的大小；在绝缘膜的上表面上未设第一电极的区域和电荷注入抑制层的上表面上设置的电荷注入层；在电荷注入层的上表面上设置的发光层；以及在发光层上设置的第二电极层。
文档编号H01L27/32GK101375426SQ20068005194
公开日2009年2月25日 申请日期2006年11月28日 优先权日2005年11月28日
发明者中村健二, 半田晋一, 吉泽淳志, 小幡胜也, 秦拓也, 远藤浩幸 申请人:大日本印刷株式会社