专利名称：具有磁畴壁移动的数据存储装置及形成该装置的方法
技术领域：
示例实施例涉及一种数据存储装置，例如，具有磁畴壁移动的数据存储 装置，该数据存储装置可以通过引发磁畴壁移动来写入、存储和擦除数据。
背景技术：
信息产业近来的发展可能已经导致了与用于处理大量数据的改进技术以 及用于存储大量数据的经改进的数据存储装置相关的研究增多。数据存储装
置(例如，硬盘驱动器(HDD))可以包括读取/写入头和旋转记录介质，并可以 具有可达大约1000亿字节(GB)或更多的容量。然而，具有旋转部分的数据存 储装置(例如，HDD)可能容易磨损，并会更有可能在数据存储装置的驱动过 程中发生故障，因此降低可靠性。
近年来，对利用磁畴壁移动的数据存储装置进行的研究已经增多。构成 磁性体的微石兹区域(magnetic minute region)可以被称为》兹畴。在f兹畴中作为电 子旋转的结果的磁矩的方向可以基本相同。可以利用磁性材料的形状和大小 以及外部能量来适当地控制磁畴的大小和磁极化。磁畴壁可以指具有不同的 磁极化的磁畴之间的边界区域。可以响应于施加到磁性材料的磁场或电流来 移动磁畴壁。
图1A至图1C是示出了磁畴壁移动的传统的原理的示图。参照图1A, 可以制备具有第一-兹畴11、第二磁畴12和对应于第一磁畴11和第二磁畴12 之间的边界区域的/f兹畴壁13的^f兹性层。
参照图1B,当沿/人第二》兹畴12到第一》兹畴11的方向外部地施加^磁场时， 磁畴壁13可以沿从第二磁畴12到第一磁畴11的方向移动。因此，磁畴壁 13可以沿与施加外部;兹场的方向基本相同的方向移动。类似地，当沿从第一 磁畴11到第二磁畴12的方向施加磁场时，》兹畴壁13可以沿从第一磁畴11 到第二》兹畴12的方向移动。
参照图1C，当沿从第一磁畴11到第二磁畴12的方向外部地提供电流(未 示出)时，磁畴壁13可以沿从第二磁畴12到第一磁畴11的方向移动。当提
供所述电流时，电子可以沿与提供所述电流的方向相反的方向流动，并且磁 畴壁13可以沿与电子流动的方向基本相同的方向移动。因此，石兹畴壁13可 以沿与提供所述外部电流的方向相反的方向移动。类似地，当沿从第二磁畴
12到第一磁畴11的方向提供电流时，磁畴壁13可以沿从第一磁畴11到第二 ;兹畴12的方向移动。
可以将磁畴壁移动的原理应用于数据存储装置，例如，HDD或非易失性 随机存取存储器(RAM)。例如，基于这样的原理，即，具有磁畴(可以沿特定 方向磁化)和磁畴壁(对应于磁畴之间的边界区域)的磁性材料的电压会由于磁 畴壁移动而改变，可以实施写入和读取数据"0"或数据"1"的非易失性存 储器装置。可以通过提供预定的电流到线性成形的磁性材料来改变磁畴壁的 位置，使得非易失性存储器装置可以写入和读取数据。因此，可以实现更高 集成度的具有更简单的结构的装置。
当将磁畴壁移动的原理应用于数据存储装置(例如，HDD或非易失性 RAM)时，可以设置多个》兹性层以及置于磁性层之间的连接层以增加数据存储 密度。可以通过移动;兹性层之间的;兹畴壁来写入或读取数据。然而，当通过 置于磁性层之间的连接层来提供电流以移动磁畴壁时，电流密度可能由于泄 漏而降低，因此阻碍了磁畴壁的移动。
发明内容
示例实施例涉及一种利用磁畴壁移动的数据存储装置，其中，该数据存 储装置可以减小或防止连接层的电流密度的降低以有利于-兹畴壁移动。根据 示例实施例的具有磁畴壁移动的数据存储装置可以包括第一磁性层，具有 多个磁畴；第二磁性层，连接到第一磁性层；连接层，在第一磁性层和第二 磁性层之间；和/或第 一电阻磁性层(resistive magnetic layer),在第一磁性层和 第二磁性层中的至少一个与连接层之间。该数据存储装置可以附加地包括与 第一磁性层的邻接(adjoin)连接层的区域相邻的第二电阻磁性层。数据存储装 置还可以包括与第二磁性层的邻接连接层的区域相邻的第三电阻磁性层。
第 一 电阻磁性层、第二电阻磁性层和/或第三电阻;兹性层可以由具有大约 十倍至大约一万倍于第 一,兹性层和第二^t性层中的至少一个的电阻率的电阻 率的材料形成。例如，电阻^t性层可以由具有大约一百倍至大约一千倍于第 一磁性层和第二磁性层中的至少 一个的电阻率的电阻率的材料形成。
第 一 电阻磁性层、第二电阻磁性层和/或第三电阻磁性层可以由磁性材料
形成。例如，电阻磁性层可以由Co-Zr-Nb和Co-Fe-B中的至少一种形成。电 阻磁性层也可以由非晶态铁磁体形成。另外，电阻》兹性层可以由掺杂从Cr、 Pt、 Pd、 Mn、 Hf、 Au、 Ir、 Fe、 Co、 Ni和Si组成的组中选择的至少一种元 素的磁性材料形成。此外，第一磁性层和第二磁性层中的至少一个可以由从 Ni-Fe、 Co、 Co-Ni、 Co-Fe、 Co-Cr、 Fe-Pt和Co-Fe-Ni组成的组中选择的至 少一种材料形成。
根据示例实施例的一种形成数据存储装置的方法可以包括形成具有多 个磁畴的第一磁性层，形成连接到第一磁性层的第二》兹性层，形成在第一磁 性层和第二磁性层之间的连接层，和/或形成在第 一磁性层和第二磁性层中的
至少 一个与连接层之间的第 一 电阻磁性层。也可以形成与第 一磁性层的邻接 连接层的区域相邻的第二电阻磁性层。此外，可以形成与第二磁性层的邻接 连接层的区域相邻的第三电阻磁性层。
参照附图，示例实施例的上述和其它特征和优点可以变得更清楚，其中 图1A至图1C是示出了磁畴壁移动的传统的原理的示图； 图2是根据示例实施例的具有磁畴壁移动的数据存储装置的透视图； 图3A至图3J是示出了根据示例实施例的形成具有磁畴壁移动的数据存
储装置的方法的示图4A至图4B是根据示例实施例的具有磁畴壁移动的数据存储装置的变
化的示图5A至图5C是示出连接层相对于电阻的电流密度的根据示例实施例的 仿真结果的示图。
具体实施例方式
现在将参照附图更加充分地在下文中描述示例实施例。在附图中，为了 清晰起见，可以夸大层和区域的厚度。
应该理解的是，当元件或层被称为"在"另一元件或层"上"、"连接到" 另一元件或层、"结合到"另一元件或层或者"覆盖"另一元件或层时，它可 以直接在另一元件或层上、直接连接到另一元件或层、直接结合到另一元件或层或者直接覆盖另一元件或层，或者可以存在中间元件或中间层。相反， 当元件或层被称为"直接在"另一元件或层"上"、"直接连接到"另一元件 或层、"直接结合到"另一元件或层或者"直接覆盖"另一元件或层时，不存 在中间元件或中间层。相同的标号始终代表相同的元件。如这里所使用的， 术语"和/或"包括一个或多个相关所列项的任一和全部组合。
应该理解的是，虽然术语第一、第二、第三等可以在这里用来描述多种 元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分 不应该受这些术语限制。这些术语仅是用来将一个元件、组件、区域、层或 部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例实施
例的教导的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层和/或部分可以被 称为第二元件、组件、区域、层和/或部分。
为了描述方便，在这里可以使用空间相对术语，例如，"在……之下" "在……以下"、"下面的"、"在......以上"、"上面的"等来描述如附图中示
出的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应该理解的是，空间相对术 语意在包括除附图中描述的方位之外的装置在使用或操作中的不同方位。例 如，如果将附图中的装置翻转，则被描述为"在"其它元件或特征"以下" 或"之下"的元件将随后被定位为在其它元件或特征"以上"。因此，示例性 术语"在……以下，，可以包括"在……以上，，和"在……以下"两个方位。
可将装置另外定位(旋转90度或处于其它方位)，并相应地解释这里使用的空
间相对描述符。
这里使用的术语只是出于描述多种实施例的目的，而不意在成为示例实 施例的限制。如这里所使用的，除非上下文另外清楚的指出，否则单数形式 也意在包括复数形式。还应该理解的是，当术语"包括"和/或"包含，，在此 说明书中使用时，其表明所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件的存 在，但不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它 们的组的存在或添加。
在这里参照作为示例实施例的理想实施例(和中间结构)的示意图的剖视 图来描述示例实施例。比如，将预料到的是由例如制造技术和/或公差造成的 示图的形状的变化。因此，示例实施例不应该被理解为限于这里示出的区域 的形状，而是将包括例如由制造造成的形状的偏差。例如，示出为矩形的注 入区将通常在其边缘处具有倒圓的或者弯曲的特性和/或具有注入浓度梯度，
而不是从注入区到非注入区的二元变化。同样，由注入形成的埋区会导致在 埋区和发生注入的表面之间的区域中的一些注入。因此，附图中示出的区域 本质上是示意性的，它们的形状不意在示出装置的区域的真实形状，并不意 在限制示例实施例的范围。
含义与示例实施例所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同。还应该理 解的是，除非在这里被特定的限定，否则术语(包括在通用字典里定义的术语) 应该被理解为其含义与相关领域的环境中它们的含义一致，并且不应该被理 想化的或过度正式的理解。
图2是根据示例实施例的具有磁畴壁移动的数据存储装置的透视图。参
照图2,数据存储装置可以包括第一磁性层21a、第二磁性层21b和连接层23, 其中，连接层23置于第一磁性层21a和第二磁性层21b之间以连接第一磁性 层21a和第二磁性层21b。第一磁性层21a和第二》兹性层21b可以具有多个磁 畴。第一电阻》兹性层202可以置于第一磁性层21a和连接层23之间及第二磁 性层21b和连接层23之间。第二电阻磁性层201可以设置成与第一磁性层 21a的邻接连接层23的区域相邻。第三电阻磁性层203可以设置成与第二磁 性层21b的邻接连接层23的区域相邻。
可以通过第 一 电阻磁性层202 、第二电阻磁性层201和/或第三电阻磁性 层203的形成来表征才艮据示例实施例的具有磁畴壁移动的数据存储装置的特 性，使得可以减小或防止电流扩散到第一^f兹性层21a和第二》兹性层21b之间 的连接中，因此有利于^f兹畴壁移动。现在将更详细地描述数据存储装置的这 种特性。
利用磁畴壁移动的数据存储装置可以将单个磁畴与单位数据关联，并可 以包括具有磁极化的磁畴，所述磁极化可以是第一方向或第二方向。例如， 当磁畴的磁极化为向上的方向时，磁畴可以与数据"1"关联，并且当磁畴的 磁极化为向下的方向时，磁畴可以与数据"0"关联。因此，具有可以为向上 的方向或向下的方向的磁极化的磁畴可以与单位比特关联。在利用磁畴壁移 动的数据存储装置中写入数据的操作可以包括在由磁性材料形成的磁性层的 预定位置存储具有特定磁极化的磁畴。
例如，现在将描述在第二^f兹性层21b的右区域(right region)中存储数据 "0"的方法，其中，第一磁性层21a为写入轨道或緩冲轨道，并且第二磁性
层21b为数据存储轨道。第一磁性层21a可以包括向上磁化的磁畴和向下磁 化的磁畴。当电流被提供到置于第一磁性层21a的两端的电极(未示出)时，向 下磁化的磁畴可以被移动到第一磁性层21a的在连接层23之下的部分。为了 在第二磁性层21b的右区域中存储数据，向下磁化的磁畴可以通过连接层23 被移动到第二磁性层21b的右区域。因此，可以通过连接在第一磁性层21a 的一端和第二磁性层21b的右端之间的电极(未示出)来提供电流。可以沿从第 二磁性层21b到第一磁性层21a的方向控制电流的流动。因为电子将沿从第 一》兹性层21 a至第二》兹性层21 b的方向流动，所以位于第一-兹性层21 a的在 连接层23之下的部分中的磁畴可以经过连接层23，并向第二磁性层21b的 右区域移动。结果，通过利用电流来将向下^t化的磁畴定位于第二磁性层21b 的预定的区域，可以在第二磁性层21b中存储数据"0"。当读取存储的数据 时，可以将磁电阻头(未示出)(例如，巨磁电阻(GMR)头或隧道磁电阻(TMR) 头)定位于第一磁性层21a之下，并且;兹畴可以从第二^兹性层21b通过连接层 23移动到第 一磁性层21a,从而可以读取磁畴的磁极化。
当沿从第一磁性层21a到第二磁性层21b的方向或沿与之相反的方向提 供电流来通过连接层23移动磁畴时，会由于电流的扩散而导致在邻近连接层 23的第一磁性层21a和第二磁性层21b的区域中电流的密度降低。电流密度 的降低会阻碍一磁畴壁通过连接层23的移动。因此，由于电流扩散，所以磁畴 壁移动会导致能耗升高。为了克服这些缺点，根据示例实施例的利用磁畴壁 移动的数据存储装置可以包括置于第一磁性层21a和第二磁性层21b的连接 中的第一电阻》兹性层202、第二电阻磁性层201和/或第三电阻-兹性层203。 第 一 电阻磁性层202 、第二电阻磁性层201和/或第三电阻磁性层203可以减 小或防止电流扩散到第一磁性层21a和第二磁性层21b之间的连接中，从而 抑制电流密度的降低。
第 一 电阻磁性层202可以置于第 一磁性层21a和连接层23之间以及第二 磁性层21b和连接层23之间。第二电阻磁性层201可以设置成与第一磁性层 21a的邻接连接层23的区域相邻。第三电阻磁性层203可以设置成与第二磁 性层21b的邻接连接层23的区域相邻。例如，在第一》兹性层21a和连接层23 之间没有插入第一电阻磁性层202的情况下，当电流被提供到第一磁性层21a 的两端以在第 一磁性层21 a中移动磁畴壁时，电流会向上泄漏到连接层23, 从而阻碍磁畴壁的移动。因此，置于第一磁性层21a和连接层23之间的第一
电阻磁性层202会降低或防止电流扩散到连接层23中。此外，第二电阻磁性 层201可以置于第一/f兹性层21a中，并且第三电阻^磁性层203可以置于第二 磁性层21b中，以减小或防止当磁畴壁被移动通过连接层23时电流的扩散。
结果，根据示例实施例的利用磁畴壁移动的数据存储装置可以包括第一 电阻磁性层202、第二电阻磁性层201和/或第三电阻》兹性层203,以减小或 防止在与连接层23相邻的第一磁性层21a和第二磁性层21b之间的连接中的 电流的泄漏，从而有利于》兹畴壁移动。第一电阻^磁性层202、第二电阻^磁性 层201和/或第三电阻/磁性层203可以由电阻率比第 一》兹性层21 a和/或第二》兹 性层21b的电阻率高的材料形成。第一电阻磁性层202、第二电阻磁性层201 和/或第三电阻磁性层203可以具有大约十至大约一万倍于第一磁性层21a和 /或第二^F兹性层21b的电阻率。例如，第一电阻^t性层202、第二电阻^1性层 201和/或第三电阻磁性层203可以具有大约一百倍至大约一千倍于第一磁性 层21a和/或第二/f兹性层21b的电阻率。
第 一 电阻磁性层202 、第二电阻磁性层201和/或第三电阻磁性层203可 以由磁性材料形成以允许磁畴的移动，并且还可以^皮掺杂另 一元素以增加电 阻。第 一 电阻》兹性层202 、第二电阻一磁性层201和/或第三电阻f兹性层203可 以由钴合金例如Co-Zr-Nb合金和/或Co-Fe-B合金形成。此外，磁性材料可 以掺杂从由Cr、 Pt、 Pd、 Mn、 Hf、 Au、 Ir、 Fe、 Co、 Ni和Si组成的组中选 择的元素，以增加第一电阻磁性层202、第二电阻磁性层201和/或第三电阻 磁性层203的电阻。附加的磁性层(未示出)可以选择性地置于(或另外连接到) 第二磁性层21b上。因此，附加的电阻磁性层可以按如上所述的方式置于磁 性层的连接中。
将参照图3A至图3J来描述根据示例实施例的形成具有磁畴壁移动的数 据存储装置的方法。参照图3A,可以通过在基底30上涂覆磁性材料来形成 第一磁性层31a。磁性材料可以为垂直磁化材料或水平》兹化材料，例如，用于 磁性记录介质的材料。例如，》兹性材料可以从由Ni-Fe、 Co、 Co-Ni、 Co-Fe、 Co-Cr、 Fe-Pt和/或Co-Fe-Ni组成的组中选择。参照图3B,可以蚀刻第一磁 性层31a的预定区域以形成槽h!。
参照图3C，可以在所得结构上涂覆具有高于第一磁性层31a的电阻率的 电阻率的磁性材料，并将其平坦化，以在槽h,中形成电阻磁性材料层32。电 阻》兹性材料层32可以由钴合金例如Co-Zr-Nb合金和/或Co-Fe-B合金形成。
可选择地，电阻磁性材料层32可以由非晶态铁磁体形成。还可以用从Cr、 Pt、 Pd、 Mn、 Hf、 Au、 Ir、 Fe、 Co、 Ni和Si组成的组中选择的至少一种元 素掺杂磁性材料以增加电阻来获得电阻磁性材料层32。电阻磁性材料层32 可以具有大约十至大约一万倍于第一磁性层31a的电阻率。
参照图3D，可以蚀刻电阻磁性材料层32以形成电阻;兹性层(例如，第二 电阻磁性层)301。参照图3E,可以用磁性材料填充具有电阻磁性层301的槽 h！,所述磁性材料例如为与第一磁性层3la相同的材料。参照图3F,可以在 第一》兹性层31a上涂覆绝缘材料(例如，Si02),以形成绝缘层34。参照图3G, 可以蚀刻绝缘层34以形成槽h2，从而暴露第一磁性层31a。可以在暴露的第 一磁性层31 a上涂覆电阻磁性材料，以形成电阻磁性层(例如，第 一电阻磁性 层)311。
参照图3H，可以在电阻磁性层311上涂覆》兹性材料，以形成连接层35。 可以在连接层35上涂覆电阻》兹性材料，并将其平坦化，以形成电阻磁性层(例 如，第一电阻;兹性层)312。连接层35可以由任何适当的石兹性材料形成，而不 管该磁性材料是较高Ku材料还是较低Ku材料。例如，连接层35可以由与 第一磁性层31a的材料基本相同的材料形成。可以在绝缘层34和电阻磁性层 312上涂覆磁性材料，以形成第二磁性层3lb。
参照图31,可以在第二磁性层31b中设置槽h3,以暴露电阻磁性层312。 可以通过执行如上参照图3C和图3D所描述的相同的工艺来在槽h3的侧壁上 形成电阻磁性层。参照图3J,可以用磁性材料填充具有电阻磁性层(例如，第 三电阻磁性层)302的槽h3,并且可以使第二磁性层31b的表面平坦化。通过 重复上述工艺可以将附加的磁性层选择性地置于第二磁性层31b上。
图4A和图4B是根据示例实施例的具有磁畴壁移动的数据存储装置的变 化的示图。参照图4A,多个第二磁性层42可以垂直邻接到第 一磁性层41, 并且电阻磁性层43可以置于第一磁性层41和第二》兹性层42之间。参照图 4B，多个第二i兹性层42可以水平邻接到第 一》兹性层41,并且电阻磁性层43 可以置于第一磁性层41和第二磁性层42之间。因此，图4A示出了沿水平 方向放置的第一^F兹性层41，而图4B示出了沿垂直方向放置的第一磁性层41。 电阻磁性层43可以置于第一磁性层41和第二磁性层42之间的连接(未示出) 中。此外，附加的电阻磁性层(未示出)可以选择性地设置成与第一磁性层41 的接触电阻》兹性层43的区域相邻。
图5A至图5C是示出在根据示例实施例的利用磁畴壁移动的数据存储装
置中，在电流被提供到磁性层51的两侧的情况下，磁性层51和另一磁性层 之间的交叉处(例如，连接)的电流密度的仿真结果的示图，其中，。参照图5A 至图5C，标号52a、 52b和52c可以表示不同磁性层之间的交叉处(例如，连 接)。附加磁性层(未示出)可以邻接到磁性层51,并且电阻磁性层(未示出)可 以置于附加磁性层和磁性层51之间。图5A示出了磁性层51与电阻磁性层 的电阻率比为大约1: 10的情况。图5B示出了磁性层51与电阻磁性层的电阻 率比为大约1: IOO的情况。图5C示出了磁性层51与电阻磁性层的电阻率比 为大约1: 1000的情况。
如图5A中所示，当电阻^t性层具有大约10倍于》兹性层51的电阻率时， 会较大程度地降低在连接52a、连接52b和连接52c处的电流密度。随着电阻 磁性层与磁性层51的电阻比增加，连接52a、连接52b和连接52c的电流密 度可以逐渐地增加。如图5B中所示，当电阻^磁性层具有大约一百倍于磁性层 51的电阻率时，可以稍小程度地降低在连接52a、连接52b和连接52c处的 电流密度。如图5C中所示，当电阻磁性层具有大约一千倍于磁性层51的电 阻率时，在连接52a、连接52b和连接52c处的电流密度的降低可以比较小。 结果，在磁性层之间的连接处具有较高电阻率的电阻磁性层可以有利于利用 磁畴壁移动并具有多个磁性层的数据存储介质，以抑制电流密度的降低。
如上所述，根据示例实施例的利用磁畴壁移动的数据存储装置可以包括 置于多个磁性层之间的连接处的电阻磁性层。因此，当提供电流以移动磁畴 壁时，可以减小或防止电流扩散，从而有助于在连接处保持电流密度。此外， 当向数据存储装置写入数据或从数据存储装置读取数据时，通过减小或防止 电流密度的降低，可以节约能量。
尽管在这里已经公开了示例实施例，但是应该理解的是，其它变化也是 可以的。这样的变化将不会被认作脱离本公开的示例实施例的精神和范围， 并且对于本领域的技术人员来说将是显而易见的，所有这样的修改意在被包 括在权利要求的范围内。
权利要求
1、一种具有磁畴壁移动的数据存储装置，包括第一磁性层，具有多个磁畴；第二磁性层，连接到所述第一磁性层；连接层，在所述第一磁性层和所述第二磁性层之间；第一电阻磁性层，在所述第一磁性层和所述第二磁性层中的至少一个与所述连接层之间。
2、 如权利要求l所述的装置，还包括第二电阻磁性层，与所述第 一磁性层的邻接所述连接层的区域相邻。
3、 如权利要求l所述的装置，还包括第三电阻磁性层，与所述第二磁性层的邻接所述连接层的区域相邻。
4、 如权利要求l所述的装置，其中，所述第一电阻爿磁性层由具有大约十 倍至大约一万倍于所述第一^f兹性层和所述第二^t性层中的至少一个的电阻率 的电阻率的材料形成。
5、 如权利要求l所述的装置，其中，所述第一电阻磁性层由具有大约一 百倍至大约一千倍于所述第一磁性层和所述第二^f兹性层中的至少一个的电阻 率的电阻率的材料形成。
6、 如权利要求l所述的装置，其中，所述第一电阻磁性层由磁性材料形成。
7、 如权利要求l所述的装置，其中，所述第一电阻磁性层由非晶态铁磁 体形成。
8、 如权利要求1所述的装置，其中，所述第一电阻磁性层由Co-Zr-Nb 和Co-Fe-B中的至少一种形成。
9、 如权利要求l所述的装置，其中，所述第一电阻磁性层由掺杂从Cr、 Pt、 Pd、 Mn、 Hf、 Au、 Ir、 Fe、 Co、 Ni和Si组成的组中选择的至少一种元 素的磁性材料形成。
10、 如权利要求l所述的装置，其中，所述第一磁性层和所述第二磁性 层中的至少一个由从Ni-Fe、 Co、 Co-Ni、 Co-Fe、 Co-Cr、 Fe-Pt和Co-Fe-Ni 组成的组中选择的至少 一种材料形成。
11、 一种形成数据存储装置的方法，包括形成具有多个磁畴的第一磁性层；形成连接到所述第 一磁性层的第二磁性层； 形成在所述第一磁性层和所述第二磁性层之间的连接层； 形成在所述第 一磁性层和所述第二磁性层中的至少 一个与所述连接层之 间的第一电阻磁性层。
12、 如权利要求11所述的方法，还包括形成与所述第 一磁性层的邻接所述连接层的区域相邻的第二电阻磁性层。
13、 如权利要求11所述的方法，还包括形成与所述第二磁性层的邻接所述连接层的区域相邻的第三电阻磁性层。
14、 如权利要求11所述的方法，其中，所述第一电阻磁性层由具有大约 十倍至大约一万倍于所述第一磁性层和所述第二磁性层中的至少一个的电阻 率的电阻率的材料形成。
15、 如权利要求11所述的方法，其中，所述第一电阻一磁性层由具有大约 一百倍至大约一千倍于所述第一磁性层和所述第二磁性层中的至少一个的电 阻率的电阻率的材料形成。
16、 如权利要求11所述的方法，其中，所述第一电阻;兹性层由磁性材料 形成。
17、 如权利要求11所述的方法，其中，所述第一电阻磁性层由非晶态铁磁体形成。
18、 如权利要求11所述的方法，其中，所述第一电阻磁性层由Co-Zr-Nb 和Co-Fe-B中的至少一种形成。
19、 如权利要求11所述的方法，其中，所述第一电阻磁性层由掺杂从 Cr、 Pt、 Pd、 Mn、 Hf、 Au、 Ir、 Fe、 Co、 Ni和Si组成的组中选择的至少一 种元素的磁兹性材料形成。
20、 如权利要求11所述的方法，其中，所述第一磁性层和所述第二磁性 层中的至少一个由从Ni-Fe、 Co、 Co-Ni、 Co-Fe、 Co-Cr、 Fe-Pt和Co-Fe-Ni 组成的组中选择的至少 一种材料形成。
全文摘要
本发明提供了一种利用磁畴壁移动的数据存储装置及形成该装置的方法，该数据存储装置可包括具有多个磁畴的第一磁性层。第二磁性层可以连接到第一磁性层，并且连接层可以置于第一磁性层和第二磁性层之间。电阻磁性层可以置于第一磁性层和连接层之间以及第二磁性层和连接层之间。因此，当电流被提供到该数据存储装置以移动磁畴壁时，可以减小或防止在磁性层之间的连接中的电流的泄漏，从而节约能量。
文档编号H01L43/08GK101188271SQ20071019340
公开日2008年5月28日 申请日期2007年11月20日 优先权日2006年11月20日
发明者左圣熏, 李成喆, 金洸奭 申请人:三星电子株式会社