发光元件的制作方法

专利名称：发光元件的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种发光元件，尤其是指一种具有电流分散电极的发光二极 管元件。
背景技术：
发光二极管(LED)的发光原理和结构与传统光源并不相同，具有体积小、 可靠度高等优点，在市场上的应用颇为广泛。例如，光学显示装置、激光二 极管、交通信号标志、数据储存装置、通讯装置、照明装置、以及医疗装置 等。
请参照图1A、 1B,图1A所绘示为已知氮化物发光二极管1的结构俯 视图，而图1B所绘示为图1A的已知氮化物发光二极管1沿A-A，剖面线的 结构剖面图。该已知氮化物发光二极管1的结构包含基板11、 n型氮化物层 12、发光层13、 p型氮化物层14、 p型透光电极15、 n型电极16，兼具有电 极垫的功能、以及p型电极垫17。电极垫是作为接收外界电流输入的结构， 当电流经p型电极垫17导入后，藉p型透光电极15提高电流分散的效果以 使电流均匀分布，再使电子和空穴于发光层13结合而激发出光子。但是实 际上，如图1B所示，已知氮化物发光二极管的发光区域多集中在p型透光 电极15靠近n型电极16的地方，造成发光效率不佳。并且，更由于电流的 集中效应，使得局部区域温度升高，而减少已知发光二极管1的寿命。虽然 已知技术可通过进一步提高p型透光电极15的厚度，以改善电流分散的效 果，但却使得p型透光电极15的吸光率提高，透光率因而降低。为了解决 上述问题，在美国专利US 6,307,218号内容中，披露如图2所绘示的发光二 极管2结构俯视图，另外于美国专利US 6,614,056号中，亦披露如图3所绘 示的发光二极管3结构俯视图。在图2中，发光二极管2具有p型电极以及 n型电极，p型电极包含p型电极垫24、由电极垫向外延伸的两条第一臂状 电极24a，以及夹于两条第一臂状电极之间的第二臂状电极24b。臂状电极 可降低p型电极的吸光率，且可使电流经由p型电极垫24导入后再通过臂状电极分散开。n型电极包含n型电极垫25、第三臂状电极25a，以及第四 臂状电极25b。由p型电极注入的电流，经由发光二极管的发光区后，再由 n型电极导出。p型臂状电极24a、 24b与n型臂状电极25a、 25彼此交错排 列。
参考图3,发光二极管3包含n型电极，具有位于发光二极管3第一侧 的第一电极垫(contact) 35以及n型指状电极36与第一电极垫35相连接； 以及p型电极，具有位于发光二极管3第二侧的第二电极垫37以及两条与 第二电极垫37相连接的指状电极38a、 38b,其中第二侧与第一侧对立。再 者，n型指状电极36自第一侧向第二侧延伸，p型指状电极38a、 38b自第 二侧向第一侧延伸，且n型指状电极36与p型指状电极38a、 38b彼此交错 排列。在发光元件2、 3中，p型电极及n型电极通过其延伸电极交错排列的 方式解决已知氮化物发光二极管1的电流分散不均，发光效率不佳的问题。
另外参考图4，在美国专利US 6,518,598号中披露发光二极管4,在发 光二极管的外延结构中形成螺旋形的凹槽，再在凹槽及非凹槽的外延结构表 面形成具有两种不同电性的p型金属电极41及n型金属电极42,以及与p 型金属电极41及n型金属电极42相接的p型电极垫43、 n型电极垫44。其
中p型电极及n型电极亦成平行螺旋结构的分布，可解决e7;—氮化物发光二
极管l的电流分散不均，发光效率不佳的问题。
在上述传统的各种发光二极管结构中，为了避免位于出光面的电极吸收 由发光二极管产生的光线，其电极设计多为透光电极或者是透过各种如臂 状、指状、或螺旋状电极的设计减少电极的面积，以增加出光面积。 一般的 电极宽度会小于电极垫的宽度，以避免电极总面积过大，以减少电极遮光面 积。

发明内容
在一实施例中，提供一种发光元件，包含基板；发光叠层位于基板上， 包含第一层、第二层、以及夹于第一层及第二层之间的半导体发光层；凹槽， 此凹槽穿过第二层、发光层至第一层，棵露出第一层的部分表面；第一导电 结构，位于凹槽中第一层的棵露表面；以及第二导电结构，位于第二层上； 其中，第一导电结构包含第一电极以及第一电极垫，第一电极与该第一电极 垫电连接；第二导电结构包含第二电极以及第二电极垫，第二电极与第二电极垫电连接；其中第一电极垫及第二电极垫中至少一个的面积介于1,5 x
104)11112至6.2乂 104)^12之间。
在一实施例中，上述的第一层包含第一导电型半导体层，该第二层包含 第二导电型半导体层。
在一实施例中，上述的第 一电极垫及第二电极垫中至少 一个的面积介于 1.5 x 104pm2至3 x 10、m2之间。
在一实施例中，上述的第一电极垫面积介于1.5 x 10、m2至6.2x 10^m2 之间，第一电极垫包含第一引线区以及第二引线区，第一导线及第二导线分 别与第一引线区及第二引线区相连接。
在一实施例中，上述的第二电4及垫的面积介于1.5 x l04(_im2至6.2 x 104|_012之间，第二电极垫包含第三引线区以及第四引线区；第三导线及第四 导线分别与第三引线区以及第四引线区相连接。
在一实施例中，上述的第一层包含电流传导层，在电流传导层与发光层 之间还包含半导体层。
在 一 实施例中，上述的电流传导层与基板之间还包含粘结层。
在一实施例中，上述的电流传导层包含选自氧化铟锡、氧化镉锡、氧化 锌、及氧化锌锡所构成材料群组中的至少一种材料。
在一实施例中，上述的粘结层为绝缘粘结层或导电粘结层。
在一实施例中，上述的绝缘粘结层包含选自旋涂玻璃、硅树脂、环氧树 脂(Epoxy)、聚酰亚胺(PI)、苯并环丁烯(BCB)、及过氟环丁烷(PFCB)所构成 材料群组中的至少 一种材料。
在一实施例中，上述的导电粘结层包含但不限于银、金、钻、铟、锡等 金属材料或其合金，或为自发性导电高分子，或高分子中掺杂金属材料如铝、 金、柏、锌、银、镍、锗、铟、锡、钛、铅、铜、把、或其合金所组成的导 电材料。
在一实施例中，上述的粘结层上下其中 一侧还包含反射层。
在一实施例中，上述的第 一电极垫及第二电极垫中至少 一个的面积介于
1.5 x 10Vm2至3 x 104,2之间。
在一实施例中，上述的电极垫所占面积介于3 x 10Vm2至1.24 x 105|im2之间。
在一实施例中，上述的第一电极及第二电极中至少一个是以连续不分岔的延伸线结构分布。
的至少一种结构。
在一实施例中，上述的连续不分岔的延伸线结构包含螺旋状结构。 在一实施例中，上述的第一电极及第二电极至少一个电极是一直线状，
自发光元件第一边向对边延伸。
在一实施例中，上述的第一电极及第二电极至少一个电极包含M条直
线状电极，M^2，以及横向延伸电极连接此M条直线状电极。
在一实施例中，上述的第一电极自发光元件第一边向相对的第二边延
伸；第二电极自发光元件第二边向相对的第一边延伸。
在一实施例中，上述的第一电极或第二电极的一个电极包含M条直线
状电极，M^2，第一电极或第二电极的另一个包含M-1条直线状电极。
在一实施例中，上述的第一电极垫或第二电极垫位于延伸线结构的非端点处。
在一实施例中，上述的基板包含选自蓝宝石、GaN、 A1N、 SiC、 GaAs、
GaP、 Si、 ZnO、 MgO、 MgAl204、玻璃、金属及复合基板所构成材料群组中
的至少一种材料。
在一实施例中，上述的第一电极的线宽约小于或等于25pm。 在一实施例中，上述的第二电极的线宽约小于或等于25pm。 在一实施例中，上述的第一电极的线宽约小于或等于10|am。 在一实施例中，上述的第二电极的线宽约小于或等于10|am。 在一实施例中，提供一种光源产生装置，包含由上述各实施例的发光
元件组成的光源；电源供应系统，供应光源一电流；以及控制元件，用以控
制电流。
在一实施例中，提供一种背光光源装置，包含上述的光源产生装置； 以及光学元件。


图1A-1B为示意图，显示已知的发光二极管； 图2为示意图，显示已知的发光二极管； 图3为示意图，显示已知的发光二极管；基板
第一半导体层 第二半导体层
图4为示意图，显示已知的发光二极管； 图5A-5C为示意图，显示依本发明第一实施例的发光元件； 图6A-6B为示意图，显示依本发明第二实施例的发光元件； 图7为示意图，显示依本发明第三实施例的发光元件； 图8A-8B为示意图，显示依本发明第四实施例的发光元件；
图IO为示意图，显示利用本发明实施例的发光元件组成的背光模块< 附图标记说明
100、 200: 120、 220: 140、 240:
第一电极 第二电极 第一电极垫 162、 262、 362:第二电极垫
161A、 161B、 162A、 162B、 261A、 261B、 262A、 361A、 361B、 362A、 362B:引线区
180A、 180B:金块 210:粘结层 卯光源产生装置 920:电源供应系统 100:背光模块
10、 20、 30:发光元件 110:緩冲层 130、 230:发光层
151、 251、 351A、 351B
152、 252、 352A、 352B 161、 261、 361A、 361B
170、 270、 370:凹槽 171A、 171B:导线 280、 380:电流传导层 910:光源 930:控制元件 1010:光学元件
具体实施例方式
图5A是绘示第一实施例的发光元件IO的结构俯视图，图5B是绘示发 光元件10的结构沿BB，线段的剖面图。发光元件10，例如发光二极管(LED )， 包含基板IOO、緩沖层110、第一半导体层120、发光层130、第二半导体 层140、第一、第二电极151及152、以及第一、第二电极垫161及162。在 本实施例中，发光元件10为矩形的立方体，各边长为610pm,正面面积约 为3.72 x I05|am2,其对应的发光层与其有相同的面积。发光元件10各外延层是利用例如金属有机物化学气相沉积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition; MOCVD)或分子束外延(Molecular-BeamEpitaxy; MBE)等方法， 在基板100上形成外延结构，该外延结构依序为緩冲层110、第一半导体层 120、发光层130、以及第二半导体层140。
待外延结构完成后，再进行蚀刻步骤，在外延结构中形成凹槽170，并 在凹槽170中棵露出第一半导体层120的部分表面，其中凹槽170为方型螺 旋状，未被蚀刻的外延结构亦同样形成具方形螺旋状的外延结构。
接着，在凹槽170中第一半导体层120的棵露表面上形成第一电极151 与第一电极垫161,由于凹槽为方型螺旋状，因此第一电极151也同样是方 形螺旋状，且线宽d约为22jim。第一电极垫161的位置可位于第一电极151 的两端点或非端点的线上，在本实施例中，第一电才及垫161位于第一电极151 的非端点处，由于发光元件10具有较大的发光层面积，因此需较大的操作 电流，才能使发光层达到较高的发光效率。为了达到较大的电流输入量，需 提供较多的电流输入点。在本实施例中，将第一电极垫161设计为可容纳至 少两条用来接受外界电流输入的导线(wire)的面积，使得发光元件有足够数 量的导线供外界电流输入，以提高发光效率。在本实施例中，第一电极垫的 面积为1.9 x 104|W。
接着在保留下来的外延结构上形成第二电极152与第二电极垫162，其 中，第二电极152线宽约为20|iim，呈方形螺旋状的结构，并与第二电极垫 162连接。第二电极垫162可位于第二电极152的两端点或非端点的线上。 在本实施例中，第二电极垫162位于第二电极152的非端点处。同样地，为 了达到较大的电流输入量，在本实施例中，亦将第二电极垫162设计为可容 纳至少两条导线的面积，使得发光元件可通过足够的导线供外界电流输入， 以提高发光效率。在本实施例中，第二电极垫的面积为1.73 x l(TVm2。
上述第一电极垫161与第二电极垫162的形状可为方形、圆形或其他任 意形状，并包含引线区，可位于电极上的任一部分。在本实施例中，第一电 极垫161与第二电极垫162的形状分别为两圆形部分重叠的形状，包含第一 电极垫的161A及161B两区引线区，以及第二电极垫的162A及162B两区 引线区，如此可使后续的引线作业上有较好的辨识功能，避免两条导线打在 同一电极垫上的情形发生。在各电极垫上的引线区161A、 161B、 162A及 162B上分别有导线与各引线区电连接，使得发光元件可通过各导线获得足够的电流，产生电子空穴于发光层中结合后发出光线。参考图5C，为一电
在引线过程中经升温使金块融熔，再将导线171A及171B与金块相接合。 同样的在第二电极垫162的引线区162A及162B两区上以同样方法分别形 成两条导线。
上述的螺旋状可以是顺时针或逆时针，且螺旋的圈数并无限制。基板100 可为蓝宝石(Sapphire)基板；緩沖层110的材料可由氮化铝(A1N)、氮化铝镓 (AlGN)或氮化镓(GaN)所构成；第一半导体层120可由氮化铝镓铟 ((AlxGai.x)yIn|.yN; 0SxSl; 0$^1)所构成；'发光层130的材料可由含氮化铝 镓铟((AlpGa,—p)qIn,.qN; 0SpSl; 05qg)材料双异质或量子阱结构所构成；第 二半导体层140可由氮化铝镓铟((AlaGa,-a)bln,.bN; OSa^l; 0Sb^l)所构成。
上述第 一电极151的材料系选择自可以和第 一半导体层形成欧姆接触的 材料，例如由钬(Ti)、铅(A1)、金(Au)的单层或多层金属结构或其合金、或金 属氧化物导电层所构成；第一电极垫161可由钛、铝、或金的单层或多层金 属结构或其合金所构成；第二电极152的材料系选择自可以和第二半导体层 形成欧姆接触的材料，例如由含镍(Ni)、金的单层或多层金属或其合金、或 其他导电金属氧化物所构成；第二电极垫162可由含镍、金的单层或多层金 属或其合金所构成。
上述第一电极垫161与第二电极垫162的面积不需同时满足容纳至少两 条导线的面积的条件，可以是第 一 电极垫或第二电极垫其中之一满足可容纳
两条导线的面积条件即可。
图6A是绘示第二实施例的发光元件20的俯视图，图6B是绘示发光元 件20的结构沿CC，线段的剖面图。发光元件20结构包含基板200;粘结 层210;电流传导层280;第一半导体层220;发光层230;第二半导体层240; 第一、第二电极251及252;以及第一、第二电极垫及262。在本实施 例中，发光元件20为矩形的立方体，各边长为787pm,正面面积约为6.19 x lO^im2,其对应的发光层可与其有相同的面积。发光元件20各外延层是 在生长基板(未绘示)上形成外延结构。在外延结构成长后，再在第一半导体 层220上形成具有高电流传导的电流传导层280，可将自电极注入的电流分 散开来。接着，再通过粘结层210将外延结构与基板200接合在一起。
完成接合步骤后，再进行蚀刻步骤以在外延结构中形成凹槽270，并在凹槽270中棵露出电流传导层280的部分表面。其中凹槽270为指状，自发 光元件的第一侧向对边，亦即发光元件的第二侧延伸，其中未^C蚀刻的外延 结构亦同样形成指状的外延结构。
接着，在凹槽270中电流传导层280的棵露表面上形成第一电极251与 第一电极垫261，由于凹槽为指状，因此第一电极251也同样是指状，包含 至少三条直线状延伸电极以及横向延伸电极连接此三条直线状延伸电极。第 一电极251线宽约为23|am。第一电极垫261的位置可位于第一电极251的 两端点或非端点的线上，在本实施例中，第一电极垫261是位于靠近发光元 件第一侧的第一电极251非端点处。同样地，为了提高发光效率，在本实施 例中，将第一电极垫261设计为可容纳至少两条导线的面积，使得发光元件 有足够的导线供外界电流输入。在本实施例中，该第一电极垫的面积为2.15
X 104拜2。
接着在保留下来的外延结构上形成第二电极252与第二电极垫262，其 中，第二电极252包含三条直线状延伸电极自发光元件的第二侧向第一侧延 伸，且与第一电极251三条指状延伸电极交错；以及横向延伸电极连接此三 条直线状延伸电极。第二电极252线宽约为20(^m。第二电极垫262位于发 光元件的第二侧，且与第二电极252连接。在本实施例中，第二电极垫的面 积为1.27 x 104jim2。
于本实施例中，第一电极垫261的形状分为长方形，第一电极垫的面积 大小可包含第一电极垫的261A及261B两区引线区，引线区261A及M1B 上分别可容纳至少 一条导线与各引线区互相电连接，如此将使得后续的引线 作业上有较好的辨识功能，避免两条导线打在同一电极垫上的情形发生。第 二电极垫262的形状则为圆形，仅有引线区262A，引线区262A可连接导线 形成电连接。第二电极垫的面积亦可设计为可容纳至少两条导线的面积，例 如面积大于1.5 x l(yVim2。
上述的生长基板的材料可以是蓝宝石、SiC、 GaN、 GaAs、或GaP;基 板200的材料包含Si、 A1N、 ZnO、 GaAs、玻璃、蓝宝石、金属、复合材料 或其他类似的材料。粘结层210可以是导电粘结层或绝缘粘结层；导电粘结 层其材料包含但不限于银、金、铝、铟、锡等金属材料及其合金，或为自发 性导电高分子，或高分子中掺杂金属材料如铝、金、柏、锌、银、镍、锗、 铟、锡、钛、铅、铜、钇、或其合金所组成的导电材料。绝缘粘结层其材料包含但不限于旋涂玻璃、硅树脂、苯并环丁烯(BCB)、环氧树脂(Epoxy)、聚 亚酰胺(Polyimide)、或过氟环丁烷(PFCB)。当粘结层210为绝缘粘结层时， 基板200的材料并无限制。在本实施例中是选择Si作为基板200的材料， Si具有较高的热传系数，可以有效的将发光元件产生的热扩散至环境中。在 粘结层210上下其中一侧还包含反射层(未绘示)，反射层的材料包含金属、 氧化物或金属及氧化物的组合。氧化物材料包含A1C^、 SiO、或SiN^
当粘结层为导电粘结层时，基板200的材料可选择绝缘材料，例如玻璃、 蓝宝石、或A1N，或于粘结层210上下与电流传导层280或基板之间形成绝 缘层。图7绘示的第三实施例系于粘结层210之上与电流传导层280之间形 成绝缘层690,以隔绝电流，绝缘层690的材料可以是SiNx或SiO2。上述第 一半导体层220是由氮化铝镓铟((八111^31,)^111.1^; O^i^l; (^r^l)或磚化铝 镓铟((AleGak)dIn,.dP; C^d; (^d^l)所构成；发光层230的材料系可由含 氮化铝镓铟((AleGa,.e)fInwN; ; 0^^1)或磷化铝镓铟((AliGa,-i),In,-jP;
0S3; 0^^1)材料双异质或量子阱结构所构成；第二半导体层240是由氮化 铝镓铟((AlkGa,—k)hlm.hN; 0Sk^l; 0^^1)或磷化铝镓铟((AlsGa,.s)tlnwP; (^s^l; OSd)所构成。
第一电极251的材料可由含镍(Ni)、金的单层或多层金属或其合金、或 其他导电金属氧化物所构成；第一电极垫261可由含镍、金的单层或多层金 属或其合金所构成；第二电极252可由钛(Ti)、钻(A1)、金(Au)的单层或多层 金属结构或其合金、或金属氧化物导电层所构成；第二电极垫262可由钛、 铝、或金的单层或多层金属结构或其合金所构成；上述第一电极251及第二 电极252形状可分别包含M条指状延伸电极，其中M^l;上述第一电极251 亦可包含M条指状延伸电极，其中MSl,且第二电极252可包含M-1条指 状延伸电极。
图8A是绘示第四实施例的发光元件30的结构俯视图，图8B是绘示发 光元件30的结构沿DD，线段的剖面图。发光元件30的结构与发光元件10 相似，包含基板IOO、緩沖层110、第一半导体层120、发光层130、及第 二半导体层140。在外延结构完成后，在第二半导体层140上形成电流传导 层380。在本实施例中，发光元件30为矩形的立方体，各边长为1143|imi, 正面面积为1.31 x 10^m2,其对应的发光层与其有相同的面积。
电流传导层完成后，再进行蚀刻步骤，在电流传导层及外延结构中形成凹槽370，并在凹槽370中棵露出第一半导体层120的部分表面，其中该凹 槽370为双螺旋状，未被蚀刻的电流传导层及外延结构亦同样形成具双螺旋 状的结构。
参考图8A,发光元件30包含双螺旋第一电极351A及35IB以及双螺 旋第二电极352A及352B; —组第一电极垫361A及361B以及第二电极垫 362。在凹槽370形成后，在凹槽370中第一半导体层120的棵露表面上形 成第一电极351A及351B与第一电极垫361A及361B。由于凹槽370包含 一组螺旋状，第一电极351也同样包含一组螺旋状。第一电极351线宽约为 10(im。第一电极垫361A、 361B的位置分别位于第一电极351的两端点或非 端点的线上。在本实施例中，第一电极垫361A及361B分别位于第一电极 351A及351B邻近发光元件30的第一边及相对于第一边的第二边处的非端 点处。再者，第一电极垫361A及361B的面积同为8.65 x 10、m2。
接着在保留下来的电流传导层380上形成第二电极352A、 352B与第二 电极垫362,其中，第二电极352A、 352B分别是呈螺旋状的结构，并同时 与第二电极垫362连接。第二电极352A、 352B线宽约为10pm。第二电极 垫362位于与发光元件30第一边及第二边共相邻的第三边，且同时与第二 电极352A、 352B相连。为了达到较大的电流输入量，在本实施例中，亦将 第二电极垫362设计为可容纳至少两条导线的面积，使有足够数量的导线供 外界电流输入。在本实施例中，第二电极垫362的面积为1.9x 104pm2。
于本实施例中，第二电极垫362的形状分别为两圆形部分重叠的形状， 包含第二电极垫的362A及362B两区引线区，如此可使后续的引线作业上 有较好的辨识功能，避免两条导线打在同一电极垫上的情形发生。各电极垫 上的引线区361A、 361B、 362A、及362B可分别外接导线形成电连接，使 得发光元件可通过各导线获得足够的电流，产生电子空穴于发光层中结合后 发出光线。前述的各电极、电极垫的结构可应用于前述各实施例的发光元件 中；前述的发光元件的形状包含正方形或长方形；前述的电流传导层280、 380包含选自氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锌、及氧化锌锡所构成材料群组中
粗化表面，例如基板周围形成粗化、外延层周围或正面出光面形成粗化、或 各电极下方与电4及接触的面形成粗化，以提高出光效率。
图9是绘示出光源产生装置剖面示意图，包含本发明任一实施例中的发光元件。光源产生装置90可以是照明装置，例如路灯、车灯、或室内照明
光源；也可以是交通信号标志、或平面显示器中背光模块的背光光源。光源 产生装置90包含以前述发光元件组成的光源910、电源供应系统920、以及 控制元件930，用以控制电源供应系统920。
图IO是绘示出背光模块剖面示意图，背光模块100包含前述实施例中 的光源产生装置90,以及光学元件IOIO。光学元件IOIO可将由光源产生装 置90发出的光加以处里，使其符合平面显示器的背光需求条件。光学元件 1010包含但不限于光子晶才各(photonic lattice)、滤光片(color filter)、波长转换 层(wavelength conversion layer)、抗反射层(antireflective layer)、透镜或其组 合的元件。
本发明所列举的各实施例仅用以说明本发明，并非用以限制本发明的范 围。任何人对本发明所作的任何显而易知的修饰或变更皆不脱离本发明的精 神与范围。
权利要求
1. 一种发光元件，包含基板；发光叠层，位于该基板上，包含第一导电型半导体层、第二导电型半导体层、以及位于该第一导电型半导体层及该第二导电型半导体层之间的发光层；凹槽，该凹槽穿过该第二导电型半导体层、该发光层至该第一导电型半导体层，裸露出该第一导电型半导体层的部分表面；第一导电结构，位于该凹槽中的该第一导电型半导体层裸露的表面；以及第二导电结构，位于该第二导电型半导体层上，其中，该第一导电结构包含第一电极以及第一电极垫，该第一电极与该第一电极垫电连接；该第二导电结构包含第二电极以及第二电极垫，该第二电极与该第二电极垫电连接；其中该第一电极垫及该第二电极垫中至少一个的面积介于1.5×104μm2至6.2×104μm2之间。
2. 如权利要求1所述的发光元件，其中该第一电极垫及该第二电极垫中 至少一个的面积介于1.5 x 104(xm2i 3 x 104 [im之间。
3. 如权利要求1所述的发光元件，其中，该第一电极垫面积介于l.5x 1 (TVm2至6.2 x 104^im2之间，该第 一电极垫包含第 一 引线区以及第二引线区； 第 一导线及第二导线分别与该第 一引线区以及该第二引线区连接。
4. 如权利要求1所述的发光元件，其中，该第二电极垫的面积介于1.5 x 1(yVm"至6.2 x 10^n^之间，该第二电极垫包含第三引线区以及第四引线 区；第三导线及第四导线分别与该第三引线区以及该第四引线区连接。
5. 如权利要求l所述的发光元件，其中，该第一导电型半导体层包含电 流传导层，在该电流传导层与该发光层之间还包含半导体层。
6. 如权利要求5所述的发光元件，其中，在该电流传导层与该基板之间 还包含粘结层，其中该粘结层为绝缘粘结层或导电粘结层。
7. 如权利要求6所述的发光元件，其中，在该粘结层上下其中一侧还包 含反射层。
8. 如权利要求1所述的发光元件，其中，该第一电极及该第二电极中至少 一 个是以连续不分盆的延伸线结构分布。
9. 如权利要求8所述的发光元件，其中，该连续不分盆的延伸线结构是 包含选自曲线及直线的至少一种结构。
10. 如权利要求9所述的发光元件，其中，该第一电极垫或第二电极 垫位于该延伸线结构的非端点处。
11. 如权利要求9所述的发光元件，其中，该连续不分盆的延伸线结 构包含螺旋状结构。
12. 如权利要求1所述的发光元件，其中，该第一电极及该第二电极 至少一个电极是直线状，自发光元件第一边向对边延伸。
13. 如权利要求12所述发光元件，其中，该第一电极及该第二电极至 少一个电极包含M条直线状电极，M^2，以及横向延伸电极连接该M条直 线状电极。
14. 如权利要求13所述的发光元件，其中，该第一电极自该发光元件 第一边向相对的第二边延伸；该第二电极自该发光元件第二边向相对的第一 边延伸。
15. 如权利要求12所述的发光元件，其中，该第一电极或该第二电极 的一个电极包含M条直线状电极，M^2，该第一电极或该第二电极的另一 个包含至少M-l条直线状电极。
16. —种发光元件，包含 基板；发光叠层，位于该基板上，包含第一导电型半导体层、第二导电型半导 体层、以及位于该第一导电型半导体层及该第二导电型半导体层之间的发光 层；凹槽，该凹槽穿过该第二导电型半导体层、该发光层至该第一导电型半 导体层，棵露出该第一导电型半导体层的部分表面；第一导电结构，位于该凹槽中的该第一导电型半导体层棵露的表面；以及第二导电结构，位于该第二导电型半导体层上，其中，该第一导电结构包含第一电极以及第一电极垫，该第一电极与该 第一电极垫电连接；该第二导电结构包含第二电极以及第二电极垫，该第二 电极与该第二电极垫电连接；其中该第一电极垫及该第二电极垫中至少一个包含至少两个引线区。
17. —种发光元件，包含 基板；发光叠层，位于该基板上，包含第一导电型半导体层、第二导电型半导 体层、以及位于该第 一导电型半导体层及该第二导电型半导体层之间的发光 层；以及第一导电结构，位于该发光叠层上；其中，该第一导电结构包含第一电 极以及第一电极垫，该第一电极与该第一电极垫电连接，且该第一电极垫包 含至少两个引线区或面积介于1.5 x 104|^12至6.2 x io4 ,之间。
18. 如权利要求17所述的发光元件，还包含凹槽，该凹槽穿过该第二导电型半导体层、该发光层至该第一导电型半 导体层，棵露出该第一导电型半导体层的部分表面，其中该第一导电结构位 于该凹槽中的该第一导电型半导体层棵露的表面；以及第二导电结构，位于该第二导电型半导体层上；其中该第二导电结构包 含第二电极以及第二电极垫，该第二电极与该第二电极垫电连接；其中该第 二电极垫中包含至少两个引线区或面积介于1.5xl0^m^至6.2xloVm2之 间。
19. 一种光源产生装置，包含由权利要求1-18任意一项所述的发光元件组成的光源； 电源供应系统，供应该光源一电流；以及 控制元件，用以控制该电流。
20. —种背光光源装置，包含 如权利要求19所述的光源产生装置；以及 光学元件。
21. 如权利要求20所述的背光光源装置，其中，该光学元件至少包含 选自光子晶格、滤光片、波长转换层、抗反射层、透镜及其组合的元件。
全文摘要
本发明公开了一种发光元件、光源产生装置、以及背光光源装置。该发光元件包含基板；外延结构，此外延结构位于基板上，包括第一半导体层、第二半导体层及位于第一半导体层及第二半导体层之间的发光层，外延结构中具有凹槽，裸露出外延结构的侧面与第一半导体层的部分表面；第一导电结构，位于凹槽中的第一半导体层的裸露表面；以及第二导电结构，位于第二半导体层上。其中，第一导电结构包含第一电极以及第一电极垫，第一电极与第一电极垫电连接；第二导电结构包含第二电极以及第二电极垫，第二电极与第二电极垫电连接；其中第一电极垫及第二电极垫中至少一个的面积介于1.5×10⁴μm²至6.2×10⁴μm²之间。
文档编号H01L33/00GK101452981SQ20071019612
公开日2009年6月10日 申请日期2007年11月28日 优先权日2007年11月28日
发明者刘宗宪, 古依雯, 沈建赋, 谢明勋, 郭政达, 陈纬守 申请人:晶元光电股份有限公司