专利名称：大功率白光发光二极管及其芯片的制作方法
技术领域：
大功率白光发光二极管及其芯片
技术领域：
本实用新型涉及发光二极管技术领域，更确切地说，涉及一种大功率白 光发光二极管的封装结构及其芯片。背景技术：
发光二极管(LED)是一种将电能转化为可见光的发光器件，具有工作 电压低、耗电量小，发光效率高，发光响应时间短，性能稳定可靠，重量轻， 体积小，成本低等一系列特性，尤其是大功率二极管的问世，被荣誉为21 世纪可以取代日光灯照明的新型光源。
如图1所示，现有的大功率白光发光二极管封装时通常将发光二极管芯 片1通过胶固定在基座上设置的凹陷部内，然后在发光二极管芯片l上面覆 盖荧光粉层2。然而，通过这种方式封装的发光二极管由于荧光粉层2大致 呈蘑菇状，厚度不均匀，导致大功率白光发光二极管发出的白色光一致性比 较差，从而使发光二极管所发出的光不均匀，而参杂有其它颜色的色斑。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是克服上述现有技术的不足，提供了 一 种发光均匀的大功率白光发光二极管及其芯片。
本实用新型是通过以下技术方案实现的 一种大功率白光发光二极管， 包括一基座、设置于所述基座内的至少一个芯片和焚光粉，其中，所述芯片 包括衬底和发光体，所述芯片为垂直出光型芯片，所述衬底具有一凹槽，所
面与所述凹槽的内壁围合成一收容所述荧光粉的焚光粉收容空间。
所述荧光粉填充满所述焚光粉收容空间后形成的焚光粉层上表面与所述 衬底上端面平齐。
所述发光体的宽度与所述凹槽的宽度相当，使得发光体侧壁与凹槽的内 壁紧贴。
所述焚光粉与凹槽内壁的接触面平行于所述发光体側壁。
所述荧光粉与凹槽内壁的接触面与所述与凹槽的内壁以一定的倾斜角度设置。
所述接触面上有一反射层。
一种大功率白光发光二极管芯片，包括衬底和发光体，其特征在于所 述芯片为垂直出光型芯片，所述村底具有一凹槽，所述发光体收容于所述凹 槽内并固定在所述凹槽的底面上，所述发光体的出光面与所述凹槽的内壁围 合成一收容所述荧光粉的荧光粉收容空间。
所述爽光粉填充满所述荧光粉收容空间后形成的荧光粉层上表面与所述 衬底上端面平齐。
所述发光体的宽度与所述凹槽的宽度相当，使得发光体侧壁与凹槽的内
壁紧贴。
所述荧光粉与凹槽内壁的接触面平行于所述发光体侧壁或者所述荧光粉 与凹槽内壁的接触面与所述与凹槽的内壁以一定的倾斜角度设置，所述接触 面上有一反射层。
与现有技术相比，本实用新型通过对大功率白光发光二极管的芯片的结 构进行改进，在芯片的出光面的上方形成一凹槽，把荧光粉填满所述的凹槽 并使形成的荧光粉层上表面与所述衬底上端面平齐，使大功率白光发光二极 管内的荧光粉层封装后具有较好的均匀性，从而使得大功率白光发光二极管 发出的白色光具有较好的一致性，进而大幅度提高了大功率白光发光二极管 所发出光的均匀性。
图1为现有发光二极管封装结构中荧光粉分布示意图。
图2是本实用新型大功率白光发光二极管的局部剖面示意图。
图3是本实用新型第一实施例大功率白光发光二极管芯片在没有填充荧
光粉时的剖面示意图。
图4是本实用新型第 一 实施例大功率白光发光二极管芯片在填充荧光粉
后的剖面示意图。
图5是本实用新型第二实施例大功率白光发光二极管芯片在没有填充焚 光粉时的剖面示意图。
图6是本实用新型第二实施例大功率白光发光二极管芯片在填充荧光粉 后的剖面示意图。
具体实施方式
实施例一
请一并参阅图2、图3和图4所示，本实施例所揭示的大功率白光发光 二极管8包括具有一凹陷部的基座1、设置于基座1凹陷部内的至少一芯片2 和荧光粉3，其中，所述芯片电极(未示出)经引线与发光二极管的电极(未 示出)电性连接。
所述芯片2包括衬底20和发光体21，其中，所述衬底20具有一垂直结 构的凹槽(未标号)，所述发光体21收容于所述衬底20的凹槽内，且通过固 定物22固定在所述凹槽的底面200上。所述发光体21的宽度与所迷凹槽的 宽度相当，使得发光体21侧壁211与凹槽的内壁201紧贴。所述发光体21 收容于所述衬底20的凹槽内后，其出光面210与所述凹槽的内壁201围合成 一收容所述荧光粉3的荧光粉收容空间203。所述焚光粉3填充满所迷焚光 粉收容空间203后形成的焚光粉层(未标号)上表面与所述衬底20上端面 204平齐。所述芯片2为一垂直出光型芯片，芯片2发出的光垂直于出光面 210射出。另外，荧光粉3与衬底20的凹槽的内壁201的接触面202平行于 所述发光体21侧壁211，该接触面202上还设置有一反射层(未示出)。
当然，同其他大功率白光发光二极管封装结构一样，本实用新型所揭示 的发光二极管8 —样也要覆盖封装材料于该基座1上方形成一透镜5，该等 结构已经为现有技术所揭示，本实用新型不再赘述。
实施例二
请一并参阅图2、图5和图6所示，本实施例所揭示的大功率白光发光 二极管8包括具有一凹陷部的基座1、设置于基座1凹陷部内的至少一芯片2 和荧光粉3，其中，所述芯片电极(未示出)经引线与发光二极管的电极(未 示出)电性连接。
所述芯片2包括衬底20和发光体21,其中，所述衬底20具有一凹槽(未 标号)，所述发光体21收容于所述衬底20的凹槽内，且通过固定物22固定 在所述凹槽的底面200上。所述发光体21的宽度与所述凹槽的宽度相当，使 得发光体21側壁211与凹槽的内壁201紧贴。所述发光体21收容于所述衬 底20的凹槽内后，其出光面210与所述凹槽的内壁201围合成一收容所述焚 光粉3的荧光粉收容空间203，。所述荧光粉3填充满所述荧光粉收容空间 203，后形成的焚光粉层(未标号)上表面与所述衬底20上端面204，平齐。 所述芯片2为一垂直出光型芯片，芯片2发出的光垂直于出光面210射出。 另外，焚光粉3与衬底20的凹槽的内壁201的接触面202'上还设有一反射 层(未示出)，所述接触面202'与所述与凹槽的内壁201以一定的倾斜角度 设置。
当然，同其他大功率白光发光二极管封装结构一样，本实施例所揭示的 大功率白光发光二极管8 —样也要覆盖封装材料于该基座1上方形成一透镜 5,该等结构已经为现有技术所揭示，本实用新型不再赘述。
本实用新型通过对大功率白光发光二极管8的芯片2的结构进行改进， 在芯片2的出光面210的上方形成一凹槽，把萸光粉3填满所述的凹槽并使 形成的荧光粉层上表面与所述衬底20上端面204 ( 204，)平齐，使大功率白 光发光二极管8内的荧光粉层封装后具有较好的均匀性，从而使得大功率白 光发光二极管发出的光线具有较好的一致性，光斑更加均匀，进而有效地改 善了大功率白光发光二极管的照明效果。
以上描述仅为本实用新型的实施例，谅能理解，在不偏离本实用新型构 思的前提下，对本实用新型的简单修改和替换皆应包含在本实用新型的技术 构思之内。
权利要求1.一种大功率白光发光二极管，包括一基座、设置于所述基座内的至少一个芯片和荧光粉，其中，所述芯片包括衬底和发光体，其特征在于所述芯片为垂直出光型芯片，所述衬底具有一凹槽，所述发光体收容于所述凹槽内并固定在所述凹槽的底面上，所述发光体的出光面与所述凹槽的内壁围合成一收容所述荧光粉的荧光粉收容空间。
2. 如权利要求1所述的大功率白光发光二极管，其特征在于所述焚光 粉填充满所述荧光粉收容空间后形成的焚光粉层上表面与所述衬底上端面平 齐。
3. 如权利要求1或2所述的大功率白光发光二极管，其特征在于所述 发光体的宽度与所述凹槽的宽度相当，使得发光体侧壁与凹槽的内壁紧贴。
4. 如权利要求1所述的大功率白光发光二极管，其特征在于所述焚光 粉与凹槽内壁的接触面平行于所述发光体侧壁。
5. 如权利要求1所述的大功率白光发光二极管，其特征在于所述荧光 粉与凹槽内壁的接触面与所述与凹槽的内壁以 一 定的倾斜角度设置。
6. 如权利要求4或5所述的大功率白光发光二极管，其特征在于所述 接触面上设有一反射层。
7. —种大功率白光发光二极管芯片，包括衬底和发光体，其特征在于 所述芯片为垂直出光型芯片，所述衬底具有一凹槽，所述发光体收容于所述 凹槽内并固定在所述凹槽的底面上，所述发光体的出光面与所述凹槽的内壁 围合成一收容所述焚光粉的焚光粉收容空间。
8. 如权利要求7所述的大功率白光发光二极管芯片，其特征在于所述 焚光粉填充满所述焚光粉收容空间后形成的荧光粉层上表面与所述衬底上端 面平齐。
9. 如权利要求7所述的大功率白光发光二极管芯片，其特征在于所述 发光体的宽度与所述凹槽的宽度相当，使得发光体侧壁与凹槽的内壁紧贴。
10. 如权利要求7-9中任一项所述的大功率白光发光二极管芯片，其特征 在于所述荧光粉与凹槽内壁的接触面平行于所述发光体側壁或者所述荧光粉与凹槽内壁的接触面与所述与凹槽的内壁以一定的倾斜角度设置，所述接 触面上设有一反射层。
专利摘要一种大功率白光发光二极管，包括一基座、设置于所述基座内的至少一个芯片和荧光粉，其中，所述芯片包括衬底和发光体，所述芯片为垂直出光型芯片，所述衬底具有一凹槽，所述发光体收容于所述凹槽内并固定在所述凹槽的底面上，所述发光体的出光面与所述凹槽的内壁围合成一收容所述荧光粉的荧光粉收容空间。本实用新型还提供了一种用于上述大功率白光发光二极管的芯片。
文档编号H01L33/00GK201069780SQ20072007258
公开日2008年6月4日 申请日期2007年7月18日 优先权日2007年7月18日
发明者孟世界 申请人:宁波安迪光电科技有限公司