专利名称：在硅片上实现多个离子注入条件的实验方法
技术领域：
本发明涉及一种离子注入的实验方法。
背景技术：
在现有的工艺中，一般一片硅片上只有一个离子注入条件。即对整个硅片作光刻、 曝光显影，形成光刻胶图形后，进行离子注入。从效果上看，目前的离子注入实验方法，一个 离子注入条件就需要一片硅片，硅片成本和制造流程成本都相对较高。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种离子注入的实验方法，其能在一片硅片上实 现多个离子注入条件的实验。 为解决上述技术问题，本发明的在硅片上实现多个离子注入条件的实验方法，对
所述硅片分区域进行分次光刻，每次光刻后采用不同的离子注入条件进行离子注入 本发明通过改进离子注入实验方法，在一片硅片上实现多个离子注入条件，节约
了实验成本。
下面结合附图与具体实施方式
对本发明作进一步详细的说明
图1 (a)到图1 (j)为本发明的一具体实施流程结构示意具体实施例方式
本发明的在硅片上实现多个离子注入条件的实验方法，通过对所述硅片分区域， 并以区域为单位进行曝光光刻，使显影后被曝光的区域形成相应的光刻胶图形，而其他区 域仍旧为光刻胶覆盖，而后利用预先设定的离子注入条件进行整个硅片的离子注入，此时 没曝光的区域因有光刻胶覆盖，不会形成离子注入区，而后去除光刻胶，重复上述工艺，对 另一区域进行曝光，从而实现在同一硅片上的不同离子注入条件。 图1 (a)至图1 (j)为本发明的实验方法的一具体实施例，其通过两次光刻和离子 注入在一个硅片上实现了两个离子注入条件的实验。具体过程为将硅片分为两个区域，首 先在图l(a)中所示的硅片上涂光刻胶(见图l(b))，对硅片左边进行曝光(见图l(c))，显 影后在硅片左边形成光刻胶图形(见图l(d))，接着用预先设定的一个离子注入条件进行 离子注入(见图l(e))，离子注入后在硅片左边形成离子注入区，硅片右边因为有光刻胶保 护而没有被注入，最后去除光刻胶。接下来重复上面的工艺，只是曝光的区域为硅片右边， 见图l(f)至图l(j)，最终实现了一个硅片上两个离子注入条件的实验。
权利要求
一种在硅片上实现多个离子注入条件的实验方法，其特征在于对所述硅片分区域进行分别光刻，每次光刻后采用不同的离子注入条件进行离子注入。
2. 按照权利要求1所述的实验方法，其特征在于，具体为涂布光刻胶，接着对硅片上 的一个区域进行曝光，之后显影，形成光刻胶图形；以所述光刻胶图形为掩膜，采用进行预 先设定离子注入条件进行离子注入，最后去除残余光刻胶，重复上述操作对硅片上的其它 区域进行别的条件的离子注入。
全文摘要
本发明公开了一种在硅片上实现多个离子注入条件的实验方法，其通过对硅片分区域进行分别光刻，每次光刻后采用不同的离子注入条件进行离子注入来实现。
文档编号H01L21/02GK101752232SQ20081004407
公开日2010年6月23日 申请日期2008年12月9日 优先权日2008年12月9日
发明者熊涛, 罗啸, 陈华伦, 陈瑜, 陈雄斌 申请人:上海华虹Nec电子有限公司