专利名称：基板处理装置以及基板处理方法
技术领域：
本发明涉及基板处理装置等，该基板处理装置向LCD(液晶显示装置)和 PDP(等离子显示器)等FPD(平板显示器)用玻璃基板、光掩模用玻璃基板、 半导体衬底等基板供给各种处理液以实施处理。
背景技术：
以往，作为向LCD等矩形基板的上表面(主面)供给处理液以实施规定的 处理的基板处理装置，例如提出有专利文献1所公开的装置。
该专利文献1所公开的装置进行所谓的浸渍式显影处理，该浸渍式显影 处理一边在以水平姿势搬送基板， 一边向基板表面供给显影液，利用其表面 张力形成液层，并在该状态下实施规定时间的显影处理。然后，使基板在宽 度方向上倾斜(在与搬送方向垂直的方向上倾斜)，从而使显影液沿基板流下， 然后， 一边以倾斜姿势搬送该基板， 一边向基板表面供给清洗液，以此实施 清洗处理。与以喷淋状供给显影液的装置相比，实施浸渍式显影处理的专利 文献1的装置能够以少量的显影液对整个基板实施均匀的显影处理，因此具
有如下特点能够控制运行成本，从而能够经济地实施显影处理。
专利文献1: JP特开平11-87210号公报
但是，在上述现有装置中存在如下问题。即，在形成液层时，虽然从搬 送方向前端侧起依次向基板供给显影液，但由于在显影处理后使基板在其宽 度方向上倾斜以使显影液流下，因而显然在基板面内其处理时间上产生差异。 具体来讲，有这样一种倾向，即，在搬送方向上越是位于基板的后端一侧， 或者越是位于倾斜姿势的上侧的部位，其处理时间越是变短。在基板尺寸小 的情况下，在基板面内的处理时间的时间差(对于处理时间最长的部位和处理 时间最短的部位的处理时间之间的时间差)小，所以几乎能够忽略其对质量的 影响。但是，近几年，随着基板的大型化，所要求的处理精密度也日渐提高， 所以要确保质量，就变得无法忽视在基板面内的处理时间的时间差。另外， 近几年，更加重视处理能力的提高，但在显影处理后需停止搬送基板进行姿
4势变换的现有装置，难以满足这样的要求。
发明内容
本发明是鉴于上述的情况而作出的，其目的在于，在通过所谓的浸渍处 理对基板实施规定处理的基板处理装置中，对基板面更加均匀地实施处理， 并提高处理能力。
申请人鉴于上述问题起因于变换基板的姿势这一点上，研究了如下问题: 为了在保持水平姿势的情况下进行从形成液层到除去液层为止的一系列处 理， 一边水平搬送基板一边对基板从其前端侧其依次供给流体(喷射)，由此 除去液层。但是，存在破坏浸渍处理的稳定性的问题，即，若向基板喷射流 体，则受到其影响而会导致液层的紊乱，处理液从基板流下等。因此，申请 人经过进一步研究，发明了如下所述的基板处理装置。
艮口，本发明的基板处理装置具有除去单元，该除去单元设置成对于水平 支撑的基板能够相对移动，伴随着所述相对移动，从基板的一端侧向另一端 侧除去在所述基板的上表面形成的处理液的液层，所述除去单元具有流体 供给部，其为了除去所述液层，在与所述相对移动的方向交叉的方向上横跨 基板的整个宽度向基板上表面喷出调整过流量的除层用流体；消波部，其相 对于所述基板上的所述除层用流体的供给位置，在位于与该供给位置的所述 相对移动方向上的上游侧相邻的位置上，与基板上表面侧仅分离与所述液层 相对应的距离并与基板相对配置，用于抑制在喷出所述除层用流体时所产生 的所述液层的波纹。
在该装置中，除去单元对于被水平支撑且形成有液层的基板相对移动， 在该移动中，流体供给部向基板喷出除层用流体，以此从基板的一端侧向另 一端侧依次除去液层。这时，在比该除层用流体的喷出位置更邻接于所述另 一端侧的位置上，通过所述消波部抑制在喷出所述除层用流体时所产生的所 述液层的波纹，从而能够良好地保持残留在基板上的液层的稳定性。因此， 在不破坏浸渍处理的稳定性的情况下，在保持水平姿势的状态下能够良好地 除去基板上的液层。
而且，本发明的基板处理方法是一种使用该基板处理装置的基板处理方 法，液层形成工序，向水平支撑的基板的上表面从该基板的一端侧向另一端侧供给处理液，以此在基板上表面形成该处理液的液层；液层除去工序，使
用所述基板处理装置， 一边使所述除去单元对于形成有所述液层的所述基板 相对移动， 一边向所述基板的上表面喷出所述除层用流体，以此从该基板的 所述一端侧向所述另 一端侧除去所述液层。
根据该方法，则形成液层以及除去该液层的任何处理都在水平支撑基板 的状态下进行，而且，因为任何处理都从基板的同一侧(上述一端侧)起依次 进行，所以尽管进行浸渍处理，也能够使在基板面内利用处理液的处理时间 变得均匀，另外，由于不需要变换基板的姿势，所以能够相应地提高处理能 力。
此外，作为上述基板处理装置的具体结构，所述消波部具有与所述基板 的上表面相对的对置面，在该对置面与所述基板的上表面之间形成有所述处 理液的弯液面。
根据该结构，利用消波部的对置面与基板上表面来限制液层的上下移动， 从而有效地防止液层的波纹。
另外，若消波部上附着处理液，则会导致其干燥物混入下次的基板的液 层中等的不良情况，所以在上述装置中，设置清洗单元，该清洗单元向消波 部喷射清洗液，以此清洗该消波部。
根据该结构，能够除去附着于消波部上的处理液或者防止该处理液被干 燥，所以能够消除如上所述的不良情况。
此外，上述装置可以具有第一处理液供给单元，该第一处理供给单元设 置成对于水平支撑的基板能够相对移动，伴随着所述移动，从所述一端侧起 向基板上表面供给所述处理液，以此形成所述液层。
根据该结构，能够在使基板保持水平姿势的状态下，通过共同的装置实 施从形成上述液层到除去该液层为止的工序。
另外，上述装置可以具有第二处理液供给单元，该第二处理供给单元与 所述除去单元一体地对于所述基板相对移动，伴随着所述移动，向在所述基 板上供给有所述除层用流体的区域供给不同于所述液层的其他处理液。
根据该结构，伴随着除去单元对基板的相对移动，能够向基板上的供给 有所述除层用流体的区域(液层被除去的区域)立即供给其他处理液。因此， 例如通过第二处理液供给单元供给下一个工序的处理液，则能够防止在已经除去液层的区域的基板干燥等，并能够迅速地转入下一个工序的处理。
另外，在上述装置中，所述除去单元优选地具有盖构件，该盖构件用于 罩住所述流体供给部以及在所述基板上的所述除层用流体的喷出位置。
根据该结构，能够有效地防止伴随着供给除层用流体的雾(雾状的处理液) 的飞散。在该情况下，在具有第二处理液供给单元的装置中，可以将所述盖 构件设置成罩住所述第二处理液供给单元以及在所述基板上的该第二处理液 供给单元供给处理液的位置。根据该结构，也能够有效地防止伴随着第二处 理液供给单元供给处理液的雾的飞散。
此外，在具有上述盖构件的情况下，优选地，还具有排气单元，该排气 单元用于对该盖构件的内部环境进行排气。
根据该结构，能够防止在盖构件的内部充满雾。因此，能够避免发生这 样的不良情况在盖构件的内面附着雾或者雾被干燥，其附着于基板上。
若适用上述本发明，则在水平支撑基板的状态下，也能够进行形成液层 以及除去液层的任何处理。因此，尽管进行所谓浸渍处理，但与现有技术相 比，也能够使在基板面内的处理时间变得均匀，并能够提高处理能力。
图1是表示本发明的基板处理装置的大致结构的剖视图。
图2是表示基板处理装置的主要部分的图1的放大图。
图3是表示消波构件的其他例子的剖视简图。
图4是表示消波构件的其他例子的剖视简图。
图5是表示消波构件的其他例子的剖视简图。
图6是表示本发明的基板处理装置的其他例子的剖视图。
具体实施例方式
利用附图对本发明的优选实施方式进行说明。
图1以剖视图示意性地示出了本发明的基板处理装置。该基板处理装置 1是一种一边沿着附图中的箭头方向以水平姿势搬送基板2， 一边对该基板2 实施规定的工艺处理的装置，包括显影处理室10A以及清洗处理室IOB。
在各处理室10A、 10B中按规定的间隔并列设置有多个搬送辊14，沿着
7由这些搬送辊14构成的搬送路径以水平姿势搬送基板2。此外，附图中的附 图标记12表示开口部，该开口部分别形成于显影处理室10A和其上游侧的 处理室等之间的间隔壁IIA、显影处理室IOA和清洗处理室10B之间的间隔 壁11B上，通过使基板2通过这些开口部12，实现向邻接的处理室的搬送基 板。
在所述显影处理室10A的内部，在其上游侧(基板搬送方向上的上游侧) 的端部设置有用于向基板2供给显影液(处理液)的液体喷嘴16(称为第一液 体喷嘴16，相当于本发明的第一处理液供给单元)。该第一液体喷嘴16由所 谓的狭缝喷嘴构成，该狭缝喷嘴在所述搬送路径的宽度方向(与基板搬送方向 垂直的方向，在附图中为与纸面垂直的方向)上细长且具有沿着长度方向连续 延伸的细长的喷出口，该第一液体喷嘴16以喷出口朝下游侧(基板搬送方向 上的下游侧)倾斜向下的状态设置在所述开口部12的上方位置。第一液体喷 嘴16经由第一液体供给管32与显影液的储液槽30相连接，借助设置在第一 液体供给管32上的泵34的驱动以及通过对未图示的开闭阀的控制，能够接 收来自所述储液槽30的显影液并向基板2上供给显影液。
另一方面，在显影处理室IOA与清洗处理室10B之间的间隔壁IIB部分 设置有除去单元，该除去单元用于除去由第一液体喷嘴16供给至基板2上的 显影液(后记为液层X)。该除去单元由风刀(air knife) 18、消波(wave suppressor)构件20、消波清洗喷嘴22、基板清洗喷嘴24以及盖构件26等 构成。
风刀18 (相当于本发明的流体供给部)设置于这样的位置，该位置是指， 既是间隔壁11B的刚好开口部12的部分又是所述搬送路径的上方的位置。 风刀18由狭缝喷嘴构成，该狭缝喷嘴在所述搬送路径宽度方向上细长且具有 在长度方向上连续延伸的细长的喷出口，该风刀18以喷出口朝正下方或者略 微朝向上游侧的状态设置。该风刀18经由空气供给管28与空气供给源29 相连接，通过操作未图示的开闭阀等，能够接收来自所述空气供给源29的规 定流量的空气，具体地讲是接收将净化度以及温湿度调整为规定等级的所谓 CDA (Clean Dry Air:洁净干燥空气，相当于本发明的除层用流体)，并向基 板2上喷出该空气。g卩，通过由风刀18向基板2上喷出空气，利用其气压除 去基板2上的显影液(后记为液层X)。此外，在所述搬送路径上，在由所述
8风刀18的空气喷出位置上设置有搬送辊14，该搬送辊14能够在基板2的整个宽度上支撑该基板2，由此能够防止所述气压导致基板2的弯曲变形。
所述消波构件20 (相当于本发明的消波部)是用于防止伴随着喷出上述空气产生的显影液(后记液层X)的波纹的构件。消波构件20横跨搬送路径的整个宽度方向设置在既是搬送路径的上方位置又是与所述风刀18的上游侧相邻的位置的位置。
如图2所示，该消波构件20具有对置面21且呈剖面为L形的形状，该对置面21与搬送基板2相对且与该基板2的上表面大致平行。将消波构件20设置成，所述对置面21与搬送基板2之间的间隙S相当于形成在该基板2的上表面上的显影液的液层(积液)X的厚度t相等，优选使该间隙S比该厚度t宽少许。由此，能够在基板2与对置面21之间形成弯液面(g卩，显影液的液体架桥)。在本实施方式中，形成于基板2上的液层X的厚度t大致为3 4mm，将消波构件20设置成使上述间隙S变为该厚度t+lmm左右。另外，在基板搬送方向上的所述对置面21的长度尺寸W比相同方向上的基板2的全长短，在实施方式中，相对于1600mm左右的基板2的全长，将对置面21的长度尺寸W设定为10mm左右。
消波清洗喷嘴22(相当于本发明的清洗单元)主要向消波构件20的对置面21喷射作为清洗液的所述显影液。该消波清洗喷嘴22由所谓喷淋喷嘴构成，该喷淋喷嘴在搬送路径的宽度方向上细长且在长度方向上以规定间隔排列有喷出口 ，并且，该消波清洗喷嘴22以喷出口朝向消波构件20 (对置面21)的状态，配置在既是所述搬送路径的下方位置又是间隔壁11B的附近的位置上。该消波清洗喷嘴22经由第二液体供给管36与所述储液槽30相连接，借助设置在第二液体供给管36上的泵38的驱动以及通过控制未图示的开闭阀，能够接收所述储液槽30所供给的显影液，并向消波构件20供给显影液。
在进行显影处理室10A中的处理之前，基板清洗喷嘴24向除去了液层X的基板上供给冲洗液(本实施方式中为纯水)。该基板清洗喷嘴24(称之为第二液体喷嘴24，相当于本发明的第二处理液供给单元)设置在既是搬送路径的上方位置又是与风刀18的刚刚下游侧相邻的位置的位置，实际配置在与所述间隔壁11B相比更靠近清洗处理室10B —侧的位置。第二液体喷嘴24与所述第一液体喷嘴16同样，也由在搬送路径的宽度方向上细长的狭缝喷嘴构成，并以喷出口略微朝向下游侧的状态配置。该第二液体喷嘴24经由纯水供给管25与未图示的纯水供给源相连接，能够接收该供给源所供给的纯水，并向基板2上供给纯水。g卩，通过向基板2上喷出纯水，对于显影处理室10A处理过的基板2进行水洗。
盖构件26在搬送路径的宽度方向上的整个区域上，从其上方一体地罩住所述风刀18、消波构件20、第二液体喷嘴24以及空气等的喷出位置。该盖构件26与所述间隔壁11B相连接且剖面形成为穹形，以使在其与所述基板2之间形成规定的空间。虽然省略了图示，但是在该盖构件26或者处理室IOA、10B的内侧面，形成有与吸引泵等连通的吸引口，通过该吸引口能够对盖构件26的内部环境(雰囲気)进行吸引排气。在该实施方式中，该吸引泵等以及吸引口相当于本发明的排气单元。
此外，在显影处理室10A的内底部上设置有呈漏斗状的回收钵，使用后的显影液被该回收钵收集并通过回收管31返回到所述储液槽30内。也就是说，该显影处理室10A具有显影液的供排系统，该供排系统使显影液在储液槽30与所述第一液体喷嘴16及消波清洗喷嘴22之间循环并利用于基板2的处理中。
关于所述清洗处理室IOB，虽然未详细图示，但是在其处理室内，例如在基板2的搬送路径的上方，沿着该搬送路径配备有由喷淋喷嘴构成的基板清洗喷嘴。由此，对于通过搬送辊14以水平姿势被搬送的基板2的上表面，能够供给清洗液(本实施方式中为纯水)。
此外，在基板处理装置1中设置有以计算机为构成要素的未图示的控制器，由该控制器40统一控制对搬送辊14及泵34、 38等的驱动以及各种阀的开闭等。例如，该装置1在与显影处理室10A中的上游侧的间隔壁11A的开口部12相比稍微偏上游侧的位置和所述盖构件26的附近，具有基板2的检测传感器40a、 40b，所述控制器根据这些传感器40a、 40b检测到基板2，控制开闭阀等。
接下来，说明利用该基板处理装置1的基板2的处理及其作用效果。在该基板处理装置1中，各阀关闭直至检测传感器40a、 40b检测到基板2为止。因此，停止向各喷嘴供给显影液及清洗液。
通过驱动搬送辊14搬送基板2，若该基板的前端被检测传感器40a检测
10到，则从储液槽30向所述第一液体喷嘴16开始供给显影液。然后，若基板2经过开口部12搬入到显影处理室10A内，则伴随着该搬入，向基板2的上表面从该基板的前端(基板2的行进方向前端)起依次供给显影液。由此，在基板2的上表面形成具有规定厚度t的显影液的液层X，并在已形成该液层X的状态下低速搬送基板2，以此对基板2实施显影处理。也就是说，实施所谓浸渍式显影处理。
继续搬送基板2，若该基板的前端被检测传感器40b检测到，则向风刀18开始供给空气且向第二液体喷嘴24开始供给纯水，进而对盖构件26内开始进行排气。然后，若基板2的前端通过了消波构件20的下方位置，则风刀18向基板2喷出空气，基板上的液层X从该基板的前端侧起被该空气的气压除去，并且第二液体喷嘴24向该除去部位喷出纯水。由此，从基板2的前端侧起以此完成显影处理，并对基板2的开始清洗(置换水洗)处理。
此外，若向基板2喷出空气，则在消波构件20的前端侧的液层X上产生波纹，由此，液层X与消波构件20的对置面21接触而在该对置面21和基板2之间形成弯液面。这样形成了弯液面的结果，通过所述对置面21与基板2限制了液层X的上下移动，所以能够抑制波动(液层X的波纹)向基板后端侧的传播。因此，能够事先防止波动传播至整个液层以使在整个液层X上产生波纹，从而能够使残留液层X的稳定性得以保持。
另外，若向基板2喷射空气或纯水，则会产生显影液或纯水的雾，但如上所述，空气或纯水的喷射位置被盖构件26罩住，而且对该盖构件26内的环境进行吸引排气，其结果，能够防止该雾大范围地飞散至基板2上。
这样，若搬送基板2，并由检测传感器40a、 40b依次检测到基板2的后端，则根据基于该检测的计时器的计时，检测出基板2分别通过了第一液体喷嘴16的显影液喷出位置、风刀18的空气喷出位置以及第二液体喷嘴24的纯水喷出位置，与此相伴，依次停止向第一液体喷嘴16的显影液供给、向风刀18的空气供给以及向第二液体喷嘴24的纯水供给。由此，在显影处理室10A中对该基板2实施的一系列显影处理结束。
此外，在处理结束后，所述消波清洗喷嘴22向消波构件20定期地喷射显影液，由此能够对消波构件20进行清洗，并能够抑制附着在消波构件20上的显影液干燥。
ii如上所述，在该基板处理装置l中， 一边水平地搬送基板2—边对该基板2实施浸渍式显影处理，但并不仅限于液层X的形成(处理)，关于液层X的除去(处理)，也可以一边水平搬送基板2—边实施该处理，另外，关于任何处理，都一边在相同方向上搬送基板2 —边从该基板的前端侧起依次实施处理。因此，不会像实施浸渍式显影处理的以往的这种装置、即在水平姿势下形成液层后将基板的姿势变换为倾斜姿势以除去液层的装置那样，在基板面内的处理时间上产生时间差，另外，由于不需要变换基板的姿势，所以能够縮短相应的总处理时间。因此，若采用该基板处理装置1,则能够享受如控制显影液的使用量以经济地进行显影处理的浸渍式显影处理的优点，另一方面，能够提高在基板面内的显影处理的均匀性，并能够提高处理能力。
尤其在该基板处理装置1中，通过气压除去基板上的液层X，但是如上所述，在基板2的搬送路径上方具有消波构件20，利用它来抑制在液层X上产生的波动的传播以防止在整个液层上产生波纹，所以能够良好地保持液层X的稳定性。因此，能够事先防止液层X的稳定性被破坏而显影液从基板上流下进而影响显影处理的质量的情况，在这一点上也具有能够提高在基板面内的显影处理的均匀性的优点。
而且，在该基板处理装置l中，在基板2处于非处理状态时，消波清洗喷嘴22向消波构件20定期地喷射显影液，除去附着于对置面21上的显影液的干燥物(异物)或者防止显影液干燥，所以能够事先防止液层X内混入异物的不良情况。即，若伴随着弯液面的形成而附着于消波构件20上的显影液干燥，则该干燥物(异物)可能会混入下次的基板2的液层X中并附着于基板2上，但是在该装置l中，如上所述那样定期地向消波构件20喷射显影液，所以能够除去所述干燥物，或者能够防止附着于消波构件20上的显影液干燥。因此，设置消波构件20以确保液层X的稳定性，另一方面，能够事先防止由此产生的上述弊病、即干燥物混入到液层X中的情况。
而且，在该基板处理装置1中，在与风刀18的下游侧相邻的位置上具备第二液体喷嘴24，在除去了液层X后，立刻向基板2上供给纯水。因此，在除去了液层X后，立刻在基板上形成纯水液膜，从而能够在防止干燥的同时迅速地对基板2实施清洗处理(置换水洗)。尤其是，第二液体喷嘴24采用狭缝喷嘴，所以能够横跨基板2的整个宽度供给纯水，从而能够在该基板的整
12个宽度上同时将对基板2的处理从显影处理切换为清洗处理，由此能够提高 在基板面内的处理的均匀性。
而且，在该基板处理装置1中，如上所述那样风刀18及第二液体喷嘴 24被盖构件26罩住，并对该盖构件26内的环境进行吸引排气，从而能够防 止雾(显影液及纯水)向基板飞散。因此，具有如下的优点能够事先防止显 影液的雾再次附着于除去了液层X的部分上或者纯水的雾附着于液层X上稀
释显影液等的情况。
另外，以上所说明的基板处理装置1只是本发明的基板处理装置的优选 实施方式中的一个例子，而其具体的结构能够在不脱离本发明的宗旨的范围 内适当变更。
例如，如图3所示，消波构件20可以使角部(尤其是上游侧)成为圆角， 或者对角部实施倒角加工，由此在保持液层X的稳定的同时，能够在消波构 件20(对置面21)的下方位置顺畅地搬送基板2。另外，如图4所示，也可以 将消波构件20形成为剖面是倒T字形的形状，以此提高消波构件20的刚性。 若采用该消波构件20，则能够有效地防止弯曲所导致的对置面21的变形。 另外，如图5所示，也可以采用这样的消波构件20:在基板搬送方向上隔开 规定间隔并列设置分别具有与基板2相对的对置面21a 21c的单位构件 20a 20c，从而使对置面21不连续。总之，只要消波构件20的能够抑制喷 出空气时在液层X上产生的波动的传播以防止整个液层上产生波纹，那么消 波构件20的具体形状并不限于上述实施方式等中的形状。
另外，在上述实施方式中，固定配置液层X的除去单元(风刀18、消波 构件20等)并使基板移动，从而一边使基板2对于所述除去单元相对移动一 边除去液层X，但无庸置疑地，也可以采用与此相反的结构。也就是说，如 图6所示，可以停止基板2， 一边对于该基板2相对移动除去单元一边除去 液层X。在该情况下，可以一边搬送基板2—边形成液层X，之后，在使基 板2停止的状态下， 一边使除去单元从间隔壁11B附近的原位置(home position)起向上游侧移动， 一边除去液层X。在该情况下，可以将消波清洗 喷嘴22配置在原位置，并在消波构件20复位到该位置时向消波构件20喷射 显影液。此外，除了这样只移动基板2或者除去单元之外，也可以一边移动 基板2以及除去单元两者， 一边对液层X进行除去等。另外，在上述实施方式中，将风刀18设置为其喷出口沿着搬送路径的宽 度方向延伸，但是只要能够横跨基板2的整个宽度喷出显影液，则风刀18 的喷出口也可以沿着与宽度方向交差的方向延伸。
另外，在上述实施方式中，为了循环使用显影液，而消波构件20的清洗 液使用显影液，但是在不循环使用显影液等情况下，消波构件20的清洗液也 可以采用显影液以外的其他液体。
另外，在上述实施方式中，向液层X喷射空气(CDA)，以此从基板2 除去液层X，但无庸置疑地，也能够采用除此之外的流体。例如，能够采用 N2 (氮)等非活性气体。另夕卜，也可以采用显影液，或显影液和空气(CDA) 的混合流体等。
此外，在上述实施方式中，说明了将本发明适用于对基板2实施显影处 理的基板处理装置1中的例子，但只要是进行浸渍处理的装置，则无庸置疑 地，本发明也可以适用于对基板实施除了显影处理以外的其他处理、例如蚀 刻处理等的基板处理装置。
权利要求
1. 一种基板处理装置，其特征在于，具有除去单元，该除去单元设置成对于水平支撑的基板能够相对移动，伴随着所述相对移动，从基板的一端侧向另一端侧除去在所述基板的上表面形成的处理液的液层，所述除去单元具有流体供给部，其为了除去所述液层，在与所述相对移动的方向交叉的方向上横跨基板的整个宽度向基板上表面喷出调整过流量的除层用流体；消波部，其相对于所述基板上的所述除层用流体的供给位置，在位于与该供给位置的所述相对移动方向上的上游侧相邻的位置上，与基板上表面侧仅分离与所述液层相对应的距离并与基板相对配置，用于抑制在喷出所述除层用流体时所产生的所述液层的波纹。
2. 如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述消波部具有与所述基板的上表面相对的对置面，在该对置面与所述基板的上表面之间形成有所述处理液的弯液面。
3. 如权利要求1或者2所述的基板处理装置，其特征在于，具有清洗单元，该清洗单元向所述消波部喷射清洗液，以此清洗该消波部。
4. 如权利要求1或者2所述的基板处理装置，其特征在于，具有第一处理液供给单元，该第一处理供给单元设置成对于水平支撑的基板能够相对移动，伴随着所述移动，从所述一端侧起向基板上表面供给所述处理液，以此形成所述液层。
5. 如权利要求1或者2所述的基板处理装置，其特征在于，具有第二处理液供给单元，该第二处理供给单元与所述除去单元一体地对于所述基板相对移动，伴随着所述移动，向在所述基板上供给有所述除层用流体的区域供给不同于所述液层的其他处理液。
6. 如权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，所述除去单元具有盖构件，该盖构件用于罩住所述流体供给部以及在所述基板上的所述除层用流体的喷出位置。
7. 如权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，具有所述第二处理液供给单元，所述盖构件设置成罩住所述第二处理液供给单元以及该第二处理液供给单元在所述基板上的处理液供给位置。
8. 如权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，具有排气单元，该排气单元用于对所述盖构件的内部环境进行排气。
9. 一种基板处理方法，使用权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，包括液层形成工序，向水平支撑的基板的上表面从该基板的一端侧向另一端侧供给处理液，以此在基板上表面形成该处理液的液层；液层除去工序，使用所述基板处理装置， 一边使所述除去单元对于形成有所述液层的所述基板相对移动， 一边向所述基板的上表面喷出所述除层用流体，以此从该基板的所述一端侧向所述另一端侧除去所述液层。
全文摘要
提供一种基板处理装置以及基板处理方法，能够对基板面更加均匀地实施处理，并能够提高处理能力。基板处理装置(1)具有液体喷嘴(16)，其一边水平搬送基板(2)一边在其上表面形成显影液的液层(X)；除去单元，其用于除去形成于基板(2)上的液层(X)。该除去单元包括风刀(18)，其设置成横跨基板(2)，用于向该基板(2)的上表面喷出空气；消波构件(20)，其配置在比该风刀(18)的空气喷出位置更邻接于基板(2)的后端侧的位置上，用于抑制喷出所述空气时所产生的液层(X)上的波纹。
文档编号H01L21/00GK101499408SQ20081017542
公开日2009年8月5日 申请日期2008年11月12日 优先权日2008年1月31日
发明者厨子卓哉, 亮 孙, 樋口尚, 篠原正树, 羽方满之 申请人:大日本网屏制造株式会社