电子器件、薄膜晶体管结构和具有该结构的平板显示器的制作方法

专利名称：电子器件、薄膜晶体管结构和具有该结构的平板显示器的制作方法
技术领域：
本发明总地来说涉及如薄膜晶体管(TFT)的电子器件和具有该器件的 平板显示设备。然而，本发明具体涉及其中避免或减少了由静电引起的静电 破坏的电子器件和具有该电子器件的平板显示设备。
背景技术：
有多种显示设备可以用来显示图像。最近，多种平板显示设备已经替代 了阴极射线管(CRT)显示器。平板显示设备根据使用的发光类型可以分为 发射型和非发射型。发射型显示设备包括平面CRT显示设备、等离子显示 板设备、真空荧光显示设备、场发射显示设备和有机/无机电致发光显示设 备，而非发射型显示设备包括液晶显示设备。平面发射型有机电致发光显示 设备(OELD)由于是发射型的，而且不包括例如背光的发光设备并且能在 低功耗和高效率下工作，因此备受关注。OELD设备具有工作电压低、重量 轻、外形薄、视角宽和视频响应时间快等优点。
OELD设备常规的电致发光单元包括在基板上以层叠型形成的第一电 极(阳极)、第二电极(阴极)和插在第一电极和第二电极之间的有机发光层(薄膜)。在工作时，OELD设备通过由激子产生的能量发射具有特定波
长的光，激子是由通过阳极和阴极注入的电子和空穴在有机薄膜中重新结合
而形成的。电子传输层(ETL)可以设置在阴极和有机发光层之间。类似地， 空穴传输层(HTL)可以设置在阳极和有机发光层之间。并且，可以在阳极 和HTL之间设置空穴注入层(HIL)。此外，电子注入层(EIL)可以设置 在阴极和ETL之间。
无源矩阵(PM) OELD设备可以使用手工驱动方法，而主动矩阵(AM) 型可以使用激活驱动方法。在PMOELD设备中，阳极按列布置，阴极按行 布置。行驱动电路向阴极提供扫描信号，列驱动电路提供数据信号到每个像 素。另一方面，AM OELD设备使用薄膜晶体管(TFT)控制输入到像素的 信号。由于TFT的使用使AM OELD可以迅速地处理大量信号，因此AM OELD广泛用于执行激励。
常规A M O E L D设备的缺点是在制造或使用设备时，由于静电的产生和 /或释放在显示区可能会产生一个或多个错误的像素。
图1A是常规OELD设备的平面照片图，其中将错误的像素显示为亮点。 图1B是图1A中记为A的正常像素的放大图，图1C是图1A中记为B的错 误像素的放大图。图1B和图1C是图1A的常规0ELD设备的底面视图。底 面视图是透过基板的多层结构和安装在其上的不同的电子和电致发光元件 而得到的。因此，图1B和图1C中，栅极线3a和3b出现在导电层5之上。
在图IB和图1C中，每个像素la和lb都包括电致发光单元、栅电极 (图IB的2a和图1C的2b)和发光薄膜晶体管(图IB的Ma和图1C的 Mb)，发光薄膜晶体管传送来自驱动TFT (未示出)的电信号至像素。发 光TFTMa和Mb的源电极经由导电层5电连接到驱动TFT (未示出)上。
图ID是图1C中记为B，的部分放大平面图。参见图ID,导电层5可以 延伸穿过其它导电层。例如，在图1D放大的底面视图中，示出了导电层5 穿过栅极线3a/3b。在示例的图中，栅极线3a/3b出现在导电层5之上。工 作中，栅极线3a/3b起扫描线和/或扫描线延伸单元的作用，用于向薄膜晶体管提供电信号。
为了满足设计规范，每个栅极线3a/3b的宽度可能沿着它的长度变化。 例如，图1B、图1C和图1D所示的常规设计中，每个栅极线3a/3b的宽度 在与导电层5交叉的部分发生变化。如图1D所示，栅极线3b较宽的部分 可以是宽度改变部分Aw，栅极线3a/3b较窄的连接部分可以是交叉单元Ac。 宽度改变部分Aw和交叉单元Ae可以与导电层5绝缘并且位于各自边界之 内。因为电流趋向于在导体的尖端放电，所以静电释放(ESD)趋向于发生 在图1D所示的宽度改变部分Aw的角部分Ad。在大多数情况下，ESD损坏 相应的像素la/lb,引起它过度发光(例如，出现诸如图1A中显示的亮点B 的亮点)。由于静电集中在交叉部分，所以很容易诱导这样的ESD，因此， 如果插入导电层之间的绝缘层受到破坏，交叉的导电层之间产生短路的可能 性就会增加。如图1B和图1C所描述的，即使输入相同的电流信号至图1B 中的像素la和图1C中的像素lb，图1C中的像素lb也会出错，产生比图 1B中正常像素有更大亮度的亮点。因为不同的导电层3b和导电层5之间的 短路电流引起和使用多于期望的一个的不同电流信号，所以会出现更大的亮 度。这种不希望的ESD可能会降低平面OELD的图像质量，而平面OELD 在整个显示区要求很高的均匀度。

发明内容
本发明提供一种电子器件和一种TFT结构，其中减少或避免了导电层 的静电破坏引起的错误像素的产生，并且提供一种具有该结构的平面发射型 有机电致发光显示(OELD)设备。
本发明 一方面提供一种电子器件，包括彼此交叉但不接触的多个导电层。 其中至少一个导电层包括一个宽度变化部分，宽度变化部分的宽度沿着至少一 个导电层的长度方向变化。电子器件进一步包括在远离导电层交叠区域的区域 连接到至少一个导电层或相邻导电层的接线片。
本发明另 一方面提供一种TFT结构，包括彼此交叉但不接触的多个导电层。其中至少一个导电层包括一个宽度变化部分，宽度变化部分的宽度沿着至少一
个导电层的长度方向变化。TFT结构进一步包括在远离导电层交叠区域的区域
连接到至少一个导电层或相邻导电层的接线片。
本发明另 一方面提供一种平板显示设备包括基板、形成在基板上的TFT层、 形成在TFT层上的至少一个绝缘层、以及像素层，该像素层包括通过形成在绝 缘层的通孔电连接到TFT层的多于一个的像素。TFT层包括彼此交叉但不接触 的多个导电层。至少一个导电层包括一个宽度变化部分，宽度变化部分的宽度 沿着至少一个导电层的长度方向变化。平板显示设备进一步包括在远离导电层 交叠区域的区域连接到至少一个导电层或相邻导电层的接线片。
本发明另 一方面提供一种电子器件，包括彼此交叉但不接触的多个导电层。 至少一个导电层包括一个宽度变化部分，宽度变化部分的宽度沿着至少一个导 电层的长度方向变化。电子器件进一步包括一个两个线段之间的小于90。的夹 角， 一条线段连接位于宽度变化部分的外部线的同一平面上的两点，另一条线 段与至少一个导电层的长度方向平行。
本发明另 一方面提供一种TFT结构，包括彼此交叉但不接触的多个导电层。 至少一个导电层包括一个宽度变化部分，宽度变化部分的宽段沿着至少一个导 电层的长度方向变化。TFT结构进一步包括一个两个线段之间的小于90。的夹 角， 一条线段连接位于宽度变化部分的外部线的同一平面上的两点，另一条线 段与至少一个导电层的长度方向平行。
本发明另一方面提供一种平面显示设备，包括基板、形成于基板上的TFT 层、至少一个形成于TFT层之上的绝缘层、以及像素层，该像素层包括通过形 成在绝缘层上的通孔电连接到TFT层的多于一个像素。TFT层包括彼此交叉但 不接触的多个导电层。至少一个导电层包括一个宽度变化部分，宽度变化部分 的宽度沿着至少一个导电层的长度方向变化。TFT层可以进一步包括一个两个 线段之间的小于90。的夹角， 一条线段连接位于宽度变化部分的外部线的同一 平面上的两点，另一条线段与至少一个导电层的长度方向平行。
本发明另 一方面提供一种电子器件，包括彼此交叉但不接触的多个导电层，其中至少一个导电层包括剖面面积沿着至少一个导电层的长度方向变化的部 分。电子器件可以进一步包括在远离导电层交叠区域的区域连接到至少一个导 电层或相邻导电层的接线片。
本发明另 一方面提供一种TFT结构，包括彼此交叉但不接触的多个导电层， 其中至少一个导电层包括剖面面积沿着至少一个导电层的长度方向变化的部 分。TFT结构可以进一步包括在远离导电层交叠区域的区域连接到至少一个导 电层或相邻导电层的接线片。
本发明另一方面提供一种平板显示设备，包括基板、形成于基板上的TFT 层、至少一个形成于TFT层之上的绝缘层、以及像素层，该像素层包括通过形 成在绝缘层上的通孔电连接到TFT层的多于一个像素。TFT层包括彼此交叉但 不接触的多个导电层。至少一个导电层包括剖面面积沿着至少一个导电层的长 度方向变化的部分。平板显示设备可以进一步包括在远离导电层交叠区域的区 域连接到至少一个导电层或相邻导电层的接线片。
本发明另 一方面提供一种电子器件，包括彼此交叉但不接触的多个导电层， 其中至少一个导电层包括剖面面积沿着至少一个导电层的长度方向变化的部 分。连接位于宽度变化部分的外部线的同 一平面上的两点的线段和与至少 一个 导电层的长度方向平行的线段之间的夹角小于90。。
本发明另 一方面提供一种TFT结构，包括彼此交叉但不接触的多个导电层， 其中至少一个导电层包括剖面面积沿着至少一个导电层的长度方向变化的部 分。连接位于宽度变化部分的外部线的同一平面上的两点的线段和与至少一个 导电层的长度方向平行的线段之间的夹角小于90° 。
本发明另一方面提供一种平板显示设备，包括基板、形成于基板上的TFT 层、至少一个形成于TFT层之上的绝缘层、以及像素层，该像素层包括通过形 成在绝缘层上的通孔电连接到TFT层的多于一个像素。TFT层包括彼此交叉但 不接触的多个导电层。至少一个导电层包括剖面面积沿着至少一个导电层的长 度方向变化的部分。连接位于宽度变化部分的外部线的同一平面上的两点的线 段和与至少一个导电层的长度方向平行的线段之间的夹角小于90° 。


通过参照附图详细地描述示例性的实施例，本发明的以上和其它特征和 优点将更加明显。
图1A是常规有机电致发光显示设备的显示区的照片；
图1B是图1A中记为A的正常像素的部分放大照片；
图1C是图1A中记为B的错误像素的部分放大照片；
图1D是图1C中记为B，的像素的一部分的放大底面视图1E是图1C中记为B，的像素的一部分的剖面照片；
图2A是根据本发明一个实施例的有机电致发光显示设备的平面示意
图2B是图2A中记为C的OELD设备的像素的电路示意图2C是根据本发明一个实施例的图2A中记为C的像素的部分剖面图2D是显示在图2C中的一部分的修改实施例的部分平面图2E是图2C中像素的部分放大照片；
图3A是根据本发明另一个实施例的图2A中记为C的像素的部分剖面
图3B是根据本发明一个实施例的图3A中记为D的部分的放大图； 图3C是显示在图3A中的像素的部分放大照片。
具体实施例方式
下面参照其中显示了本发明示例性实施例的附图更加充分地描述本发明。
图2A是根据本发明的原理制造的有机电致发光显示(OELD)设备的 平面示意图。参照图2A，基板110包括其上布置了诸如有机电致发光显示 设备的发光设备的显示区200,沿着显示区200的边缘封接基板110与密封 基板(未示出)的密封部分800，以及其上布置多种端子的端子区700。然 而，本发明并不限于此，它可以具体化为多种不同的形式。例如，可以包含起密封部分作用的密封层。
用于提供电源到显示区200的驱动电源供给线300可以布置在显示区 200和密封部分800之间。图2A示出了本发明的驱动电源供给线的示例， 但是本发明并不限于此。为了确保显示区200的均匀亮度，驱动电源供给线 300可以围绕显示区200,以提供均匀的驱动电源给整个显示区200。
驱动电源供给线300可以与驱动电源线310相连，驱动电源线310可以 跨越显示区200布置，并且电连接到布置在保护层180 (图2C中所示)下 面的源电极170a (图2C中所示)。
此外，在显示区200的边界外可以布置垂直和水平的驱动电路单元500 和600。垂直电路单元500可以是施加扫描信号到显示区200的扫描驱动电 路单元，水平驱动电路单元600可以是施加数据信号到显示区200的数据驱 动电路单元。垂直和水平的驱动电路单元500和600可以作为外部集成电路 (IC)或玻璃上芯片(COG)单元布置在密封区边界的外面。
提供电极电源到显示区200的电极电源供给线410可以布置在显示区 200的边界外，并且通过电极电源供给线410和第二电极层之间形成的绝缘 层中的通孔430电连接到第二电极层，第二电极层是在显示区200的上部上 形成的。
驱动电源供给线300、电极电源供给线410以及垂直的和水平的驱动电 路单元500和600分别包括端子320、 420、 520和620,并通过引线与布置 在密封区边界外的端子区700电连接。
显示区200包含多个像素，下面将参照图2B和图2C对此加以描述。 图2B是一个像素的电路示意图，该像素位于图2A中记为C的本发明实施 例的OELD设备的第n列和第m行。
如图2B所示，像素包含五个晶体管和两个电容器，并且每个晶体管被 描述为PMOSTFT,但是本发明并不限于此。
使用时，第一扫描信号和第二扫描信号分别通过多条第一扫描线和第二
扫描线从垂直电路单元500输入至显示区200 (参见图2A)。第一扫描信号S[n]和S[n-l]以及第二扫描信号E[n]通过第一扫描线和第二扫描线输入，
并且作为数据信号的数据电压Vdata问通过数据线输入到图2A中记为C的处
于第n列和第m行的像素中。
第一 TFTM1将对应于通过第二 TFTM2施加到第一 TFTM1的数据电 压的电流提供给有机发光二极管(OLED)。
第二TFTM2响应于第一扫描线提供的第n个选择信号S[n],转换施加 到数据线的数据电压。
第三TFTM3响应于施加到第一扫描线的第(n- 1 )个选择信号S[n-l]， 二极管连接第一 TFTM1。
第四TFTM4响应于施加到第一扫描线的第(n- 1 )个选#^[言号S[n-l], 为第一电容器Cl的一端提供固定电压。
第五TFT M5响应于施加到第二扫描线的发光信号E[n]，将第一 TFT Ml 提供的电流传送给OLED。
第一电容器Cl保持第一 TFT Ml的栅极和源极之间的电压的一部分至 少 一 帧的时间，第二电容器C 2将作为补偿的阈值电压的数据电压施加到第 一 TFT Ml的栅极。
下面描述包含本实施例的TFT层和像素层的OELD设备的操作。TFT 层可以包含至少一个TFT和例如电容器的其它电子元件。TFT层可以看作 是像素电路单元。
当第(n-1 )个选择信号S[n-l]激发时，第三TFTM3导通，接着，第 一TFTM1，也即是驱动薄膜晶体管，进入二极管连接状态，并且由于第五 TFTM5断开，第一TFTM1的阔值电压存储在第二电容器C2中。
如果在第三TFTM3响应于第(n- 1 )个选择信号S[n-l]断开并且第一 TFT Ml响应于第n个选择信号S[n]接通之后输入数据电压，那么将补偿阔 值电压的经校正的数据电压被施加到第一 TFTM1的栅极。
同时，如果第五TFTM5响应于第n个发光信号E[n]导通，那么通过第 五TFTM5将电流信号传送至OLED, OLED发光，这个电流信号是经过施加到第一 TFT Ml的栅极的电压调整过的。
图2C是OELD的部分剖面图，OELD包括像素层Rp和TFT层RT，也 就是电致发光单元和像素层，像素层包括第一TFTM1和第五TFTM5，第 一 丁FT M1是驱动薄膜晶体管，第五TFT M5是为像素层提供电信号的开关 薄膜晶体管。
参见图2C,例如第一 TFT Ml的TFT层形成在基板110的一部分上。 第一TFTM1的半导体有源层130形成在緩冲层120的上表面的一部分上， 緩沖层120形成在基板U0的表面上。半导体有源层130可以是非晶硅层或 者是多晶硅层。尽管未详细描述，半导体有源层130包括掺有P型或N型 掺杂剂的源区和漏区以及沟道区。然而，包括半导体有源层130的薄膜晶体 管可以按多种不同的方式构成。
第一TFTM1的4册电极150可以布置在半导体有源层130的一部分之上。 鉴于与相邻层接触、叠层的表面光滑度和处理能力，栅电极150较佳地由例 如MoW和Al的材料组成，但并不局限于此。
用于从半导体有源层130绝缘栅电极150的栅绝缘层140布置在二者之 间。作为绝缘层的中间层160是单层或多层并且形成在栅电极150和栅绝缘 层140上。第一 TFT Ml的源电极和漏电极170a和170b形成在中间层160 上。源电极和漏电极170a和170b可以由诸如MoW的金属形成，并且在形 成之后热处理，以便与半导体有源层130光滑地欧姆接触。
保护层180是绝缘层，可以由钝化层和/或平整层组成，用于保护和/或 平整更低的层，并且形成在源电极和漏电极170a和170b上。如图2C所描 述，保护层180可以是单层，由诸如SiNx的无机材料组成或例如苯并环丁 烯或丙烯基的有机材料组成，也可以是多层的叠层。
第一 TFT Ml通过漏电极170b的延伸单元170c电连接到起开关TFT 作用的第五TFT M5。第五TFT M5的第五半导体有源层230形成在緩沖层 120上，緩沖层120形成在基板IIO的表面上。第五半导体绝缘层230可以 与第二扫描线和/或第五栅电极250绝缘，第五栅电极250形成在栅绝缘层140的上面。中间层160和第五源/漏电极270a和270b可以形成在第五对册电 极的表面上。第五源电极和漏电极270a和270b以及第五半导体有源层230 可以通过形成在中间层160和栅绝缘层140中的接触孔电连接。至少一个起 绝缘层作用的保护层180可以形成在第五源电极和漏电极270a和270b上， 包括顺序层叠的第一电极层2卯、电致发光单元292和第二电极层400的像 素层Rp可以形成在保护层180上。
下面描述形成像素层Rp的方法。首先，在形成第一电极层290之后， 像素限定层291可以形成在像素开放区294外的保护层180的上面。包括发 光层的电致发光单元292可以布置在像素开放区294的第一电极层290的表 面上，第二电极层400可以形成在合成品的整个表面。
电致发光单元292可以由低分子或聚合物有机膜组成。如果电致发光单 元292由低分子有机膜组成，那么HIL、 HTL、 EML、 ETL和EIL可以层叠 为单个结构或复合结构，并且可以使用的低分子有机材料包括铜酞菁 (CuPc) 、 N,N,陽Di (萘-l-基)-N,N，-二苯基-联苯胺(NPB )，或三-8-羟基 唾啉铝(Alq3)。低分子有机膜可以使用蒸发法形成。
如果电致发光单元292由聚合物有机膜组成，那么它可以包括HTL和 EML。 HTL可以由PEDOT组成，而EML可以由聚-l，2-亚乙烯基苯基(PPV) 和聚芴形成。聚合物有机膜可以通过各种方法形成，包括但不限于丝网印刷 方法和喷墨印刷方法。
第二电极层400起阴极的作用，并可以沉积在电致发光单元292的整个 上表面上。第二电极层400并不限于沉积在整个上表面上。它可以由如 Al/Ca、 ITO或Mg-Ag材料形成。第二电极层400可以由例如多层的多种不 同的形式形成，并可以进一步包括石成氟化或石威土氟化层，如LiF层。
第一扫描线和/或扫描线延伸单元240 (下文称为第一扫描线)可以形成 在第一 TFTM1和第五TFTM5之间。第一扫描线240可以无接触地穿过第 一 TFTM1的漏电极170b的延伸单元170c。如图2B所示，第一扫描线240 可以是一个导电层，第(n-l)个选择信号S[n-l]通过该导电层被传送到第三和第四TFTM3和M4，并且第 一扫描线240包含宽度变化部分Aw，其 由于TFT具有不同的设计规范而在第 一扫描线的长度方向上宽度有所变化。
也就是，如图2C所示的部分平面图，第一扫描线240可以形成为具有 交叉区Ae的导电层，在交叉区Ac第一扫描线至少穿过但不接触延伸单元 170c。第一扫描线240可以布置在从漏电极170b延伸出来的延伸单元170c 下面。第一扫描线240包括宽度变化部分Aw，它的宽度从第一宽度We变化 到第二宽度Ww，或者从第二宽度Ww变化到第一宽度Wc。第一宽度Wc和 第二宽度Ww彼此不同，而且宽度We可以比宽度Ww宽。第一扫描线240 的宽度变化部分Aw也可以限定为这样的一部分它的剖面面积在第一扫描 线240的长度方向上变化。
第一扫描线240可以在不与相邻导电层170c交叉的区域包括一个接线 片241。由于充电集中在接线片241而不是宽度变化部分Aw，就可以避免由 于静电释放宽度变化部分A w的短路电流的产生。
接线片241的有效宽度Ws和接线片241的有效长度Wd的比值可以小 于第二宽度Ww和第一宽度Wc的比值，以便静电集中在接线片241中。也 就是，Ws/Wd<Ww/Wc<l。这里，第一宽度We可以是宽度变化部分最大宽度 的测量值，而第二宽度Ww可以是宽度变化部分最小宽度的测量值。
在本实施例中，第一扫描线240可以是导电层，包括接线片241,并起 栅电极或栅极线的作用。然而，这是本发明的示例性实施例，本发明不局限 于此。
如图2C所示，接线片241可以形成在向第一 TFT Ml延伸的第一扫描 线240 (或第一扫描线的延伸部分即导电层)上。然而，接线片241可以形 成多种不同的形式，只要接线片241不穿过相邻导电层。这样，连接在接线 片241的导电层可以形成在源电极和漏电极的同一层。接线片241也可以以 相对于第一 TFT Ml的方向延伸。可替代地，如图2D所示，接线片241可 以形成在包含宽度变化部分Aw的导电层和/或相邻导电层上。
图2E是显示在图2C中的像素的部分放大照片的平面图。在图2E中，接线片241接触导电层区。为了避免和/或减少静电释放，接线片241接触 导电层的区域远离导电层重叠的区域。由于静电释放不发生在宽度变化部分 Aw而是发生在不与导电层交叉的接线片241，这个结构可以避免或减少对 TFT层的导电层的静电破坏。这样，交叠的导电层和/或像素之间的短路电 流故障就可以避免或减少。
图3A、 3B和3C示出了根据本发明的原理制造的OELD设备的像素。 第一扫描线和/或扫描线延伸单元240 (下文称为第一扫描线)形成在第一 TFT Ml和第五TFT M5之间。第一扫描线240穿过但不接触第一 TFT Ml 的漏电极170b的延伸单元170c。如图2B所示，第一扫描线240是第(n-1 )个选择信号S[n-l]被传送至此的导电层，传送第(n- 1 )个扫描信号S[n-l] 指第三和第四TFTM3和M4。第一扫描线240可以包含宽度变化部分Aw, 其宽度在第一扫描线240的长度方向上变化。也就是，如图3A所示的部分 平面图所示，第一扫描线240可以形成为具有交叉区Ae的导电层，交叉区 穿过但不接触至少从漏电才及170b延伸出来的延伸单元170c的一部分。第一 扫描线可以布置在延伸单元170c下面。第一扫描线240可以包括在第一扫 描线240的长度方向上的宽度变化部分Aw,并且宽度变化部分Aw的宽度可 以从We到Ww连续变化。
如图3A所示，如果相应的宽度变化部分包含尖端，记为参考数字的Pl 和P2(参见图2B )的位于相邻导电层交叉区的点很容易被静电释放所损坏。 然而，在本发明的实施例中，宽度变化部分Aw不包含任何可能导致静电释 放的尖锐的拐角边缘。相反，宽度变化部分Aw的宽度沿着第一扫描线240 连续地变化，以至于宽度变化部分包含弯曲的和不是90°角的拐角边缘。 因此，引起静电释放的电荷不集中在宽度变化部分Aw,从而避免或减少了 对像素的静电破坏。
宽度变化部分Aw的拐角较佳地可以具有钝角并且是圓形的。图3B是 图3A中部分D的放大图。参见图3B，角6形成于线段Ch02和线段0!03 之间，线段0"2从点O,延伸到点02，这两个点位于彼此交叉但不接触的宽度变化部分Aw的同一平面上，线段0，03从点O!延伸到点03,点03位
于第一扫描线240的长度方向上。为了避免电荷集中在第一扫描线240的边 缘，两条线段之间的角6可以小于45° 。
图3C是显示在图3A中像素的部分放大照片。参见图3C，由于穿过至 少一个相邻导电层的导电层的宽度变化部分Aw的宽度由于钝角而平滑变 化，可以避免对薄膜晶体管的导电层的静电破坏和/或相邻导电层之间的短 路电流，因此可以避免错误像素的产生。
上述的实施例是示例性的，本发明并不局限于此。也就是，上述实施例 描述了关于形成于漏电极和扫描线之间的延伸部分的导电层，但是本发明可 以适用于其它导电层。同时，本发明描述了具有五个上栅极型晶体管和两个 电容器的TFT结构，和包含TFT结构的OELD设备。然而，本发明可以进 行多种形式的修改，只要具有宽度变化部分的导电层在不穿过相邻导电层的 导电层区域连接在接线片241上。此外，连接宽度变化部分的拐角的线段和 平行于具有宽度变化部分的导电层延伸的方向的线段之间的角度可以小于 90。。本发明的原理可以不管晶体管的类型而应用于OELD设备和LCD设 备。进一步地，本发明也可以适用于具有多个彼此交叉但不接触的导电层的 电子器件。
本发明可以提供下述的一些或全部优点。首先，包括在不穿过相邻导电 层的导电层区的接线片241以及在至少一个TFT中使用本发明的接线片式 的导电层，可以避免和/或减少在制造和/或使用TFT时产生的静电对形成于 导电层之间的绝缘层的静电释放损坏。
其次，在例如包含一个TFT层的OELD的平板显示设备中，其中TFT 层包含多个导电层，接线片241是连接到不穿过相邻导电层的导电层区，接 线片241连接到至少一个具有宽度变化部分的导电层，或者连接到相邻导电 层，该相邻导电层能避免由接线片241提供的静电释放所引起的错误像素的 产生。这样的结构可以提高图像质量。
第三，包含不只一个TFT的导电层可以包含其中的穿过但是不接触相邻导电层的一部分。导电层可以包含宽度变化部分，形成这部分用以充分交 叠交叉区。宽度变化部分的宽度可以连续地变化，以便宽度变化部分的拐角 是钝角。因为没有尖锐的拐角边缘出现以集中静电电荷，所以对导电层之间 形成的绝缘层的由于静电释放的损坏可以被避免和/或减少，因此避免产品故障。
第四，在例如包含一个TFT层的OELD的平板显示设备中，具有交叉 但不接触相邻导电层的区域的导电层可以包含一个宽度变化部分。因此，通 过在宽度变化部分避免静电的集中可以减少或排除错误像素产生的可能性， 错误像素的产生是由于在生产或操作TFT过程中产生静电。这可以通过连 续地改变宽度变化部分的宽度和使其中的拐角变圆而取得。这样的结构可以 避免或减少静电电荷在宽度变化部分的产生，从而提高了图像质量。
以上参照其中的示例性实施例示出和描述了本发明，本领域技术人员应 该理解形式和细节上的各种变化都不脱离以下权利要求限定的本发明的精 神和范围。
权利要求
1、一种电子器件，包括彼此交叉但不接触的多个导电层，其中至少一个导电层包括宽度变化部分，该宽度变化部分的宽度沿着至少一个导电层的长度方向变化，和其中连接位于宽度变化部分的外部线的同一平面上的两点的线段和与至少一个导电层的长度方向平行的线段之间的夹角小于90°。
2、 根据权利要求1所述的电子器件，其中至少一个导电层是TFT的栅电 极或TFT栅电极的延伸部分。
3、 根据权利要求1所述的电子器件，其中至少一个导电层是TFT的源电 极或漏电极，或者是TFT的源电极或漏电极的延伸部分。
4、 一种TFT结构，包括 彼此交叉但不接触的多个导电层，其中至少一个导电层包括宽度变化部分，该宽度变化部分的宽度沿着至少 一个导电层的长度方向变化，和其中连接位于宽度变化部分的外部线的同 一平面上的两点的线段和与至少 一个导电层的长度方向平行的线段之间的夹角小于90° 。
5、 根据权利要求4所述的TFT结构，其中至少一个导电层是TFT的栅电 极或栅电极的延伸部分。
6、 根据权利要求4所述的TFT结构，其中至少一个导电层是TFT的源电 极或漏电极，或者是TFT的源电极或漏电极的延伸部分。
7、 一种平板显示设备，包括 基板;形成于基板上的TFT层；和包括电连接到TFT层的不只一个像素的像素层，其中TFT层包括彼此交叉但不接触的多个导电层，其中至少一个导电层包括宽度变化部分，该宽度变化部分的宽度沿着至少 一个导电层的长度方向变化，和其中连接位于宽度变化部分的外部线的同一平面上的两点的线段和与至少一个导电层的长度方向平行的线段之间的夹角小于90° 。
8、 根据权利要求7所述的平板显示设备，其中包括宽度变化部分的至少一 个导电层是栅电极。
9、 根据权利要求7所述的平板显示设备，其中包括宽度变化部分的至少一 个导电层是源电极或漏电极。
10、 根据权利要求7所述的平板显示设备，其中像素层包括 第一电极；形成于第一电极上的电致发光单元；和形成于电致发光单元上的第二电极。
11、 根据权利要求7所述的平板显示设备，进一步包括形成于TFT层之上 的至少一个绝缘层，其中像素层的像素通过形成于至少一个绝缘层的接触孔电 连接到TFT层。
12、 一种电子器件，包括 彼此交叉但不接触的多个导电层，其中至少一个导电层包括剖面面积沿着至少一个导电层的长度方向变化的 部分；和其中连接位于剖面面积变化的部分的外部线的同 一平面上的两点的线段和 与至少一个导电层的长度方向平行的线段之间的夹角小于90° 。
13、 根据权利要求12所述的电子器件，其中至少一个导电层是TFT的栅 电极或TFT栅电极的延伸部分。
14、 根据权利要求12所述的电子器件，其中至少一个导电层是TFT的源 电极或漏电极，或者是TFT源电极或漏电极的延伸部分。
15、 一种TFT结构，包括 彼此交叉但不接触的多个导电层，其中至少一个导电层包括剖面面积沿着至少一个导电层的长度方向变化的部分；和其中连接位于剖面面积变化的部分的外部线的同 一平面上的两点的线段和 与至少一个导电层的长度方向平行的线段之间的夹角小于90° 。
16、 根据权利要求15所述的TFT结构，其中至少一个导电层是TFT的栅 电极或TFT栅电极的延伸部分。
17、 根据权利要求15所述的TFT结构，其中至少一个导电层是TFT的源 电极或漏电极，或者是TFT源电极或漏电极的延伸部分。
18、 一种平板显示设备，包括 基板；形成于基板上的TFT层；和包括电连接到TFT层的多于一个像素的像素层，其中TFT层包括彼此交叉但不接触的多个导电层，其中至少一个导电层包括剖面面积沿着至少一个导电层的长度方向变化的 部分，和其中连接位于剖面面积变化的部分的外部线的同一平面上的两点的线段和 与至少一个导电层的长度方向平行的线段之间的夹角小于90° 。
19、 根据权利要求18所述的平板显示设备，其中包含剖面面积变化的部分 的至少一个导电层是栅电极。
20、 根据权利要求18所述的平板显示设备，其中包含剖面面积变化的部分 的至少 一个导电层是源电极或漏电极。
21、 根据权利要求18所述的平板显示设备，其中像素层包括 第一电极；形成于第一电极之上的电致发光单元；和 形成于电致发光单元之上的第二电极。
22、 根据权利要求18所述的平板显示设备，进一步包括形成于TFT层之 上的至少一个绝缘层，其中像素层的像素通过形成于至少一个绝缘层的接触孔 电连接到TFT层。
全文摘要
本发明涉及电子器件、薄膜晶体管结构和具有该结构的平板显示器。本发明提供了一种电子器件，用以避免或减少引起像素故障的静电释放。根据本发明原理制造的电子器件可以包含多个导电层以及接线片，多个导电层彼此交叉但不接触，其中至少一个导电层包含宽度变化部分，宽度变化部分的宽度沿着至少其中一个导电层的长度方向变化，接线片在不与相邻导电层交叉的区域连接到至少一个导电层上。可替代地，宽度变化部分的宽度可以沿着至少一个导电层的长度方向连续变化，并且也可以具有钝的拐角边缘。本发明还提供了包含这种电子器件的平板有机电致发光显示器(OELD)或LCD显示设备。
文档编号H01L29/41GK101414620SQ20081017556
公开日2009年4月22日 申请日期2005年6月30日 优先权日2004年6月30日
发明者李树美, 李正鲁, 李美真, 申奉周, 金恩雅 申请人:三星移动显示器株式会社