引线框架及其制造方法和受光发光装置的制作方法

专利名称：引线框架及其制造方法和受光发光装置的制作方法
引线框架及其制造方法和受光发光装置
技术区域
本发明涉及引线框架及其制造方法和受光发光装置。本发明特别涉及在长 期使用后也能维持特性的引线框架及其制造方法和受光发光装置。
背景技术：
作为以往的半导体器件中使用的引线框架，曾提出过一种引线框架的技术 方案，即，在被封装包围的区域的一部分的最表层形成作为反射区域的银膜， 同时，在除了已形成银膜的区域之外的区域的最表层形成金或金合金膜(例如
参见日本专利第3940124号公报)。在该专利公报记载的引线框架中，例如， 在该引线框架上搭载发光元件的场合，形成了银膜的区域将从发光元件发射到 引线框架侧的光高效率地反射到引线框架的外侧，因此能够提高发光效率。

发明内容
但是，在该专利乂>|艮中记载的引线框架，其《艮膜露出到外部，在搭载元件 之前银就发生硫化和/或氧化，银膜的反射率低下。另外，在该专利公报中记 载的引线框架中，即使在搭载了发光元件之后用树脂将封装内密封的情况下， 经过长时间(例如1年左右)的使用，由于透过树脂的硫成分和/或氧的作用， 银膜发生硫化/或氧化，银膜的反射率大幅度地降低，这样的问题已为人们所 公知。
因此，本发明的目的在于，提供即使在长期使用的情况下也能够抑制特性 劣化的引线框架及其制造方法和受光发光装置。
为了达到上述目的，本发明提供了一种引线框架，该引线框架具有基体 材料；在基体材料的一部分上形成的反射层；以及，至少设置在反射层上并覆 盖反射层的特性维持层，该特性维持层将反射层与外部隔绝，从而维持反射层 的特性。
另外，本发明优选的是，上述的引线框架，其反射层具有对规定波长的光 显示规定的反射率的特性，其特性维持层在防止反射层的反射率降低的同时，能透过来自外部的被反射层反射的光。而且，本发明还可以是，反射层含有
Ag而形成，特性维持层由无机类材料形成。再有，无机类材料可以是氟类材 料或者硅类材料。
另外，本发明还可以是，反射层含有Ag而形成，特性维持层由有机类 材料形成。而且，有机类材料可以是三唑类材料或者硫醇类材料。另外，本发 明还可以是，反射层含有Ag而形成，特性维持层由Au薄膜形成。
另外，本发明还可以是，特性维持层按以下所述形成，即，在该引线框架 上搭载半导体元件的工序中，通过由构成反射层的Ag和构成Au薄膜的Au 的相互扩散而产生的合金化，形成和反射层一体化的厚度。或者，特性维持层 也可以含有Au薄膜和在Au薄膜与反射层之间形成的合金层而形成。
再有，本发明还可以是，特性维持层具有与半导体元件接触的元件搭载区 域和在元件搭载区域的外侧形成的外部区域，元件搭载区域与反射层上的一部 分对应而形成。另外，还可以是，特性维持层的元件搭载区域和外部区域形成 为一体，或者，特性维持层的元件搭载区域和外部区域各自独立地形成。
另外，为了达到上述目的，本发明提供了一种引线框架的制造方法，该方 法具有下述工序在基体材料的一部分上形成反射层的工序；以及，形成特性 维持层的工序，该特性维持层至少设置在反射层上并覆盖反射层，通过将反射 层与外部隔绝而维持反射层的特性。
另外，为了达到上述目的，本发明提供了一种受光发光装置，该受光发光 装置具备具有形成了反射层的元件搭载区域的引线框架；搭载在元件搭载区 域的受光发光元件；以及，将受光发光元件密封的密封构件。
发明效果
采用本发明的引线框架，即使在长期使用的情况下也能够抑制特性的劣 化，采用本发明的引线框架的制造方法，可以制造即使在长期使用的情况下也 能够抑制特性劣化的引线框架。另外，能够提供使用本发明的引线框架的受光 发光装置。


图l是第1实施方式的引线框架的断面图。
图2 (a)是第1实施方式的引线框架的上面的概要图，(b)是第1实施方式的引线框架的侧面的概要图，(C)是在第1实施方式的引线框架上搭栽了 半导体元件的状态的侧面的概要图。
图3 (a)是第1实施方式的改形例的特性维持层和反射层接触状态的界 面的放大图，(b)是第1实施方式的改形例的特性维持层和反射层形成合金化 的状态的放大图。
图4是第2实施方式的引线框架的断面图。
图5是第3实施方式的引线框架的断面图。
图6是第4实施方式的引线框架的断面图。
图7是改形例的引线框架的俯^见图。
符号说明
1、 la、 lb、 lc、ld引线框架
10基体材料
20金属层
22 阻挡层
24 粘附层
30反射层
40、 42、 44、 46、48特性维持层
術、42a、 44a、46a、48a 元件^^载区域
40b、 42b、杨、46b、48b外部区域
40c、 42c、 44c、46c、48d 连接区域
50反射器
55封固树脂
60 半导体元件
65 金属线
70 —体化层
具体实施例方式
第1实施方式
图l表示本发明的第1实施方式的引线框架的断面图。 <引线框架1的构成>本发明的第1实施方式的引线框架1具有由引线框架用的原材料形成的 基体材料IO、在基体材料10的表面上形成的金属层20、在金属层20的表面 的一部分上形成的反射层30、以及在反射层30上和未形成反射层30的金属 层20上形成的特性维持层40。另外，本实施方式的金属层20具有在基体 材料10的表面上形成的阻挡层22、在阻挡层22与反射层30及特性维持层40 之间形成的附着层24。再有，特性维持层40具有搭载半导体元件的元件搭 栽区域40a、在元件搭载区域40a的外侧形成的外部区域40b、和利用金属线 与半导体元件电连接的区域40c。再者，在用虚线表示的区域设置有反射器50。
基体材料10由作为搭载发光元件等的半导体元件的引线框架用的原材料 的薄板形成。基体材料10，例如通过对由金属材料构成的薄板进行冲压加工 或腐蚀加工而形成，作为一例，加工成0.1mm至l.Omm的厚度。构成基体材 料10的金属材料，由具有规定的导热率和规定的导电率的金属材料形成，作 为一例，由铜或者铜合金形成。另外，基体材料10也可以含有铁等而形成。 再者，发光元件，作为一例，是在包括紫外线至红外线领域的波长中发出规定 的波长范围的光的发光二极管(Light Emitting Diode: LED )。另外，半导体元 件也可以是对于规定波长的光具有受光敏感性的受光元件。
阻挡层22是在基体材料10的表面上形成，具有作为基底层规定的厚度。 阻挡层22覆盖了基体材料10的大致全部表面。阻挡层22抑制或者防止构成 基体材料10的元素传播到阻挡层22的与基体材料IO接触的表面的相反一侧 的表面方向。阻挡层22,例如含有镍(Ni)而形成。具体地说，阻挡层22是 通过镀镍在基体材料10上形成的镀镍层，作为一个例子，形成O.l(im至2.0pm 的厚度。
粘附层24是在阻挡层22的表面上形成，具有规定的厚度。粘附层24覆 盖了阻挡层22的大致全部表面。粘附层24由具有良好耐蚀性并具有化学稳定 性的金属材料形成，作为一个例子，含有钯(Pd)而形成。具体地说，粘附层 24是通过在阻挡层22上实施镀钯而形成的镀钯层。作为一个例子，粘附层24 形成0.01|um至0.5)Lim的厚度。
反射层30在粘附层24的表面的一部分上形成，是以规定的反射率反射规 定波长范围的光的金属层。反射层30在搭载半导体元件的一侧，至少包含搭栽半导体元件的区域，在与包含从半导体元件发出的光的照射范围的至少 一部 分相对应的区域形成。具体地说，在将搭载半导体元件的引线框架1的面规定 为正面、将搭载半导体元件的表面的相反一侧的表面规定为背面的情况下，反
射层30在与元件搭载区域40a和连接区域40c对应的表面的一部分以及将在 引线框架1的大致中央附近形成的元件搭载区域40a和连接区域40c分离的离 间部分的端面上形成。但是，不一定必须在端面形成反射层30。即，本实施 方式的反射层30,只要至少在与元件搭载区域40a和连接区域40c对应的表 面的一部分上形成即可。
本实施方式的反射层30,由对于作为半导体元件的发光元件发出的光的 波长显示良好的反射率的材料形成。例如，反射层.30由对于紫外和蓝色区域 的波长的光显示高反射率的金属材料形成。具体地说，反射层30含有对波长 400nm至800nm的光显示大约95 %以上的反射率的Ag。更具体地说，反射层 30是通过在粘附层24的一部分上电镀而形成的镀银层，例如，形成0.5jum至 20pm的厚度。再者，作为反射层30而形成的镀银层，可以作为光亮镀银层或 无光亮镀银层，或者作为具有规定的致密度的Ag层而形成。
特性维持层40，至少在反射层30上以规定的膜厚覆盖反射层30而设置。 特性维持层40覆盖了反射层30，防止反射层30与外部直接接触。而且，由 于特性维持层40覆盖了反射层30，将反射层30与外部隔绝，从而维持反射 层30所显示的特性。即，由于特性维持层40阻止大气等外部或者大气中等包 含的硫成分或者氧与反射层30接触，防止了反射层30因硫化或氧化而变质。
具体地说，本实施方式的特性维持层40防止反射层30的反射率降低。另 外，特性维持层40能透过反射层30所反射的光，或者至少不吸收反射层30 反射的波长的光的大部分，使这些光传播。即，特性维持层40由对于反射层 30反射的光基本上透明的材料形成，或者以对于反射层30反射的光基本上透 明的厚度形成。再者，特性维持层40防止反射层30与外部接触，因此能够防 止反射层30的机械强度、导热率和导电率等特性发生变化。
作为一个例子，第1实施方式的特性维持层40是由金(Au)或Au合金 形成的金属层。具体地说，特性维持层40是镀金层，优选的是作为金薄膜的 金薄镀层。作为特性维持层40的金薄镀层，为了使反射层30所反射的光实质上透过，按照反射层30反射的光的波长的1/10以下程度的厚度形成。例如， 在反射层30反射紫外区域至蓝色区域(或者蓝绿色区域)的光的场合，作为 特性维持层40的金薄镀层按0.0001iLim至0.05fim的厚度形成。再者，作为特 性维持层40的金薄镀层的厚度，可以根据反射层30应当反射的光的波长来决 定。
元件搭载区域40a是引线框架1的表面一侧的特性维持层40的一部分区 域，是搭载半导体元件的区域。具体地说，元件搭载区域40a在引线框架1的 表面的一部分上形成，在反射层30上形成的特性维持层40中，是包含搭载半 导体元件的区域，是至少比半导体元件与特性维持层40接触的区域更宽广的 区域。另外，接触区域40c是引线框架1的表面侧的特性维持层40的一部分 区域，是为半导体元件供给电力的金属线的一端电连接的区域。再有，外部区 域40b是引线框架1的表面侧的特性维持层40的一部分区域，是在元件搭载 区域40a和连接区域40c的外侧形成的区域。这里，在第1实施方式中，元件 搭载区域40a和外部区域40b以及连接区域40c形成为 一体。
再者，作为本实施方式的改形例的特性维持层40的金薄镀层，在该金薄
镀层与构成反射层30的Ag发生固相反应的场合，金薄镀层也可以形成与反
射层30—体化的厚度。例如，在该引线框架1上搭载半导体元件的工序中，
对该引线框架1进行规定的热处理(例如230。C、 30分钟左右)时，构成金薄
镀层的Au向构成反射层30的Ag中固相扩散。这样一来，金薄镀层的Au就
与Ag发生合金化。考虑到该固相扩散，金薄镀层的Au与反射层30的Ag发
生合金化，也可以形成金薄镀层，达到金薄镀层与反射层30—体化的厚度。
即，通过金薄镀层与反射层30的Ag的合金化，也可以形成具有作为金薄镀 层单体不能确认的程度的厚度的金薄镀层。
再有，作为本实施方式的另外的变形例的特性维持层40的金薄镀层，也 可以在金薄镀层与反射层30的界面处包含含有Au和Ag的合金层。即，也可 以在金薄镀层与反射层30的界面处形成金薄镀层的一部分与反射层30的一部 分发生合金化而形成的合金层。
图1中用虛线表示的反射器50,在搭载半导体元件的一侧(反射器50的 表面侧)具有凹部，同时，在反射器50的背面侧具有底部。反射器50由具有规定的耐热性和规定的机械强度的绝缘性树脂材料或陶资材料或者它们的复
合材料形成。在反射器50由树脂材料形成的情况下，反射器50可以通过树脂 成形来形成。
图2 (a)表示本发明的第1实施方式的引线框架的上面的概况，(b)表 示第i实施方式的引线框架的侧面的概况，另外，(c)表示在第1实施方式的 引线框架上搭载了半导体元件的状态的侧面的概况。
参照图2 (a)和(b)，本实施方式的引线框架1具有比连接区域40c更 宽的元件搭载区域40a。另外，在本实施方式的改形例中，也可以按照元件搭 载区域40a的面积和连接区域40c的面积大致相同来形成元件搭载区域40a和 连接区域40c。在本实施方式中，从俯^见来看，元件^荅载区域40a和连"t妻区域 40c大致形成矩形。再者，在本实施方式的改形例中，元件^搭载区域40a和连 接区域40c也可以形成大致多边形，或者也可以在一部分具有规定的曲率的圆 弧而形成。
而且，如图2 (c)所示，在使用引线框架1制造发光装置时，在元件搭 载区域40a上搭载LED等半导体元件60。例如，使用Ag糊等导电性粘合剂 或者AuSn等合金材料，将半导体元件60固定在引线框架1的元件搭载区域 40a上。然后，半导体元件60的上面电极和连接区域40c，通过由金线等金属 材料构成的金属线65进行电连接。在第1实施方式中，特性维持层40由金薄 镀层形成，因此，与将半导体元件60直接结合在反射层30上相比，半导体元 件60的结合特性提高。
再有，在反射器50的凹部填充用来密封半导体元件60和金属线65的树 脂密封材料。通过进行规定的热处理，使该树脂密封材料固化。再者，作为一 个例子，树脂密封材料使用环氧树脂或者硅树脂等密封树脂55。再有，在密 封树脂55中，也可以添加和分散将半导体元件60发出的光转换成不同波长的 光的规定的荧光体。所述的荧光体，可以使用氧化物系荧光体或氮化物系荧光 体。例如，如果利用蓝色区域波长的光进行激励，在密封树脂55中就可以添 加在黄色区域具有峰值波长的发出黄色光的黄色荧光体(例如YAG荧光体)。 另外，代替密封树脂55,也可以使用低熔点玻璃材料。
图3 (a)表示本发明的第1实施方式的改形例的特性维持层和反射层接触状态的界面的放大图，(b)表示本发明的第1实施方式的改形例的特性维持 层与反射层发生合金化的状态的放大图。
首先，如图3 (a)所示，在反射层30上形成了作为特性维持层40的金 薄镀层的状态，在反射层30上独立地形成特性维持层40。即，反射层30呈 现Ag的性质，同时，特性维持层40呈现Au的性质。再者，在图3 (a)中， 将特性维持层40的厚度表示为t。
反射层30由Ag形成，特性维持层40由Au形成。Ag向Au中固相扩散 的速度非常快，就好象在Ag镀层上引线结合Au线那样，在几秒钟就完成了。 因此，在规定的温度下对特性维持层40和反射层30接触状态的引线框架1 实施规定时间的热处理时，由于Au和Ag的相互扩散而引起的Au与Ag的合 金化，特性维持层40就与反射层30接合到一起(固相扩散接合)。
第1实施方式的改形例的特性维持层40,通过Au和Ag的相互扩散，至 少与反射层30接触的特性维持层40与反射层30形成一体化，成为一体化层 70的厚度。这样，如图3 (b)所示，反射层30和特性维持层40发生合金化， 形成一体化的一体化层70。与反射层30相比，该一体化层70对外部的物质 例如空气中的硫成分、水分和/或氧等的耐性强。另外， 一体化层70的特性(例 如反射率)与反射层30显示的特性大致相同。再有，半导体元件与一体化层 70的结合特性也比与反射层30的结合特性提高。
在第1实施方式的改形例中，按以下所述设定金薄镀层的厚度。首先，在 引线框架1上搭载半导体元件60时，设定使用AuSn等软钎料连接半导体元 件60的背面和元件搭载区域40a的场合的热处理时的热处理条件(热处理温 度和时间)。然后，通过实验求出在采用设定的热处理条件进行热处理后金薄 镀层消失的厚度t。这样，设定由于Au和Ag的相互扩散引起的合金化、金薄 镀层消失的厚度t。
第1实施方式的效果
采用本发明的第1实施方式的引线框架1，由于在反射层30上覆盖了特 性维持层40，可以防止反射层30与外部接触。这样，可以防止反射层30与 外部的物质(例如外部空气中包含的硫成分和氧)接触，从而可以防止反射层 30发生硫化和/或氧化。这样一来，本实施方式的引线框架1，即使经过长期使用，也能防止反射层30的特性发生劣化。
另外，采用本发明的第1实施方式的引线框架1，由于在反射层30上覆 盖了由含Au的材料形成的特性维持层40,可以提高半导体元件60的结合特 性。再有，采用本发明的第1实施方式的引线框架1，由于在半导体元件60 中产生的热通过特性维持层40传播、释放到外部，因此耐热特性提高。
另外，采用第1实施方式的改形例的引线框架，由于反射层30由Ag构 成，与反射层30接触的特性维持层40由金薄镀层(Au薄膜)构成，通过使 反射层30和至少与反射层30接触的特性维持层40合金化而形成一体化。这 样，即使在反射层30与外部物质接触的场合，也能够防止反射层30的特性发 生劣化。
第2实施方式
图4表示本发明的第2实施方式的引线框架的断面图。 本发明的第2实施方式的引线框架la,除了特性维持层42的构成不同外， 具有与第1实施方式的引线框架1大致相同的构成。因此，除了不同点之外，
详细的说明;故省略。
<元件搭载区域42a和连接区域42c的构成>
第2实施方式的引线框架la，具有至少在反射层30上覆盖反射层30而 设置的特性维持层42,特性维持层42的元件搭载区域42a和连接区域42c与 外部区域42b分別由不同的材料形成。具体地说，第2实施方式的元件搭载区 域42a和连接区域42c分别由对紫外区域至近红外区域的波长的光实质上透明 的无机类材料或有机类材料形成。在第2实施方式中，元件搭载区域42a和连 接区域42c与外部区域42b是各自独立地形成，不过，在第2实施方式的改 形例中，也可以一体地形成元件搭载区域42a和连接区域42c及外部区域42b。 在此情况下，元件搭载区域42a和连接区域42c及外部区域42b由完全相同的 材料形成。
更具体地说，元件搭载区域42a和连接区域42c分别由作为无机类材料的 氟系材料或者硅系材料形成。作为氟系材料，可以举出氟系表面活性剂或者氟 树脂等有机氟化物(具有全氟基的化合物)。作为氟系表面活性剂，例如可以 使用住友只卩-工厶抹式会社制造的<乂《、7々>EGC- 1720 (<乂《7夕>是
12注册商标)。作为有机氟化合物，例如可以使用作为有才几氟化合物的Rl - OCH2 -Rf- CH20 - R2 (Rl和R2:官能基(丙烯基、环氧基或者环氧丙烯基)、Rf: 全氟基)。
另外，作为硅系材料，可以使用硅树脂。具体地说，可以使用分子末端用 烷氧基曱硅烷基(ESi-OR， R:有机取代.基)封锁的烷氧基低聚物经过水解 缩合而固化的硅树脂。其中，有机取代基包括选自曱基、苯基、环氧基和巯基 中的至少一种。再者，在想要使用不吸收紫外区域波长的光的硅树时，优选的 是取代基为甲基。
另外，作为硅系材料，也可以使用有效成分中的硅树脂性分量为50%以 上、基本上不含有机溶剂并且分子末端是硅烷醇基的丙烯基硅乳液。再有，作 为硅系材料，也可以使用具有规定的折射率、作为光学树脂使用的硅树脂系材 料。例如，可以使用折射率1.3至1.4的硅树脂。另外，作为光学树脂使用的 硅树脂，可以采用溶胶-凝胶法形成。
另一方面，作为有机系材料，使用通过与构成反射层30的Ag发生螯合 反应等而形成有机覆膜的材料。具体地说，作为有机系材料，可以使用作为由 化学式CH3 ( CH2) nSH表示的硫醇系材料的脂肪族硫醇(烷基硫醇，n = 12 ~ 20)，或者，选自5 -甲基.1H-苯并三唑和/或5， 6-二曱基.1H-苯并三唑 的作为三唑系材:扦的苯并三唑4汙生物。
<元件搭载区域42a和连接区域42c的制造方法>
例如，将氟系材料溶解于有机溶剂中，将含有氟系材料的有机溶剂分别涂 布在元件搭载区域42a和连接区域42c上，然后除去有机溶剂，即可形成本实 施方式的特性维持层42的元件搭载区域42a和连接区域42c。具体地说，可 按以下所述形成本实施方式的元件搭载区域42a和连接区域42c。在此，作为 一个例子，叙述使用氟系材料形成元件搭载区域42a和连接区域42c的情况。
首先，在基体材料10的表面上形成阻挡层22和粘附层24。然后，在粘 附层24的一部分上形成反射层30。接着，在除了反射层30上以外的区域， 形成例如由金薄镀层构成的特性维持层42(外部区域42b),制备引线框架(引 线框架制备工序)。然后，使用丙酮和/或异丙醇等有机溶剂进行超声波清洗(清 洗工序)。清洗后，将该引线框架在100。C左右加热干燥3分钟至5分钟左右(第l干燥工序)。
接着，在该引线框架的形成元件搭载区域42a和连接区域42c的区域，涂 布作为氟系材料的EGC - 1720 (住友X卩-工厶抹式会社制造)(涂布工序)。 然后，将在规定的区域了涂布了 EGC- 1720 (住友义卩-工厶株式会社制造) 的引线框架，在6(TC至i20。C的温度下加热干燥30分钟(第2干燥工序)。结 果，形成了膜厚5nm至10nm左右的特性维持层42 (元件搭载区域42a和连 接区域42c)。这样，形成了具备特性维持层42的引线框架la,该特性维持层 42具有由氟系材料形成的元件搭载区域42a和连接区域42c。
将这样形成的引线框架la和露出反射层的引线框架在室温下及大气中放 置315小时。结果，位于具备特性维持层42的引线框架la的元件搭载区域 42a和连接区域42c的下面的反射层30的反射率，在大气中放置之前和之后 没有发生变化。另一方面，在露出反射层的引线框架中，反射层的反射率大幅 度降低。
再者，代替在规定的区域涂布EGC- 1720的工序，也可以采用下述工序， 即，在清洗后的引线框架的形成元件搭载区域42a和连接区域42c的区域以外 形成掩蔽层，将形成了掩蔽层的引线框架浸渍在EGC- 1720中，然后以3mm 至4mm/秒的速度提升(浸涂)的工序(涂布工序)。随后，将浸涂了 EGC-1720 (住友久'J -工厶抹式会社制造)的引线框架，在60。C至120。C的温度加 热干燥30分钟，去除掩蔽层(掩蔽层去除工序)。这样，形成引线框架la。
另外，在用有机系材料形成特性维持层42的元件搭载区域42a和连接区 域42c的场合，例如在使用脂族硫醇作为特性维持层42的场合，可以采用以 下所述的制造方法。即，首先，在液体石蜡或者聚乙二醇中添加脂族硫醇。接 着，将添加了脂族^琉醇的液体石蜡或者聚乙二醇溶解在乙醇或者三氯乙烷等有 机溶剂中，制备原料溶液。然后，将该原料溶液涂布在规定的区域上，即可形 成特性维持层42。
第2实施方式的效果
本发明的第2实施方式的引线框架la，可以利用无机系材料或者有机系 材料至少将元件搭载区域40a和连接区域40c覆盖住。这样，可以防止反射层 30与外部接触，从而防止反射层30的反射率降低，同时，还可以防止反射层30的硫化和/或氧化(变色)。
另外，第2实施方式的引线框架la，可以用无机系材料或者有机系材料 覆盖住包含与反射器50接触的区域的元件搭载区域40a和连接区域40c，提 高与通过树脂成型形成的反射器50的粘附性。这样，可以提高引线框架la的 可靠性。
第3实施方式
图5表示本发明的第3实施方式的引线框架的断面图。
第3实施方式的引线框架lb ，除了特性维持层44的构成不同之外，具
有与第1实施方式的引线框架1大致相同的构成。因此，对于相同之处省略详
细i也i兌明。
<特性维持层44的构成>
第3实施方式的引线框架lb，具有至少在反射层30上覆盖反射层30而 设置的特性维持层44,特性维持层44的元件搭载区域42a和连接区域42c的 厚度及外部区域42b的厚度，各自以不同的厚度形成。具体地说，与元件搭 载区域44a和连接区域44c对应的特性维持层44的厚度，比与外部区域44b 对应的特性维持层44的厚度要薄。而且，第3实施方式的元件搭载区域44a 和连接区域44c,分别以对于从紫外区域至近红外区域的波长的光基本上透明 的厚度形成。
例如，在反射层30的表面上形成掩蔽层，对粘附层24上实施镀金，从而 在粘附层24上形成规定厚度的镀金层。接着，去除在反射层30的表面上形成 的掩蔽层。然后，在反射层30上形成金薄镀层，就可以形成本实施方式的引 线框架lb。再者，代替在反射层30上形成的金薄镀层，也可以使用在第2实 施方式中说明的无机系材料或者有机系材料，形成特性维持层44的元件搭载 区域44a和连4妄区域44c。
通过以各自的厚度形成元件搭载区域44a和连接区域44c及外部区域44b, 在元件搭载区域44a和连接区域44c可以透过M^定波长的光，同时，能够赋予 防止反射层30与外部接触的功能，并且，能够赋予外部区域44b规定的机械 强度。这样，可以提高引线框架lb的构成的自由度。
第4实施方式图6表示本发明的第4实施方式的引线框架的断面图。 第4实施方式的引线框架lc，除了特性维持层46的构成不同之外，具有
与第1实施方式的引线框架1大致相同的构成。因此，相同之处省略详细的说明。
第4实施方式的引线框架lc,具有至少在反射层30上覆盖反射层30而 设置的特性维持层46,形成特性维持层46的元件搭载区域46a的材料和形成 连接区域46c的材料，由各自不同的材料形成。至少作为元件搭载区域46a而 形成的特性维持层46，以对于从紫外区域至近红外领域的波长的光基本上透 明的厚度形成。另外，在本实施方式的变形例的引线框架lc中，形成元件招: 载区域46a的材料与形成连接区域46c的材料相同，另一方面，元件搭载区域 46a的厚度比连接区域46c的厚度要薄。
第4实施方式的元件搭载区域46a,例如是由金薄镀层形成的金薄膜。另 外，元件搭载区域46a，也可以使用第2实施方式中所述的无机系材料或者有 机系材料形成。另一方面，连接区域46c,通过镀金，作为比元件搭载区域46a 的特性维持层46厚的Au层形成。例如，在除了与元件搭载区域46a对应的 反射层30之外的反射层30和粘附层24的表面上，通过镀金形成规定厚度的 Au层，另一方面，在与元件搭载区域46a对应的反射层30的表面上，通过镀 覆金薄镀层形成Au薄膜，从而制成本实施方式的引线框架lc。
改形例
图7表示本发明的改形例的引线框架的俯视图。
改形例的引线框架ld,除了俯^L图中的形状与第1至第4实施方式的各 引线框架不同之夕卜，具有与第1至第4实施方式的引线框架中的任一个大致相 同的构成。因此，相同之处省略详细地说明。
改形例的引线框架lc，其特性维持层48具有元件搭载区域48a和多个连 接区域48c及多个外部区域48b。例如，改形例的引线框架lc,在元件搭载区 域48a上搭载多个半导体元件，同时，多个半导体元件的每个与多个连接区域 48c的每个通过金属线电连接。具体地说，在元件搭载区域48a上搭载发出红 色区域波长的光的红色LED和发出绿色区域波长的光的绿色LED以及发出蓝 色区域波长的光的蓝色LED。而且，红色LED和绿色LED及蓝色LED与多个连接区域48c中的任一个分别电连接。这样，改形例的引线框架ld可以用 来作为白色LED的引线框架。
以上说明了本发明的实施方式和改形例，但是，上面所述的实施方式和改 形例不是限定权利要求中所述的发明。另外，需要注意的是，实施方式和改形 你l中"ijf.曰月的缺;fe的纽厶的A都.； ;一玄^觫决劳曰月^^恭的辜货所必琉^
权利要求
1. 引线框架，其特征在于，该引线框架具有基体材料；在该基体材料的一部分上形成的反射层；以及，至少设置在所述反射层上并覆盖该反射层的特性维持层，该特性维持层将所述反射层与外部隔绝，从而维持所述反射层的特性。
2. 根据权利要求1所述的引线框架，其中，所述反射层具有对于规定波 长的光显示规定的反射率的上述特性，所述特性维持层防止所述反射层的所述 反射率的降低，同时，能透过所述反射层反射的来自所述外部的所述光。
3. 根据权利要求1或2所述的引线框架，其中，所述反射层含有Ag而形 成，所述特性维持层由无机系材料形成。
4. 根据权利要求3所述的引线框架，其中，所述无机系材料是氟系材料 或;圭系材料。
5. 根据权利要求1或2所述的引线框架，其中，所述反射层含有Ag而形 成，所述特性维持层由有机系材料形成。
6. 根据权利要求5所述的引线框架，其中，所述有机系材料是三唑系材 料或者疏醇系材料。
7. 根据权利要求1或2所述的引线框架，其中，所述反射层含有Ag而形 成，所述特性维持层由Au薄膜形成。
8. 根据权利要求7所述的引线框架，其中，所述的特性维持层，在该引 线框架上搭载半导体元件的工序中，通过构成所述反射层的Ag和构成所述 Au薄膜的Au的相互扩散而产生的合金化，形成为与所述反射层一体化的厚 度。
9. 根据权利要求7所述的引线框架，其中，所述特性维持层包含所述Au 薄膜以及在所述Au薄膜与所述反射层之间形成的合金层而形成。
10. 根据权利要求1~9中任一项所述的引线框架，其中，所述特性维持 层具有与半导体元件接触的元件搭载区域以及在所述元件搭载区域的外侧形成的外部区域，所述元件-搭载区域与所述反射层上的 一部分相对应而形成。
11. 根据权利要求10所述的引线框架，其中，所述特性维持层的所述元件搭载区域和所述外部区域形成为 一体。
12. 根据权利要求10所述的引线框架，其中，所述特性维持层的所述元 件搭载区域和所述外部区域各自独立地形成。
13. 引线框架的制造方法，其特征在于，该制造方法具有下列工序在基 体材料的一部分上形成反射层的工序；以及，形成特性维持层的工序，该特性 维持层至少设置在所述反射层上并覆盖所述反射层，将所述反射层与外部隔 绝，从而维持所述反射层的特性。
14. 受光发光装置，其特征在于，该装置具备下列部件具有形成了反射 层的元件搭载区域的引线框架；搭载在所述元件搭载区域上的受光发光元件； 以及，将所述受光发光元件密封的密封构件。
全文摘要
提供了在长期使用的情况下也能抑制特性劣化的引线框架及其制造方法以及受光发光装置。本发明的引线框架具有基体材料；在基体材料的一部分上形成的反射层；以及，至少设置在反射层上并覆盖反射层的特性维持层，该特性维持层将反射层与外部隔绝，从而维持反射层的特性。
文档编号H01L33/62GK101452904SQ20081018165
公开日2009年6月10日 申请日期2008年12月2日 优先权日2007年12月3日
发明者大沼雄悦, 川野边直, 御田护 申请人:日立电线精密株式会社;御田护