专利名称：半穿反式液晶显示面板的像素结构及其制作方法
技术领域：
本发明是关于一种半穿反式液晶显示面板的像素结构及其制作方法，尤
指一种使用非晶硅(amorphous silicon)薄膜晶体管且具有单液晶间隙的像素结 构，以及其制作方法。
背景技术：
液晶显示器依据照明光的来源不同，可区分为穿透式、反射式、及半穿 反式等三种。穿透式液晶显示器通常具有用来产生光线的背光源，且背光源 所产生的光线会通过液晶面板而让使用者观看到液晶显示器的画面显示。反 射式液晶显示器则于内部设置反射电极，并通过反射电极将由显示面进入液 晶显示面板的环境光反射，而被反射的光线会再穿过液晶面板，使得观看者 观看到液晶显示器的画面显示。半穿反液晶显示器则是同时具有穿透模式及 反射模式的液晶显示器，也就是说，液晶面板的各像素区域均包含有穿透区 域与反射区域，其中穿透区域是使用背光源，而反射区域则是使用环境光作 为光源。
已知半穿反式液晶显示面板可进一步区分成单液晶间隙型(single cell gap)与双液晶间隙型(dual cell gap)。单液晶间隙型半穿反式液晶显示面板的反 射区域与穿透区域具有相同的液晶间隙，然而由于反射区域的环境光与穿透 区域的背光源两者光程差不同，因此造成反射区域与穿透区域的伽玛曲线 (Gamma curve)不同，而无法兼顾反射模式与穿透模式的最佳光学效果。不同 于单液晶间隙型半穿反式液晶显示面板，双液晶间隙型半穿反式液晶显示面 板的反射区域的液晶间隙约为穿透区域的液晶间隙的一半，藉此使反射区域的环境光与穿透区域的背光源的光程差相同，在此状况下可使反射区域与穿 透区域具有一致的伽玛曲线。然而，由于双液晶间隙型半穿反式液晶显示面
板必须利用额外工艺于反射区域设置凸块(bump)调整液晶间隙，因此会增加
工艺复杂度，且生产成本也会相对增加。
发明内容
本发明的目的之一在于提供一种半穿反式液晶显示面板的像素结构，以 降低生产成本、简化工艺复杂度并兼顾反射区域与穿透区域的光学效率。
为达上述目的，本发明提供一种半穿反式液晶显示面板的像素结构，其 包括第一基板、第一层金属图案、第一介电层、第二层金属图案、第二介电 层、反射电极以及穿透电极。第一基板包括反射区域与穿透区域。第一层金 属图案设置于第一基板上，其包括栅极电极、第一金属电极、第二金属电极
与第三金属电极，其中栅极电极位于反射区域内；第一金属电极位于反射区
域内且具有第一电压；第二金属电极位于反射区域内且具有第二电压；第三
金属电极位于反射区域内。第一介电层设置于第一基板与第一层金属图案上。 第二层金属图案设置于第一介电层上，其包括源极电极与漏极电极、漏极电 极、第四金属电极与第五金属电极。源极电极与漏极电极位于反射区域内且 分别对应栅极电极的两侧。延伸电极与漏极电极电连接并延伸至部分穿透区 域。第四金属电极位于反射区域内，且第四金属电极电连接至漏极电极与第 三金属电极，其中第四金属电极与第一金属电极部分重迭并形成存储电容。 第五金属电极位于反射区域内且为浮置，其中第五金属电极与第三金属电极 部分重迭，并形成感应电容，且第五金属电极与第二金属电极部分重迭并形 成调整电容。第二介电层设置于第一介电层与第二层金属图案上。反射电极 设置于第二介电层上且位于反射区域内，且反射电极与第五金属电极电连接。 穿透电极设置于第二介电层上，且位于穿透区域内并与延伸电极电连接。 为达上述目的，本发明另提供一种制作半穿反式液晶显示面板的像素结构的方法，包括下列步骤。提供第一基板，并于第一基板上定义出反射区域 与穿透区域。于第一基板上形成第一层金属图案，其中第一层金属图案包括: 栅极电极，位于反射区域内；第一金属电极，位于该反射区域内；第二金属 电极，位于反射区域内；以及第三金属电极，位于反射区域内。于第一基板
与第一层金属图案上形成第一介电层，并于第一介电层中形成第一接触洞曝 露出部分第三金属电极。于第一介电层上形成第二层金属图案，其中第二层
金属图案包括源极电极与漏极电极，位于反射区域内且分别对应栅极电极 的两侧；延伸电极，与漏极电极电连接并延伸至部分穿透区域；第四金属电 极，位于反射区域内并电连接至漏极电极，且第四金属电极经由第一介电层 的第一接触洞电连接至第三金属电极。第四金属电极与第一金属电极部分重 迭，且第四金属电极与第一金属电极形成存储电容；第五金属电极，位于反
射区域内，其中第五金属电极与第三金属电极部分重迭，且第五金属电极与 第三金属电极形成感应电容，此外第五金属电极亦与第二金属电极部分重迭， 且第五金属电极与第二金属电极形成调整电容。于第一介电层与第二层金属 图案上形成第二介电层，并于第二介电层中形成第二接触洞曝露出部分第五 金属电极，以及形成第三接触洞曝露出部分延伸电极。于反射区域内的第二 介电层上形成反射电极，并使反射电极填入第二接触洞而与第五金属电极电 连接。于穿透区域内的第二介电层上形成穿透电极，并使穿透电极填入第三 接触洞而与漏极电极的延伸电极电连接。
本发明半穿反式液晶显示面板的像素结构因使用单液晶间隙架构，因此 具有低工艺复杂度与低生产成本的优点。此外，通过设置与反射电极适当连 接的感应电容与调整电容，可使穿透区域与反射区域具有近似的伽玛曲线， 因此可兼顾穿透区域与反射区域的光学效率。
图1至图8绘示了本发明的较佳实施例制作半穿反式液晶显示面板的像素结构的方法示意图。
图9为本实施例半穿反式液晶显示面板的像素结构的上视图。
图10为本发明的半穿反式液晶显示面板的像素结构的等效电路图。
图11绘示了半穿反式液晶显示面板的像素结构在不同液晶间隙下的穿透
率与电压的关系图。
图12绘示了本发明单液晶间隙型半穿反式液晶显示面板的像素结构的穿
透率与灰阶的关系图。
附图标号
10第一基板10R反射区域
10T穿透区域12第一层金属图案
121第一金属电极122第二金属电极
123第三金属电极12G栅极电极
14第一介电层14A第一接触洞
16非晶硅半导体层18重掺杂半导体层
20第二层金属图案20S源极电极
20D漏极电极204第四金属电极
205第五金属电极20E延伸电极
22第二介电层221无机介电层
222有机介电层22B第二接触洞
22C第三接触洞24R反射电极
26T穿透电极30第二基板
32共通电极34液晶层
50像素结构nth—gate line栅极线
mth—data line ， (m+1 乂h一data line数据线
mth—SW开关元件
具体实施例方式
请参考图1至图8。图1至图8绘示了本发明的较佳实施例制作半穿反式 液晶显示面板的像素结构的方法示意图。如图1所示，首先提供第一基板10， 并于第一基板10上定义出反射区域10R与穿透区域IOT。第一基板10是为 可容许背光穿透的透明基板，例如玻璃基板、石英基板或塑胶基板等。接着 于第一基板10上形成第一层金属层，例如铝金属层或其它导电性佳的金属层， 并利用光刻暨刻蚀技术定义第一层金属层，以于第一基板IO上形成第一层金 属图案12。第一层金属图案12包括第一金属电极121、第二金属电极122、 第三金属电极123与栅极电极12G，其中第一金属电极121、第二金属电极 122、第三金属电极123与栅极电极12G均是位于反射区域10R内。
如图2所示，随后于第一基板10与第一层金属图案12上依序形成第一 介电层14、非晶硅半导体层16与重掺杂半导体层18，并利用光刻暨刻蚀技 术图案化非晶硅半导体层16与重掺杂半导体层18，使未被去除的非晶硅半导 体层16与重掺杂半导体层18对应于栅极电极12G。
如图3所示，再利用光刻暨刻蚀技术去除部分第一介电层14，以于第一 介电层14中形成第一接触洞14A，曝露出部分第三金属电极123。
如图4所示，随后于第一介电层14上形成第二层金属层，例如铝金属层 或其它导电性佳的金属层，并利用光刻暨刻蚀技术定义第二层金属层，以形 成第二层金属图案20。第二层金属图案20包括源极电极20S、漏极电极20D、 延伸电极20E、第四金属电极204与第五金属电极205。接着再刻蚀掉源极电 极20S与漏极电极20D之间曝露出的重掺杂半导体层18。源极电极20S与漏 极电极20D是位于反射区域10R内且分别对应栅极电极12G的两侧，延伸电 极20E是与漏极电极20D电连接，并延伸至部分的穿透区IOT。第四金属电 极204是位于反射区域10R内并电连接至漏极电极20D，且第四金属电极204 经由第一介电层14的第一接触洞14电连接至第三金属电极123。第五金属电极205位于反射区10R内，且第五金属电极205与第三金属电极123部分重 迭。
如图5所示，随后于第一介电层14与第二层金属图案20上形成第二介 电层22。在本实施例中，第二介电层22是为无机材质与有机材质所构成的复 合结构，但并不以此为限而可为单层结构或其它材料构成的复合结构。在本 实施例中，形成第二介电层22的步骤包括先于第一介电层14与第二层金属 图案20上形成无机介电层221 ，以及于无机介电层221上形成有机介电层222。 随后，利用曝光、显影与刻蚀技术，于第二介电层22中形成第二接触洞22B 与第三接触洞22C，其中第二接触洞22B曝露出部分第五金属电极205，而第 三接触洞22C曝露出部分延伸电极20E。另外，为了提升后续形成的反射电 极的散射效果，于形成有机介电层222时较佳可使反射区域10R的有机介电 层222形成起伏表面。
如图6所示，于有机介电层222上形成金属层，例如铝金属层，并利用 光刻暨刻蚀技术图案化金属层，以于反射区域10R内的有机介电层222上形 成反射电极24R，并使反射电极24R填入第二接触洞22B而与第五金属电极 205电连接。如前所述，由于有机介电层222具有起伏表面，因此形成于有机 介电层222上的反射电极24R亦可具有起伏表面，藉此增加散射效果。
如图7所示，于有机介电层222上形成透明导电层，例如氧化铟锡层， 并利用光刻暨刻蚀技术图案化透明导电层，以于穿透区域10T内的有机介电 层222上形成穿透电极26T，并使穿透电极26T填入第三接触洞22C而与延 伸电极20E电连接，藉此穿透电极26T可接受漏极电极20D的信号。在本实 施例中，形成反射电极24R与穿透电极26T的步骤并无先后限制，而可相互 调换。另外，于形成反射电极24R与穿透电极26T的步骤后，可继续进行配 向膜等液晶显示面板的必要工艺，在此不多加赘述。
如图8所示，提供第二基板30，并于第二基板30上形成共通电极32， 以及黑色遮光层(图未示)、彩色滤光片(图未示)与配向膜(图未示)等元件。随后将第二基板30与第一基板10接合而使第一基板10与第二基板30相对设 置，并于第一基板10与第二基板30之间形成液晶层34，即形成本实施例半 穿反式液晶显示面板的像素结构50。
请再参考图9，并一并参考图8。图9为本实施例半穿反式液晶显示面板 的像素结构的上视图，图8为本实施例半穿反式液晶显示面板的像素结构的 剖面示意图，其中图8的像素结构的反射区IOR为沿图9的切线A-A'的剖面 示意图，而图8的像素结构的穿透区10R则为沿图9的切线B-B'的剖面示意 图。如图8与图9所示，第二层金属图案20的第四金属电极204与第一层金 属图案12的第一金属电极121部分重迭，藉此第四金属电极204、第一金属 电极121与其间的第一介电层14形成存储电容Cst。此外，第五金属电极205 与第一层金属图案12的第三金属电极123部分重迭，藉此第五金属电极205、 第三金属电极123与其间的第一介电层14形成感应电容Cc，且第五金属电极 205亦与第二金属电极122部分重迭，藉此第五金属电极205、第二金属电极 122与其间的第一介电层14形成调整电容C2。再者，穿透电极26T、共通电 极32与其间的液晶层34形成第一液晶电容CLd，而反射电极24R、共通电 极32与其间的液晶层34则形成第二液晶电容Qx2。另外，在本实施例中， 共通电极32与第一层金属图案12的第一金属电极121均具有第一电压Ve。ml， 第一层金属图案12的第二金属电极122则具有第二电压Ve。M，而第二层金属 图案20的第五金属电极205并未与任何电压源连接而为浮置(floating)。
本实施例的半穿反式液晶显示面板是使用单液晶间隙设计，但通过设置 与反射电极24R依照上述方式连接的感应电容Cc与调整电容C2的作法，在 不需增加额外工艺形成双液晶间隙的情况下，即可使穿透区域10T与反射区 域IOR具有相似的伽码曲线，故具有简化工艺的优点。此外，相较于低温多 晶硅薄膜晶体管，本实施例的半穿反式液晶显示面板使用工艺简单的非晶硅 薄膜晶体管，更可进一步提升产能与良品率。下文将配合图式针对本发明半 穿反式液晶显示面板的像素结构的电路设计进行详细说明。请参考图IO，并配合参图8与图9。图IO为本发明的半穿反式液晶显示 面板的像素结构的等效电路图。如图IO所示，各像素结构50包括第一液晶 电容ClC1、存储电容Cst、感应电容Cc、调整电容C2，以及第二液晶电容Cu:2， 其中第一液晶电容Q^是由穿透电极26T、共通电极32与其间的液晶层34 所构成；存储电容Ca是由第四金属电极204、第一金属电极121与其间的第 一介电层14所构成；感应电容Cc是由第五金属电极205、第三金属电极123 与其间的第一介电层14所构成；调整电容C2是由第五金属电极205、第二金 属电极122与其间的第一介电层14所构成；第二液晶电容Qx2则是由反射电 极24R、共通电极32与其间的液晶层34所构成。第一液晶电容ClC1的穿透 电极26T是与开关元件mth—SW的漏极电极电连接，而在本实施例中，开关元 件mt^SW是以非晶硅薄膜晶体管加以实现，并可接收由数据线mth—data line
传来的电压，而共通电极32则具有第一电压Ve。mi;存储电容C^的第四金属
电极204是与开关元件mth—SW的漏极电极电连接，并接收由数据线mth一data line传来的电压，而第一金属电极121则具有第一电压Ve。mn感应电容Cc的 第三金属电极123亦是与开关元件mth一SW的漏极电极电连接，并接收由数据 线mth—data line传来的电压，而第五金属电极205则为浮置；调整电容C2的
第五金属电极205为浮置，而第二金属电极122则具有第二电压Ve。m2;第二
液晶电容Cu:2的反射电极24R是与第五金属电极205电连接而亦为浮置，而 共通电极32则具有第一电压Ve。ml。
由上述可知，用来驱动穿透区域10T的第一液晶电容ClC1的穿透电极26T 是直接与开关元件mth—SW的漏极电极电连接而接受数据线mth—data line的信 号控制，但用来控制反射区域10R的第二液晶电容CLC2的反射电极24R并 未直接与开关元件mth—SW的漏极电极电连接，而是与感应电容Cc以及调整 电容C2的第五金属电极205电连接，藉此使反射电极24R的电压不同于穿透 电极26T的电压，进而使反射区域IOR与穿透区域10T的伽玛曲线达到一致。
根据克希荷夫电流定律(Kirchhoff s Current Law),本实施例半穿反式液晶显示面板的像素结构的反射区域10R的第二液晶电容C^2的电压Vcu;2可以 下列关系式表示
换言之，通过设置感应电容Cc以及调整电容C2，并调整感应电容Cc、调整
电容C2与第二液晶电容ClC2的比例关系，即可调整第二液晶电容ClC2的电压
Vcxc2，而使得反射区域IOR与穿透区域10T的伽玛曲线达到一致。
请再参考图11。图11绘示了半穿反式液晶显示面板的像素结构在不同液 晶间隙下的穿透率或反射率与电压的关系图。在图11中，曲线l代表穿透区
域的液晶间隙为4微米的情况下穿透率(T)与电压(V)的关系；曲线2代表双液 晶间隙架构下反射区域的液晶间隙为1.8微米的情况下反射率(R)与电压(V)的 关系；曲线3代表双液晶间隙架构下反射区域的液晶间隙为2微米的情况下 反射率(R)与电压(V)的关系；曲线4代表双液晶间隙架构下反射区域的液晶间 隙为2.2微米的情况下反射率(R)与电压(V)的关系；曲线5代表单液晶间隙架 构下反射区域的液晶间隙为的情况4微米下反射率(R)与电压(V)的关系。如图 11所示，在已知单液晶间隙架构下，例如反射区域与穿透区域的液晶间隙均 为4微米的状况下，穿透区域的穿透率与电压的关系与反射区域的反射率与 电压的关系差异极大，请参考比较曲线l曲线5，举例而言，例如在穿透率以 及反射率均在最高点约0.25时，穿透区域如曲线1的电压值需要约4.2V，但 反射区域如曲线5的电压值则为约2.8V，因此在已知单液晶间隙架构下，无 法兼顾反射区域与穿透区域的光学效率。而在双液晶间隙架构下，穿透区域 的穿透率与电压的关系则与反射区域的穿透率与电压的关系相似，特别是当 反射区域的液晶间隙为穿透区域的液晶间隙的一半时，此时反射区域与穿透 区域的光程差会相等，因此穿透区域的穿透率与电压的关系则与反射区域的 穿透率与电压的关系会趋近，如曲线1与曲线3所示。
为了在不增加额外工艺制作双液晶间隙的情况下兼顾穿透模式与反射模 式的最佳光学效率，本发明于半穿反式液晶显示面板的像素结构的标准工艺中整合制作感应电容CC与调整电容C2，并通过上述连接方式调整反射区域的
伽玛曲线。请参考图12。图12绘示了本发明单液晶间隙型半穿反式液晶显示 面板的像素结构的穿透率与灰阶的关系图，其中曲线T代表穿透区域的伽玛 曲线，曲线R代表反射区域的伽玛曲线。如图12所示，在单液晶间隙架构下， 本发明半穿反式液晶显示面板的像素结构在穿透区域与反射区域具有近似的 伽玛曲线，因此可兼顾穿透区域与反射区域的光学效率。
综上所述，本发明半穿反式液晶显示面板的像素结构具有下列优点
1. 使用单液晶间隙架构，故具有低工艺复杂度与低生产成本。
2. 穿透区域与反射区域具有近似的伽玛曲线，故可兼顾穿透区域与反射 区域的光学效率。
3. 使用非晶硅薄膜晶体管工艺，具有高产能与高良品率。 以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明权利要求范围所做的均
等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。
权利要求
1.一种半穿反式液晶显示面板的像素结构，其特征在于，所述的半穿反式液晶显示面板的像素结构包括一第一基板，包括一反射区域与一穿透区域；一第一层金属图案，设置于所述第一基板上，所述第一层金属图案包括一栅极电极，位于所述反射区域内；一第一金属电极，位于所述反射区域内且具有一第一电压；一第二金属电极，位于所述反射区域内且具有一第二电压；一第三金属电极，位于所述反射区域内；一第一介电层，设置于所述第一基板与所述第一层金属图案上；一第二层金属图案，设置于所述第一介电层上，所述第二层金属图案包括一源极电极与一漏极电极，位于所述反射区域内且分别对应所述栅极电极的两侧；一延伸电极，与所述漏极电极电连接并延伸至部分所述穿透区域；一第四金属电极，位于所述反射区域内，所述第四金属电极电连接至漏极电极，且所述第四金属电极电连接至所述第三金属电极，其中所述第四金属电极与所述第一金属电极部分重迭并形成一存储电容；一第五金属电极，位于所述反射区域内，所述第五金属电极是为浮置，其中所述第五金属电极与所述第三金属电极部分重迭，并形成一感应电容，且所述第五金属电极与所述第二金属电极部分重迭并形成一调整电容；一第二介电层，设置于所述第一介电层与所述第二层金属图案上；一反射电极，设置于所述第二介电层上且位于所述反射区域内，其中所述反射电极与所述第五金属电极电连接；以及一穿透电极，设置于所述第二介电层上且位于所述穿透区域内，其中所述穿透电极与所述延伸电极电连接。
2. 如权利要求1所述的半穿反式液晶显示面板的像素结构，其特征在于， 另包括一第二基板与所述第一基板相对设置；一液晶层，设置于所述第一基板与所述第二基板之间；以及 一共通电极，设置于所述第二基板上，其中所述穿透电极与所述共通电极形成一第一液晶电容，且所述反射电极与所述共通电极形成一第二液晶电容。
3. 如权利要求2所述的半穿反式液晶显示面板的像素结构，其特征在于， 所述共通电极具有所述第一电压。
4. 如权利要求1所述的半穿反式液晶显示面板的像素结构，其特征在于， 所述第一介电层具有一第一接触洞曝露出部分所述第三金属电极，且所述第 四金属电极是经由所述第一介电层的所述第一接触洞电连接至所述第三金属 电极。
5. 如权利要求1所述的半穿反式液晶显示面板的像素结构，其特征在于， 所述第二介电层具有一第二接触洞曝露出部分所述第五金属电极，以及一第 三接触洞曝露出部分所述延伸电极，所述反射电极填入所述第二接触洞与所 述第五金属电极电连接，且所述穿透电极填入所述第三接触洞与所述延伸电 极电连接。
6. 如权利要求1所述的半穿反式液晶显示面板的像素结构，其特征在于， 所述第二介电层由下而上依序包括一无机介电层与一有机介电层。
7. 如权利要求6所述的半穿反式液晶显示面板的像素结构，其特征在于， 所述有机介电层于所述反射区域内具有一起伏表面，且设置于其上的所述反 射电极亦具有一起伏表面。
8. 如权利要求1所述的半穿反式液晶显示面板的像素结构，其特征在于， 另包括一非晶硅半导体层，位于所述第一介电层上且对应所述栅极电极。
9. 如权利要求1所述的半穿反式液晶显示面板的像素结构，其特征在于， 所述半穿反式液晶显示面板包括一单液晶间隙半穿反式液晶显示面板。
10. —种制作半穿反式液晶显示面板的像素结构的方法，其特征在于，所述方法包括提供一第一基板，并于所述第一基板上定义出一反射区域与一穿透区域;于所述第一基板上形成一第一层金属图案，所述第一层金属图案包括一栅极电极，位于所述反射区域内；一第一金属电极，位于所述反射区域内； 一第二金属电极，位于所述反射区域内； 一第三金属电极，位于所述反射区域内； 于所述第一基板与所述第一层金属图案上形成一第一介电层，并于所述 第一介电层中形成一第一接触洞曝露出部分所述第三金属电极；于所述第一介电层上形成一第二层金属图案，所述第二层金属图案包括 一源极电极与一漏极电极，位于所述反射区域内且分别对应所述栅 极电极的两侧；一延伸电极，与所述漏极电极电连接并延伸至部分所述穿透区域； 一第四金属电极，位于所述反射区域内，所述第四金属电极电连接 至所述漏极电极，且所述第四金属电极经由所述第一介电层的所述第一接触 洞电连接至所述第三金属电极，其中所述第四金属电极与所述第一金属电极 部分重迭，且所述第四金属电极与所述第一金属电极形成一存储电容；一第五金属电极，位于所述反射区域内，其中所述第五金属电极与 所述第三金属电极部分重迭，且所述第五金属电极与所述第三金属电极形成 一感应电容，而所述第五金属电极与所述第二金属电极部分重迭，且所述第 五金属电极与所述第二金属电极形成一调整电容；于所述第一介电层与所述第二层金属图案上形成一第二介电层，并于所 述第二介电层中形成一第二接触洞曝露出部分所述第五金属电极，以及一第三接触洞曝露出部分所述延伸电极；于所述反射区域内的所述第二介电层上形成一反射电极，并使所述反射 电极填入所述第二接触洞而与所述第五金属电极电连接；以及于所述穿透区域内的所述第二介电层上形成一穿透电极，并使所述穿透 电极填入所述第三接触洞而与所述延伸电极电连接。
11. 如权利要求IO所述的方法，其特征在于，形成所述第二介电层的步 骤包括于所述第一介电层与所述第二层金属图案上形成一无机介电层； 于所述无机介电层上形成一有机介电层；以及 形成所述第二接触洞与所述第三接触洞。
12. 如权利要求11所述的方法，其特征在于，另包括使所述反射区域的 所述有机介电层形成一起伏表面，藉此后续形成于所述有机介电层上的所述 反射电极亦具有一起伏表面。
13. 如权利要求10所述的方法，其特征在于，另包括于形成所述第二层 金属图案之前，先于所述第一介电层上形成一非晶硅半导体层，对应所述栅 极电极。
全文摘要
本发明提供一种半穿反式液晶显示面板的像素结构及其制作方法，其中，该半穿反式液晶显示面板的像素结构，其具有单液晶间隙架构，但通过设置与反射电极适当连接的感应电容与调整电容来调整反射电极的电压，使得穿透区域与反射区域具有一致的伽马曲线。
文档编号H01L27/12GK101408704SQ200810181560
公开日2009年4月15日 申请日期2008年11月27日 优先权日2008年11月27日
发明者林敬桓, 林祥麟, 许时嘉 申请人:友达光电股份有限公司