专利名称：像素结构的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种像素结构，特别是涉及一种薄膜晶体管液晶显示器(TFT LCD) 的像素结构。
背景技术：
薄膜晶体管液晶显示器(thin film transistor liquid crystal display, TFT-LCD)是自前最被广泛使用的一种平面显示器，它具有低功率、薄形质轻、以 及低电压驱动等优点。随着面板设计尺寸的不断增大，制作工艺的复杂度与难度 也随着尺寸的不断增加而日益升高。因此，在设计上很难兼顾制作工艺的限制以 及控制制作工艺误差对面板显示品质的影响，而它们是影响产能与良率的重要因 素。通常在液晶显示器的生产过程中，常易受到制作工序污染或静电破坏，使薄 膜晶体管异常的短路或断路，因而造成像素的点缺陷，如亮点、暗点以及辉点。
图1为现有技术的液晶显示装置的部分像素结构平面示意图。请参见图1，栅 极线11和数据线13相交处形成有像素电极15。由栅极(位于栅极线11下面，图 未示)，第一半导体电极121、源极电极131与漏极电极132组成的晶体管控制像 素电极15的充放电。漏极电极132通过接触孔14和像素电极15电性接触。此外， 该像素结构还包括由一浮接金属电极111、 一第二半导体电极122、 一源极凸起部 133和一漏极凸起部134组成的二极管。当该晶体管失效时，可采用激光修复的方 法，在修复点135处打点，这样浮接金属电极111与源极凸起部133利用熔融的 金属电连接起来，与第二半导体电极122及漏极凸起部134组成一个二极管，从 而达到修复的目的。当数据线13处于高电位时，利用二极管的正向导电特性，数 据线13的信号写入到像素电极15上；当数据线13处于低电位时，利用二极管的 反向漏电特性对像素电极15进行放电。由于二极管这种单向导通特性，因此无法 完全对像素电极15进行放电。
图2为另一种现有技术的液晶显示装置的部分像素结构平面示意图。请参见如 图2， 一栅极线21， 一半导体层22，源极电极233，漏极电极231与漏极电极232 分别位于像素电极251与像素电极252上。漏极电极231通过接触孔24和像素电极251电性接触。这样在栅极线上对称分布着两个晶体管。当像素252上的晶体 管失效时，可以利用其位于上一个栅极线上的晶体管进行修复。采用激光修复的 方法，利用熔融的金属在修复点234处将像素电极252与漏极电极232相连接。 由于修复后像素电极252的信号完全与像素电极251相同，因此显示的信号非预 定的设计值，而且采用该像素设计，增加栅极的信号延迟。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种像素结构，可以使修复后的像素正常充放 电且获得预定的目标值。
本发明为解决上述技术问题而采用的技术方案是提供一种像素结构，包括 一栅极电极层，包括一栅极线以及与该栅极线电性隔绝的第一浮接金属电极； 一栅极绝缘层，设置于所述栅极电极层上；
一半导体层，设置于所述栅极绝缘层上，包括第一半导体电极和第二半导体电
极；
一源极/漏极电极层，设置于所述半导体层上，包括一源极电极、 一漏极电极、 数据线以及第二浮接金属电极，该源极电极和该数据线相连，该漏极电极上形成 有一漏极凸起部，该数据线上形成有一源极凸起部，该第二浮接金属电极和所述 源极电极、漏极电极及数据线电性隔绝；
一栅极电极层，包括一栅极线以及与该栅极线电性隔绝的第一浮接金属电极；
其中，该源极电极与漏极电极分别与该第一半导体电极部分重叠，该源极凸起 部与漏极凸起部分别与该第二半导体电极部分重叠，该第一浮接金属电极与该第 二浮接金属电极部分重叠。
本发明对比现有技术有如下的有益效果本发明像素设计有一浮接的晶体管。当 该像素发生点缺陷时，可以利用该晶体管对其进行修复，从而使该像素正常显示。 本发明提供的像素结构可以使修复后的像素正常充放电且获得预定的目标值。
图1为现有技术的液晶显示装置的部分像素结构平面示意图。
图2为另一种现有技术的液晶显示装置的部分像素结构平面示意图。图3为本发明的部分像素结构平面示意图, 图4为图3部分放大图及修复示意图。
图中
11栅极线
15像素电极 122第二半导体电极 133源极凸起部 21栅极线 24接触孔 233漏极电极 252第二像素电极 34接触孔
321第一半导体电极 331源极电极 333源极凸起部 341第一薄膜晶体管
13数据线
111浮接金属电极
131源极电极
134漏极凸起部
22半导体层
231源极电极
234修复点
31栅极线
35像素电极
322第二半导体电极
14接触孔 121第一半导体电极 132漏极电极 135修复点 23数据线 232漏极电极 251第一像素电极 33数据线
311第一浮接金属电极
332漏极电极
334漏极凸起部 335第二浮接金属电极 342第二薄膜晶体管
具体实施例方式
下面结合附图及典型实施例对本发明作进一步说明。
图3为本发明的部分像素结构平面示意图，图4为图3部分放大图及修复示 意图。请参照图3和图4，本发明采用的薄膜晶体管阵列基板为多层结构，在基板 上依次形成有一栅极电极层、 一栅极绝缘层、 一半导体层以及一源极/漏极电极层。
栅极电极层上形成有一栅极线31与一第一浮接金属电极311，第一浮接金属 电极311与栅极线31电性隔绝。
半导体层上形成有第一半导体电极321和第二半导体电极322。
源极/漏极电极层上形成有一数据线33， 一源极电极331， 一漏极电极332以 及一第二浮接金属电极335，第二浮接金属电极335和数据线33、源极电极331、 漏极电极332电性隔绝。
其中，栅极线31和数据线33相交处形成有像素电极35，此像素的像素电极 35与漏极电极332通过一接触孔34电性连接。源极电极331与漏极电极332分别 与第一半导体电极321部分重叠，源极凸起部333与漏极凸起部334分别与第二 半导体电极322部分重叠，第一浮接金属电极311与第二浮接金属电极335部分 重叠。正常工作时，由源极电极331、第一半导体电极321以及漏极电极332形成 的第一薄膜晶体管341控制像素电极35的充放电。数据线33传送源极信号到源 极电极331，栅极线31具有一位于第一半导体电极321下方的栅极电极(图未示)， 栅极信号经由栅极线31传送到栅极电极。
当在全黑画面下检査发现此像素为一亮点时，用激光修复的方法在第二浮接 金属电极335表面上打点，如图4所示。通过修复后，栅极线31、第二浮接金属 电极335和第一浮接金属电极311电性连接起来。由源极凸起部333、半导体322 以及漏极凸起部334形成第二薄膜晶体管342。栅极电极信号可以通过第二浮接金 属电极335，到达第一浮接金属电极311，修复后由第二薄膜晶体管342控制像素 电极35的充放电，像素电极35可以获得和修复前一样的信号电压，从而达到修 复的效果。也就是说，正常情况下，由源极电极331、半导体321以及漏极电极 332形成的第一薄膜晶体管341工作，当第一薄膜晶体管341失效后，通过上述修 复方法，由源极凸起部333、第二半导体电极322以及漏极凸起部334形成的第二 薄膜晶体管342工作。
本发明的像素设置一浮接的晶体管，即第二薄膜晶体管342，当该像素发生点 缺陷时，可以利用第二薄膜晶体管342对其进行修复，从而使该像素正常显示。 本发明的像素结构可以使修复后的像素正常充放电且获得预定的目标值。
虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何本领 域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的修改和完善，因此 本发明的保护范围当以权利要求书所界定的为准。
权利要求
1.一种像素结构，包括一栅极电极层，包括一栅极线以及与该栅极线电性隔绝的第一浮接金属电极；一栅极绝缘层，设置于所述栅极电极层上；一半导体层，设置于所述栅极绝缘层上，包括第一半导体电极和第二半导体电极；一源极/漏极电极层，设置于所述半导体层上，包括一源极电极、一漏极电极、数据线以及第二浮接金属电极，该源极电极和该数据线相连，该漏极电极上形成有一漏极凸起部，该数据线上形成有一源极凸起部，该第二浮接金属电极和所述源极电极、漏极电极及数据线电性隔绝；其中，该源极电极与漏极电极分别与该第一半导体电极部分重叠，该源极凸起部与漏极凸起部分别与该第二半导体电极部分重叠，该第一浮接金属电极与该第二浮接金属电极部分重叠。
全文摘要
本发明公开了一种像素结构，包括形成在栅极电极层上的一栅极线和第一浮接金属电极；形成在半导体层上的第一半导体电极和第二半导体电极；以及形成在源极/漏极电极层上的一源极电极、一漏极电极、数据线以及第二浮接金属电极，该源极电极和该数据线相连，该数据线上形成有一源极凸起部，该漏极电极上形成有一漏极凸起部；其中，该源极凸起部与漏极凸起部分别与该第二半导体电极部分重叠，该第一浮接金属电极与该第二浮接金属电极部分重叠。本发明的像素结构可以使修复后的像素正常充放电且获得预定的目标值。
文档编号H01L27/12GK101369590SQ20081020120
公开日2009年2月18日 申请日期2008年10月15日 优先权日2008年10月15日
发明者高孝裕 申请人:上海广电光电子有限公司