用于最小化半导体衬底面板上的切口宽度的双侧衬底引脚连接的制作方法

专利名称：用于最小化半导体衬底面板上的切口宽度的双侧衬底引脚连接的制作方法
技术领域：
本发明的实施例涉及半导体裸芯(die)衬底面板，其包括在面板上相邻半导体封装外廓之间的最小切口宽度，同时确保镀覆触点的电隔离。
背景技术：
对便携式消费电子产品的需求的强劲增长驱动了对高容量存储装置的需求。非易失性半导体存储器装置，如闪存存储卡，正越来越广泛地用于满足对数字信息存储和交换的日益增长的需求。它们的便携性、多功能性和稳定性设计，以及它们的高可靠性和大容量，已经使得这样的存储器装置能够理想地用于许多种类的电子装置，包括例如数码相机、数字音乐播放器、视频游戏控制台、PDA和蜂窝电话。 尽管已知许多种类的封装配置，但闪存存储卡通常可制造为系统级封装(SiP)或多芯片模块(MCM)，其中多个裸芯被安装在衬底上。衬底通常可包括刚性介电基底，具有在各个边上蚀刻的(通常是铜或铜合金的)导电图案。在裸芯和导电图案之间形成电连接，并且导电图案提供用于裸芯和外部电子系统之间的连接的电引脚(lead)结构。 一旦形成裸芯和衬底之间的电连接，则典型地该组件包封在模塑中，以形成受保护的半导体封装。
虽然可以高精度地蚀刻铜导电图案，但铜较差的侵蚀性使得对于某些应用是不期望的。在存在潮湿、空气和氯的环境下，裸露的铜容易生锈，使得不能用于后续焊接和裸芯连接操作。类似地，某些封装，如焊盘格栅阵列(LGA)和球栅阵列(LGA)封装，包括接触插指(finger)，接触插指在封装的较低表面上形成并且暴露在封装之外以在封装和外部电子装置之间建立电连接。如果接触插指由裸铜形成，则生锈和侵蚀会随着时间损坏插指。
因而，已知在铜引脚的焊点或通孔点、以及在接触插指对铜引脚进行镀覆。已知各种镀覆工艺，用于施加电阻材料(resistive material)的薄膜，如锡、锡铅、镍、金和镍金。在一个这样的工艺中，诸如金的抗蚀剂材料可以在电镀工艺中选择性地镀到导电图案上。参照现有技术图1，电镀工艺可在衬底22上产生多个镀金引线(tail)20。镀覆引线20可在提供用于外部电连接的焊垫24、通孔26和接触插指28处终止。图1中并未标记全部的镀覆引线20、焊垫24和插指28。图1中用虚线示出的镀覆引线20和焊垫24位于衬底22的下侧。衬底22还包括镀条(plating bar) 30，用于在电镀工艺期间使得各个引线20、垫24、通孔26和插指28短接。 在进行电镀工艺时，衬底22被浸入包括水溶液中的金属离子的镀槽。向镀条30提供电流，该电流流过引线20、垫24、通孔26和插指28。当输送电流时，引线20、垫24、通孔26和插指28通电，并且在它们的表面上产生电荷。金属离子被吸引到通电并带电荷的金属区域。以此方式，可沉积出期望厚度的金或其他镀覆金属的层。 在电镀之后，移除镀条30。重要的是，移除整个镀条30。然而，由于工程公差，切割衬底并移除镀条的刀具、刳刨机或其他装置可能向上、下、左和/或右偏离期望的切割线。例如，50微米(ym)的工程公差是正常的。当移除镀条时，如果例如由于切割装置的偏移而
4残留一条或一部分镀条，如图2所示，则这可能导致某些引线被短接，例如引线20a、20b和20c，以及由此造成形成的集成电路的故障。 为防止这一点，用于移除镀条的切割刀具、刳刨机或其他装置32配有大宽度w，如现有技术图3所示。理想地，移除装置32的宽度不会比镀条宽度更大，镀条宽度例如为大约3至5密耳(mil)。然而，工程公差要求将刀具造得更宽，以确保如果移除装置32在移除镀条时向上/下或左/右偏移，则仍然移除整个镀条。例如，如果移除装置(如图3中虚线所示)从期望移除路径改变了距离A，则移除装置仍必须具有足够大的宽度以完全移除镀条。 作为移除工艺中工程公差所要求的移除装置的大宽度以及在镀条的任一侧上要求的空间的结果，必须在每个镀条周围提供相对大的切口宽度k(图1和图3)。传统的切口宽度可以是大约250iim或更大。这么大的切口宽度占据了衬底22上本来能够用于衬底电路部分的空间。 已知还在不采用镀条的非电镀工艺中镀覆衬底。在非电镀时，通过溶液中的化学还原剂而非电荷，将水溶液中的金属离子沉积到导电图案上。然而，这样的非电镀工艺有缺点，包括高费用和不能实现衬底上精确的构图。

发明内容
本发明实施例涉及半导体裸芯衬底面板，其包括在面板上相邻半导体封装外廓之
间的最小切口宽度，同时确保镀覆的电端子的电隔离。衬底面板可形成有在面板上相邻封装外廓之间的镀条。衬底面板还可包括镀覆的电端子，如焊盘和接触插指，以及将电端子电耦连到镀条的镀覆引线。 每个封装外廓可具有电端子，其在封装外廓的仅仅两侧上连接镀条。此外，取代将镀条置于相邻封装外廓之间的切口中心，镀条位于切口中的离心处。具体地，镀条更接近于镀条没有电耦连的封装外廓。镀条从其耦连到的封装外廓隔开足够的距离，以确保在切割工艺期间将镀条从其连接的镀覆引线切开。该距离可根据工程公差和其他因素而变化。
使得镀覆线仅仅在一侧上连接并且从其连接的封装外廓隔开，这提供了如下优点相邻封装外廓之间的切口宽度可具有比现有技术中已知更细的宽度。首先，因为不必移除镀条，所以切割装置的宽度无需比镀条的宽度更大。其次，因为部分镀条跨过相邻封装外廓之间的边界，所以即使切割装置的路径由于工程公差离开直线，切割将仍然切开相邻封装外廓之间的镀条以隔离电端子。 通过根据本发明减少相邻封装外廓之间边界的宽度，对于半导体封装在衬底面板上获得了附加的空间。例如，封装外廓的一部分可变为整个封装外廓。对于给定尺寸的面板即使增加单行和/或列的半导体封装也会带来半导体封装产量的巨大增长。


图1是现有技术包括多个封装外廓和传统镀条栅格的半导体裸芯衬底的俯视图。
图2是现有技术包括部分移除的镀条段的半导体裸芯衬底的一部分的俯视图。
图3是现有技术示出传统镀条移除装置所需的切口宽度的半导体裸芯衬底的一部分的俯视图。
图4是根据本发明实施例包括多个封装外廓和镀条栅格的半导体裸芯衬底的俯视图。 图5是根据本发明实施例的图4的衬底面板上的封装外廓的俯视图。 图6是利用通常依照封装外廓的切割线从面板切割的封装外廓的俯视图。 图7是利用通常不依照封装外廓的切割线从面板切割的封装外廓的俯视图。 图8是根据本发明替换实施例的封装外廓的俯视图。 图9是根据本发明实施例的用来自具有镀条的面板的衬底形成的半导体封装的横截面侧视图。 图10是利用图9的半导体封装形成的闪存的后视图。 图11是在衬底面板上形成导电图案和镀覆的流程图。
具体实施例方式
现在将参照图4至图11描述本发明的实施例，其涉及半导体裸芯衬底面板，包括在面板上相邻半导体封装外廓之间的最小切口宽度，同时确保镀覆触点的电隔离。应理解，本发明可按照许多不同形式实施，而不应解释为限于这里描述的实施例。而是，提供这些实施例使得本公开透彻和完整，并全面地将本发明传递给本领域技术人员。事实上，本发明意图覆盖如所附权利要求限定的本发明的范围和精神中所包括的这些实施例的替换、修改和等价物。另外，在本发明的以下具体描述中，阐述了一些具体细节以便提供本发明的透彻理解。然而，本领域技术人员清楚，可实践本发明而无需这样的具体细节。
首先参照图4的俯视图，示出了包括多个封装外廓102的衬底面板100。封装外廓限定了在衬底面板上形成各个半导体封装的位置。可以或可以不在衬底面板ioo上视觉辨识出封装外廓102。 衬底面板100可以由具有顶部和底部导电层的芯形成。芯可由各种介电材料形成，例如聚酰亚胺薄片、包括FR4和FR5的环氧树脂、双马来酰亚胺(bismaleimidetriazine)等。尽管不是本发明必不可少的，但芯可具有40 y m至200 y m之间的厚度，但在替代实施例中，该芯的厚度可超出此范围。在替代实施例中，该芯可以为陶瓷或有机的。
导电层可由铜或铜合金、镀覆铜或镀覆铜合金、合金42(42Fe/58Ni)、镀铜的钢或已知用于衬底上的其他金属和材料形成。层可具有大约10iim至24iim的厚度，但在替代实施例中层的厚度可超出此范围。可在已知光刻工艺中蚀刻导电层之一或两者，导电图案用于信号和功率通讯。 图5示出了来自图4的单个封装外廓102，以及所示封装外廓102内的电引脚连接的镀条116。在衬底面板100 —侧上的导电图案可包括接触插指106，用于在完成的半导体封装和外部电子装置(以LGA或BGA形式)之间建立电连接。衬底面板100 —侧或两侧上的导电图案可包括焊垫IIO，在焊垫IIO处，用于诸如半导体裸芯的表面安装组件的电触点被焊接到衬底面板。还可在衬底面板100上界定通孔112，用于衬底面板的相对表面上的导电图案之间的电通讯。衬底面板100的一侧或两侧上的导电图案还可包括在如下解释的镀覆工艺中使用的镀覆引线118。 将参照图11的流程图解释一种用于在衬底面板100上形成包括接触插指106、焊垫110、通孔112、镀条116和镀覆引线118的导电图案的工艺。在步骤150，清洁导电层的表面。然后在步骤152，在导电层的表面上方施加光致抗蚀剂膜。然后在步骤154，在光致 抗蚀剂膜上放置包含导电图案的外廓的图案掩模。光致抗蚀剂膜被曝光(步骤156)和显 影(步骤158)以从导电层上要蚀刻的区域移除光致抗蚀剂。接着在步骤160，使用诸如氯 化铁的蚀刻剂蚀刻掉被暴露的区域，以在芯上形成导电图案。接着，在步骤162，移除光致抗 蚀剂。可预想在衬底面板IOO上形成导电图案的其他已知方法。 在步骤164中，在衬底面板100的一个或两个表面上形成了导电图案之后，可在衬 底面板上的导电图案之一或两者的电端子上镀覆电阻金属层。具体地，可以短接要镀覆的 导电图案的电端子，并且将那些电端子从不要镀覆的其他部分电隔离。导电图案的电端子 可包括接触插指106、焊垫110和通孔112。在替代实施例中，其可仅仅包括这些中的一个 或多个。经由衬底上形成的镀条116和镀覆引线118短接电端子。注意，在图5中未标注 封装外廓102中所有的焊盘、通孔和接触插指。图4和图5中虚线所示的镀覆引线118和 焊垫IIO位于衬底面板的下侧。此外，面板100可包括比所示更多的焊盘、通孔和/或接触 插指。尽管未示出，一些电端子可被形成为彼此电耦连，并且以后在已知的回蚀刻工艺中断 开端子之间的电耦连以隔离每个端子。 可以按已知方式，用金属膜，例如金，镀覆导电图案的电端子。在替代实施例中，可 将其他金属，包括锡、锡-铅、镍和镍-金，镀覆到导电图案上。镀条116的宽度可以由已知 规则确定，但可以在3密耳至5密耳之间。在替代实施例中，镀条可以更细或更粗。
在用于镀覆衬底面板100的工艺的一个实施例中，可将面板浸入包括水溶液中的 金属离子的镀槽。然后向镀条116施加电流，该电流流过镀条116、通过引线118到焊垫 110、通过通孔112和/或接触插指106。当输送电流时，镀条116、引线118、焊垫110、通孔 112和插指106通电，并且在它们的表面上产生电荷。金属离子被吸引到通电并带电荷的金 属区域。由此将薄金属膜镀到导电图案的短接区域上。镀膜的厚度可以变化，在实施例中 可以是10 ii m和50 ii m之间，但在替代实施例中它可以更薄或更厚。在替代实施例中，可使 用用于在导电图案上电镀金属膜的其他已知方法。 在图4和图5所示的实施例中，所有要镀覆的区域被短接。应理解，要镀覆的区域 中的两个或更多个可以彼此电隔离。在这样的实施例中，可向每个这样短接的区域施加电 流。在这样的实施例中，通过在一些区域中相对于其他区域施加更多电流，或者在更长的时 段中施加相同的电流，还可以获得不同的镀膜厚度。由此，例如，可以在接触插指处获得比 在焊垫和通孔处更厚的镀覆。还知道，接触插指可以镀有两层一个软的金层和一个硬的金 层，以增强接触插指的性能。在实施例中可以在接触插指上使用一层。
在完成衬底的镀覆之后，每个电端子必须彼此电隔离。如在本发明背景技术部分 解释的，传统上用宽的切割装置确保移除镀条来完成这一点，其结果是封装外廓之间宽的 切口宽度。根据本发明的实施例，不必移除镀条116，相反，镀条116从镀覆引线118切开以 确保每个电端子彼此电隔离。 在图4所示的一个实施例和图5的放大视图中，每个封装外廓可具有仅仅在封装 外廓102的两侧上连接镀条116的电端子。此外，取代位于相邻封装外廓之间的切口中心 的镀条，镀条位于切口内的离心处。具体地，镀条被放置为靠近它们不连接的封装外廓，并 且远离具有连接镀条的端子的封装外廓。 由此，例如在图5中，位于封装外廓102和102a之间的镀条116耦连到封装外廓102内的端子，但不耦连到封装外廓102a中的端子。封装外廓102和102a之间的镀条被 放置得靠近封装外廓102a而远离封装外廓102。类似地，位于封装外廓102和102b之间 的镀条116耦连到封装外廓102内的端子，但不耦连到封装外廓102b中的端子。封装外廓 102和102b之间的镀条被放置得靠近封装外廓102b而远离封装外廓102。尽管未示出，耦 连到封装外廓102c内的端子的镀条可位于封装外廓102和102c之间，靠近封装外廓102， 并且耦连到封装外廓102d内的端子的镀条可位于封装外廓102和102d之间，靠近封装外 廓102。 镀条116从其耦连的封装外廓隔开足够的距离，以确保在切割工艺期间将封装外 廓从其连接的镀覆引线118切开。该距离可根据工程公差和其他因素而变化。然而，在实 施例中，镀覆引线118可在125iim禾P 50iim之间(并且更具体地大约100 y m)偏离其耦连 的封装外廓。应注意，在替代实施例中，镀条可偏移得比上述量更多或更少。应理解，与耦 连到封装外廓的垂直镀条116相比，耦连到封装外廓102的水平镀条116可从封装外廓102 隔开相同的量或不同的量。 现在参照图6，示出了已经沿着虚线120切割(通过后面解释的方法)的封装外廓 102。在此例子中，在切割封装外廓的过程中没有不正确的偏移，并且在封装外廓的周边正 确地进行切割。然而，如背景技术部分所示，由于工程公差，切割装置可能在切割期间偏移， 从而不会精确地沿着封装外廓的周边进行切割。例如，在图7中，切割向上偏移了量Ap并 向左(相对于图7所示的视图)偏移了量A2。因为耦连到封装外廓内的电端子的镀条偏 离封装外廓102的量大于切割系统的公差，所以即使切割向上偏移，封装(未示出)上方的 水平镀条也仍然在切割线之外。如果切割偏移到图7所示的封装外廓102的右边，也是同 样的。 由于切割向左偏移A^所以图7所示的在封装外廓102左边且靠近封装外廓102 的镀条116被包括在切割内。然而，因为所示的镀条116没有耦连到所示封装外廓102中 的任何电端子，在所示封装外廓102中不出现电端子的电短接。所示的镀条116的部分可 无害地保留在要使用封装外廓102形成的半导体封装内。如果从图7所示向下偏移，也是 同样的。此外，沿着封装外廓102的左边缘的切割将切开和电隔离所示封装外廓102左边 的任何邻近封装外廓中的电端子。 使得镀覆线从其耦连的封装外廓隔开，这提供了如下优点相邻封装外廓之间的 切口宽度k可具有比现有技术中已知更细的宽度。首先，因为不必移除镀条，所以切割装置 的宽度无需比镀条的宽度更大。其次，因为镀条与耦连的封装外廓远隔开的距离超出公差， 所以即使切割装置的路径由于工程公差离开直线，切割将仍然将电端子与镀条分开以隔离 电端子。 由此，因为可使得切割装置的宽度更小并且可省略以前工程公差所需的空间，所 以可减少相邻封装外廓之间的切口宽度。在实施例中，这允许大约100 ii m至225 ii m，或可 替换地，150 ii m至于200 ii m，并且更具体地，大约175 y m的切口宽度。应理解，在替代实施 例中，切口宽度可比此更宽或更小。在切口宽度是175 ii m的实施例中，镀条可位于第一和 第二封装外廓之间，距离第一封装外廓25iim，其中镀条耦连到第二封装外廓中的端子。应 理解，在以上例子中，在替代实施例中，镀条可比25 ii m更近或更远。在实施例中，镀覆线可 位于第一封装外廓内，其中镀条耦连到第二封装外廓中的端子。
通常由半导体封装制造商选择衬底面板的尺寸，并且一般不对特定数目的封装外 廓选择衬底面板的尺寸。设置尺寸，然后提供该尺寸上将装配的尽量多的封装外廓。如果 在给定尺寸的衬底面板上最大化封装外廓的密度，则很少适于在衬底面板上适配整数个 封装外廓。而是，最大化密度，产生给定整数个封装外廓，以及在侧面和底部边缘的分数 (fraction)个封装外廓。例如，衬底面板可在面板的整个长度上适配10个封装外廓，并留 有分数个封装外廓。显然，不能制造出分数个的半导体封装。由此，传统地，在此例子中，将 在衬底面板上形成10个这样的封装，并且10个封装分布在面板的整个长度(即，增加封装 之间的边界)。 然而，通过根据本发明减少相邻封装外廓之间边界的宽度，具有IO个这样的边界 的面板可回收足够空间以完成11个封装外廓，由此允许增加一列半导体封装。在给定尺寸 的面板内即使增加单行和/或列的半导体封装也会带来半导体封装产量的巨大增长。
尽管图4-7所示的镀条116相对于面板100上的封装外廓102之间的切口中线向 上和向右偏移，但应理解，镀条可相对于切口位于其他位置。例如，图8示出了相对于切口 中线向下和向左偏移的镀条。此外，根据本发明的镀条不需要仅仅包括面板ioo上的直线。 也可以考虑如上所述放置的单个镀覆线116以及水平和垂直部件。 如这里所使用并且下面更具体解释的，术语"切割"可以表示将封装外廓102从面 板分离开，或者术语"切割"可另外表示切开镀条而不切穿衬底。在实施例中，在镀覆工艺之 后，对于半导体封装的剩余部分，镀条116可保留不动。在如下所述包装面板时，面板可被 分拆(singulated)为单独的半导体封装。在这样的实施例中，可在分拆封装时切割镀条。 可通过用来分拆半导体封装的多种切开方法，分拆封装和切割镀条。 锯割通常比其他切割方法更便宜，花费时间较少，且需要较少的设备，并且可用于 分拆半导体封装。然而，应理解，在替代实施例中，可通过多种切割方法分拆面板100，例如 水流切割、激光切割、水引导激光切割、干媒切割和钻石涂层丝。水也可与激光切割一起使 用，以帮助补充或集中其效果。尽管半导体封装被示出为方形或矩形，但在替代实施例中， 它们可附加地或替换为具有不规则或曲线形状。在公开的美国申请No. 2004/0259291题为 "Method For Efficiently Producing Removable Peripheral Cards"中公开了从面板切 割半导体封装以及由此实现的形状的进一步描述，该申请被转让给本发明的所有者并且该 申请在此通过引用合并其全文。 在实施例中，在镀覆工艺后，可切割镀条116而不切穿衬底面板100。如本领域已 知的，可使用刳刨机切开镀条116而不切穿衬底面板。 如上所述包括镀条、引线和电端子的衬底面板100可被形成为多个半导体封装 130，图9中示出了其中之一。在衬底面板100上镀覆导电图案之后，一个或多个无源装置 132和半导体裸芯134可安装到衬底面板上。尽管对本发明不是关键的，半导体裸芯134可 以是闪存芯片(N0R/NAND) 、SRAM或DDT、以及/或诸如ASIC的控制器芯片。可可以考虑其 他硅芯片。 在已知引线键合工艺中，可通过在镀覆的焊垫110处焊接的引线键合136，将一个 或多个裸芯134电连接到衬底面板100。此后，可在已知包装工艺中将衬底和裸芯包装到模 塑料中，以形成完整的半导体裸芯封装130。可根据各种工艺施加模塑料，包括通过转移模 塑或注入模塑技术，以包装该封装。在被包装后，各个封装外廓102可从面板分拆为各个半导体封装130。如果镀覆线还没有被切开，则在从面板分拆封装的过程中切开它们。
图IO是闪存装置140的后视图，其中可使用半导体封装130。闪存装置可以是SD 卡、Compact Flash、 Smart Media、 Mini SD卡、匪C、 xD卡、Transf lash或记忆棒。可想到 其他装置。 已经为了例示和描述的目的给出了本发明的前述详细说明。其不旨在是穷尽的或 将本发明限于所公开的精确形式。根据以上教导，许多修改和变化是可能的。选择所描述 的实施例以便最好地解释本发明的原理及其实际应用，从而使得本领域技术人员在各种实 施例中和适合于所考虑的特定用途的各种修改来最好地利用本发明。本发明的范围旨在由 所附权利要求限定。
权利要求
一种最小化衬底面板中的切口宽度的方法，所述衬底面板包括限定形成半导体封装的位置的多个封装外廓，该方法包括(a)在第一和第二相邻封装外廓之间的衬底面板上形成镀条，所述形成步骤包括形成比第二封装外廓更接近第一封装外廓的镀条；(b)将镀条电耦连到第二封装外廓中的电端子，而不将镀条电耦连到第一封装外廓中的电端子；以及(c)切开在第二封装外廓中的电端子和镀条之间的电耦连，所述切开的步骤(c)具有切割可离开预期切割线的公差，在所述步骤(a)中镀条被形成为足够接近第一封装以防止由于切割的公差而通过镀条电短接第二封装外廓上的两个或更多个电端子。
2. 如权利要求1所述的方法，其中在第一和第二相邻封装外廓之间的衬底面板上形成镀条的所述步骤(a)包括如下步骤形成距离第一和第二相邻封装外廓之间的中线超过50iim的镀条。
3. 如权利要求1所述的方法，其中在第一和第二相邻封装外廓之间的衬底面板上形成镀条的所述步骤(a)包括如下步骤形成距离第一封装外廓25iim或更少的镀条。
4. 如权利要求3所述的方法，其中第一和第二封装外廓之间的切口宽度在100 m和225iim之间。
5. 如权利要求1所述的方法，其中第一和第二封装外廓之间的切口宽度在100 m和225iim之间。
6. 如权利要求1所述的方法，其中第一和第二封装外廓之间的切口宽度在150 m和200iim之间。
7. 如权利要求1所述的方法，其中将镀条电耦连到第二封装外廓中的电端子的所述步骤(b)包括如下步骤在镀条以及一个或多个接触插指、焊垫和通孔之间添加镀覆引线。
8. 如权利要求l所述的方法，其中切割的所述步骤(c)包括切穿镀条和镀条下方的衬底。
9. 如权利要求l所述的方法，其中切割的所述步骤(c)包括切穿镀条。
10. —种用于制造半导体封装的衬底面板，该衬底面板包括限定形成半导体封装的位置的多个封装外廓，该衬底面板包括所述多个封装外廓中的第一封装外廓，该第一封装外廓包括表面上的电端子、第一边缘和邻近第一边缘的第二边缘；所述多个封装外廓中的第二封装外廓，该第二封装外廓包括电端子，并且邻近第一封装外廓的第一边缘；所述多个封装外廓中的第三封装外廓，该第三封装外廓包括电端子，并且邻近第一封装外廓的第二边缘；第一和第二封装外廓之间的第一镀条，该第一镀条电耦连到第一封装外廓中的电端子而不电耦连到第二封装外廓中的电端子，该第一镀条位于第一和第二封装外廓之间更接近第二封装外廓；以及第一和第三封装外廓之间的第二镀条，该第二镀条电耦连到第一封装外廓中的电端子而不电耦连到第三封装外廓中的电端子，该第二镀条位于第一和第三封装外廓之间更接近第三封装外廓。
11. 如权利要求10所述的衬底面板，其中第一镀条足够接近第二封装，以防止在切割 第一镀条的工艺期间，由于切割装置偏离预期切割线而通过第一镀条电短接第一封装外廓 的一个或多个电端子。
12. 如权利要求IO所述的衬底面板，其中第一镀条和第一边缘隔开的距离与第二镀条 和第二边缘隔开的距离大约相同。
13. 如权利要求IO所述的衬底面板，其中第一镀条和第一边缘隔开的距离与第二镀条 和第二边缘隔开的距离不同。
14. 如权利要求IO所述的衬底面板，其中第一镀条距离第一和第二相邻封装外廓之间 的中线超过50iim。
15. 如权利要求10所述的衬底面板，其中第一镀条距离第一封装外廓25iim或更少。
16. 如权利要求15所述的衬底面板，其中第一和第二封装外廓之间的切口宽度在 100iim禾口 225iim之间。
17. 如权利要求IO所述的衬底面板，其中第一和第二封装外廓之间的切口宽度在 100iim禾口 225iim之间。
18. 如权利要求IO所述的衬底面板，其中用以下之一来镀覆电端子金、镍或金镍合金。
全文摘要
公开了一种半导体裸芯衬底面板，包括在面板上相邻半导体封装外廓之间的最小切口宽度，同时确保镀覆的电端子的电隔离。通过减少相邻封装外廓之间边界的宽度，对于半导体封装在衬底面板上获得了附加的空间。
文档编号H01L21/60GK101730932SQ200880019350
公开日2010年6月9日 申请日期2008年6月6日 优先权日2007年6月8日
发明者俞志明, 叶宁, 廖致钦, 杰克·C·希恩, 赫姆·塔基亚 申请人:桑迪士克公司