专利名称：开磁路型层叠线圈部件及其制造方法
技术领域：
本发明涉及层叠电感器等层叠线圈部件，更详细地说，涉及具有在层叠磁性层和 非磁性层而形成的层叠体的内部配置线圈导体的结构的开磁路型层叠线圈部件及其制造 方法。
背景技术：
近年来，适合于小型化的层叠线圈部件得到了广泛地使用，该层叠线圈部件通过 层叠多个线圈用导体图案和多个磁性层而形成，并具有在层叠体中配置了线圈导体的结 构。在这种层叠型线圈部件中，闭磁路型的层叠线圈部件在叠加直流电流慢慢增大而 达到某个电流值之前，电感值大致一定或缓慢降低，但是之后，存在因产生磁饱和，电感值 急剧降低的问题。因此，为了改善这种问题，已知有在层叠磁性层而形成的层叠体中，在观看层叠方 向的情况下，在线圈的中央附近插入非磁性层，做成开磁路型的层叠线圈部件。作为这种开磁路型层叠线圈部件，例如，提出了在由Ni-Zn-Cu系铁氧体材料构成 的磁性层间插入了由B2O3-SiO2系玻璃或Al2O3-SiO2系玻璃构成的非磁性层(绝缘层)的层 叠线圈部件(专利文献1)。但是，Ni-Zn-Cu系磁性材料、B2O3-SiO2系玻璃或Al2O3-SiO2系玻璃中，烧结时的收 缩情况不同，存在容易产生裂缝等缺陷的问题。另外，还提出了将由Zn-Cu系非磁性铁氧体材料构成的非磁性层插入到由 Ni-Zn-Cu系铁氧体材料构成的磁性层之间的开磁路型层叠线圈部件(专利文献2)。在该开磁路型层叠线圈部件的情况下，由于非磁性层和磁性层之间在烧结时的收 缩情况没有很大的差异，所以可以抑制裂缝等缺陷的产生。但是，由于非磁性层不含有Ni， 所以M容易从磁性层向非磁性层扩散，存在层叠型线圈部件的电感值的温度特性因M的 扩散而劣化(电感值的温度变化率大)的问题。尤其是，在非磁性层的厚度设置得比较薄 的情况下，存在电感值的温度特性因M从磁性层向非磁性层的扩散而劣化较大的问题。在 开磁路型层叠线圈部件中，为了增大初始的电感，优选使非磁性层的厚度尽可能薄，但是若 使非磁性层的厚度为40 μ m以下，则实际情况是增大了电感值的温度特性的劣化。专利文献1 日本特开2004-311944号公报专利文献2 日本特开2005-259774号公报
发明内容
本发明是为解决上述问题而做出的，其目的在于提供一种在开磁路型层叠线圈部 件中，在非磁性层和磁性层之间难以产生缺陷，且即使非磁性层的厚度薄，电感值的温度特 性的劣化也较小，直流叠加特性优异的开磁路型层叠线圈部件及其制造方法。为了解决上述问题，本发明技术方案一的开磁路型层叠线圈部件具有层叠体和非磁性层，该层叠体通过层叠多个线圈用导体和以Ni-Zn-Cu系铁氧体材料为主要成分的多 个磁性层而形成，且具有内置线圈层叠部，其内置有通过电连接所述多个线圈用导体而形 成的线圈；和封装部，其由在所述内置线圈层叠部的层叠方向的外侧层叠的磁性层构成，该非磁性层，由Zn-Cu系铁氧体材料构成，并按照横切在所述层叠体的内部由于 所述线圈通电所形成的磁路的方式配置在所述层叠体的内部，其特征在于构成所述磁性层的磁性材料是相对于Ni-Zn-Cu系铁氧体材料100重量份，将Co 换算为Co304后，以0. 1 2. 0重量份的比例含有Co304的磁性材料。另外，技术方案二的开磁路型层叠线圈部件，其特征在于构成所述磁性层的磁性 材料是相对于Ni-Zn-Cu系铁氧体材料100重量份，将Co换算为Co3O4后，以0. 2 1. 5重 量份的比例含有Co3O4的磁性材料。另外，技术方案三的开磁路型层叠线圈部件，其特征在于所述非磁性层配置在所 述层叠体的层叠方向的中央区域。另外，技术方案四的开磁路型层叠线圈部件，其特征在于所述非磁性层的透磁率 的温度特性为正。另外，技术方案五的开磁路型层叠线圈部件，其特征在于所述非磁性层是通过烧 结非磁性体陶瓷生片(green sheet)而形成的，在烧结前的非磁性体陶瓷生片阶段的厚度 为 10 40 μ m。本发明技术方案六的开磁路型层叠线圈部件的制造方法，该开磁路型层叠线圈部 件具有层叠体和非磁性层，该层叠体通过层叠多个线圈用导体和多个磁性层而形成，且具有内置线圈层叠 部，其内置有通过电连接所述多个线圈用导体而形成的线圈；和封装部，其由在所述内置线 圈层叠部的层叠方向的外侧层叠的磁性层构成，该非磁性层，按照横切在所述层叠体的内部由于所述线圈通电所形成的磁路的方 式配置在所述层叠体的内部，该开磁路型层叠线圈部件的制造方法的特征在于，包括工序(a)准备磁性体陶瓷生片、线圈形成用磁性体陶瓷生片和非磁性体陶瓷生片的工 序，该磁性体陶瓷生片主要成分为Ni-Zn-Cu系铁氧体材料、和相对所述Ni-Zn-Cu系 铁氧体材料100重量份将Co换算为Co3O4后以0. 1 2. 0重量份的比例含有Co3O4的磁性 材料，该线圈形成用磁性体陶瓷生片，在所述磁性体陶瓷生片上形成了线圈用导体图 案，该非磁性体陶瓷生片以非磁性材料为主要成分；(b)通过层叠所述磁性体陶瓷生片、所述线圈形成用磁性体陶瓷生片和所述非磁 性体陶瓷生片形成未烧结层叠体的工序，该未烧结层叠体通过层叠多个线圈用导体图案、多个磁性体陶瓷生片而形成，且 具有未烧结内置线圈层叠部，其通过连接所述多个线圈用导体图案而在内部形成了线圈 图案；未烧结封装部，其由配置在未烧结内置线圈层叠部的层叠方向的外侧的磁性体陶瓷生片构成；非磁性体陶瓷生片，其按照被夹持在构成所述未烧结内置线圈层叠部的所述线 圈形成用磁性体陶瓷生片之间的方式配置；(c)在所述未烧结层叠体上形成与所述线圈图案的一端侧和另一端侧相连的一对 外部电极图案的工序；(d)烧结形成了所述外部电极图案的所述未烧结层叠体的工序。技术方案七的开磁路型层叠线圈部件的制造方法，其特征在于所述非磁性体陶 瓷生片配置在所述未烧结层叠体的层叠方向的中央区域。发明的效果本发明的开磁路型层叠线圈部件，由于使用由Zn-Cu系铁氧体材料构成的非磁性 材料作为构成非磁性层的非磁性材料，使用对M-Zn-Cu系磁性铁氧体材料100重量份，将 Co换算为Co3O4而以0. 1 2. 0重量份的比例含有Co3O4的磁性材料作为构成磁性层的磁 性材料，所以可以减少磁性层和非磁性层的烧结收缩的差异，可以抑制裂缝等缺陷的发生。通过使用对于Ni-Zn-Cu系磁性铁氧体材料使Co以上述的比例含有的铁氧体材料 作为构成磁性层的磁性材料，即使在烧结时M从磁性层扩散到非磁性层的情况下，也可使 层叠线圈整体的温度特性平坦。如技术方案二的开磁路型层叠线圈部件，在使用相对Ni-Zn-Cu系铁氧体材料100 重量份将Co换算为Co3O4而以0. 2 1. 5重量份的比例含有Co3O4的材料作为构成磁性层 的磁性材料的情况下，可以使开磁路型层叠线圈部件整体的温度特性在更宽的温度范围中 平坦。通过按照横切在层叠体的内部由于线圈通电所形成的磁路的方式配置非磁性层， 可以提高直流叠加特性。尤其是在层叠体的层叠方向中央区域形成了非磁性层的情况下 (技术方案三)，可以有效地提高直流叠加特性，可以更高维度地兼顾温度特性和直流叠加 特性。通过使用在Ni-Zn-Cu系磁性铁氧体材料中以上述的比例含有Co的铁氧体材料作 为构成磁性层的磁性材料，可如技术方案四的发明那样，可以使磁性层的透磁率的温度特 性为正，即使在M从磁性层向非磁性层扩散的情况下，也可使层叠线圈整体的温度特性变 得平坦。根据本发明，在技术方案五那样，在通过烧结厚度为10 40μπι的非磁性体陶瓷 生片而形成非磁性层的情况下，产品的非磁性层的厚度薄为5 20 μ m左右，但是在该情况 下，也可得到电感值的温度特性很平坦，且初始电感大的开磁路型层叠线圈部件。需要说明的是，在本发明中，在烧结前的非磁性体陶瓷生片阶段，非磁性层的厚度 优选为10 40 μ m的范围，但是若厚度小于10 μ m,则温度特性比士 10%大而不优选，若厚 度超过40 μ m，则电感值的降低较大，有时低于没有形成非磁性层的情况下的50%，也不优 选。 但是，在非磁性层用的生片在烧结工序中，其厚度收缩到烧结前的约50 %左右。因 此，烧结后的非磁性层的厚度如上所述为约5 20 μ m，但是由于测量烧结后的非磁性层的 厚度很困难，所以这里在烧结前的非磁性体陶瓷生片阶段规定了厚度。
在本发明(技术方案六)的开磁路型层叠线圈部件的制造方法中，通过所谓的层 叠工序，来制造开磁路型层叠线圈部件，本发明的开磁路型层叠线圈部件还可通过如技术方案六这样的层叠工序来可靠地制造。如技术方案七的开磁路型层叠线圈部件的制造方法那样，在将非磁性体陶瓷生片 配置在未烧结层叠体的层叠方向的中央区域的情况下，可以高效地提高直流叠加特性，可 以得到在高维度兼顾了温度特性和直流叠加特性的太阳电池单元线圈部件。
图1是表示本发明的一实施例(实施例1)的开磁路型层叠线圈部件的结构的正 面截面图。图2是表示本发明的一实施例(实施例1)的开磁路型层叠线圈部件的结构的立 体图。图3是用于说明本发明的实施例1的开磁路型层叠线圈部件的内部结构及制造方 法的分解立体图。图4是表示对本发明的实施例和比较例的样品所测量出的IMHz下的电感值和电 感值的温度特性(电感值相对基准温度25°C下的电感值的变化率(AL/L25°C (% ))的测 量结果的曲线图。图中符号说明1-开磁路型层叠线圈部件(层叠电感器)，2 (2a)-磁性层(磁性体陶瓷生片)4-非磁性体(非磁性体陶瓷生片)5-多个线圈用导体(线圈用导体图案)6-内置线圈层叠部7-封装部10-层间连接用通孔导体11-层叠体L-螺旋状的线圈L1、L2_线圈的端部21、22-外部电极
具体实施例方式下面，说明本发明的实施例，并进一步详细说明本发明的特征之处。实施例1图1是表示本发明的一实施例(实施例1)的开磁路型层叠线圈部件(在该实施 例1中为层叠电感器)的结构的截面图、图2是其立体图、图3是用于说明其内部结构及制 造方法的分解立体图。如图1 3所示，该实施例1的开磁路型层叠线圈部件1是开磁路型的层叠电感 器，具备层叠体11，该层叠体11是通过层叠多个线圈用导体5和由Ni-Zn-Cu系铁氧体材料 构成的多个磁性层2 (参考图3)而形成的。层叠体11包括内置线圈层叠部6，其内置有螺旋状的线圈L，该螺旋状的线圈L 通过层间连接用通孔导体10电连接在多个磁性层2间配置的多个线圈用导体5而形成；封装部7，其由在内置线圈层叠部6的层叠方向的外侧(上下两侧)层叠的磁性层2(2a)(参 考图3)构成。而且，在层叠体11的内置线圈层叠部6的层叠方向中央区域，按照横切在层叠体 11的内部由于线圈L通电所形成的磁路(磁通)Φ的方式，配置有由Zn-Cu系铁氧体材料 构成的非磁性层4。另外，在层叠体11的两端部具有按照与线圈L的端部L1、L2导通的方式配置的外 部电极21、22。而且，在该实施例1的开磁路型层叠线圈部件1中，使用相对于Ni-Zn-Cu系铁氧 体材料100重量份，将Co换算为Co3O4后以0. 1 2. 0重量份的比例含有Co3O4的磁性材料 作为构成层叠体11中的磁性层2x的磁性材料。另外，层叠体11中的非磁性层4通过烧结厚度为10 40 μ m的非磁性体陶瓷生 片而形成，虽然没有进行厚度的实际测量，但是估计为大致具有5 20 μ m的厚度。接着，参考图1 3来说明该开磁路型层叠线圈部件1的制造方法。(磁性体陶瓷生片的制作)首先，准备Fe2O3粉末、ZnO粉末、NiO粉末、CuO粉末和Co3O4粉末。并且，相对于以Fe2O3 :48mol%>ZnO :28mol%>NiO :15mol%,CuO :9mol%的比例含有Fe2O3粉末、ZnO粉末、NiO粉末、CuO粉末的磁性体原料(Ni-Zn-Cu系 铁氧体材料)100重量份，以表1所示的比例添加Co3O4粉末，从而得到混合磁性体原料。需 要说明的是，在表1中，在样品序号上加*标记的样品在本发明申请的保护范围之外。由此，该混合磁性体原料在以氧化锆材质的球为研磨球的球磨机中湿式混合20 个小时，从而得到料浆。并且，通过将该料浆用干燥机干燥后，在70(TC下暂时烧结2个小时得到了暂时烧 结物。将该暂时烧结物通过球磨机湿式粉碎20个小时，并在粉碎结束后，添加预定量的粘 合剂进行混合而得到陶瓷料浆。将所得到的陶瓷料浆通过刮刀法成形为片状，得到例如厚度为25 μ m的陶瓷生片 (磁性体陶瓷生片)。接着，在该磁性体陶瓷生片的预定位置上形成了通孔后，在陶瓷生片的表面通过 丝网印刷来印刷由Ag粉末、清漆(vanish)、溶剂构成的Ag膏，并形成了预定的线圈用导体 图案和层间连接用通孔导体。需要说明的是，作为用于形成封装部7的封装部用磁性体陶瓷生片，直接使用上 述制成的磁性体陶瓷生片，但不必形成线圈用导体图案和层间连接用通孔导体等。(非磁性体陶瓷生片的制作)如表1所示，将Fe2O3 以48mol %、ZnO 以43mol%、CuO 以9mol %的比例称量后 的非磁性体原料在球磨机中湿式混合48个小时后，进行料浆化。通过干燥机使该料浆干燥，并在700°C下暂时烧结2个小时得到暂时烧结物。将该暂时烧结物在球磨机中进行16个小时的湿式粉碎，在粉碎结束后添加预定量的粘合剂，混 合得到了陶瓷料浆。将所得到的陶瓷料浆成形为片状，得到例如厚度为10 μ m的非磁性体陶瓷生片。接着，在预定的位置形成了通孔后，在该非磁性体陶瓷生片的表面上通过丝网印 刷来印刷由Ag粉末、清漆和溶剂构成的Ag膏，形成了预定的线圈用导体图案。表1
其中，Co3O4 (重量份)表示Co3O4粉末对磁性体原料(Ni-Zn-Cu系铁氧体材料)100 重量份的添加量。(开磁路型层叠线圈部件的制作)如图3所示，以预定的顺序来层叠具有线圈用导体图案(未烧结的线圈用导体)5 的磁性体陶瓷生片(未烧结的磁性层)2、不具有线圈用导体图案的磁性体陶瓷生片(未烧 结的封装用的磁性层)2a及非磁性体陶瓷生片(未烧结的非磁性层)4，并通过以IOOOkgf/ cm2压力按压使其粘接形成了未烧结的层叠体11，该未烧结的层叠体11具有内置有螺旋 状的线圈L的内置线圈层叠部6，该线圈L是由层间连接用通孔导体10连接多个线圈用导 体5而形成的；和封装部7，其配置在内置线圈层叠部6的层叠方向的外侧。需要说明的是，在该实施例中，线圈L的匝数为9. 5匝。另外，作为用于形成非磁性层4的非磁性体陶瓷生片，由于插入2片厚度为10 μ m 的基板，总计厚度为20 μ m。之后，在将作为压接块的层叠体11切割成预定的大小后，去除粘合剂，并在900°C下烧结150分钟，得到了内部具有螺旋状的线圈L的已烧结的层叠体11 (参考图1)。接着，在上述已烧结的层叠体11的两端部涂敷由Ag粉、B-Si-K-O系的玻璃烧结 料(frit)、清漆、溶剂构成的外部电极形成用的导电膏，干燥后，在750°C下进行烧结，从而 形成了外部电极21、22(参考图1)。由此，得到了具有如图1 3所示结构的开磁路型层叠线圈部件1。之后，对于如上述制成的各开磁路型层叠线圈部件(样品)，测量IMHz下的 电感值和电感值的温度特性(电感值相对基准温度为25°C下的电感值的变化率(AL/ L25°C ))。图4表示其结果。如图4所示，可知随着对构成磁性层的Ni-Zn-Cu系铁氧体材料的Co3O4的添加量 的增多，高温侧的电感值增大，且在Co3O4添加量为0. 1 2. O重量份的范围(样品序号2、 3、4、5、6、7)中，在-25 85°C的温度范围内，电感值的温度特性(AL/L25°C (%))可以在 士 10%以内。另外，还可以知道若Co3O4添加量相对于构成磁性层的Ni-Zn-Cu系铁氧体材料 100重量份为0. 2 1. 5重量份(样品序号3、4、5、6的样品)，则在-35 150°C的大温度 范围内，电感值的温度特性(AL/L25°C (%))可以缩小到为士 10%以内，这种情况更为优选。需要说明的是，若Co3O4添加量相对构成磁性层的Ni-Zn-Cu系铁氧体材料100重 量份小于0. 1重量份(样品序号1的样品)，则磁性层单体的温度特性不为正，在与Zn-Cu 系的非磁性铁氧体材料组合的情况下，温度特性的改善效果不充分，所以不优选。另外，若Co3O4添加量相对构成磁性层的Ni-Zn-Cu系铁氧体材料超过2. O重量份 (样品序号8的样品)，则磁性层单体的温度特性过于偏向正的方向，由于+85°C下的变化率 (AL/L25°C (% ))超过了 +10%，所以不优选。实施例2(磁性体陶瓷生片的制作)对于与上述实施例1的情形相同组成的磁性体原料(Ni-Zn-Cu系铁氧体材料)100 重量份，以表2所示的比例来混合Co3O4粉末，并通过与上述实施例1的情形相同的方法来 制作磁性体陶瓷生片。需要说明的是，在表2中，对样品序号添加了 *标记的样品在本发明 申请的保护范围之外。[表2] 之后，与实施例1的情形同样，在预定的位置形成了通孔后，在磁性体陶瓷生片的 表面上形成了预定的线圈用导体图案和层间连接用通孔导体。需要说明的是，作为封装部用磁性体陶瓷生片，与上述实施例1的情形同样，直接 使用没有形成线圈用导体图案和通孔导体等的上述磁性体陶瓷生片。(非磁性体陶瓷生片的制作)使用与上述实施例1的情形相同的原料，通过相同的方法来制作非磁性体陶瓷生 片，并在预定的位置形成了通孔后，在该非磁性体陶瓷生片的表面上形成预定的线圈图案。(开磁路型层叠线圈部件的制造)在与上述实施例1的情形下相同的条件、方法，来进行具有线圈用导体图案(未烧 结的线圈用导体)的磁性体陶瓷生片(未烧结的磁性层)、不具有线圈用导体图案的磁性体 陶瓷生片(未烧结的封装用的磁性层及非磁性体陶瓷生片(未烧结的非磁性层)的层叠、 压接、切割、烧结、外部电极的形成等，制作层叠型线圈部件。其中，在该实施例2中，通过使厚度为ΙΟμπι的非磁性体陶瓷生片的插入片数变 化，将层叠体的内置线圈层叠部的中央区域所配置的非磁性层的厚度调整为表2所示的厚 度。需要说明的是，表2的非磁性层的厚度为烧结前的非磁性体陶瓷生片阶段的厚度，具体 上，是非磁性体陶瓷生片1枚的厚度乘以插入片数的值。由此，对于制作出的非磁性层的厚度不同的各开磁路型层叠线圈部件(样品)，测量IMHz下的电感值(L)、电感值的温度特性(Δ L/L25°C ))。表3表示各样品(样品序号9 16的样品)的测量结果、即，电感值(L)、各样品 的L值相对于没有形成非磁性层的样品(样品序号9和12)的变化率以及在-35°C、150°C 下的L值相对于基准温度(25°C)下的L值的变化率(AL/L25°C (%))。需要说明的是，在表3中，对样品序号添加了 *标记的样品在本发明申请的保护 范围之外。另外，样品序号10、11的L值的变化率(％ )表示与样品序号9相比的变化率，样 品序号13、14、15、16的L值的变化率(％ )表示与样品序号12相比的变化率。[表 3] 如表3所示，可知在磁性层不含有Co3O4的样品(样品序号9、10、11的样品)中， 对于形成了非磁性层的样品(样品序号10和11的样品)，电感值L的温度特性向负侧劣化 较大。尤其是在非磁性层的厚度被设计得很薄的情况下(样品序号10 (非磁性体陶瓷生片 阶段的厚度为20 μ m))，其劣化增大。这是因为磁性层中含有的M向非磁性层扩散的缘故。还可知与此相反，在构成磁性层的Ni-Zn-Cu系铁氧体材料上添加了 Co3O4的样 品(样品序号12 16的样品)的情况下，由于磁性层的透磁率μ的温度特性为正(如表 3所示，可以看出没有配置非磁性层的样品序号12的样品在150°C下的电感值的温度特性 (AL/L25°C (%))为正(+16)，所以磁性层的透磁率μ的温度特性也为正)，所以在形成了非磁性层的情况下，Ni从磁性层向非磁性层扩散时(即，样品序号13 16的样品情况 下)，其电感值的温度特性的劣化较小，如表3所示，在-35 150°C的温度范围内，可以将 电感值L的变化率(AL/L25°C (% ))抑制在士 10%以内。另外，可知，如样品序号13的样品那样，即使在非磁性体陶瓷生片阶段的厚度薄 为10 μ m，也可得到电感值L的变化率(AL/L25°C (% ))小的开磁路型层叠线圈部件。需要说明的是，在这里，之所以使非磁性层的厚度以非磁性体陶瓷生片阶段的厚 度且使其在10 40 μ m的范围中变化来调查其特性，是因为若厚度低于10 μ m,则电感值的 温度特性比士 10 %大，而不为优选，若超过40 μ m,则与没有形成非磁性层的情形相比，电 感值的降低变大，有损实用性。需要说明的是，在上述实施例中，以开磁路型层叠线圈部件为层叠电感器的情形 为例加以说明，但是本发明并不限于层叠电感器，还可适用于层叠阻抗元件等噪声吸收部 件及其他的各种层叠线圈部件。本发明进一步在其他方面也不限于上述实施例，对于非磁性层的配置位置和配置 片数、线圈用导体的图案、产品的尺寸、层叠体的烧结条件等，也可在发明的范围内进行各 种应用和变形。产业上的应用可能性如上所述，根据本发明，可以得到一种难以在非磁性层和磁性层间发生缺陷，且即 使非磁性层的厚度薄，电感值的温度特性的劣化也较小且直流叠加特性优异的开磁路型层 叠线圈部件。因此，本发明可广泛地用于开磁路型层叠线圈部件，该开磁路型层叠线圈部件通 过层叠磁性层和线圈导体而形成，且在磁性层之间按照横切在层叠型线圈部件的内部由于 线圈通电所形成的磁路的方式配置了非磁性层。
权利要求
一种开磁路型层叠线圈部件，具有层叠体和非磁性层，该层叠体通过层叠多个线圈用导体和以Ni Zn Cu系铁氧体材料为主要成分的多个磁性层而形成，且具有内置线圈层叠部，其内置有通过电连接所述多个线圈用导体而形成的线圈；和封装部，其由在所述内置线圈层叠部的层叠方向的外侧层叠的磁性层构成，该非磁性层，由Zn Cu系铁氧体材料构成，并按照横切在所述层叠体的内部由于所述线圈通电所形成的磁路的方式配置在所述层叠体的内部，该开磁路型层叠线圈部件的特征在于构成所述磁性层的磁性材料是相对于Ni Zn Cu系铁氧体材料100重量份，将Co换算为Co3O4后，以0.1～2.0重量份的比例含有Co3O4的磁性材料。
2.根据权利要求1所述的开磁路型层叠线圈部件，其特征在于构成所述磁性层的磁性材料是相对于M-Zn-Cu系铁氧体材料100重量份，将Co换算 为Co3O4后，以0. 2 1. 5重量份的比例含有Co3O4的磁性材料。
3.根据权利要求1或2所述的开磁路型层叠线圈部件，其特征在于 所述非磁性层配置在所述层叠体的层叠方向的中央区域。
4.根据权利要求1 3中的任一项所述的开磁路型层叠线圈部件，其特征在于 构成所述磁性层的磁性材料的透磁率的温度特性为正。
5.根据权利要求1 4中的任一项所述的开磁路型层叠线圈部件，其特征在于所述非磁性层是通过烧结非磁性体陶瓷生片而形成的，在烧结前的非磁性体陶瓷生片 阶段的厚度为10 40 μ m。
6.一种开磁路型层叠线圈部件的制造方法，该开磁路型层叠线圈部件具有层叠体和非 磁性层，该层叠体通过层叠多个线圈用导体和多个磁性层而形成，且具有内置线圈层叠部，其 内置有通过电连接所述多个线圈用导体而形成的线圈；和封装部，其由在所述内置线圈层 叠部的层叠方向的外侧层叠的磁性层构成，该非磁性层，按照横切在所述层叠体的内部由于所述线圈通电所形成的磁路的方式配 置在所述层叠体的内部，该开磁路型层叠线圈部件的制造方法的特征在于，包括以下工序(a)准备磁性体陶瓷生片、线圈形成用磁性体陶瓷生片和非磁性体陶瓷生片的工序， 该磁性体陶瓷生片主要成分为Ni-Zn-Cu系铁氧体材料、和相对所述Ni-Zn-Cu系铁氧体材料100重量份将Co换算为Co3O4后以0. 1 2. O重量份的比例含有Co3O4的磁性材料， 该线圈形成用磁性体陶瓷生片，在所述磁性体陶瓷生片上形成了线圈用导体图案， 该非磁性体陶瓷生片以非磁性材料为主要成分；(b)通过层叠所述磁性体陶瓷生片、所述线圈形成用磁性体陶瓷生片和所述非磁性体 陶瓷生片形成未烧结层叠体的工序，该未烧结层叠体通过层叠多个线圈用导体图案、多个磁性体陶瓷生片而形成，且具有 未烧结内置线圈层叠部，其通过连接所述多个线圈用导体图案而在内部形成了线圈图案； 未烧结封装部，其由配置在未烧结内置线圈层叠部的层叠方向的外侧的磁性体陶瓷生片构 成；非磁性体陶瓷生片，其按照被夹持在构成所述未烧结内置线圈层叠部的所述线圈形成 用磁性体陶瓷生片之间的方式配置；(C)在所述未烧结层叠体上形成与所述线圈图案的一端侧和另一端侧相连的一对外部 电极图案的工序；(d)烧结形成了所述外部电极图案的所述未烧结层叠体的工序。
7.根据权利要求6所述的开磁路型层叠线圈部件的制造方法，其特征在于 所述非磁性体陶瓷生片配置在所述未烧结层叠体的层叠方向的中央区域。
全文摘要
本发明提供一种在非磁性层和磁性层之间难以产生缺陷，且即使非磁性层的厚度薄，电感值的温度特性的劣化也较小，直流叠加特性优异的开磁路型层叠线圈部件。在层叠体内部按照横切由于对层叠了磁性层(2)的层叠体(11)的内部的线圈(L)通电所形成的磁路的方式配置了非磁性层(4)的开磁路型层叠线圈部件(1)中，使用Zn-Cu系铁氧体的非磁性材料作为构成非磁性层的非磁性材料，使用相对Ni-Zn-Cu系磁性铁氧体材料100重量份，将Co换算为Co3O4而以0.1～2.0重量份的比例添加了Co3O4的磁性材料作为构成磁性层的磁性材料，缩小了磁性层和非磁性层的烧结收缩差异，抑制了裂缝等的发生，且即使在烧结时Ni从磁性层向非磁性层扩散的情况下，也可使电感值的温度特性平坦。
文档编号H01F1/34GK101911221SQ20088012381
公开日2010年12月8日 申请日期2008年12月26日 优先权日2008年1月8日
发明者中村彰宏, 中辻阳一, 佐藤明子 申请人:株式会社村田制作所