专利名称：发光二极管封装体及其制造方法
技术领域：
本发明涉及电子组件封装体，特别涉及一种发光二极管封装体。
背景技术：
发光二极管(light emitting diode，简称LED)是一种半导体组件，具有P型半导 体和N型半导体，当施加一顺向偏压时，电子和电洞会从电极流向P型和N型半导体的界面 区域而结合，并将能量以光的形式释放出来。发光二极管因具有高亮度、体积小、重量轻、不 易破损、低耗电量和寿命长等优点，已被广泛地应用在各式光源及显示装置中。图1为显示一种传统的发光二极管封装体的剖面图，其利用一射出成型的塑料材 料10包覆金属导线架12，以作为发光二极管芯片14的承载座。将发光二极管芯片14黏着 于导线架12上，并利用导线16电性连接发光二极管芯片14和导线架12，然后以封装胶18 填充承载座的塑料材料10的开口，从而覆盖发光二极管芯片14，即完成传统的发光二极管 封装体。然而，由于传统的发光二极管封装体中，其承载座的塑料材料10与金属导线架12 的热膨胀系数差异较大，一般而言，塑料材料10的热膨胀系数通常约为100ppm/°C，而金属 导线架12的热膨胀系数通常约为20ppm/°C，因此承载座的塑料材料10与导线架12之间接 着性不佳，当发光二极管封装体受到冷热冲击时，承载座的塑料材料10与导线架12之间会 产生间隙，使得水气容易由间隙处渗透，进而导致可靠性问题产生。此外，由于传统的发光二极管封装体中，导线架12的形状利用机械加工方式将其 折弯而形成，因此在导线架12与承载座的塑料材料10之间容易产生较大的间隙，导致发光 二极管封装体的可靠性不佳。因此，业界亟需一种发光二极管封装体及其制造方法，以克服上述问题。
发明内容
本发明的目的在于提出一种改进的发光二极管封装体及其制造方法，以克服上述 现有技术中的问题，提升发光二极管封装体的可靠性。本发明的一实施例提供一种发光二极管封装体，包括导线架，该导线架具有支架 主体以及包覆该支架主体的导电层；反射盖，具有夹设该导线架的第一部分及第二部分，其 中反射盖的第一部分具有开口以暴露出导线架；以及发光二极管芯片，设置于开口内的导 线架上。本发明的另一实施例则提供一种发光二极管封装体的制造方法，包括形成支架 主体，并形成导电层来包覆支架主体，以形成导线架；形成反射盖的夹设导线架的第一部分 及第二部分，其中反射盖的第一部分具有开口以暴露出导线架，且导线架延伸至反射盖的 第二部分的侧面及部分的底部表面上；以及提供发光二极管芯片，该发光二极管芯片设置 于开口内的导线架上。通过本发明的发光二极管封装体及其制造方法可增加反射盖与导线架之间的密合度，避免反射盖与导线架之间产生间隙，以减少水气渗透入发光二极管封装体中，进而提 升发光二极管封装体的可靠性。为了让本发明的上述目的、特征、及优点能更明显易懂，以下配合附图，作详细说 明如下
图1为示出了传统的发光二极管封装体的剖面图。图2为示出了依据本发明一实施例的发光二极管封装体的剖面图。其中，附图标记说明如下10 承载座的塑料材料；12 金属导线架；14 发光二极管芯片；16 导线；18 封装胶；100 反射盖；IOOa 反射盖的第一部分；IOOb 反射盖的第二部分；101、108 开口；102 导电层；103 反射盖第二部分的侧面； 104 支架主体；105 反射盖第二部分的底部表面；106 导线架；110 发光二极管芯片；112 导线；114 封装胶。
具体实施例方式以下以实施例并配合附图详细说明本发明，在附图或说明书描述中，相似或相同 的组件使用相同的附图标记。且在附图中，实施例的组件的形状或厚度可扩大，以简化或是 方便标示。可以了解的是，未示出或描述的组件，可以是本领域技术人员所知的各种形式。请参阅图2，其为示出了依据本发明一实施例的发光二极管封装体的剖面图。首 先，提供一导线架106的支架主体104，支架主体104的材料可以是热塑性的塑料材料， 例如为聚邻苯二甲酰胺(polyphthalamide，简称PPA)或液晶高分子(Liquid Crystal Polymer，简称LCP)等其它合适的材料，支架主体104可利用射出成型或压模成型等方式形 成。然后，在支架主体104的表面上形成一导电层102，导电层102的材料可以是铟锡 氧化物(ΙΤ0)、金属或其它导电材质，金属材料例如为铝、金或银等，导电层102的厚度可约 为5μπι，可利用物理气相沉积法(physical vapor exposition，简称PVD)或化学气相沉积 法(chemical vapor exposition，简称CVD)、涂布法、电镀法等方式将导电层102形成于支 架主体104上，以完成导线架106的制作。接着，将热塑性的塑料材料以冲压成型或射出成型等方式，形成反射盖100的第 一部分100a和第二部分100b，以上下夹设导线架106，其中导线架106延伸至反射盖100 的第二部分100b的侧面103及部分的底部表面105上。反射盖100的材料可以是聚邻苯 二甲酰胺或液晶高分子等其它合适的材料。反射盖100的第一部分100a具有一开口 101，以暴露出导线架106，开口 101的形 状可以是任意形状。在本发明的一实施例中，反射盖100的第二部分100b的底部表面105上还可以具有多个开口 108，开口 108的形状可以是任意形状，并且开口 108的数量及排列 方式也不受限。上述的反射盖100第一部分IOOa的开口 101以及第二部分IOOb的开口 108 可以在反射盖100的冲压成型步骤中同时形成，不需要额外的步骤形成开口 101和108。本发明的发光二极管封装体的特征之一在于反射盖100的热膨胀系数与导线架 106的支架主体104的热膨胀系数相近，反射盖100与导线架106的支架主体104的热膨胀 系数的差距小于40ppm/°C，可介于约20至40ppm/°C之间，在本发明的一实施例中，反射盖 100的热膨胀系数可约为100ppm/°C，而导线架106的支架主体104的热膨胀系数则可约在 60至120ppm/°C之间。由于本发明的发光二极管封装体中，反射盖100与导线架106的支 架主体104的热膨胀系数接近，因此当发光二极管封装体受到冷热冲击时，反射盖100与导 线架106之间不易产生间隙，可避免水气由反射盖100与导线架106之间的间隙处渗透，进 而提升发光二极管封装体的可靠性。另外，由于本发明的发光二极管封装体中，反射盖100的第二部分IOOb的底部表 面105上具有多个开口 108，因此可增加反射盖100的散热面积。同时，由于开口 108底部 与导线架106之间的距离d较小，在一实施例中，距离d可约为0. 2mm,因此也可以增加发光 二极管封装体的散热性，进而提升发光二极管封装体的稳定性。此外，由于本发明的发光二极管封装体的制造方法中，导线架106先成型，接着才 形成反射盖100的上下夹设导线架106的第一部分IOOa和第二部分100b，因此反射盖100 的第二部分IOOb可充分地填充入导线架106中，使得导线架106与反射盖100之间产生的 间隙较小，以避免水气由反射盖100与导线架106之间的间隙处渗透，进而提升发光二极管 封装体的可靠性。接着，将发光二极管芯片110设置于反射盖100的开口 101中的导线架106上，使 得发光二极管芯片110的一接点(未示出)直接与导线架106接触，并利用一导线112电 性连接发光二极管芯片110的另一接点(未示出)至导线架106上。然后，以封装胶114 填充反射盖100的开口 101，从而覆盖发光二极管芯片110和导线112，完成本发明一实施 例的发光二极管封装体。综上所述，本发明的发光二极管封装体及其制造方法可增加反射盖与导线架之间 的密合度，避免反射盖与导线架之间产生间隙，以减少水气渗透入发光二极管封装体中，进 而提升发光二极管封装体的可靠性。同时，本发明的发光二极管封装体中，其反射盖底部的 多个开口设计还可以增加发光二极管封装体的散热性，进而提升发光二极管封装体的稳定 性。虽然本发明已揭露较佳实施例如上，然而其并非用以限定本发明，任何本领域技 术人员在不脱离本发明的精神和范围内，当可做些许变动与修饰，因此本发明的保护范围 当视所附权利要求书所限定的范围为准。
权利要求
一种发光二极管封装体，包括一导线架，具有一支架主体以及一包覆该支架主体的导电层；一反射盖，具有夹设该导线架的一第一部分及一第二部分，其中该第一部分具有一开口以暴露出该导线架；以及一发光二极管芯片，设置于该开口内的该导线架上。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装体，其中该导线架的该支架主体的热膨胀系数 与该反射盖的热膨胀系数的差距小于40ppm/°C。
3.如权利要求1所述的发光二极管封装体，其中该反射盖的该第二部分的一底部表面 上具有多个开口。
4.如权利要求3所述的发光二极管封装体，其中该导线架延伸至该反射盖的该第二部 分的一侧面及部分的该底部表面上。
5.如权利要求1所述的发光二极管封装体，还包括一封装胶，以填充该反射盖的该第 一部分的该开口，从而覆盖该发光二极管芯片。
6.一种发光二极管封装体的制造方法，包括形成一支架主体；形成一包覆该支架主体的导电层，以形成一导线架；形成一反射盖，该反射盖的一第一部分及一第二部分夹设该导线架，其中该第一部分 具有一开口以暴露出该导线架，且该导线架延伸至该反射盖的该第二部分的一侧面及部分 的一底部表面上；以及提供一发光二极管芯片，该发光二极管芯片设置于该开口内的该导线架上。
7.如权利要求6所述的发光二极管封装体的制造方法，其中该导线架的该支架主体的 热膨胀系数与该反射盖的热膨胀系数的差距小于40ppm/°C。
8.如权利要求6所述的发光二极管封装体的制造方法，还包括形成一导线以电性连接 该发光二极管芯片的一接点与该导线架。
9.如权利要求6所述的发光二极管封装体的制造方法，还包括提供一封装胶以填充该 反射盖的该开口，从而覆盖该发光二极管芯片。
10.如权利要求6所述的发光二极管封装体的制造方法，其中该反射盖的该第二部分 的该底部表面上具有多个开口。
全文摘要
本发明涉及一种发光二极管封装体及其制造方法，发光二极管封装体包括导线架，具有支架主体以及导电层包覆支架主体；反射盖，具有夹设导线架的第一部分及第二部分，其中第一部分具有开口以暴露出导线架；以及发光二极管芯片，设置于开口内的导线架上。其制造方法包括形成支架主体；形成包覆支架主体的导电层，以形成导线架；形成反射盖，反射盖的第一部分及第二部分夹设导线架，其中第一部分具有开口以暴露出导线架；以及提供发光二极管芯片，设置于开口内的导线架上。通过本发明可增加反射盖与导线架之间的密合度，避免反射盖与导线架之间产生间隙，以减少水气渗透入发光二极管封装体中，进而提升发光二极管封装体的可靠性。
文档编号H01L33/00GK101800271SQ20091000588
公开日2010年8月11日 申请日期2009年2月10日 优先权日2009年2月10日
发明者刘宇桓 申请人:亿光电子工业股份有限公司