专利名称：在直接化学机械抛光工艺的产品中共用sl掩模板的方法
技术领域：
本发明涉及半导体集成电路领域，特别是涉及一种在直接化学机械抛光工艺的产 品中共用SL(划片槽掩模板)掩模板的方法。
背景技术：
对于0. 18 μ m以下采用STI (浅沟槽隔离)隔离的器件，其CMP (化学机械平面化) 工艺方法一般有两种，一种是普通CMP，一种是DCMP (直接化学机械抛光)。普通CMP包括两个光刻层次STI光刻，刻蚀，填充SiO2，反向STI光刻，刻蚀源区上 的 SiO2, CMP 形成 STI。DCMP只有一个光刻层次STI光刻，刻蚀，填充SiO2，CMP形成STI。在DCMP工艺中，在STI形成时，所有的结构局部起伏达到最小，以保持各种结构的 均一性，但同时光刻对准标记也被平坦化了，因此在后续的成膜过程中，光刻对准标记台阶 深度不够，最终导致后续的光刻层次无法对准及套刻。此时就需要使用一层额外的光刻工 艺打开光刻对准标记区域并进行附加刻蚀，使最终形成的光刻对准标记台阶高度可以满足 后续光刻对准工艺的需求，如图3-5所示。这层光刻所使用的掩模板即称为SL掩模板。图1-2是在DCMP工艺中未采用SL掩模板进行光刻、刻蚀的流程示意图。在STI 形成后(参见图1)直接进行多晶硅的沉积(参见图2)。图3-5是在DCMP工艺中采用SL掩模板进行光刻、刻蚀的流程示意图。在STI形 成后(参见图幻，采用SL掩模板进行光刻及SiO2刻蚀(参见图4)，然后再进行多晶硅的沉 积(参见图5)。在传统的DCMP工艺采用SL掩模板进行光刻、刻蚀的方法中，由于每个产品的掩模 板设计不同，每个光刻对准标记在掩模板上的位置也都不一样，因此每个DCMP工艺的产品 都各自需要一块SL掩模板。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种在直接化学机械抛光工艺的产品中共用SL 掩模板的方法，使所有采用DCMP的产品之间共用一块SL掩模板，节约生产成本。为解决上述技术问题，本发明的在直接化学机械抛光工艺的产品中共用SL掩模 板的方法是采用如下技术方案实现的设计一块通用的SL掩模板，其包括各光刻对准标 记的打开图形，各套刻标记的打开图形以及所述各图形之间用于防止光刻机挡板漏光的暗 区；在光刻时通过设定不同掩模板挡板，掩模板偏移量以及硅片偏移量的参数，使所述SL 掩模板用于不同的DCMP工艺的产品中。采用本发明的方法，可以在不同的DCMP工艺的产品中共用一块SL掩模板，能够有 效降低产品生产成本。
下面结合附图与具体实施方式
对本发明作进一步详细的说明图1-2是DCMP工艺中未采用SL掩模板进行光刻、刻蚀的流程示意图；图3-5是DCMP工艺中采用SL掩模板进行光刻、刻蚀的流程示意图；图6是一种通用SL掩模板一实施例示意图。
具体实施例方式所述的在直接化学机械抛光工艺的产品中共用SL掩模板的方法具体实施时，需 要设计一块特殊的通用SL掩模板。图6是所述通用SL掩模板一实施例示意图；其中包括 各光刻对准标记的打开图形，各套刻标记的打开图形以及所述各图形之间用于防止光刻机 挡板漏光的暗区。在光刻时通过设定不同掩模板挡板，掩模板偏移量以及硅片偏移量的参 数，使得这块特殊设计的SL掩模板可以在不同的DCMP工艺的产品中共用，进行光刻以打开 光刻标记区域。在不同的DCMP工艺的产品中使用所述的通用SL掩模板进行光刻可以采用以下不 同的方法1、不同的产品根据其光刻对准标记的坐标，设定不同掩模板挡板，掩模板偏移量 以及硅片偏移量的参数。2、不同的产品根据其光刻对准标记的坐标，设定不同掩模板挡板，以及硅片偏移 量的参数。3、不同的产品根据其光刻对准标记的坐标，设定不同掩模板挡板，以及掩模板偏 移量的参数。4、至少打开后续光刻层次对准以及套刻所需的光刻标记。以上通过具体实施方式
对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的 限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也 应视为本发明的保护范围。
权利要求
1.一种在直接化学机械抛光工艺的产品中共用SL掩模板的方法，所述SL掩模板，是指 在STI形成后，用于打开光刻对准标记区域并进行附加刻蚀时所使用的掩模板，使最终形 成的光刻对准标记台阶高度满足后续光刻对准工艺需求；其特征在于设计一块通用SL掩 模板，其包括各光刻对准标记的打开图形，各套刻标记的打开图形以及所述各图形之间用 于防止光刻机挡板漏光的暗区；在光刻时通过设定不同掩模板挡板，掩模板偏移量以及硅 片偏移量的参数，使所述SL掩模板用于不同的DCMP工艺的产品中。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于使用所述通用SL掩模板进行光刻时，不同 的产品根据其光刻对准标记的坐标，设定不同掩模板挡板，掩模板偏移量以及硅片偏移量 的参数。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于使用所述通用SL掩模板进行光刻时，不同 的产品根据其光刻对准标记的坐标，设定不同掩模板挡板，以及硅片偏移量的参数。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于使用所述通用SL掩模板进行光刻时，不同 的产品根据其光刻对准标记的坐标，设定不同掩模板挡板，以及掩模板偏移量的参数。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于使用所述通用SL掩模板进行光刻时，至少 打开后续光刻层次对准以及套刻所需的光刻标记。
全文摘要
本发明公开了一种在直接化学机械抛光工艺的产品中共用SL掩模板的方法，所述SL掩模板，是指在STI形成后，用于打开光刻对准标记区域并进行附加刻蚀时所使用的掩模板，使最终形成的光刻对准标记台阶高度满足后续光刻对准工艺需求；其中设计一块通用SL掩模板，其包括各光刻对准标记的打开图形，各套刻标记的打开图形以及所述各图形之间用于防止光刻机挡板漏光的暗区；在光刻时通过设定不同掩模板挡板，掩模板偏移量以及硅片偏移量的参数，使所述SL掩模板用于不同的DCMP工艺的产品中。采用本发明的方法可以使所述SL掩模板在不同的DCMP工艺的产品中共用，达到降低产品生产成本的目的。
文档编号H01L21/302GK102082088SQ20091020187
公开日2011年6月1日 申请日期2009年11月30日 优先权日2009年11月30日
发明者阚欢 申请人:上海华虹Nec电子有限公司