专利名称：漏电断路器的脱扣驱动电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种漏电断路器的脱扣驱动电路。
背景技术：
漏电断路器已被应用于各种场合，但现有的漏电断路器的脱扣驱动电路的不足之 处在于结构复杂、成本较高且可靠性较低。
实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题是提供一种结构简单、成本低廉且可靠性较好的 漏电断路器的脱扣驱动电路。 为解决上述技术问题，本实用新型的漏电断路器的脱扣驱动电路，包括第一单向 可控硅和第二单向可控硅；第一单向可控硅的控制极用于与中央控制单元的脱扣控制信号 输出端相连，第一单向可控硅的阳极用于串联限流电阻后接脱扣器线圈的电流输出端；第 二单向可控硅的阴极接第一单向可控硅的阳极，第二单向可控硅的阳极用于与脱扣器线圈 的电流输出端相连；第二单向可控硅的控制极连接有充电电容。 进一步，为确保所述第一单向可控硅和第二单向可控硅导通的可靠性，其控制极 连接有RC滤波电路，防止误动作。所述脱扣器线圈的电源输出端串接二极管后依次串接第 三电阻和第四电阻，第三电阻和第四电阻的接点与第一单向可控硅的阳极相连。所述充电 电容与第二单向可控硅的控制极的接点依次串接第五电阻和预充电电容后接第一单向可 控硅的阴极。 本实用新型具有积极的效果漏电断路器的脱扣驱动电路包括两个单向可控硅 及相关辅助元件，结构简单、成本低廉且可靠性较好。
图1为实施例中的漏电断路器的脱扣驱动电路的电路原理图； 图2为实施例中的漏电断路器的电路框图； 图3为实施例中的漏电断路器的电路原理图。
具体实施方式
(实施例l) 见图l，本实施例的漏电断路器的脱扣驱动电路，包括第一单向可控硅V9和第二 单向可控硅V8 ;第一单向可控硅V9的控制极用于与中央控制单元1的脱扣控制信号输出 端相连，第一单向可控硅V9的阳极用于串联限流电阻R3后接脱扣器线圈W3的电流输出 端；第二单向可控硅V8的阴极接第一单向可控硅V9的阳极，第二单向可控硅V8的阳极用 于与脱扣器线圈W3的电流输出端相连；第二单向可控硅V8的控制极连接有充电电容C5。 所述第一单向可控硅V9和第二单向可控硅V8的控制极连接有RC滤波电路。所
3述脱扣器线圈W3的电源输出端串接二极管V7后依次串接第三电阻R 3和第四电阻R4，第 三电阻R3和第四电阻R4的接点与第一单向可控硅V9的阳极相连。充电电容C5与第二单 向可控硅V8的控制极的接点依次串接第五电阻R5和预充电电容C4后接第一单向可控硅 V9的阴极。(实施例2) 见图2-3，应用上述实施例中的脱扣驱动电路的漏电断路器，其包括中央控制单 元1(采用型号为M54133FP的单片机IC1)，用于检测被测三相电源中的漏电流的漏电检测 传感线圈Wl，与漏电检测传感线圈Wl相连的滤波及灵敏度调整电路3、与中央控制单元1 的脱扣控制信号输出端相连的脱扣驱动电路9，以及与脱扣驱动电路9相连的脱扣器线圈 W3 ;滤波及灵敏度调整电路3的输出端接中央控制单元1的漏电检测信号输入端。漏电检测 传感线圈Wl和漏电实验线圈W2设于零序电流互感器ZCT中，T为漏电测试控制按钮。所述 脱扣器线圈W3的电源输入端连接有用于提供电源的三相整流电路4(包括二极管V1-V6、 压敏电阻RV1-3)。所述脱扣器线圈W3的电源输出端串接减压电路8后与中央控制单元1的 电源输入端相连。所述中央控制单元1的延时控制信号输入端连接有延时设定电路7。所述 漏电检测传感线圈W1的一对输出端之间设有一对用于半波整流的二极管V11-12。滤波及 灵敏度调整电路3包括设于漏电检测传感线圈W1的一对输出端之间的滤波电容C27-28、 第一选择开关和通过该第一选择开关与漏电检测传感线圈Wl的一对输出端相连的两个用 于调整的漏电感应灵敏度的电阻。延时设定电路7包括第二选择开关SA2和用于通过该第 二选择开关SA2与所述中央控制单元1的延时控制信号输入端相连的电解电容C24-25。
权利要求一种漏电断路器的脱扣驱动电路，其特征在于包括第一单向可控硅(V9)和第二单向可控硅(V8)；第一单向可控硅(V9)的控制极用于与中央控制单元(1)的脱扣控制信号输出端相连，第一单向可控硅(V9)的阳极用于串联限流电阻(R3)后接脱扣器线圈(W3)的电流输出端；第二单向可控硅(V8)的阴极接第一单向可控硅(V9)的阳极，第二单向可控硅(V8)的阳极用于与脱扣器线圈(W3)的电流输出端相连；第二单向可控硅(V8)的控制极连接有充电电容(C5)。
2. 根据权利要求1所述的漏电断路器的脱扣驱动电路，其特征在于所述第一单向可控硅(V9)和第二单向可控硅(V8)的控制极连接有RC滤波电路。
3. 根据权利要求1或2所述的漏电断路器的脱扣驱动电路，其特征在于所述脱扣器线圈(W3)的电源输出端串接二极管(V7)后依次串接第三电阻(R3)和第四电阻(R4)，第三电阻(R3)和第四电阻(R4)的接点与第一单向可控硅(V9)的阳极相连。
4. 根据权利要求3所述的漏电断路器的脱扣驱动电路，其特征在于所述充电电容(C5)与第二单向可控硅(V8)的控制极的接点依次串接第五电阻(R5)和预充电电容(C4)后接第一单向可控硅(V9)的阴极。
专利摘要本实用新型涉及一种漏电断路器的脱扣驱动电路，其包括第一单向可控硅和第二单向可控硅；第一单向可控硅的控制极用于与中央控制单元的脱扣控制信号输出端相连，第一单向可控硅的阳极用于串联限流电阻后接脱扣器线圈的电流输出端；第二单向可控硅的阴极接第一单向可控硅的阳极，第二单向可控硅的阳极用于与脱扣器线圈的电流输出端相连；第二单向可控硅的控制极连接有充电电容。本实用新型的漏电断路器的脱扣驱动电路结构简单、成本低廉且可靠性较好。
文档编号H01H71/24GK201490130SQ20092016219
公开日2010年5月26日 申请日期2009年7月2日 优先权日2009年7月2日
发明者朱汝伟, 赵建宁, 黄少卯 申请人:环宇集团有限公司