专利名称：基座环的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体加工工具，并且更特别地涉及围绕基座的环，在半导体制造工 艺过程中，衬底被定位在基座上。
背景技术：
在例如晶体管、二极管以及集成电路的半导体器件的加工中，多个类似器件通常 被同时制造在称为衬底、晶片或加工件的半导体材料薄片上。在制造半导体器件期间半导 体加工步骤的一个示例中，衬底或其它加工件通常被传送至反应室，材料薄膜或材料层在 该反应室中被沉积在衬底的暴露表面。一旦已沉积期望厚度的材料层，该衬底可在反应室 内进一步加工或被传送出反应室用以进一步加工。衬底通常由晶片处理机构传送至反应室。晶片处理机构从反应室外的位置提起衬 底，并且通过在反应室壁中形成的阀门将衬底插入反应室。一旦衬底被传送至反应室中，该 衬底落在基座上。衬底被接收在基座上后，晶片处理机构从反应室撤回并且阀门被关闭，以 便可以开始衬底加工。在一个实施例中，基座环位于接近并围绕基座，在加工过程中，衬底 被设置在基座上。图1-3示出已知的基座环组件10，其通常用于美国亚利桑那州凤凰城ASM美国公 司生产的Epsilon 工具中。基座环组件10为环绕并接近基座12设置的两件式结构，该基 座12在加工过程中支撑衬底。基座环组件10被设计为在加工过程中吸收和保留来自(多 个)热源的辐射能，从而减少从基座和衬底的边缘损失的能量。基座环组件10也被配置为 在基座12附近的不同位置接收和定位热电偶，其中热电偶用于测量基座12附近的局部温 度。基座环组件10包括上部环14和下部环16，其中在上部环14和下部环16之间形成空 隙18。测量基座的前缘、后缘以及侧边缘附近的相对温度的多个热电偶至少部分设置在空 隙18中。这些热点偶中的每一个都包括以不同金属形成的在一端融合从而形成其间的热 电偶接点的两条导线、保持导线间分隔的内部陶瓷绝缘器以及由能够抗高温并且围绕陶瓷 绝缘器和导线的绝缘材料制成的护套。由于反应室中的温度波动以及两件式结构的基座环面临的高温，在基座环组件10 的上部环14的边缘和下部环16的边缘之间形成间隔或空隙。这些间隔常常允许加工气体 进入热电偶位于其中的空隙18。加工气体可以接触热电偶的外表面，并且引起热电偶护套 老化。热电偶护套的老化会导致测得的温度准确度下降以及热电偶寿命减少。因为设置在两件式基座环组件10中的一些热电偶的几何排列，通常需要替换或 移除上部环14以便安装或移除这些热电偶中的一些。在上部环14可被移除前，通常必须 移除位于反应室壁附近的观察孔盖。该观察孔盖的移除将反应室暴露在空气和周围空气的 湿气中，其可能危害运行一些工艺应用的系统的能力。热电偶和两件式基座环的几何排列 也使得难以在不擦伤或不损害热电偶的外护套情况下安装热电偶。因此需要这样一种基座环其能够关于基座正确定位热电偶，同时最小化热电偶 所暴露到的加工气体和空气的量。对于基座环还存在一种需要，即允许操作者在最少擦伤或损害热电偶的情况下安装热电偶。
发明内容
在本发明的一个方面，提供用于半导体加工工具的整体基座环。所述基座环包括 板件和至少一个侧肋，其中所述板件具有通过其形成的孔体，而所述至少一个侧肋从所述 板件的下表面延伸。所述基座环也包括在所述侧肋中形成的钻孔。所述钻孔被配置为接收 其中的温度测量器件。在本发明的另一个方面，提供用于半导体加工工具的整体基座环。所述基座环包 括板件和一对侧肋，其中所述板件具有通过其形成的孔体，而所述一对侧肋一体地连接到 所述板件的下表面。所述侧肋位于所述孔体的相对的两侧。所述基座环进一步包括在所述 一对侧肋中每一个中形成的钻孔。每个钻孔都被配置为接收其中的温度测量器件。在本发明的进一步方面中，提供用于半导体加工工具的整体基座环。该基座环包 括具有通过其形成的孔体的板件。板件具有上表面和下表面。该基座环进一步包括第一侧 肋和第一钻孔，所述第一侧肋一体地连接到所述板件的下表面，而所述第一钻孔形成在所 述第一侧肋中。该基座环还包括第二侧肋和第二钻孔，所述第二侧肋一体地连接到所述板 件的下表面，而所述第二钻孔形成在第二侧肋中。中心肋一体地连接到所述板件的下表面， 该中心肋位于所述第一侧肋和所述第二侧肋之间。第三钻孔在所述中心肋中形成。环肋一 体地连接到所述板件的下表面，并且该环肋绕所述孔体定位。而在本发明的另一方面，提供一种用于半导体加工工具的反应器。该反应器包括 限定其反应空间的反应室。基座被设置在所述反应空间中。反应器进一步包括绕基座设置 的整体基座环，其中所述基座环按被配置为接收至少一个温度测量器件。仍在本发明的另一方面，用于半导体加工工具的基座环包括板件，所述板件具有 前缘、后缘、厚度和通过厚度形成的孔体。至少一个钻孔通过后缘形成在板件中。所述至少 一个钻孔作为盲孔形成在板件中。通过已作为说明示出和描述的本发明实施例的以下描述，本领域技术人员将更明 白本发明的优点。如将认识到的，本发明能够应用于其它以及不同的实施例，并且其细节能 够应用于在各方面的更改。相应地，附图和说明自然视为示意性而非限制性。
如图5-8所示，所示板件48的下表面54基本平坦并且平行于上表面52。在一 实施例中，上表面52和下表面54之间的板件48的厚度T(图5和图8)大约为0. 33英寸 (0. 84cm)。在另一个实施例中，板件48的厚度T约为0. 1-1英寸(0. 25-2. 54cm)。本领域 技术人员应明白，上表面52和下表面54之间的板件48的厚度T可以足够提供一定的质 量，这一定的质量能够吸收和保留来自加热元件26或其它加热元件的辐射能，从而阻止由 于基座38和衬底34的外径边缘(outer radial edge)的明显热量损失。在一实施例中，如图5-8所示，基座环42进一步包括第一侧肋56、第二侧肋58、中 心肋60以及从板件48的下表面54延伸的环肋62。肋56、58、60被配置为接收诸如热电偶 的测量器件90 (图8)，环肋62被配置为提供绕孔体50的额外厚度。肋56、58、60、62也为 基座环42提供结构支撑以及吸收和保持能量的额外质量。本领域技术人员应明白，基座环 42可以包括另外的或更少的肋，这取决于使用的测量器件的数目和/或位置以及期望的温 度测量曲线。在一实施例中，肋56、58、60、62被一体地连接，从而形成从板件48的下表面 54延伸的单独凸构件。在另外的实施例中，肋中的至少两个被一体地连接在一起。例如，中 心肋60可以被一体地连接到环肋62，而第一和第二侧肋56、58与中心肋60和环肋62间隔 开。而在另外的实施例中，肋56、58、60、62的每一个都与其它肋间隔开或分离开。在一实 施例中，肋56、58、60、62与板件48 —体地形成。在另外的实施例中，肋56、58、60、62中至 少一个从板件48分离形成，并且在基座环42装配期间被粘接至板件48。在一实施例中，肋 56、58、60、62的每一个都以与板件48相同的材料形成。在另外的实施中，肋56、58、60、62 中至少一个以与板件48不同的材料形成。如图5-8所示，在所示实施例中，环肋62与板件48 —体形成，并且接近孔体50从 板件的下表面54向下延伸。所示的环肋62的向内表面64限定孔体50。在所示实施例中， 环肋62基本为圆形并且沿孔体50的整个圆周延伸。本领域技术人员应明白，环肋62的形 状对应于通过基座环42形成的孔体50的形状。在一实施例中，环肋62从板件48的下表面 54向下延伸大约0. 52英寸(1. 32cm)。在另外的实施例中，环肋62从板件48的下表面向 下延伸大约0. 1-1英寸(0. 25-2. 54cm)。在一实施例中，限定孔体50的向内表面64具有高 度H，并且从板件48的上表面52向下延伸大约0. 85英寸(2. 16cm)。在另外的实施例中，限 定孔体50的向内表面64从板件48的上表面52向下延伸大约0. 2-2英寸(0. 51-5. 08cm)。 本领域技术人员应明白，限定孔体50的向内表面64的高度H可以为任何距离。在一实施 例中，限定孔体50的向内表面64的高度H基本等于或稍微大于基座38的厚度，基座环42 可绕该基座38设置。限定孔体50的向内表面64的高度H与基座38的厚度相同，从而特 别是在加工衬底34期间减少或消除从基座38的外径边缘损失的热量。如图5-8所示，在一实施例中，第一和第二侧肋56、58为细长线性构件，它们位于 接近环肋62的相对两侧。第一和第二侧肋56、58可以相对彼此基本平行的方式排列。在 另外的实施例中，第一和第二肋56、58也可以相对彼此不平行。第一和第二侧肋56、58的 每一个都从板件48的下表面54延伸。在一实施例中，第一和第二侧肋56、58从下表面54 延伸的距离基本等于环肋62从下表面54延伸的距离。在另外的实施例中，第一和第二侧 肋56、58从下表面54延伸的距离不同于环肋62从下表面54延伸的距离。在另外的实施 例中，第一侧肋56从下表面54延伸的距离与第二侧肋58不同。在一个实施例中，第一和 第二侧肋56、58以及环肋62都一体地连接到板件48。在另外的实施例中，第一和第二侧肋56、58与环肋62间隔隔开。在一个实施例中(未示出)，第一和第二侧肋56、58形成基座 环42的相对的横向边缘的一部分。如图5所示，在另外的实施例中，第一和第二侧肋56、58 从板件48的横向侧边缘向内间隔。如图5-6所示，在一实施例中，第一和第二侧肋56、58基本在板件48的全部长度 上延伸或在沿板件48相同横向侧的相对的角66之间的全部距离上延伸。在另外的实施例 中，第一和第二侧肋56、58可以只在前缘51和后缘53之间的板件48的部分长度上，从板 件48的后缘53延伸。本领域技术人员应明白，第一和第二侧肋56、58应具有足够的长度， 从而允许测量器件90(图8)的测量尖端(measuring tip)或测量部分相对于基座38 (图 4)在第一和第二侧肋56、58内被设置在期望的位置上。如图5-8所示，在一实施例中，第一侧肋56包括在其中形成的第一钻孔68，第二侧 肋58包括在其中形成的第二钻孔70。在另外的实施例中，第一和第二侧肋56、58的每一个 都包括在其中形成的一个以上钻孔。所示钻孔68、70是基本线性的，并且每个钻孔68、70 都在邻近或接近板件48的后缘53的侧肋56、58的末端提供开口 72。在一实施例中，钻孔 68,70在相应的肋56、58中形成盲孔，其中每个钻孔68、70的末端74都保持封闭或覆盖。 形成盲孔的钻孔68、70从后缘53或接近后缘53处被形成在基座环42中，并且向前缘51 导向。形成为邻近或接近后缘53的盲孔的钻孔68、70减少或消除能够进入钻孔68、70的 加工气体的量，在钻孔68、70中，加工气体能够腐蚀或破坏位于每个钻孔68、70中的温度测 量器件90(图8)的功效。可以通过将钻孔68、70钻入肋56、58，但不刺穿肋56、58的相对 端，来形成盲孔，或者通过沿着肋56、58的全部长度上钻孔并且随后密封钻孔68、70的相对 端开口 72来形成盲孔。在另外的实施例中(未示出)，开口在侧肋56、58的每一端形成，以 便对应钻孔68、70在侧肋56、58的全部长度上延伸。当每个侧肋56、58在其两端都包括开 口时，开口可以具有相同尺寸，或者可替换地，一个开口的尺寸可以与相对的开口的尺寸不 同。在一端或两端的开口的形状可以相对于通过侧肋56、58形成的钻孔68、70的横截面形 状不同。在进一步实施例中，邻近或接近板件48的前缘51的钻孔68、70的开口然后可以 被塞紧或密封，以便只有朝向板件48后缘53导向的开口 72保持敞开。钻孔68、70在侧肋56、58的至少部分长度延伸。在一实施例中，钻孔68、70几乎 延伸对应侧肋56、68的全部长度，其中钻孔68、70的末端距离侧肋56、58的末端以小于1 英寸(2.54cm)结束。在另外的实施例中，钻孔68、70延伸大于相应的侧肋56、58的一半长 度。而在另外的实施例中，钻孔68、70延伸小于对应的侧肋56、58的一半长度。在一实施 例中，第一钻孔68延伸到第一侧肋56中的距离如第二钻孔70延伸到第二侧肋58中的距 离一样。在另外的实施例中，第一钻孔68延伸到第一侧肋56中的距离大于第二钻孔70延 伸到第二侧肋58中的距离。在进一步实施例中，第二钻孔70延伸到第二侧肋70的距离大 于第一钻孔68延伸到第一侧肋56中的距离。在进一步实施例中，钻孔68、70延伸相应侧 肋56、58的全部长度。本领域技术人员应明白，第一和第二钻孔68、70的长度或者钻孔68、 70延伸到相应的侧肋56、58中的距离可以变化，并且该距离可以取决于期望的位置，在该 期望的位置将定位温度测量器件90的测量尖端或接点。钻孔68、70可以被配置为使得在 其中被接收的测量器件延伸钻孔68、70的全部长度、钻孔68、70的几乎全部长度或钻孔68、 70中的其它任何距离。而在图9中示出的其它实施例中，基座环42不包括从下表面52延 伸的肋，而是基座环42被形成为固定板件48，以便钻孔68、70在通过板件48的上表面52和下表面54之间的后缘53的厚度中形成。每个钻孔68、70都在邻近孔体50的相对侧的 板件48中形成盲孔，并且每个钻孔68、70都被配置为接收其中的温度测量器件90 (图8)。如图5-8所示，在一实施例中，第一和第二钻孔68、70具有基本圆形的横截面，从 而提供进入相应侧肋56、58中的圆柱形凹部。在另外的实施例中，第一和第二钻孔68、70 具有基本正方形的横截面(未示出)。本领域技术人员应明白，第一和第二钻孔68、70可以 具有任何横截面形状。第一和第二钻孔68、70被配置为接收至少一个温度测量器件90，例 如热电偶等。本领域技术人员应明白，第一和第二钻孔68、70的横截面形状可以对应于其 中接收的测量器件的外表面形状。在另外的实施例中，第一和第二钻孔68、70的横截面形 状可以与其中接收的测量器件的外表面形状不同。在图5-8中示出的实施例中，第一和第 二钻孔68、70具有基本圆形的横截面并且在相应的侧肋56、58的几乎全部长度上延伸，而 开口 72相对的每个钻孔68、70的末端74保持密封，并且第一和第二钻孔68、70被配置为 接收基本线性温度测量器件90，该温度测量器件90如2008年6月17日提交的美国专利申 请第12/140，809号中所述的热电偶。该热电偶可以具有位于其远端的单个温度测量接点， 并且热电偶的远端可以邻近或接触相应钻孔68、70的末端74定位。该热电偶也可以具有 位于沿其长度的不同位置的多个温度测量接点，以便当热电偶被设置在钻孔68、70的一个 中时，该接点被配置为提供关于基座38在不同位置的局部温度数据，如图10所示。如图5-7所示，在一实施例中，中心肋60从板件48的下表面54延伸。在所示实 施例中，中心肋60被设置在第一侧肋56和第二侧肋58之间，并且中心肋60相对于第一侧 肋56和第二侧肋58以基本平行的方式排列。在另外的实施例中，中心肋60相对于第一侧 肋56和第二侧肋58以非平行的方式排列。在另外的实施例中(未示出)，基座环42包括 第一侧肋56和第二侧肋58，但不包括中心肋60。在所示实施例中，中心肋60在后缘53和 环肋62之间延伸，并且中心肋60被一体地连接到环肋62。在另外的实施例中，中心肋60 从板件48的后缘53延伸，但是与环肋62间隔隔开。中心肋60包括在其中形成的第三钻 孔76。第三钻孔76被配置为接收其中的温度测量器件90。如图5-7所示，在一实施例中， 第三钻孔76在板件48的后缘53之间在中心肋60的全部长度上延伸至某一位置，在该位 置上，中心肋60有效地连接到环肋62，以便第三钻孔76的末端74保持密封并位于邻近环 肋62的内表面。在另外的实施例中，第三钻孔76的长度超过中心肋60长度的一半。而在 另外的实施例中，第三钻孔76的长度小于中心肋60长度的一半。本领域技术人员应明白， 第三钻孔76的长度可以是任何长度，其中第三钻孔76具有位于邻近或接近板件48的后缘 53的开口 72，并且第三钻孔76的相对端74被密封。如图5和7所示，在一实施例中，第三钻孔76具有圆形横截面。在另外的实施例 中，第三钻孔76具有正方形横截面(未示出)。本领域技术人员应明白，第三钻孔76的横 截面形状可以对应于其中接收的测量器件的外表面形状。在另外的实施例中(未示出)，开 口在中心肋60的每一端形成，以便相应钻孔76在中心肋60的全部长度上延伸。当中心肋 60包括在其两端形成的开口时，开口可以具有相同尺寸，或可替换地，一个开口的大小可以 不同于相对的开口的大小。在一端或两端的开口形状相对于通过中心肋60形成的第三钻 孔76的横截面形状也可以不同。在进一步实施例中，朝向板件48的前缘51导向的第三钻 孔76的开口然后可以被塞紧并密封，以便只有朝向板件48的后缘53导向的开口 72保持 敞开。在所示实施例中，第三钻孔76具有基本圆形横截面，并且在几乎中心肋60的全部长度上延伸，并且第三钻孔76被配置为接收线性热电偶(未示出)，该热电偶如2008年6月 17日提交的美国专利申请序列号12/140,809中所述的热电偶。如图5-8所示，在所示实施例中，第一、第二和第三钻孔68、70、76的末端74被密 封，由此通过在邻近或接近板件48的后缘53定位的开口 72提供至钻孔68、70、76的通道。 基座环42在反应室22 (图4)内被对准，以便钻孔68、70、76的每个开口 72朝向下游朝出 口 32导向。因此，温度测量器件90 (图8)通过邻近出口 32并进入钻孔68、70、76的后凸 缘被插入。因为与开口 72相对的每个钻孔68、70、76的末端74都被密封，所以加工气体只 能通过开口 72进入钻孔68、70、76，其可以平行于加工气体流路径A的方式导向。在另外 的实施例中，钻孔68、70、76在其各自的末端具有开口，朝向板件48的前缘51导向的钻孔 的开口小于朝向板件48的后缘53导向的钻孔的开口。这种排列减少进入钻孔68、70、76 的加工气体的量，从而延长设置在钻孔68、70、76内的温度测量器件的寿命。另外，通过减 少可进入钻孔68、70、76的加工气体的量，其延长设置在钻孔68、70、76内的温度测量器件 90(图8)的寿命，基座环42的寿命同样延长。每次温度测量器件失效，反应室22开封，从 而移除失效的温度测量器件。当反应室22开封时，反应空间24，以及随后的基座环42被暴 露于周围空气中。在反复的暴露后，该周围空气会使基座环42和基座38老化。因而，通过 减少可接触温度测量器件的加工气体的量，而延长定位在钻孔68、70、76中的温度测量器 件的寿命，通过减少基座环42和基座38被暴露在周围空气中的次数，基座环42和基座38 的寿命同样延长。在一实施例中，基座环42由石墨形成。在另外的实施例中，基座环42由固体碳化 硅(SiC)或硅形成。而在另外的实施例中，基座环42被涂上碳化硅(SiC)。本领域技术人 员应明白，基座环42可以任何材料形成，可以具有或不具有涂层，用于形成基座环42的材 料可以足以吸收并且保持由加热元件26或其它加热机构产生的热量，从而阻止或减少在 基座38和衬底34的外径边缘的热量损失，同时相对于引入反应空间24的加工气体保持基 本惰性。参考图10，其示出示例性温度控制系统78。该温度控制系统78包括温度控制器 80和多个温度测量器件。在一实施例中，温度测量器件为热电偶。该热电偶可以是单接点、 双接点或多接点热电偶，以便获得沿热电偶的长度的不同位置的局部化温度测量。在所示 实施例中，分离的双接点热电偶被设置在第一和第二钻孔68、70(图7)，以便第一接点82位 于邻近或接近接近板件48的前缘51的相应钻孔的末端74，并且第二接点84位于邻近衬底 34的侧缘的钻孔长度的大约一半。所示温度控制系统78进一步包括提供位于基座38中 心下面的中心接点86 (图4)的中心热电偶，以及设置在第三钻孔76中的后部热电偶，该后 部热电偶为邻近基座38的下游边缘的局部化温度测量提供后部接点88。接点82、84、86、 88为温度控制器80提供局部化温度测量。温度控制器80接收来自热电偶的温度数据，并 且基于温度数据确定供给到加热元件26的功率的量。在另外的实施例中，温度控制系统78 包括用于提供衬底34上游的局部化温度测量的一对第一接点82、用于提供邻近衬底34的 侧缘的局部化温度测量的一对第二接点84以及提供衬底下游的局部化温度测量的一对接 点(未示出)，其中在衬底34相对侧上的接点基本线性排列，在邻近衬底34后部缘的位置 没有用于测量温度的热电偶或接点。本领域技术人员应明白，基座环42可以被配置为接收 任何数目的温度测量器件，这些温度测量器件能够提供正被加工的衬底周围的任何数目的区域的局部化温度测量。 虽然已描述本发明的优选实施例，但应明白，本发明并不限制于此，并且可以做 (多种)更改而不偏离本发明。本发明的范围由权利要求限定，在权利要求意义范围中的所 有器件、加工和方法或者按文字表述或者通过等效物有意被包含在其中。
权利要求
1.一种用于半导体加工工具的整体的基座环，其包括 板件，其具有通过其形成的孔体；至少一个肋，其从所述板件的下表面延伸；钻孔，其在所述肋中形成，所述钻孔被配置为接收其中的温度测量器件。
2.根据权利要求1所述的整体基座环，其中所述钻孔具有圆形横截面形状。
3.根据权利要求1所述的整体基座环，其中所述钻孔形成盲孔。
4.一种用于半导体加工工具的基座环，其包括 板件，其具有通过其形成的孔体；一对侧肋，其一体地连接所述板件的下表面，所述侧肋位于所述孔体的相对的两侧； 钻孔，其在所述一对侧肋中的每一个中形成，每个钻孔都被配置为接收其中的温度测量器件。
5.根据权利要求4所述的基座环，其进一步包括环肋，所述环肋绕所述孔体设置并且 一体地连接到所述板件的所述下表面。
6.根据权利要求5所述的基座环，其中所述环肋从所述板件的所述下表面延伸大约 0. 1到1英寸。
7.根据权利要求5所述的基座环，其中所述一对侧肋从所述板件的所述下表面延伸的 距离基本与所述环肋从所述板件的所述下表面延伸的距离相同。
8.根据权利要求5所述的基座环，其中所述一对侧肋中的至少一个从所述板件的所述 下表面延伸的距离与所述一对侧肋另外一个或所述环肋从所述板件的所述下表面延伸的 距离不同。
9.根据权利要求5所述的基座环，其进一步包括中心肋，所述中心肋位于所述侧肋之 间，并且一体地连接到所述板件的所述下表面。
10.根据权利要求4所述的基座环，其中所述板件和所述侧肋由从石墨、碳化硅SiC和 硅Si组成的组中选择的材料形成。
11.根据权利要求10所述的基座环，其中所述板件和所述侧肋涂覆有碳化硅SiC。
12.根据权利要求4所述的基座环，其中所述板件具有约0.1到1英寸的厚度。
13.根据权利要求4所述的基座环，其中所述一对侧肋具有一定长度，并且所述钻孔延 伸至所述侧肋中至少所述侧肋的所述长度的一半。
14.根据权利要求4所述的基座环，其中所述基座环只包括一片材料。
15.一种用于半导体加工工具的整体基座环，其包括板件，其具有通过其形成的孔体，所述板件包括上表面和下表面； 第一侧肋，其一体地连接所述板件的所述下表面； 第一钻孔，其在所述第一侧肋中形成； 第二侧肋，其一体地连接到所述板件的所述下表面； 第二钻孔，其在所述第二侧肋中形成；中心肋，其一体地连接到所述板件的所述下表面，所述中心肋位于所述第一肋和第二 侧肋之间；第三钻孔，其在所述中心肋中形成；以及环肋，其一体地连接到所述板件的所述下表面，所述环肋绕所述孔体定位。
16.根据权利要求15所述的整体基座环，其中所述第一侧肋、所述第二侧肋和所述中 心肋一体地连接到所述环肋。
17.根据权利要求15所述的整体基座环，其中所述第一钻孔、第二钻孔和第三钻孔的 每一个都包括开口，所述开口被邻近所述板件的后缘定位。
18.根据权利要求17所述的整体基座环，其中所述第一钻孔、第二钻孔和第三钻孔中 每一个的所述开口的相对端都是密封的。
19.根据权利要求15所述的整体基座环，其中所述第一肋、所述第二肋和所述中心肋 为线性构件。
20.用于半导体加工工具的反应器，其包括反应室，其限定其中的反应空间；基座，其被设置在所述反应空间内；以及整体基座环，其绕所述基座设置，所述基座环被配置为接收至少一个温度测量器件。
21.根据权利要求20所述的反应器，其中所述基座环由石墨形成。
22.根据权利要求20所述的反应器，其中所述基座环包括在其中形成的至少一个钻 孔，所述至少一个钻孔被配置为接收所述至少一个温度测量器件。
23.用于半导体加工工具的基座环，其包括板件，其具有前缘、后缘、厚度、以及通过所述厚度形成的孔体；以及至少一个钻孔，其通过所述后缘形成在所述板件中，其中所述至少一个钻孔作为在所 述板件中的盲孔形成。
全文摘要
本发明提供一种整体的基座环，其用于容纳至少一个温度测量器件。该基座环包括板件和一对侧肋，其中板件具有通过其形成的孔体，侧肋一体地连接到板件的下表面。侧肋位于孔体的相对的侧。该基座环进一步包括在一对侧肋中的每一个中形成的钻孔。每个钻孔都被配置为接收其中的温度测量器件。
文档编号H01L21/687GK102113109SQ200980130249
公开日2011年6月29日 申请日期2009年5月20日 优先权日2008年8月7日
发明者B·哈罗, R·阿戈尔沃 申请人:Asm美国公司