专利名称：光电子半导体器件的制作方法
技术领域：
给出了一种光电子半导体器件。
背景技术：
本专利申请要求德国专利申请10 2008 054 0 . 3的优先权，该德国专利申请的公开内容通过引用结合于此。
发明内容
要解决的任务在于给出一种光电子半导体器件，该光电子半导体器件在关断的工作状态下在观察该光电子半导体器件的光出射面时针对外部观察者根据可预先给定的色彩印象(Farbeindruck)来显现。根据光电子半导体器件的至少一个实施形式，该器件包括至少一个发射辐射的半导体芯片。发射辐射的半导体芯片例如可以是冷光二极管芯片。冷光二极管芯片可以是发射在紫外光到红外光的范围中的辐射的发光二极管芯片或者激光二极管芯片。优选地，冷光二极管芯片发射电磁辐射的光谱在可见或者紫外范围中的光。根据至少一个实施形式，在发射方向上在发射辐射的半导体芯片的下游设置有至少一个转换器元件，用于对由半导体芯片在工作时所发射的电磁辐射进行转换。转换器元件在用环境光照射(如果环境光包括适于激励转换器材料中的转换物质的波长成分 (Wellenlaengenanteil)时)的情况下发射有色光。转换器元件被布置在半导体芯片的辐射出射面上或者在半导体芯片的辐射出射面旁。在光电子半导体器件工作时，转换元件将一种波长的光转换成另一波长的光。例如，转换器元件将由半导体芯片原始发射的蓝色光部分地转换成黄色光，该黄色光接着与蓝色光一起可以混合成白色光。转换器元件因此在半导体器件工作时具有光转换器的功能。转换器元件可以被涂敷在半导体芯片上并且由此直接与半导体芯片接触。例如，这可以通过将转换器元件粘贴到半导体芯片上或者借助丝网印刷方法来实现。但也存在如下可能性转换器元件仅仅间接地与半导体芯片接触。这可以意指在转换器元件/半导体芯片的边界面之间构造间隙， 并且这样转换器元件和半导体芯片不接触。该间隙可以以气体、例如空气来填充。转换器元件可以以硅树脂、环氧化物、由硅树脂和环氧化物构成的混合物或者透明的陶瓷形成，转换物质的颗粒被引入到该转换器元件中。根据至少一个实施形式，该器件具有光出射面。由半导体芯片所发射的电磁辐射例如通过光学元件从该器件耦合输出。该器件的光学元件接着具有辐射透射口，该辐射通过该辐射透射口从该器件耦合输出。辐射透射口具有背离半导体芯片的外表面，该外表面形成该器件的光出射面。该光学元件可以是透镜或者也可以是简单的盖板。此外可能的是， 光学元件通过浇注材料形成，该浇注材料围绕或包封该半导体芯片。此外，光电子半导体器件包括用于漫散射光的装置，该用于漫散射光的装置被设立为在器件的关断的工作状态下将射到该器件上的环境光进行散射，使得该器件的光出射面并不显现为转换器元件的色彩，即例如显现为黄色。优选地，光耦合输出面并不有色地显现，而是显现为白色。当例如整个太阳光谱被散射时，本体显现为白色。如果环境光落到该器件上，则用于漫散射光的装置将环境光进行散射来使得在通过该装置散射之后对于外部观察者显现为白色。在此可能的是，用于漫散射光的装置由唯一的元件形成。此外也可能的是，用于漫散射光的装置由多个部件构成，这些部件单独而言都能够漫散射光。根据光电子半导体器件的至少一个实施形式，该器件包括至少一个发射辐射的半导体芯片、至少一个布置在半导体芯片的下游的转换器元件，用于将由半导体芯片在工作时所发射的电磁辐射进行转换，其中转换器元件在以环境光照射时发射有色光。此外，该光电子半导体器件包括用于漫散射光的装置。用于漫散射光的装置被设立，以便在该器件的关断的工作状态下将射到该器件上的环境光进行散射来使得该器件的光出射面显现为白色。在此所描述的光电子半导体器件在此尤其是基于如下认知如果所描述的用于漫散射光的装置并不存在，则在该器件的关断的工作状态下使该半导体器件对于外部观察者而言显现为有色的。在这种情况下，该器件的光耦合输出面由于有转换器元件而显现为有色的。转换器元件在以环境光照射时因此重发射有色光，因为在环境光中同样存在对于转换器元件进行激励的成分。例如，转换器元件将射出的蓝色光转换成黄色光。该器件因此在关断的工作状态下在其光耦合输出面上显现为不同于在接通的工作状态下的颜色。现在为了避免这种干扰性的有色色彩印象，在此所描述的器件利用如下构思有针对性地将用于漫散射光的装置定位于光电子半导体器件的光路中的至少一个位置上。光路是由半导体芯片发射的电磁辐射直至通过该器件的光出射面耦合输出所经过的路径。光路中的所引入的用于漫散射光的装置导致，在从外部通过光耦合输出面入射的光落到转换器元件上之前，该从外部通过光耦合输出面入射的光被散射。由于用于漫散射光的装置将从外部入射的环境光的整个光谱进行散射，所以该光显现为白色。尽管该光的部分可以射到转换器元件上并且有色地被重发射，然而被重发射的光在穿过用于漫散射光的装置时又被散射并且与被散射的环境光混合。因此，与由用于漫散射光的装置白色散射的光一起，观察者看到由转换器元件重发射的有色光。由于光只能通过光出射面从该器件射出，所以色彩印象仅仅通过来自出射面的光来限定。现在，被散射的白色光与被重发射的有色光之比越大，则该器件的光出射面对于外部观察者的整体印象就越白。完全特别有利地，通过用于漫散射光的装置包括多个部件并且用于漫散射光的装置的各个部件可以被安置在该器件的不同位置处并且以不同的浓度来安置，该器件的光出射面的外部色彩印象可以简单地被调节。根据光电子半导体器件的至少一个实施形式，用于漫散射光的装置包括基质材料，散射辐射的颗粒(也为漫射体颗粒)被引入到该基质材料中。优选地，基质材料是对于由半导体芯片产生的电磁辐射而言是透明的材料，以便在该器件工作时保证从该器件中的尽可能高的辐射耦合输出。基质材料可以是透明的塑料材料，如硅树脂、环氧化物或者由硅树脂和环氧化物构成的混合物。例如，基质材料包含这些材料之一。散射辐射的颗粒被引入到该基质材料中，这些散射辐射的颗粒将入射到基质材料上的辐射进行漫散射。根据光电子半导体器件的至少一个实施形式，散射辐射的颗粒至少包括来自如下材料的颗粒氧化硅(3102)、&02、1102和/或41找。例如，氧化铝可以是A1203。散射辐射的颗粒在引入到半导体器件中之前与基质材料混杂。优选地，散射辐射的颗粒分布在基质材料中，使得散射辐射的颗粒在硬化的基质材料中的浓度是均勻的。优选地，由硬化的基质材料反射的光各向同性地被反射和被散射。根据光电子半导体器件的至少一个实施形式，散射辐射的颗粒在基质材料中的浓度高于6重量％。曾表明的是，从散射辐射的颗粒的这样的浓度起产生了对于外部观察而言为白色的色彩印象，并且所散射的白色光与由转换器重发射的有色的(例如黄色的)光叠加。根据光电子半导体器件的至少一个实施形式，转换器元件和用于漫散射光的装置彼此直接接触。例如，用于漫散射光的装置包括散射光的薄膜。也就是说，薄膜沿着半导体器件的射束出射方向直接跟随于转换器元件。例如，该薄膜被粘贴到转换器元件上。优选地，在转换器/薄膜的边界上既未形成间隙也未形成中断。为了制造薄膜，在硬化之前将散射辐射的颗粒(例如由Al2O3构成的颗粒)引入到散射光的薄膜的材料中。根据光电子半导体器件的至少一个实施形式，用于漫散射光的装置在转换器元件的所有暴露的外表面上遮盖转换器元件。优选地，用于漫散射光的装置包括由基质材料构成的层，该基质材料与散射辐射的颗粒混杂。基质材料在硬化之后形成在所有暴露的外表面上遮盖转换器元件的层。有利地，这样份额尽可能高的入射到该器件中的环境光已经被该层从该器件中散射掉，而不会首先射到转换器元件上。因为该层也遮盖转换器元件的所有暴露的侧面，所以避免了转换器元件的侧面重发射有色光。以这种方式在被反射的光中产生了尽可能高的白色成分。根据光电子半导体器件的至少一个实施形式，用于漫散射光的装置包括光学元件，该光学元件至少局部地形成透镜。例如，用于漫散射光的装置的与散射辐射的颗粒混杂的基质材料利用硅树脂来形成，该硅树脂对于电磁辐射是透明的。在使基质材料硬化之后， 透镜可以以聚光透镜的形式来构造。此外，同样可能的是，经硬化的透镜材料仅仅在光出射面的区域中透镜状地来构造。光电子半导体器件的透镜负责有效地将从该器件耦合输出的辐射耦合输出。通过将用于漫散射光的装置成形为透镜，满足了双重功能。一方面，该装置改进了辐射的耦合输出，另一方面负责将射到的环境光散射成白光。此外，到达该器件中的并且被转换器有色地(例如黄色地)重发射的光在从该器件射出时通过包含在透镜中的散射辐射的颗粒而被漫散射。通过散射黄色光，再次增强了在耦合输出的光谱中的白色成分。根据光电子半导体器件的至少一个实施形式，用于漫散射光的装置包括透光的本体的光穿透面的粗化部(Auframmg)。透光的本体可以是透镜、板、器件的护板 (Abdeckung)等等。优选地，粗化部是根据标准VDI 3400的粗化部，尤其是N4型到NlO型的粗化部。例如，粗化部尤其是具有1 μ m至2 μ m的平均深度，优选为1. 5 μ m的深度。一方面，粗化部将由转换器元件重发射的有色光进行漫散射，另一方面，粗化部将入射的环境光散射来使得光电子半导体器件的光出射面显现为白色。但此外同样可能的是，用于漫散射光的装置除了包含光穿透面的粗化部之外还包含另一进行漫散射的部件，该另一进行漫散射的部件增强了所述的效应。根据光电子半导体器件的至少一个实施形式，用于漫散射光的装置包括微结构。 例如，微结构为平面地实施的蜂房结构，这些蜂房结构作为层借助丝网印刷工艺、热转移方法或UV复制被涂敷在透镜的光耦合输出面上。同样，微结构可以具有不同于蜂房结构的形状和特性并且因而在结构方面没有被确定。微结构也可以具有彼此变化的和/或随机得到的构型。优选地，层厚度为至少ΙΟμπι。微结构关于射到其上的电磁辐射具有衍射作用。此外，通过微结构，射到的辐射并未发生衍射。微结构因而例如并不形成衍射光栅。根据光电子半导体器件的至少一个实施形式，用于漫散射光的装置包括散射光的板，该散射光的板侧向突出于转换器元件。优选地，散射光的板是刚性的。例如，板利用与散射辐射的颗粒混杂的基质材料形成，该基质材料被硬化成板。散射光的板也可以利用陶瓷材料来形成。同样可考虑的是，板的背离半导体芯片的、环境光所射到的侧被粗化并且通过板的这种构型将射到的环境光向回漫散射(diffus zurueckstreun)并且从该器件耦合输出。优选地，散射光的板和转换器元件直接接触。为了避免来自该器件的被转换器元件侧向反射的有色辐射到达并且同时尽可能少的环境光落到转换器元件上，散射光的板侧向突出于转换器元件。也可能的是，该板除了突出于转换器元件之外还附加地侧向突出于半导体芯片。优选地，散射光的板突出于半导体芯片200 μ m到500 μ m左右，特别优选地突出于半导体芯片300μπι到400μπι左右，例如突出于半导体芯片350 μ m左右。优选地，散射光的板具有100 μ m到Imm的厚度，优选地具有300 μ m到800 μ m的厚度，例如具有500 μ m 的厚度。有利地，通过用于漫散射光的装置的这种构型，份额尽可能高的环境光被漫散射， 由此光出射面显现为白色。根据光电子半导体器件的至少一个实施形式，用于漫散射光的装置包括被涂敷在透镜的外表面上的膜。外表面是透镜的表面的背离半导体芯片的侧并且形成光出射面。用于漫散射光的装置例如以薄层的膜的形式被涂敷到透镜的光出射面上。优选地，膜借助粘合而被固定在透镜上。薄层的膜除了包含基质材料之外同样还包含散射辐射的颗粒并且由此负责将入射的环境光漫反射并且同时将由转换器元件反射的有色光漫散射，所述由转换器元件反射的有色光同样通过透镜从该器件中耦合输出。此外，给出了一种用于制造光电子半导体器件的方法。借助该方法可以制造在此所描述的器件。也就是说，所有与器件结合公开的特征对于给方法也予以公开，反之亦然。根据该方法的至少一个实施形式，首先提供支承体元件(Traegerelement)。支承体元件例如可以是薄膜。在第二步骤中，借助丝网印刷工艺在支承体元件上形式转换器元件。在涂敷第一模板(Schablone )之后，借助丝网印刷工艺将转换器元件的材料例如刮刻到支承体元件上。 在涂敷材料并且可能硬化材料之后，将第一模板从支承体元件去除。转换器元件的材料例如可以是具有硅树脂或者由透明的陶瓷构成的层，转换器颗粒被引入到该层中。在第三步骤中，在使用涂敷到支承体元件上的第二模板的情况下，借助第二丝网印刷工艺将用于漫散射光的装置作为第二层涂敷到转换器元件的所有暴露的外表面上。用于漫散射光的装置在所有暴露的侧面和背离支承体元件的上侧遮盖转换器元件。该材料例如可以被刮刻并且紧接着被硬化。在从由转换器元件和第二层构成的复合结构剥离支承体元件和第二模板之后，该复合结构被涂敷在发射辐射的半导体芯片上。
在下文中借助实施例和所附的附图更为详细地阐述了在此所描述的器件以及在此所描述的方法。图Ia至Ih在示意性截面图中示出了在此所描述的光电子器件的实施例。图h、2b、3a和北示出了用于制造在此所描述的器件的至少一个实施例的各个制
造步骤。在这些实施例和附图中，相同的或者相同作用的组成部分分别配备有相同的附图标记。所示的元件不应被视为比例正确的，更确切地说为了更好地理解而可以夸大地示出各个元件。
具体实施例方式在图Ia中借助示意性截面图示出了在此所描述的带有基本体的光电子半导体器件13，该基本体由支承体1和安置在该支承体1上的壳体2构成。在壳体2之内，半导体芯片被涂敷在支承体1的表面上。支承体1和壳体2可以利用塑料或者陶瓷形成。支承体1被构造为器件的印刷电路板或者支承体框架(弓I线框架)。半导体芯片3与支承体1导电连接。在半导体芯片3上涂敷有转换器元件4，该转换器元件4在器件的接通状态下将由半导体芯片3原始发射的辐射转换成其它波长的辐射。在本例中，转换器元件4是光学CLC层(芯片级(Chip-Level)转换层)，该光学CLC层将由半导体芯片3原始发射的蓝色光部分地转换成黄色光。此外，转换元件4将从外部入射的环境光重发射并且例如将在环境光中包含的蓝色光转换成黄色光。转换器元件4可以是利用硅树脂或者由透明的陶瓷形成的层，转换器颗粒被引入到该层中。在转换元件4上涂敷有散射光的板51。散射光的板51的材料是硅树脂，该硅树脂在硬化成板之前与由氧化铝构成的散射辐射的颗粒混杂。氧化铝颗粒在散射光的板51中的浓度为6重量％。利用这种浓度实现了关于在该器件的关断工作状态下对于外部观察者而言为白色的表现的最为明显的效果。散射光的板51并不覆盖转换器元件4的侧面。散射光的板51的侧向伸展被选择得大于转换器元件4的侧向伸展，使得散射光的板51不仅突出于转换器元件4而且同样在半导体芯片3的侧向伸展上突出于该半导体芯片3。散射光的板51在侧向突出于半导体芯片3长度B左右，该长度B为半导体芯片3的边长的至少10%。在此，长度B为200μπι。在光电子半导体芯片的关断的工作状态下，这具有如下优点尽可能少的环境光落到转换器元件4上并且由光电子半导体器件反射出的光因而主要是白色的。此外，图Ia示出了一种光学元件，该光学元件以透镜6的形式来构造并且被装配入到壳体2中。透镜6负责有效地将由器件重发射的、被散射的或者被发射的电磁辐射耦合输出。总辐射的仅射到透镜6的光入射面61上的辐射成分1 通过透镜6从该器件经由光出射面62耦合输出。光入射面61是透镜6的外表面的朝向半导体芯片3的部分。光出射面62是透镜6的外表面的背离半导体芯片3的部分。透镜6具有厚度D。厚度D是在垂直于支承体1的朝着透镜6的表面的方向上在光入射面61与光出射面62之间的最大距离。并未射到光入射面61上的辐射成分14B并不从该器件耦合输出。透镜6在本实施例中由硅树脂形成并且对于电磁辐射是透明的。透镜6并不包含散射辐射的颗粒。仅仅通过透镜6将到达该器件中的并且由半导体芯片3在工作时发射的电磁辐射耦合输出，因为不仅支承体1而且壳体2都是辐射能穿透的。图Ib示出了光电子半导体器件，其中用于漫散射光的装置5是透镜6。对此，透镜的材料(在本实施例中为硅树脂)与氧化铝构成的散射辐射的颗粒混杂，其中所述氧化铝构成的散射辐射的颗粒的浓度为0. 2重量％到1重量％、优选地为0. 4重量％到0. 8重量％、 在此为0.6重量％，其中透镜6具有1.5mm的厚度D。图Ic如在图Ia中那样示出了涂敷在转换器元件4上的散射光的板51。附加地， 除了散射光的板51之外，透镜6的光入射面61被粗化。粗化部7的平均深度为1到2 μ m, 在此为1. 5 μ m。用于漫散射光的装置5在图Ic中不仅包括散射光的板51而且包括粗化部 7，并且因此由两个用于漫散射光的部件构成。图Id示出了用于漫散射光的装置5的各个部件的另一组合可能性。如已经在图 Ib中所示的那样，氧化铝颗粒以0. 2重量％到1重量％、优选地为0. 4重量％到0. 8重量％、 在此为0. 6重量％的浓度被引入到透镜6的材料中，其中透镜6的厚度D为1. 5mm。此外， 用于漫散射光的装置5附加地包括在透镜6的辐射入射面61上的粗化部7。两个部件通过这种组合增强了对入射的环境光的漫散射作用。图Ie示出了由清澈的硅树脂构成的透镜6，其中光出射面62利用散射光的材料通过使用二组分注塑(Zweikomponentenspritzguss)来挤压包封。散射光的材料围绕透镜 6的光出射面62形成层并且与透镜6 —起表示用于漫散射光的装置5。漫射材料又是硅树脂，该硅树脂与由氧化铝构成的散射辐射的颗粒混杂。氧化铝颗粒的浓度在本实施例中为 0. 5重量％，其中层厚度在理想情况下为50 μ m到100 μ m,在此为75 μ m。在图If中，在透镜6的光出射面62上涂敷有具有微结构52的层，该具有微结构 52的层起到用于漫散射光的装置5的物理作用。在本实施例中，涉及具有平面实施的蜂房结构形式的微结构52的层，该具有平面实施的蜂房结构形式的微结构52的层作为层借助丝网印刷、热转移式印刷方法或者UV复制被涂敷到透镜6的光出射面62上。层厚度在此为 50 μ m0图Ig示出了其中用于散射光的装置5以膜53的形式被粘贴到透镜6的光出射面 62上的光电子半导体器件。膜53可以是薄膜形式的薄层，该薄膜形式的薄层利用硅树脂来形成。优选地，膜53具有30 ym到500 μ m的厚度。在本实施例中，膜53选择为250 μ m厚。在膜53中引入由氧化铝构成的浓度为0. 5重量％到1重量％、在此为0. 75重量％ 的颗粒。膜53在这种情况下用作用于漫散射光的装置。图Ih示出了其中透镜6的光出射面62被粗化并且粗化部7为用于漫散射光的装置5的光电子半导体器件。优选地，粗化部7具有为1 μπι到2 ym的平均深度，优选地具有1.5 μπι的平均深度。结合图h、2b、3a和北参照示意性截面图阐述了在此所描述的用于制造根据至少一个实施形式的器件的方法。图加示出了用作用于制造工艺的支承体元件9的薄膜。在支承体元件9上涂敷有第一模板8。借助加印装置(Aufdruckmittel)(在该例子中涉及刮板12)将转换器元件 4的材料引入到模板8的开口中。转换器元件4的材料可以是具有硅树脂或者由陶瓷材料构成的层，转换器颗粒被引入到该层中。在借助丝网印刷将转换器元件4涂敷到模板8上并且必要时使该材料硬化之后，模板8从支承体元件9和从转换器元件4被去除。转换器元件4形成支承体元件9上的第一层。在第二步骤中，第二模板10被涂敷到支承体元件9上并且借助第二丝网印刷工艺在使用刮板12的情况下将用于漫散射光的装置刮刻到第二模板10上作为第二层11。第二层11在所有暴露的外表面上遮盖转换器元件4并且与转换器元件4直接接触，参见图2b。 在将第二层11涂敷到转换器元件4上之后，第二模板10不仅从支承体元件9而且从由转换器元件4和第二层11构成的复合结构被去除。第二层11不仅可以是第二转换器层，而且可以是配备有散射辐射的颗粒的层。例如，在此涉及转换器层，该转换器层将由转换器元件4发射的光部分地转换成其它颜色的光。如果涉及第二转换器层11a，则该过程可以重复并且在第三或者其它步骤中将用于漫散射光的装置5涂敷到第二转换器层Ila上。对在此所描述的丝网印刷方法可替换地，粘性的介质被滴落到模板8或10上。借助旋涂(Spin-Coating)工艺紧接着将该材料分布到支承体元件9的表面上并且接着可以使该材料硬化。在最后的方法步骤中，支承体元件9从由转换器元件4和第二层11构成的复合结构被去除，参见图3a和北。紧接着，该复合结构被涂敷到发射辐射的半导体芯片3上。涂敷可以借助粘合、焊接或者小板转移(Plaettchentransfer)来实现。本发明并不通过参照实施例的描述来限制。更确切地说，本发明把任意新特征以及任意特征组合考虑进去，这尤其是包含权利要求书中的任意特征组合，即使该特征或者该组合本身没有明确地在权利要求书或者实施例中被说明。
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权利要求
1.一种光电子半导体器件，其具有-至少一个发射辐射的半导体芯片(3);-至少一个设置在半导体芯片(3)的下游的转换器元件(4)，用于转换由半导体芯片 (3)在工作时所发射的电磁辐射，其中转换器元件(4)在用环境光照射时发射有色光；-用于漫散射光的装置(5)，所述用于漫散射光的装置(5)被设立为在该器件的关断的工作状态下将射到该器件上的环境光进行散射，使得该器件的光出射面(62)显现为白色。
2.根据权利要求1所述的光电子半导体器件，其中，用于漫散射光的装置(5)包括如下基质材料散射辐射的颗粒被引入到该基质材料中。
3.根据权利要求2所述的光电子半导体器件，其中，散射辐射的颗粒由以下材料中的至少一个构成或者包含以下材料之一 Si02、ZrO2, TiO2或者Alx0y。
4.根据权利要求2或3所述的光电子半导体器件，其中，散射辐射的颗粒在基质材料中的浓度大于6重量％。
5.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体器件，其中，转换器元件(4)和用于漫散射光的装置(5)彼此直接接触。
6.根据权利要求5所述的光电子半导体器件，其中，用于漫散射光的装置(5)在转换器元件(4)的所有暴露的外表面上遮盖转换器元件(4)。
7.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体器件，其中，用于漫散射光的装置(5) 包括光学元件，该光学元件至少局部地形成透镜(6)。
8.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体器件，其中，用于漫散射光的装置(5) 包括透光的本体(6)的光穿透面(61，62)的粗化部(7)。
9.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体器件，其中，用于漫散射光的装置(5) 包括微结构(52)。
10.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体器件，其中，用于漫散射光的装置(5) 包括散射光的板(51)，所述散射光的板(51)侧向地突出于转换器元件(4)。
11.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体器件，其中，用于漫散射光的装置(5) 包括涂敷在透镜(6)的外表面上的膜(53)。
12.一种用于制造根据权利要求6所述的光电子半导体器件的方法，其具有如下步骤-提供支承体元件(9)；-借助第一丝网印刷工艺在支承体元件(9)上形成转换器元件(4)，-借助第二丝网印刷工艺在转换器元件(4)的暴露的外表面上形成用于漫散射光的装置(5)，-剥离支承体元件(9)，-将由转换器元件(4)和用于漫散射光的装置(5)构成的复合结构涂敷在发射辐射的半导体芯片(3)上。
全文摘要
给出了一种光电子半导体器件，其具有至少一个发射辐射的半导体芯片(3)；至少一个布置在半导体芯片(3)的下游的转换器元件(4)，用于转换由半导体芯片(3)在工作时所发射的电磁辐射，其中转换器元件(4)在用环境光照射时发射有色光；用于漫散射光的装置(5)，所述用于漫散射光的装置(5)被设立来在该器件的关断工作状态下将射到该器件上的环境光进行散射，使得该器件的光出射面(62)显现为白色。
文档编号H01L33/50GK102272955SQ200980153426
公开日2011年12月7日 申请日期2009年10月27日 优先权日2008年10月30日
发明者E. 佐尔格 J., 恩格尔 M., 赖希 M., 蔡勒 T., 施特雷佩尔 U. 申请人:奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司