发光装置及其制造方法

专利名称：发光装置及其制造方法
技术领域：
本发明涉及发光装置及其制造方法。
背景技术：
当制造具有发光元件的发光装置时，在玻璃衬底等衬底上使用半导体工艺形成用 来驱动发光元件的半导体电路，在半导体电路上形成绝缘膜(平坦化膜)，并且在该绝缘膜 上形成发光元件。另外，已知如下制造柔性发光装置的方法在玻璃衬底等衬底上形成分离层，在分 离层上形成用来驱动发光元件的半导体电路元件，在半导体电路元件上形成绝缘膜(平坦 化膜)，在该绝缘膜上形成发光元件，由分离层分离衬底和半导体电路元件，并且将半导体 电路元件和发光元件转移在柔性衬底上，以制造柔性发光装置(参照专利文献1)。在专利文献1中，在包含阳极、有机发光层、阴极的发光元件上形成层间绝缘膜， 并且使用粘合层粘合层间绝缘层膜和支撑体。接着，由作为分离层的第一材料层及第二材 料层分离半导体电路元件及发光元件与衬底。使用粘合层将被分离的半导体电路元及发光 元件粘合在薄膜衬底上。专利文献1日本专利申请公开2003-163337号公报这里，有如下问题在有机层与形成在该有机层上的作为阴极或阳极的电极的紧 贴性弱的情况下，当由分离层分离半导体电路元件及发光元件与衬底时，在电极与有机层 的界面可能会发生剥离。

发明内容
鉴于上述问题，本发明的一个方式的目的在于抑制当由分离层分离半导体电路元 件及发光元件与衬底时在电极与有机层的界面发生的剥离。在具有多个像素的发光装置中，当在每个像素中制造发光元件时，将形成在有机 层上的作为阴极或阳极的电极与隔断墙接触的区域配置在每个像素周围。通过设置与电极 的紧贴性强的隔断墙，当分离半导体电路元件及发光元件与衬底时，可以在有机层与电极 不剥离的情况下分离半导体电路元件及发光元件与衬底。本发明的一个方式涉及一种发光装置的制造方法，包括在衬底上形成分离层； 在所述分离层上形成半导体电路元件层；在所述半导体电路元件层上形成电连接于所述半 导体电路元件层的多个第一电极；在所述半导体电路元件层上形成重叠于所述多个第一电 极的每个电极的端部的隔断墙；在所述多个第一电极的每一个上形成发红色光的有机物 层、发绿色光的有机物层和发蓝色光的有机物层中的任何一种；所述发红色光的有机物层、 所述发绿色光的有机物层和所述发蓝色光的有机物层中的发同一种颜色的光的有机物层 相邻地排列为一列，并且在所述发红色光的有机物层相邻地排列为一列的第一区域、所述 发绿色光的有机物层相邻地排列为一列的第二区域和所述发蓝色光的有机物层相邻地排 列为一列的第三区域中，以所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域的每一个延伸的方向作为第一方向；所述隔断墙存在于所述第一区域与所述第二区域之间、所述第二区域 与所述第三区域之间和所述第三区域与所述第一区域之间，并且所述隔断墙在所述第一方 向上延伸；在所述有机物层上形成第二电极，该第二电极接触于所述隔断墙并使用与所述 隔断墙的紧贴性强的材料而形成；以及在通过所述分离层从所述衬底分离包含所述半导体 电路元件层、所述第一电极、所述隔断墙、所述有机物层和所述第二电极的叠层结构的工序 中，从所述衬底分离包含所述半导体电路元件层、所述第一电极、所述隔断墙、所述有机物 层和所述第二电极的叠层结构的方向为垂直于第一方向的第二方向。所述隔断墙使用无机材料或有机材料而形成，所述无机材料是氧化硅、氮化硅、包 含 氮的氧化硅、包含氧的氮化硅和金刚石状碳中的任何一种或两种以上，而所述有机材料 是聚酰亚胺、丙烯酸树脂、聚酰胺、聚酰亚胺酰胺、抗蚀剂或苯并环丁烯和硅氧烷中的任何 一种或两种以上。所述第二电极是透光阳极、透光阴极、遮光阴极和遮光阳极中的任何一种。所述透光阳极的材料是氧化铟、氧化铟-氧化锡合金、包含硅或氧化硅的氧化 铟-氧化锡、包含氧化钨及氧化锌的氧化铟、氧化铟氧化锌合金、氧化锌和添加有镓(Ga)的 氧化锌中的任何一种。所述透光阴极的材料是功函数低的材料的极薄膜或所述功函数低的材料的极薄 膜与透光导电膜的叠层。所述遮光阴极的材料是功函数小的金属、功函数小的合金、功函数小的导电化合 物和它们的混合物中的任何一种，并且所述功函数小的金属是锂(Li)、铯(Cs)、镁(Mg)、钙 (Ca)、锶(Sr)、铕(Eu)和镱(Yb)中的任何一种。所述遮光阳极的材料是功函数大的金属、功函数大的合金、功函数大的导电化合 物和它们的混合物中的任何一种，并且所述功函数大的金属是金(Au)、钼(Pt)、镍(Ni)、钨 (W)、铬(Cr)、钼(Mo)、铁(Fe)、钴(Co)、铜(Cu)和钯(Pd)中的任何一种。本发明的一个方式发挥如下效果抑制当由分离层分离半导体电路元件及发光元 件与衬底时在电极与有机发光层的界面发生的剥离。因此，可以制造可靠性高的具有发光元件和半导体元件的发光装置。


图IA至IE是示出发光装置的制造方法的截面图；图2是示出发光装置的制造方法的截面图；图3A至3D是示出发光装置的制造方法的截面图；图4A至4C是示出发光装置的制造方法的截面图；图5A和5B是示出发光装置的制造方法的截面图；图6A和6B是示出发光装置的制造方法的截面图；图7A至7C是片状纤维体的俯视图和结构体的截面图；图8是片状纤维体的俯视图；图9是结构体的截面图；图IOA至IOD是移动电话的俯视图及截面图；图1IA和1IB是移动电话的俯视图12是移动电话的截面图；图13是EL面板的俯视
图14A至14D是移动电话的俯视图及截面图；图15A和15B是移动电话的透视图；图16是示出发光装置的制造方法的俯视图；图17是示出发光装置的制造方法的俯视图。本发明的选择图为图1具体实施例方式以下，参照

本说明书所公开的发明的实施方式。然而，因为本说明书所公 开的发明可以按许多不同模式进行实现，所以所属技术领域的普通技术人员很容易理解， 在不背离本说明书所公开的发明的范围和精神的情况下，可以对本发明的模式和细节做各 种改变。因此，本发明不应该被解释为仅限定在实施方式所记载的内容中。注意，在如下所 述的附图中，相同部分或具有相同功能的部分用相同的附图标记表示，并且省略对它们的 重复说明。注意，在本说明所公开的发明中，半导体装置是指所有通过利用半导体而工作的 元件及装置，并且包含电子电路、显示装置、发光装置等的电气装置及安装有该电气装置的 电子设备包括在其范围内。实施方式1在本实施方式中，参照图IA至图9、图16和17说明发光装置及其制造方法。首先，参照图IA至IE说明本实施方式的概要。首先，在衬底101上制造分离层 102和半导体电路元件103 (参照图1A)。作为衬底101，可以使用玻璃衬底、石英衬底、半导体衬底、陶瓷衬底、金属衬底等。分离层102通过如下方法形成通过等离子体CVD法、溅射法等，将由从钨(W)、 钼(Mo)、钛(Ti)、钽(Ta)、铌(Nb)、镍(Ni)、钴(Co)、锆(&)、锌(Zn)、钌(Ru)、铑(Rh)、钯 (Pd)、锇(Os)、铱(Ir)和硅(Si)中选择的元素或包含此类元素作为主要成份的合金材料或 化合物材料构成的层形成为单层结构或叠层结构。含硅的层的晶体结构可以为非晶态、微 晶态或者多晶态中的任意一种。当分离层102具有单层结构时，优选形成包含如下材料中的任何一种的层钨、 钼、钨和钼的混合物、钨的氧化物、钨的氧氮化物、钨的氮氧化物、钼的氧化物、钼的氧氮化 物、钼的氮氧化物、钨和钼的混合物的氧化物、钨和钼的混合物的氧氮化物、钨和钼的混合 物的氮氧化物。例如，钨和钼的混合物相当于钨和钼的合金。当分离层102具有叠层结构时，优选形成含有钨、钼或钨和钼的混合物作为第一 层，并且形成含有钨的氧化物、钼的氧化物、钨和钼的混合物的氧化物、钨的氧氮化物、钼的 氧氮化物或钨和钼的混合物的氧氮化物的层作为第二层。当以这种方式将分离层102形成 为具有叠层结构时，优选使用金属膜和金属氧化物膜的叠层结构。作为形成金属氧化膜的 方法的例子，有通过溅射法直接形成金属氧化膜的方法，以及通过热处理或氧气气氛下的 等离子体处理使形成在衬底101上的金属膜表面氧化而形成金属氧化膜的方法等。作为金属膜，除了上述的钨(W)、钼(Mo)以外，还可以使用由选自钛(Ti)、钽(Ta)、铌(Nb)、镍(Ni)、钴(Co)、锆(Zr)、锌(Zn)、钌(Ru)、铑(Rh)、钯(Pd)、锇(Os)和铱(Ir)的 元素、或者主要包含该元素的合金材料或化合物材料构成的膜。另外，在形成分离层102之前，可在衬底101上形成绝缘膜如氧化硅膜、氮化硅膜、 包含氮的氧化硅膜、包含氧的氮化硅膜等，然后在该绝缘膜上形成分离层102。通过在衬底 101和分离层102之间提供这种绝缘膜，可防止包含在衬底101中的杂质进入上层。另外， 当在后面进行激光照射工序的情况下，能够在进行该工序时防止衬底101被蚀刻。另外，这 里，包含氮的氧化硅膜和包含氧的氮化硅膜在意思上有所不同，前 者含有的氧多于氮，而后 者含有的氮多于氧。接着，在半导体电路元件103上形成电连接于半导体电路元件103的电极104。重 叠于电极104的端部地形成隔断墙105(参照图1B)。电极104成为发光元件的阳极或阴极。发光装置的阳极和阴极中的一方或双方需要由透光导电膜形成。当作为阳极及阴 极在包含发光层的有机物层下形成透光导电膜并在有机物层上形成遮光导电膜时，发光装 置成为底部发射的发光装置。与此相反，当作为阳极及阴极在包含发光层的有机物层下形 成遮光导电膜并在有机物层上形成透光导电膜时，发光装置成为顶部发射的发光装置。当 阳极及阴极的双方由透光导电膜形成时，发光装置成为双面发射的发光装置。作为透光阳极材料，可以使用氧化铟(In2O3)、氧化铟-氧化锡合金(In203-Sn02jP Indium Tin Oxide (ITO))、包含硅或氧化硅的氧化铟-氧化锡、包含氧化钨及氧化锌的氧化 铟、氧化铟氧化锌合金(In2O3-ZnO=IZOJP Indium Zinc Oxide)、氧化锌(ZnO)、为进一步提 高可见光的透过率及导电率而添加有镓(Ga)的氧化锌(ZnO = Ga)等导电金属氧化物膜。这些材料可以通过溅射法、真空蒸镀法、溶胶_凝胶法等形成。例如，氧化铟-氧化锌(IZO)可以使用对氧化铟添加了 1至20wt%的氧化锌的 靶通过溅射法形成。另外，包含氧化钨及氧化锌的氧化铟可以使用对氧化铟添加了 0. 5至 5wt%的氧化钨和0. 1至的氧化锌的靶通过溅射法形成。在形成透光阴极时，可以使用铝等功函数小的材料的极薄膜或这样的物质的薄膜 与上述透光导电膜的叠层结构来制造。另外，通过在阴极和下文所述的电子传输层之间设置电子注入层，可以不考虑功 函数的大小地使用各种透光导电材料如ΙΤ0、包含硅或氧化硅的氧化铟-氧化锡等作为阴 极。这些导电材料可以通过溅射法、喷墨法、旋涂法等沉积成膜。另外，在将遮光导电膜用作阴极时，可以使用功函数小(具体而言，功函数为
3.SeV以下)的金属、功函数小的合金、功函数小的导电化合物和这些材料的混合物等。作 为这样的阴极材料的具体例子，可以使用属于元素周期表中第1族或第2族的元素，即锂 (Li)、铯(Cs)等碱金属、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)等碱土金属和包含它们的合金(MgAg, AlLi)、铕(Eu)、镱(Yb)等稀土金属和包含它们的合金等。另外，在将遮光导电膜用作阳极时，优选使用功函数大(具体而言，功函数为
4.OeV以上)的金属、功函数大的合金、功函数大的导电化合物和这些材料的混合物等。例如，可以举出金(Au)、钼(Pt)、镍(Ni)、钨(W)、铬(Cr)、钼(Mo)、铁(Fe)、钴 (Co)、铜(Cu)、钯(Pd)或金属材料的氮化物(如氮化钛)等。隔断墙105用来按每个像素分离有机物层112，并可以使用无机绝缘材料、有机绝缘材料而形成。另外，需要使隔断墙105与在后面的工序中形成的电极106的紧贴性高。另外，隔 断墙105也可以具有叠层结构。作为无机材料，例如可以使用氧化硅、氮化硅、包含氮的氧化硅、包含氧的氮化硅 和金刚石状碳(Diamond Like Carbon (DLC))中的任何一种或两种以上叠层结构。另外，作 为有机材料，可以使用聚酰亚胺、丙烯酸树脂、聚酰胺、聚酰亚胺酰胺、抗蚀剂或苯并环丁烯 和硅氧烷中的任何一种或两种以上的叠层结构。硅氧烷是指由硅(Si)氧(0)键形成其骨架结构，硅氧烷以聚合物材料为起始材料 来形成，该 聚合物材料至少包含氢作为取代基、或包含氟、烷基或芳烃之中的至少一种作为 取代基。另外，也可采用氟基作为取代基，再者作为取代基也可以采用至少含氢的有机基和氟基。接着，在电极104上的由相邻的隔断墙105夹持的区域中形成有机物层112。并且， 在有机物层112上接触于隔断墙105地形成电极106，覆盖隔断墙105和电极106地形成密 封层107，再者在密封层107上形成保护材料108。在保护材料108上形成支撑体109 (参 照图1C)。在电极104为阳极时电极106为阴极，而在电极104为阴极时电极106为阳极。在本实施方式中，使用铝膜形成电极106，并使用聚酰亚胺形成隔断墙105。因为 聚酰亚胺与铝的紧贴性强，所以在进行分离工序时不会发生剥离。有机物层112—定包含发光层，并且，可以包含空穴注入层、空穴传输层、电子传 输层、电子注入层中的至少一种。另外，其形成方法可以使用蒸镀法、喷墨法、丝网印刷法寸。以下，具体地说明构成空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入 层的材料。空穴注入层设置为接触于电极104和电极106中的一方的阳极，并是包含空穴注 入性高的物质的层。可以使用钼氧化物、钒氧化物、钌氧化物、钨氧化物、锰氧化物等。另 夕卜，也可以使用酞菁(缩写SH2Pc)、酞菁铜(缩写为CuPc)等酞菁类化合物、4，4'-双 [N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]联苯(缩写为DPAB)、N，N'-双[4-[双-(3-甲 基苯基)-氨基]苯基]-N，N' - 二苯基-[1，1'-联苯基]-4，4' -二胺(缩写为DNTPD) 等芳香胺化合物、聚(3，4_乙烯二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸盐)(PED0T/PSS)等高分子等 来形成空穴注入层。另外，作为空穴注入层，可以使用在空穴传输性高的物质中含有受主物质的复合 材料。另外，通过使用在空穴传输性高的物质中含有受主物质的材料，可不顾及电极的功 函数地选择用于形成电极的材料。就是说，除了功函数大的材料，也可使用功函数小的材 料作为阳极。作为受主物质，可举出7，7，8，8_四氰基-2，3，5，6-四氟醌二甲烷(缩写为 F4-TCNQ)、氯醌等。另外，可举出过渡金属氧化物。另外，可举出属于元素周期表第4至8族 的金属的氧化物。具体地说，由于氧化钒、氧化铌、氧化钽、氧化铬、氧化钼、氧化钨、氧化锰 和氧化铼具有高电子接收性，因此是优选的。尤其优选的是氧化钼，因为它在大气中稳定并 且吸湿性低，容易处理。作为用于复合材料的高空穴传输性的物质，可以使用各种化合物，例如芳香胺化 合物、咔唑衍生物、芳烃和高分子化合物(低聚物、树枝状聚合物、聚合体等)。注意，用于复合材料的有机化合物优选为具有高空穴传输性的有机化合物。具体地，优选使用空穴迁移 率为l(T6Cm7VS以上的物质。但是，只要是空穴传输性高于电子传输性的物质，就可以采用 上述以外的物质。以下，具体示出可用作复合材料的有机化合物。例如，作为芳香胺化合物可以举出下列物质N，N’ - 二(ρ-甲苯基)_N，N’ - 二苯 基-P-苯二胺(缩写为DTDPPA) ；4,4'-双[N-(4-二苯基氨基苯基)-N苯基氨基]联苯 (缩写为DPAB) ;N，N'-双[4-[双-(3-甲基苯基)-氨基]苯基]-N，N' - 二苯基-[1， 1'-联苯基]_4，4' -二胺(缩写为DNTPD) ;1，3，5_三[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯 基氨基]苯(缩写为DPA3B)等。作为可以用于该复合材料的咔唑衍生物，可以具体举出下列物质3-[N-(9-苯 基咔唑-3-基) -N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(缩写为PCzPCAl) ；3，6_双[N_(9_苯基咔 唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(缩写为PCzPCA2) ；3-[N-(1-萘基)-N-(9-苯基咔 唑-3-基)氨基]-9-苯基咔唑(缩写为PCzPCNl)等。此外，作为可以用于复合材料的咔唑衍生物，还可以使用4，4 ‘ -二(N-咔唑基) 联苯(缩写为CBP) ；1，3，5_三[4-(N-咔唑基)苯基]苯(缩写为TCPB) ；9-[4_(10_苯 基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(缩写为CzPA) -,IA-M [4-(N-咔唑基)苯基]-2，3，5，6-四
苯基苯等。作为可用于复合材料的芳烃，可举例如下2_叔丁基-9，10-二(2-萘基)蒽(缩 写为t-BuDNA) ；2-叔丁基-9，10- 二(1-萘基)蒽；9，10-双(3，5- 二苯基苯基)蒽(缩写 为DPPA) ；2-叔丁基-9，10-双(4-苯基苯基)蒽(缩写为t-BuDBA) ；9，10- 二(2-萘基) 蒽(缩写为DNA) ；9，10-二苯基蒽(缩写为DPAnth) ；2-叔丁基蒽(缩写为t_BuAnth) ；9， 10-双(4-甲基-1-萘基)蒽(缩写为DMNA) ；2-叔丁基-9，10-双[2_(1_萘基)苯基] 蒽；9，10-双[2-(1-萘基)苯基]蒽；2，3，6，7-四甲基-9，10-二 (1_ 萘基)蒽；2，3，6， 7-四甲基-9，10-二 (2-萘基)蒽；9，9，_ 联蒽；10，10，-二苯基-9，9，_ 联蒽；10，10，-双 (2-苯基苯基)-9，9，-联蒽；10，10，-双[(2，3，4，5，6_五苯基)苯基]_9，9，-联蒽；蒽； 并四苯；红荧烯；二萘嵌苯；2，5，8，11-四(叔丁基)二萘嵌苯等。此外也可以使用并五苯、 晕苯等。像这样，更优选使用具有lX10_6cm7Vs或更大的空穴迁移率并且具有14到42个 碳原子的芳烃。可以用于该复合材料的芳烃可以具有乙烯基骨架。作为包括乙烯基的芳烃，可以 举出例如4，4，-双(2，2 二苯乙烯基)联苯(缩写为DPVBi)、9，10-双[4_(2，2 二苯乙烯 基)苯基]蒽(缩写为DPVPA)等。此外，也可以使用聚(N-乙烯基咔唑)(缩写为PVK)、聚(4-乙烯基三苯基胺)(缩 写为PVTPA)、聚[N-(4-{N' -[4-(4_ 二苯基氨基)苯基]苯基-N'-苯基氨基}苯基) 甲基丙烯酰胺](缩写为PTPDMA)、聚[N，N'-双(4-丁基苯基)-N，N'-双(苯基)联苯 胺](缩写为Poly-TPD)等高分子化合物。空穴传输层是包含空穴传输性高的物质的层。作为空穴传输性高的物质，例如， 可使用4，4’ - 二 [N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(缩写为NPB)，N，N’ - 二(3-甲基苯 基)-N，N，- 二苯基 _[1，1，-联苯]_4，4，- 二胺(缩写为了卩1))，4，4，，4”-三[N，N-二苯 基氨基]三苯基胺(缩写为10々1幻，4，4，，4”-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]三苯 基胺(缩写为MTDATA)或4，4’_ 二 [N-(螺-9，9’_ 二芴-2-基)-N-苯基氨基]联苯(缩写为BSPB)等的芳香胺化合物等。上述物质是主要具有10_6cm2/Vs以上的空穴迁移率的物 质。但是，只要是空穴传输性高于电子传输性的物质，就可以采用上述以外的物质。另外， 包含空穴传输性高的物质的层不限于单层，可叠置两个以上的包含上述物质的层。此外，作为空穴传输层，也可以使用聚(N-乙烯咔唑)(缩写为PVK)、聚(4-乙烯三 苯胺)(缩写为PVTPA)等高分子化合物。发光层是包含发光物质的层。作为发光层的种类，可以采用以发光中心材料为主 要成分的所谓的单膜的发光层、或者在主体材料中分散有发光中心材料的所谓的主体-客 体型的发光层。

对使用的发光中心材料没有限制，而可以使用已知的发射荧光或磷光的材料。 作为荧光发光材料，例如，除了可以举出N，N'-双[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N， N' -二苯基二苯乙烯_4，4' -二胺(缩写为YGA2S)、4-(9H-咔唑-9-基)-4' -(10-苯 基-9-蒽基)三苯胺(缩写为YGAPA)等以外，还可以举出发光波长为450nm以上的 4-(9!1-咔唑-9-基)-4' -(9，10-二苯基-2-蒽基)三苯胺(缩写为2YGAPPA)、N，9-二苯 基-N-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(缩写为PCAPA)、二萘嵌苯、2，5，8， 11-四-叔-丁基二萘嵌苯(缩写为TBP)、4_ (10-苯基-9-蒽基)-4 ‘ - (9-苯基-9H-咔 唑-3-基)三苯胺(缩写为PCBAPA)、N，N" - (2-叔-丁基蒽-9，10-二基二-4，1-亚苯基) 双[N，N'，N'-三苯基-1，4-苯二胺](缩写为0 六8 六)、队9-二苯基4-[4-(9，10-二苯 基-2-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(缩写为2PCAPPA)、N-[4-(9，10- 二苯基-2-蒽基) 苯基]-N，N' , N'-三苯基-1，4-苯二胺(缩写为 2DPAPPA)、N，N，N' , N'，N"，N"， N" ‘，N〃‘-八苯基二苯并[g，p]屈(chrysene)-2，7，10，15-四胺(缩写为 DBC1)、香豆 素 30、N- (9，10- 二苯基-2-蒽基)-N, 9- 二苯基一9H-咔唑-3-胺(缩写为 2PCAPA)、N_[9， 10-双(1，1'-联苯-2-基)-2-蒽基]-N，9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(缩写为2PCABPhA)、 N-(9，10-二苯基-2-蒽基)-N，N' , N'-三苯基-1，4-苯二胺(缩写为 2DPAPA)、N_[9， 10-双(1，Γ -联苯-2-基)-2_蒽基]-N，N'，N'-三苯基-1，4-亚苯基二胺(缩写 为 2DPABPhA)、9，10-双(1，1'-联苯-2-基)-N_[4_(9H-咔唑-9-基)苯基]-N-苯基 蒽-2-胺(缩写为2YGABPhA)、N, N，9-三苯基蒽_9_胺(缩写为DPhAPhA)、香豆素545T、 N，N’ - 二苯基喹吖啶酮(缩写为DPQd)、红荧烯、5，12-双(1，1'-联苯-4-基)-6，11-二 苯基并四苯(缩写为BPT)、2-(2-{2-[4-( 二甲基氨基)苯基]乙烯基}-6_甲基-4H-吡 喃-4-亚基(ylidene))丙二腈(缩写为 DCM1)、2_{2_ 甲基 _6-[2_(2，3，6，7-四氢-1H， 5H-苯并[ij]喹嗪(quin0liZin)-9-基)乙烯基]_4H_吡喃_4_亚基}丙二腈(缩写为 DCM2)、N，N，N'，N'-四(4-甲基苯基)并四苯-5，11-二胺(缩写为 p-mPhTD)、7，14-二苯 基-N，N，N'，N'-四(4-甲基苯基)苊并(&沈11即肚110)[1，2-&]荧蒽-3，10-二胺(缩写 为 p-mPhAFD)、2-{2-异丙基-6-[2-(l，l，7，7-四甲基-2，3，6，7-四氢-1礼5!1-苯并[ij]喹 嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亚基}丙二腈(缩写为DCJTI)、2-{2-叔-丁基-6-[2-(1， 1，7，7-四甲基-2，3，6，7-四氢-1H，5H-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亚 基}丙二腈(缩写为DCJTB)、2-(2，6-双{2-[4-( 二甲基氨基)苯基]乙烯基}_4H_吡 喃-4-亚基)丙二腈(缩写为BisDCM)、2-{2，6_双[2-(8-甲氧基_1，1，7，7-四甲基-2， 3,6,7-四氢-1H，5H-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亚基}丙二腈(缩 写为BisDCJTM)等。作为磷光发光材料，除了双[2-(4'，6' - 二氟)吡啶醇-N，C2 ‘]铱(III)四(1-吡唑基)硼酸盐(缩写为FIr6)以外，还可以举出发光波长在470nm至 500nm的范围内的双[2-(4'，6' -二氟苯基)吡啶醇_N，C2‘]铱(III)吡啶甲酸酯(缩 写为FIrpic)、双[2-(3'，5'-双三氟甲基苯基)吡啶醇_N，C2']铱(III)吡啶甲酸酯 (缩写为 Ir(CF3ppy)2(piC))、双[2-(4'，6' -二氟苯基)]吡啶醇-N，C2‘]铱(III)乙 酰丙酮(缩写为FIracac)；发光波长为500nm(绿色发光)以上的三(2-苯基吡啶醇)铱 (III)(缩写为Ir(ppy)3)、双(2-苯基吡啶)铱(III)乙酰丙酮(缩写为Ir (ppy) 2 (acac))、 三(乙酰丙酮)(单菲咯啉)铽(III)(缩写为Tb (acac) 3 (Phen))、双(苯并[h]喹啉)铱 (III)乙酰丙酮(缩写为 Ir (bzq)2 (acac))、双(2，4-二苯基-1，3-恶唑-N，C2')铱(III) 乙酰丙酮(缩写为Ir(dpo)2(acac))、双[2-(4'-全氟烷苯基苯基)吡啶醇]铱(III) 乙酰丙酮(缩写为Ir (p-PF-ph)2 (acac))、双(2-苯基苯并噻唑-N，C2')铱(III)乙酰 丙酮(缩写为Ir(bt)2(acac))双[2-(2'-苯并[4，5-α]噻吩基)吡啶醇-N，C3']铱 (III)乙酰丙酮(缩写为Ir(btp)2(acac))、双(1-苯基异喹啉N，C2')铱(III)乙酰丙 酮(缩写为Ir (piq)2 (acac)),(乙酰丙酮)双[2，3_双(4_氟苯基)喹喔啉合]铱(III) (缩写为Ir (Fdpq)2 (acac)),(乙酰丙酮)双(2，3，5_三苯基吡嗪根合)铱(III)(缩写 为 Ir (tppr) 2 (acac)) ,2, 3, 7,8,12,13,17,18-八乙基 _21Η，23Η_ 卟啉钼(II)(缩写为 PtOEP)、三(1，3_ 二苯基-1，3-丙二酮)(单菲咯啉)铕(III)(缩写为 Eu (DBM) 3 (Phen))、三 [1-(2_噻吩甲酰基)-3，3，3_三氟丙酮](单菲咯啉)(III)(缩写为Eu(TTA)3(Phen))等。 根据各发光元件中的发光颜色而从上述那样的材料或其他已知材料中选择，即可。
在使用主体材料的情况下，例如可以举出三(8-羟基喹啉)铝(III)(缩写为 Alq)、三(4-甲基-8-羟基喹啉)铝(III)(缩写为Almq3)、双(10-羟基苯[h]喹啉)铍 (II)(缩写为BeBq2)、双(2_甲基_8_羟基喹啉)(4_苯基苯酚盐)铝(III)(缩写为BAlq)、 双(8-羟基喹啉)锌(II)(缩写为Znq)、双[2_(2_苯并噁唑基)苯酚]锌(II)(缩写为 ZnPBO)、双[2-(2_苯并噻唑基)苯酚]锌(II)(缩写为ZnBTZ)等的金属配合物；2_(4_联 苯基)-5-(4-叔-丁基苯基)-1，3，4-恶二唑(缩写为PBD)、1，3-双[5_(对-叔-丁基苯 基)-1，3，4_恶二唑-2-基]苯(缩写为(》0-7)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-(4-叔-丁 基苯基)-1，2，4_三唑(缩写为TAZ)、2，2'，2〃 -(1，3，5-苯三基)三(1-苯基-IH-苯 并咪唑)(缩写为TPBI)、红菲绕啉(缩写为BPhen)、浴铜灵(缩写为BCP)、9-[4_(5_苯 基-1，3，4-恶二唑-2-基)苯基]-9H-咔唑(缩写为C011)等的杂环化合物；NPB(或 α-NPD)、TPD、BSPB等的芳香胺化合物。另外，可以举出蒽衍生物、菲衍生物、嵌二萘衍生 物、屈衍生物、二苯并[g，P]屈衍生物等的缩合多环芳香化合物，具体而言，可以举出9， 10- 二苯基蒽(缩写为DPAnth)、N, N- 二苯基_9-[4-(10_苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔 唑-3-胺(缩写为CzAlPA)、4_ (10-苯基-9-蒽基)三苯基胺(缩写为DPhPA)、4_ (9H-咔 唑-9-基)-4' -(10-苯基-9-蒽基)三苯基胺(缩写为￥64 幻、队9-二苯基4-[4-(10-苯 基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(缩写为PCAPA)、N，9- 二苯基-N- {4- [4-(10-苯 基-9-蒽基)苯基]苯基}-9H-咔唑-3-胺(缩写为PCAPBA)、N, 9- 二苯基-N-(9，10- 二 苯基-2-蒽基)-9H-咔唑-3-胺(缩写为2PCAPA) ,6,12- 二甲氧基-5,11- 二苯基屈、N，N， N'，N'，N"，N"，N' “，N'“-八苯基二苯并[g，p]屈 _2，7，10，15-四胺(缩写为08(1)、 9-[4-(10_苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(缩写为CzPA)、3，6-二苯基-9-[4-(10-苯 基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(缩写为DPCzPA)、9，10-双(3，5-二苯基苯基)蒽(缩写为DPPA)、9，10- 二(2-萘基)蒽(缩写为DNA)、2_叔-丁基-9，10- 二(2-萘基)蒽(缩写 为t-BuDNA)、9，9'-联蒽(缩写为BANT)、9，9' -( 二苯乙烯-3，3' - 二基)二菲(缩写 为 DPNS)、9，9' _( 二苯乙烯 _4，4' - 二基)二菲(缩写为 DPNS2)、3，3‘，3〃 -(苯 _1，3， 5_三基)三嵌二萘(缩写为TPB3)等。只要从这些材料及已知的物质中选择如下物质，即 可，该物质包含具有比分散在各主体材料中的发光中心物质的能隙(在磷光发光时是三重 态能量)大的能隙(三重态能量)的物质，并呈现符合每个层应该具有的传输性的传输性。电子传输层是包含电子传输性高的物质的层。例如，可以使用三(8-羟基喹啉) 铝(缩写为Alq)、三(4-甲基-8-羟基喹啉)铝(缩写为Almq3)、二(10-羟基苯并[h]_喹 啉)铍(缩写为BeBq2)或二(2_甲基_8_羟基喹啉)(4_苯基苯酚)铝(缩写为BAlq)等 的包含具有喹啉骨架或苯并喹啉骨架的金属配合物等所构成的层。另外，除了上述以外，还 可以使用双[2-(2_苯并噁唑基)苯酚]锌(II)(缩写为Zn(BOX)2)、双[2_(2_苯 并噻唑 基)苯酚]锌(II)(缩写为Zn(BTZ)2)等具有噁唑类、噻唑类配位体的金属配合物等。除 了金属配合物以外，也可使用2- (4-联苯基)-5- (4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑(缩写为 PBD)、1，3-二 [5-(ρ-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑-2-基]苯(缩写为 0XD-7)、3_ (4-联苯 基)-4-苯基-5- (4-叔丁基苯基)-1，2，4-三唑(缩写为TAZ)、浴菲咯啉(缩写为BPhen)、 浴铜灵(缩写为BCP)等。此处所述的物质是主要具有l(T6Cm2/VS以上的电子迁移率的物 质。另外，只要是电子传输性高于空穴传输性的物质，就可以采用上述以外的物质作为电子 传输层。另外，电子传输层不限于单层，可叠置两个以上的包含上述物质的层。另外，在电子传输层与发光层之间可以设置控制电子载流子移动的层。该层是将 少量的电子捕捉性高的物质添加到上述电子传输性高的材料中的层，并且能够通过抑制电 子载流子移动而调整载流子平衡。这种结构对由于电子穿过发光层而发生的问题(例如， 元件的使用寿命的降低)的抑制发挥很大的效果。作为接触于电极104和电极106中的另一方的阴极而设置的电子注入层，可以使 用氟化锂(LiF)、氟化铯(CsF)、氟化钙(CaF2)等的碱金属、碱土金属或它们的化合物。例 如，可以使用在由具有电子传输性的物质构成的层中含有碱金属、碱土金属或其化合物的 层，如在Alq层中含有镁(Mg)的层等。另外，优选使用在由具有电子传输性的物质构成的 层中含有碱金属或碱土金属的层作为电子注入层，这是因为能够高效地从阴极注入电子。另外，在由有机物层112得到红(R)、绿(G)和蓝(B)的发光的情况下，也可以根 据RGB的每一种颜色的光的波长而改变有机物层112的厚度。例如，在电极104和电极106 中的一方由反射导电膜形成的情况下，有从发光层穿过电极104和电极106中的另一方而 发射到外侧的第一光、以及从发光层发射并被电极104和电极106中的一方反射然后穿过 电极104和电极106中的另一方而发射到外侧的第二光。因为红(R)、绿(G)和蓝(B)的 每一种颜色具有互不相同的光的波长，所以通过根据每一种颜色而改变有机物层112的厚 度，可以得到第一光和第二光干扰并互相加强的最佳距离。密封层107是钝化膜，例如，可以通过溅射等形成氮化硅膜、氧化铝膜、包含氮的 氧化硅膜等具有防潮性的无机膜的单层或该膜的叠层。或者，还可以采用具有防潮性的无 机膜与有机膜的叠层结构。该有机膜必须实现平坦化和应力缓和性，例如，可以通过蒸镀聚 合形成聚乳酸。
作为保护材料108，可以使用环氧树脂、丙烯酸树脂或在下文所述的在片状纤维体 中浸渗有有机树脂的结构体(预浸料)。另外，支撑体109可以使用再剥离性薄膜以及树脂材料，如通过UV照射而剥离的 UV剥离薄膜等。接着，通过分离层102从衬底101分离包含半导体电路元件103、电极104、隔断墙 105、有机物层112、电极106和密封层107的叠层结构、保护材料108和支撑体109 (参照图 1D)。贴合被分离的包含半导体电路元件103、电极104、隔断墙105、有机物层112、电极 106和密 封层107的叠层结构及保护材料108到基体111 (参照图1E)。基体111与半导体 电路元件103也可以使用粘合剂而贴合。另外，至于支撑体109，在贴合到基体111之后将 其从保护材料108分离，即可。基体111可以使用柔性衬底等，例如，优选的是聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚 萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等聚酯树脂、聚丙烯腈树脂、聚酰亚胺树脂、聚甲基丙烯酸甲酯树 月旨、聚碳酸酯树脂(PC)、聚醚砜树脂(PES)、聚酰胺树脂、环烯烃树脂、聚苯乙烯树脂、聚酰 胺酰亚胺树脂、聚氯乙烯树脂等。尤其是，因为能够抑制高温下的衬底的拉长而抑制衬底的 变形和裂缝的产生，所以优选将热膨胀系数低的材料应用于基体111。另外，作为基体111，还可以使用在片状纤维体302中浸渗有有机树脂301的结构 体305 (参照图7C)。这种结构体305也被称为预浸料。预浸料具体地说是在片状纤维体 中浸渗用有机溶剂稀释基质树脂而得到的组成物之后，通过使它干燥而使有机溶剂挥发来 使基质树脂半固化的材料。图7A和7B示出将线把用作经纱及纬纱而编织的作为片状纤维体302的织布的俯 视图。另外，图7C示出通过在片状纤维体302中浸渗有机树脂301而得到的结构体305的 截面图。片状纤维体302是使用有机化合物或无机化合物的织布或者无纺布。此外，片状 纤维体302还可以使用有机化合物或无机化合物的高强度纤维。此外，片状纤维体302也可以由将纤维(单线)的把(下面称为线把)用作经纱 及纬纱而编织的织布或将多种纤维的线把不规则或沿一个方向堆积而得到的无纺布构成。 当采用织布时，可以适当地使用平纹织物、斜纹织物、缎纹织物等。线把的截面可以是圆形或椭圆形。作为线把，可以使用通过以高压水流、液体为介 质的高频振荡、连续超声波的振荡、使用辊的按压等实施了开纤处理的线把。实施了开纤处 理的线把的宽度变宽，而可以缩减厚度方向的单线数，这样，线把的截面成为椭圆形或平板 状。此外，通过使用低捻丝作为线把，线把容易扁平化，线把的截面形状成为椭圆形状或平 板形状。如上所述，通过使用截面为椭圆形或平板状的线把，可以减薄片状纤维体302的厚 度。由此，可以减薄结构体305的厚度，从而能够制造薄型半导体装置。如图7A所示，片状纤维体302由具有一定间隔的经纱302a及具有一定间隔的 纬纱302b编织。这种纤维体具有经纱302a及纬纱302b都不存在的区域(称为“方平网 眼”(basket hole) 302c) 0在这种片状纤维体302中，有机树脂浸渍到纤维体中的比例提 高，而可以提高片状纤维体302的密合性。另外，虽然在结构体305中的方平网眼302c中 不存在有经纱302a及纬纱302b，但是填充有有机树脂301。
此外，如图7B所示，片状纤维体302也可以是经纱302a及纬纱302b的密度高且 方平网眼302c的比例低的纤维体。具有代表性的是，方平网眼302c的大小优选比受到局 部按压的面积还小。具有代表性的是，优选是一边为0.01mm以上且0.2mm以下的矩形。当 片状纤维体302的方平网眼302c的面积这样小时，即使被先端细的构件(具有代表性的是 钢笔或铅笔等书写工具)按压，也可以通过片状纤维体302整体吸收该压力。另外，也可以对线把施行表面处理，以便提高有机树脂301对线把内部的渗透率。 例如，有用来使线把表面活化的电晕放电处理、等离子体放电处理等。此外，还有使用硅烷 偶联剂、钛酸酯偶联剂的表面处理。另外作为高强度纤维，具体为拉伸弹性模量高的纤维或者杨氏模量高的纤维。作 为高强度纤 维的代表性例子，可以使用聚乙烯醇纤维、聚酯纤维、聚酰胺纤维、聚乙烯纤维、 芳族聚酰胺纤维、聚对苯撑苯并二唑纤维、玻璃纤维或碳纤维。作为玻璃纤维，可以采用使 用E玻璃、S玻璃、D玻璃、Q玻璃等的玻璃纤维。另外，片状纤维体302可以由一种上述高 强度纤维形成，也可以由多种上述高强度纤维形成。作为浸渗在片状纤维体302中的有机树脂301，可以使用环氧树脂、不饱和聚酯树 月旨、聚酰亚胺树脂、双马来酰亚胺三嗪树脂或氰酸酯树脂等热固性树脂。此外，可以使用聚 苯醚树脂、聚醚酰亚胺树脂或含氟树脂等热塑性树脂。另外，还可以使用上述热塑性树脂及 上述热固性树脂中的多种。通过使用上述有机树脂，可以通过热处理将片状纤维体固定到 半导体元件层上。另外，有机树脂301的玻璃化温度越高，就越不容易因局部按压损坏，所 以是理想的。可以将高导热性填料分散在有机树脂301或纤维体的线把中。作为高导热性填 料，有氮化铝、氮化硼、氮化硅、氧化铝等。此外，作为高导热性填料，有银、铜等的金属粒子。 通过在有机树脂或线把中含有高导热性填料，容易将元件层中产生的热量释放到外部，所 以能够抑制半导体装置的蓄热，而可以减少半导体装置的破坏。另外，图7A和7B示出分别用一条经纱与一条纬纱编织而形成的片状纤维体，但是 经纱及纬纱的条数不局限于此。只要根据需要而分别决定经纱及纬纱的条数，即可。例如， 图8和图9分别示出将十条经纱及十条纬纱分别捆束成一把而编织成的片状纤维体的俯视 图及截面图。另外，在图9中，在片状纤维体302中浸渗有有机树脂301，而形成结构体305。如上所述，因为电极106与隔断墙105的接触面积大，所以可以防止在分离时电极 106与有机物层112分离。接着，参照图2至图9说明形成有作为半导体电路元件103的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，即TFT)的发光装置及其制造方法。首先，在衬底221上形成分离层222和基底膜204(参照图3A)。作为衬底221，可 以使用与衬底101相同的材料。作为基底膜204，可以使用氧化硅膜、氮化硅膜、包含氮的氧化硅膜和包含氧的氮 化硅膜中的任何一种或两种以上的叠层膜。作为分离层222，可以使用与分离层102相同的材料。

另外，在形成分离层222之前，可在衬底221上形成绝缘膜如氧化硅膜、氮化硅膜、 包含氮的氧化硅膜、包含氧的氮化硅膜等，然后在该绝缘膜上形成分离层222。通过在衬底 221和分离层222之间提供这种绝缘膜，可防止包含在衬底221中的杂质进入上层。另外，当在后面进行激光照射工序的情况下，能够在进行该工序时防止衬底221被蚀刻。另外，这 里，包含氮的氧化硅膜和包含氧的氮化硅膜的意思有所不同，前者含有的氧多于氮，而后者 含有的氮多于氧。接着，在基底膜204上形成岛状半导体膜225，覆盖基底膜204和岛状半导体膜 225地形成栅极绝缘膜205，并且在岛状半导体膜225上隔着栅极绝缘膜205形成栅电极 263 (参照图3B)。作为形成岛状半导体膜225的材料，可以使用使用具有以硅(Si)和锗(Ge)为代 表的半导体材料的气体通过气相成长法或溅射法形成的非晶(非晶态)半导体；通过利用 光能或热能使该非晶半导体结晶而形成的多晶半导体；微晶(也称为半非晶或微晶态)半 导体； 以有机材料为主要成分的半导体等。岛状半导体膜225只要在通过溅射法、LPCVD法 或等离子体CVD法等形成半导体膜后进行蚀刻来将该半导体膜形成为岛状，即可。在本实 施方式中，形成岛状硅膜作为岛状半导体膜225。此外，作为岛状半导体膜225的材料，除了硅(Si)、锗(Ge)等单质以外，还可以使 用诸如GaAs、InP, SiC、ZnSe.GaN, SiGe等的化合物半导体。此外，还可以使用氧化物半导 体的氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO2)、氧化镁锌、氧化镓、铟氧化物和由多个上述氧化物半导体 构成的氧化物半导体等。例如，也可以使用由氧化锌、铟氧化物和氧化镓构成的氧化物半导 体等。另外，在将氧化锌用于岛状半导体膜225的情况下，栅极绝缘膜205优选使用Y203、 A1203、TiO2、它们的叠层等，而栅电极236、下文所述的电极215a及215b优选使用ΙΤ0、Au、 Ti等。此外，还可以将In、Ga等添加到ZnO。此外，栅电极236通过使用CVD法、溅射法、液滴喷射法等并使用选自Ag、Au、Cu、 Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、W、Al、Ta、Mo、Cd、Zn、Fe、Ti、Si、Ge、Zr、Ba 中的元素、以这些元素为主要 成分的合金材料或化合物材料来形成，即可。另外，还可以使用以掺杂有磷等杂质元素的多 晶硅膜为代表的半导体膜、AgPdCu合金。另外，既可使用单层结构，又可使用多个层的叠层 结构。在岛状半导体膜225中，形成沟道形成区域233、源区和漏区中的一方的区域234a 以及源区和漏区中的另一方的区域234b(参照图3C)。区域234a及区域234b通过以栅电 极236为掩模将具有一种导电型的杂质元素添加到岛状半导体膜225中来形成，即可。作 为具有一种导电型的杂质元素，赋予η型的杂质元素使用磷(P)或砷(As)，而赋予ρ型的杂 质元素使用硼(B)，即可。另外，还可以在沟道形成区域233与区域234a之间及沟道形成区域233与区域 234b之间分别形成低浓度杂质区域。接着，覆盖栅极绝缘膜205及栅电极236地形成绝缘膜206及绝缘膜207。再者， 在绝缘膜207上形成电连接于区域234a的电极215a及电连接于区域234b的电极215b。 如上所述，制造半导体电路所包含的TFT211 (参照图3D)。绝缘膜206及绝缘膜207分别可以使用在基底膜204的说明中举出的材料中的任 何一种形成。在本实施方式中，作为绝缘膜206形成包含氧的氮化硅膜，作为绝缘膜207形 成包含氮的氧化硅膜。这是因为为了通过进行热处理由包含氧的氮化硅膜所包含的氢终结 岛状半导体膜225的悬空键的缘故。另外，还可以根据需要形成绝缘膜206及绝缘膜207 中的任何一方。
电极215a及电极215b分别可以使用在栅电极236的说明中描述的材料中的任何一种。接着，覆盖绝缘膜207、电极215a和电极215b地形成绝缘膜208，并且在绝缘膜 208上形成电连接于电极215a和电极215b中的一方的电极217 (参照图4A)。绝缘膜208可以由有机绝缘材料或无机绝缘材料形成。

作为无机材料，例如可以使用氧化硅、氮化硅、包含氮的氧化硅和金刚石状碳 (Diamond Like Carbon(DLC))中的任何一种或两种以上的叠层结构。另外，作为有机材料， 可以使用聚酰亚胺、丙烯酸树脂、聚酰胺、聚酰亚胺酰胺、抗蚀剂或苯并环丁烯和硅氧烷中 的任何一种或两种以上的叠层结构。电极217可以使用在栅电极236的说明中举出的材料中的任何一种而形成。接着，在绝缘膜208上形成隔断墙275 (参照图4B)。隔断墙275可以使用在绝缘 膜208的说明中举出的材料中的任何一种而形成。另外，隔断墙275重叠于相邻的电极217 的一部分，并具有按照每一个像素分离电极217及之后形成的有机物层112的功能。以下，在电极217上的由相邻的隔断墙275围绕的区域中形成有机物层112(参照 图 4C)。接着，在有机物层112及隔断墙275上形成电极113。电极113可以使用在电极 106的说明中描述的材料中的任何一种。在电极113上形成密封层114(参照图5幻。密封层114可以使用与密封层107相 同的材料而形成。另外，在密封层114上形成保护材料241。保护材料241可以使用与保护材料108 相同的材料而形成。再者，在保护材料241上形成支撑体242(参照图5B)。支撑体242可以使用与支 撑体109相同的材料。接着，通过分离层222从衬底221分离基底膜204、TFT211、绝缘膜208、电极217、 隔断墙275、有机物层112、电极113、密封层114、保护材料241和支撑体242 (参照图6A)。此时，还可以照射激光束如UV激光束，以在分离层222和基底膜204中形成开口部。通过形成开口部，部分地去除分离层222，来形成剥离的开端，而可以简单地从衬 底221分离基底膜204、TFT211、绝缘膜208、电极217、隔断墙275、有机物层112、电极113、 密封层114、保护材料241和支撑体242。在分离层222的内部或分离层222与基底膜204 之间的边界处进行该分离。另外，还可以在形成支撑体242之前照射激光。另外，激光束的种类不局限于UV激光束，而只要能够形成开口部，就没有特别的 限制。产生激光束振荡的激光振荡器由激光媒质、激励源、共振器构成。当根据媒质对于 激光器进行分类时，有气体激光器、液体激光器和固体激光器。当根据振荡特征对于激光器 进行分类时，有自由电子激光器、半导体激光器、X射线激光器。然而，在本实施方式中，可 以采用任何激光器。但是优选使用气体激光器或固体激光器，更优选使用固体激光器。作为气体激光器，有氦氖激光器、二氧化碳气体激光器、受激准分子激光器、氩离子激光器等。作为受激准分子激光器，有稀有气体受激准分子激光器、稀有气体商受激准分 子激光器。作为稀有 气体受激准分子激光器，有利用氩、氪、氙的三种受激分子的振荡。作 为氩离子激光器，有稀有气体离子激光器、金属蒸气离子激光器。作为液体激光器，有无机液体激光器、有机螯合物激光器、色素激光器。无机液体 激光器以及有机螯合物激光器利用固体激光器所利用的钕等稀土离子作为激光媒质。固体激光器所利用的激光媒质是在固体的母体中掺杂有使激光起到作用的活性 种的物质。固体的母体是结晶或玻璃。结晶是YAG(钇铝石榴石结晶)、YLF、YV04、YA103、 蓝宝石、红宝石、变石。此外，使激光起到作用的活性种例如是三价的离子(Cr3+、Nd3+、Yb3+、 Tm3+、Ho3+、Er3+、Ti3+)。而且，当使用陶瓷(多晶)作为媒质时，可以在短时间以低成本形成具有自由形状 的媒质。当使用单晶作为媒质时，通常使用直径为几mm且长度为几十mm的柱状的单晶。在 使用陶瓷(多晶)作为媒质的情况下，可以形成大尺寸的媒质。直接有助于光发射的掺杂 剂如Nd或Yb等在媒质中的浓度在单晶中也好在多晶中也好都不能做大的改变，因此，通过 将掺杂剂的浓度增大来提高激光器输出的方法受到某种程度的限制。然而，在使用陶瓷作 为媒质的情况下，与单晶相比可以显著地增加媒质的尺寸，因此，可以使激光器的输出得到 大幅度的提高。而且，在使用陶瓷作为媒质的情况下，可以容易地形成具有平行六面体形状 或长方体形状的媒质。在使用具有这种形状的媒质使振荡光在媒质内部以Z字形行进时， 可以延长振荡光的路径。因此，增加了振幅，并且可以使激光束以高的输出振荡。此外，从 具有这种形状的媒质发射出的激光束在射出时的截面形状是四边形形状，而截面形状是四 边形形状的激光束在将激光束加工为线状光束时比具有圆形形状的激光束有利。像这样， 通过利用光学系统对发射出的激光束进行整形，可以容易地获得短边长度为Imm或更小且 长边长度为几mm至几m的线状光束。另外，通过使激发光均勻地照射媒质，线状光束在长 边的方向上的能量分布成为均勻的能量分布。当用该线状光束照射半导体膜时，可以对整 个半导体膜进行均勻的退火。在直到线状光束的两端都需要均勻的退火时，需要设法在线 状光束的两端提供狭缝以便对能量的衰减部分进行遮光。作为用来形成开口部的激光束，可以使用连续波(CW)激光束或脉冲振荡激光束。 而且，考虑到基底膜204和分离层222的厚度、材料等而适当地控制激光束照射条件如频 率、功率密度、能量密度和束轮廓等。以下，参照图16及图17说明在分离工序中应该沿哪个方向分离衬底221与衬底 221上的叠层结构体。图16是图5B所示的叠层结构体的俯视图。但是，图16只示出衬底221、隔断墙 275、电极113、区域122R、区域122G、区域122B。以下说明区域122R、区域122G、区域122B。发出同一种颜色的光的有机物层112彼此相邻而排列成一个列。以发红色光的有 机物层112R排列的区域作为区域122R，以发绿色光的有机物层112G排列的区域作为区域 122G，并且以发蓝色光的有机物层112B排列的区域作为区域122B(参照图17)。另外，隔断墙275存在于有机物层112R与有机物层112G之间、有机物层112G与 有机物层112B之间、有机物层112B与有机物层112R之间。再者，如图16所示，隔断墙275 可以说在与有机物层112R、有机物层112G和有机物层112B分别延伸的方向相同的方向上 延伸。
在图16中，方向125是与衬底221的一边平行的方向，并是与有机物层122R、有机 物层122G和有机物层122B(总称为区域122)分别延伸的方向垂直的方向。在沿方向125 分离衬底221和衬底221上的叠层结构体时，用来分离的力交替地施加到隔断墙275和区 域 122。因为电极113与包含有机物层112的区域122的紧贴性弱，而电极113与隔断墙 275的紧贴性强，所以在分离工序中交替地存在有紧贴性弱的部分与紧贴性强的部分，从而 能够防止电极113与区域122的分离。另一方面，在沿有机物层122R、有机物层122G和有机物层122B分别延伸的方向的 方向126上分 离衬底221和衬底221上的叠层结构体时，用来分离的力一直施加到隔断墙 275和区域122的每一个。其结果，因为电极113与隔断墙275的紧贴性强，而电极113与区域122的紧贴性 弱，所以连续地存在有紧贴性弱的部分。从而有时会发生电极113与区域122的分离。如上所述，分离的方向必须是与区域122延伸的方向垂直的方向，并是隔断墙275 与区域122交替地排列的方向125。通过分离衬底221，能够获得具有基底膜204、TFT211、绝缘膜208、电极217、隔 断墙275、有机物层112、电极113、密封层114和保护材料241的叠层结构体237、支撑体 242 (参照图6B)。将基体201贴合到叠层结构体237中的基底膜204。基体201还可以使用粘合层 203实现贴合(参照图2)。基体201可以使用与基体111相同的材料或图7A至7C、图8和 图9所示的结构体305。然后，从叠层结构体237分离支撑体242。粘合层203可以使用各种固化型粘合剂如反应固化型粘合剂、热固化型粘合剂、 紫外线固化型粘合剂等的光固化型粘合剂和厌氧型粘合剂等。作为这些粘合剂的材料，可 以举出环氧树脂、丙烯酸树脂、硅酮树脂、酚醛树脂等。如上所述，在使用分离层222进行分离工序时，因为电极113与隔断墙275的接触 面积大，所以能够防止电极113与有机物层112的分离。根据上述，能够制造发光装置235。实施方式2在本实施方式中，参照图IOA至15B说明组装有实施方式1所说明的发光装置的 移动电话。在本实施方式中，使用同一附图标记表示同一部分。图IOC是从正面看到的移动电话的图，图IOD是从横向看到的移动电话的图，图 IOB是从上看到的移动电话的图，并且图IOA是框体411的截面图。从正面看到的框体411 的形状为具有长边和短边的矩形，该矩形的角还可以具有圆度。在本实施方式中，与正面形 状的矩形的长边平行的方向被称为长方向，而与正面形状的矩形的短边平行的方向被称为 短方向。另外，从侧面看到的框体411的形状为具有长边和短边的矩形，该矩形的角还可 以具有圆度。在本实施方式中，与侧面形状的矩形的长边平行的方向被称为长方向，而与侧 面形状的矩形的短边平行的方向被称为纵深方向。图IOA至IOD所示的移动电话具有框体411、框体402、组装在框体411中的显示 区域413、操作按钮404、EL面板421、触控面板423和支撑体416。
EL面板421和下文所述的驱动电路412使用实施方式1所说明的发光装置而形 成，即可。作为EL面板421使用发光元件，作为驱动发光元件的像素电路使用半导体电路 元件来制造，既可。而且，作为驱动像素电路的驱动电路412，也可以使用半导体电路元件 来制造。半导体电路元件是用半导体而形成的元件，并具有包括薄膜晶体管、二极管等的电 路。另外，图15A是框体411的透视图，框体411的面积最大的区域为正面455、与正 面455相对的面为背面452，存在于正面455与背面452之间的区域为侧面453，并且由正 面455、背面452和侧面453围绕的区域中的一方为上面454。另外，图IlA是从背面看到的图IOA至IOD所示的移动电话的图。 如图IlA所示，驱动电路412配置在框体411的背面452。图IlB是从图IOC所示的状态在横方向上旋转90°时的俯视图。本实施方式的移 动电话不管纵向放置还是横向方置，都能够显示图像和文字。如图IOA所示，在框体411的内部存在有支撑体416，并且在支撑体416上配置有 EL面板421。这里，EL面板421覆盖支撑体416的上面区域。像这样，在移动电话的长方向的上部存在有显示区域413。就是说，在上面454存 在有显示区域413。由此，例如，即使将移动电话放在上衣口袋中，也能够在不取出移动电话 的情况下看到显示区域413。可以在显示区域413上显示电子邮件的有无、来电的有无、日期和时间、电话号 码、人名等。另外，根据需要，通过只在显示区域413中的存在于上面454的区域进行显示， 而在其他区域不进行显示，能够实现节能化。图12示出图IOD的截面图。如图12所示，在框体411中沿支撑体416配置有EL 面板421和触控面板423，并且显示区域413存在于框体411的正面455和上面454。另外，图13示出EL面板421和驱动电路412的展开图。在图13中，EL面板421 被制造为配置在上面454及背面452，并且驱动电路412配置在背面452。像这样，不是以 正面455和上面454为区别分别制造(两个)EL面板421，而是以EL面板421存在于正面 455和上面454的双方的方式制造EL面板421，从而能够抑制制造成本和制造时间。在EL面板421上配置有触控面板423，并且在显示区域413上显示触控面板的按 钮414。通过用手指等接触按钮414，能够操作显示区域413的显示内容。另外，通过用手 指等接触按钮414，能够进行电话的拨打或者制作电子邮件。根据需要显示触控面板423的按钮414，即可，从而在不需要按钮414时，能够如图 IlB所示那样在整个显示区域413上显示图像和文字。再者，图14A至14D和图15B示出如下例子显示区域433也存在于移动电话的长 方向的上部，并且在移动电话的截面形状中上部的长边也具有曲率半径。图14C是从正面看到的移动电话的图，图14D是从横向看到的移动电话的图，图 14B是从上看到的移动电话的图，并且图14A是框体431的截面图。从正面看到的框体431 的形状为具有长边和短边的矩形，该矩形的角还可以具有圆度。在本实施方式中，与矩形的 长边平行的方向被称为长方向，而与矩形的短边平行的方向被称为短方向。图14A至14D所示的移动电话具有框体431、框体402、组装在框体431中的显示 区域433、操作按钮404、EL面板441、触控面板443和支撑体436。
EL面板441和驱动电路412可以使用实施方式1所说明的发光元件和半导体电路 元件而形成。作为EL面板441使用发光元件，作为驱动发光元件的像素电路使用半导体电 路元件来制造，既可。作为驱动像素电路的驱动电路412，也可以使用半导体电路元件来制造。另外，图15B是框体431的透视图，与图15A同样，框体431的面积最大的区域为 正面455、与正面455相对的面为背面452，存在于正面455与背面452之间的区域为侧面 453，并且由正面455、背面452和侧面453围绕的区域中的一方为上面454。 另外，从背面看到的图14A至14D所示的移动电话的图与从背面看到的图IOA至 IOD所示的移动电话的图相同，都是图IlA0与图IlA同样，驱动电路412配置在框体431的背面452。作为从背面看到的图 14A至14D所示的移动电话的图，只要将图IlA的框体411换称为框体431，即可。在图14A至14D所示的移动电话中，将支撑体436的截面形状形成为上部的长边 具有曲率半径。由此，在EL面板441和触控面板443的每一个的截面形状中，上部的长边 具有曲率半径。另外，框体431的上部也弯曲。就是说，在从正面455看显示区域433时， 其成为向前圆圆地突出的形状。在以支撑体436的上部的长边的曲率半径作为Rl时，曲率半径Rl优选为20cm至 30cmo因为支撑体436的上部的长边弯曲为具有曲率半径Rl，所以覆盖支撑体436的EL 面板441、覆盖EL面板441的触控面板443和框体431的上部的长边也弯曲。图14A至14D所示的移动电话在移动电话的长方向的上部也存在有显示区域433。 就是说，在上面454也存在有显示区域433。由此，例如，即使将移动电话放在上衣口袋中， 也能够在不取出移动电话的情况下看到显示区域433。可以在显示区域433上显示电子邮件的有无、来电的有无、日期和时间、电话号 码、人名等。另外，根据需要，通过只在显示区域433中的存在于上面454的区域进行显示， 而在其他区域不进行显示，能够实现节能化。EL面板441和驱动电路412的展开图与图IOA至IOD的展开图同样，都是图13， 只要将EL面板421换称为EL面板441，即可。在图13中，驱动电路412配置在上面454和 背面452。本说明书根据2009年3月26日在日本专利局受理的日本专利申请编号 2009-075989而制作，所述申请内容包括在本说明书中。
权利要求
一种发光装置的制造方法，包括如下步骤在衬底上形成隔断墙，该隔断墙包括沿第一方向延伸的多个条形部分；在所述衬底上的所述隔断墙的多个条形部分之间分别形成发红色光的有机物层、发绿色光的有机物层和发蓝色光的有机物层；以接触于所述隔断墙的方式在所述有机物层上形成电极；以及沿垂直于所述第一方向的第二方向通过分离层从所述衬底分离包含所述隔断墙、所述有机物层和所述电极的叠层结构，其中，发同一种颜色的光的有机物层相邻地排列为一列，并沿所述第一方向延伸。
2.根据权利要求1所述的发光装置的制造方法， 其中，所述隔断墙使用无机材料而形成，并且，所述无机材料是氧化硅、氮化硅、包含氮的氧化硅、包含氧的氮化硅和金刚石状 碳中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的发光装置的制造方法， 其中，所述隔断墙使用有机材料而形成，并且，所述有机材料是聚酰亚胺、丙烯酸树脂、聚酰胺、聚酰亚胺酰胺、抗蚀剂和苯并环 丁烯和硅氧烷中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的发光装置的制造方法，其中，所述电极包括选自透光阳极、透光阴极、遮光阴极和遮光阳极中的材料。
5.根据权利要求4所述的发光装置的制造方法，其中，所述透光阳极包括选自氧化铟、氧化铟-氧化锡合金、包含硅或氧化硅的氧化 铟-氧化锡、包含氧化钨及氧化锌的氧化铟、氧化铟氧化锌合金、氧化锌和添加有镓(Ga)的 氧化锌中的材料。
6.根据权利要求4所述的发光装置的制造方法，其中，所述遮光阴极的材料包括选自锂(Li)、铯(Cs)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、铕 (Eu)和镱(Yb)中的材料。
7.根据权利要求4所述的发光装置的制造方法，其中，所述遮光阳极的材料包括选自金(Au)、钼(Pt)、镍(Ni)、钨(W)、铬(Cr)、钼 (Mo)、铁(Fe)、钴(Co)、铜(Cu)和钯(Pd)中的材料。
8.一种发光装置的制造方法，包括如下步骤 在衬底上形成分离层； 在所述分离层上形成半导体电路元件层；在所述半导体电路元件层上形成电连接于所述半导体电路元件层的多个第一电极； 在所述半导体电路元件层上形成重叠于所述多个第一电极的每个电极的端部的隔断 墙，该隔断墙沿第一方向延伸；分别在所述第一电极上形成发红色光的有机物层、发绿色光的有机物层和发蓝色光的 有机物层；以接触于所述隔断墙的方式在所述有机物层上形成第二电极；以及 沿垂直于所述第一方向的第二方向通过所述分离层从所述衬底分离包含所述半导体 电路元件层、所述第一电极、所述隔断墙、所述有机物层和所述第二电极的叠层结构，其中，发同一种颜色的光的有机物层相邻地排列为一列，所述发红色光的有机物层相邻地排列为一列的第一区域、所述发绿色光的有机物层相 邻地排列为一列的第二区域和所述发蓝色光的有机物层相邻地排列为一列的第三区域沿 所述第一方向延伸，并且，所述隔断墙存在于所述第一区域与所述第二区域之间的区域、所述第二区域与 所述第三区域之间的区域和所述第三区域与所述第一区域之间的区域。
9.根据权利要求8所述的发光装置的制造方法， 其中，所述隔断墙使用无机材料而形成，并且，所述无机材料是氧化硅、氮化硅、包含氮的氧化硅、包含氧的氮化硅和金刚石状 碳中的至少一种。
10.根据权利要求8所述的发光装置的制造方法，其中，所述隔断墙使用有机材料而形成，并且，所述有机材料是聚酰亚胺、丙烯酸树脂、聚酰胺、聚酰亚胺酰胺、抗蚀剂和苯并环 丁烯和硅氧烷中的至少一种。
11.根据权利要求8所述的发光装置的制造方法，其中，所述第二电极包括选自透光阳极、透光阴极、遮光阴极和遮光阳极中的材料。
12.根据权利要求11所述的发光装置的制造方法，其中，所述透光阳极包括选自氧化铟、氧化铟-氧化锡合金、包含硅或氧化硅的氧化 铟-氧化锡、包含氧化钨及氧化锌的氧化铟、氧化铟氧化锌合金、氧化锌和添加有镓(Ga)的 氧化锌中的材料。
13.根据权利要求11所述的发光装置的制造方法，其中，所述遮光阴极的材料包括选自锂(Li)、铯(Cs)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、铕 (Eu)和镱(Yb)中的材料。
14.根据权利要求11所述的发光装置的制造方法，其中，所述遮光阳极的材料包括选自金(Au)、钼(Pt)、镍(Ni)、钨(W)、铬(Cr)、钼 (Mo)、铁(Fe)、钴(Co)、铜(Cu)和钯(Pd)中的材料。
全文摘要
一种发光装置的制造方法，包括在衬底上形成分离层；在所述分离层上形成半导体电路元件层和第一电极；形成重叠于第一电极的端部的隔断墙；在第一电极上形成有机物层；有机物层的发同一种颜色的光的有机物层相邻地排列为一列，并且沿第一方向延伸；在有机物层上形成第二电极，该第二电极接触于隔断墙并使用与隔断墙的紧贴性强的材料而形成；以及在垂直于第一方向的第二方向上通过分离层从衬底分离包含半导体电路元件层、第一电极、隔断墙、有机物层和第二电极的叠层结构。
文档编号H01L21/77GK101847601SQ20101015950
公开日2010年9月29日 申请日期2010年3月26日 优先权日2009年3月26日
发明者永田贵章, 波多野薰, 鹤目卓也 申请人:株式会社半导体能源研究所