专利名称：：发光二极管的封装结构的制作方法
技术领域：
：本发明涉及一种发光二极管，特别是指一种发光二极管的封装结构。
背景技术：
：发光二极管(LightEmittingDiode,LED)为一种半导体光源，其电、光特性及寿命对温度敏感，在此，一种在温度变化过程中还能保持稳定光强的新型发光二极管可参见YukioTanaka等人在文献IEEETransactionsOnElectronDevices,Vol.41,No.7,July1994中的ANovelTemperature-StableLight-EmittingDiode—文。目前，提高LED的亮度是研究LED的一大课题。作为提高亮度的手段，考虑或提高LED内部的量子的效率，或提高LED芯片在封装结构中发出的光的出光效率。如图1所示，一种现有的发光二极管的封装结构10包括一基板11、一反射杯18围绕于该基板11周围、一对电极12及13设置在基板11上、一晶粒15贴设在该电极12上且分别通过导线17连接该对电极12及13、一封装胶16填充于该反射杯18内并覆盖该晶粒15。该晶粒15发出的光线经过反光杯18内表面反射从顶部射出。然而，由于反光杯18的出光口限制了出光面，使得封装结构10的出光面积S较小，若为了增加出光面积，必须增加基板的面积，导致整个封装结构的体积变大，并不符合现在工业上的需求。
发明内容有鉴于此，有提供一种出光面积大、出光效率高的发光二极管的封装结构。一种发光二极管封装结构，包括一透明基板、一设置于透明基板上的凹槽、及一位于该凹槽底部的晶粒，透明基板具有一第一表面、一第二表面以及连接所述第一表面及第二表面的侧面，该凹槽位于该透明基板的第一表面，该发光二极管封装结构还包括覆盖于所述透明基板的第二表面及侧面的一金属层，一对金属电极位于凹槽底部并延伸穿过所述透明基板的第二表面及金属层，一绝缘材料隔绝该金属电极与该金属层；金属层将晶粒发出的并穿过透明基板的光线反射出去。相对于现有技术，本发明透明基板的光透性更提高发光二极管封装结构的出光面积及出光效率。下面参照附图，结合具体实施例对本发明作进一步的描述。图1为现有技术的发光二极管的封装结构的剖面示意图。图2为本发明第一实施例的发光二极管的封装结构的剖面示意图。图3为图2的发光二极管的封装结构的俯视图。图4为图2的发光二极管的封装结构的仰视图。图5为本发明第二实施例的发光二极管的封装结构的剖面示意图。主要元件符号说明权利要求1.一种发光二极管封装结构，包括一透明基板、一设置于透明基板上的凹槽、及一位于该凹槽底部的晶粒，透明基板具有一第一表面、一第二表面以及连接所述第一表面及第二表面的侧面，该凹槽位于该透明基板的第一表面，该发光二极管封装结构还包括覆盖于所述透明基板的第二表面及侧面的一金属层，一对金属电极位于凹槽底部并延伸穿过所述透明基板的第二表面及金属层，一绝缘材料隔绝该金属电极与该金属层；金属层将晶粒发出的并穿过透明基板的光线反射出去。2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于所述透明基板的第一表面为粗糙表面。3.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于还包括一设置于透明基板内的热电致冷器，该热电致冷器连接所述晶粒与金属层以将该晶粒产生的热量由热电致冷器传递至金属层。4.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于还包括一设置于透明基板内的导热柱，该导热柱连接所述晶粒与金属层以将该晶粒产生的热量由导热柱传递至金属层。5.如权利要求4所述的发光二极管封装结构，其特征在于还包括一导热基板位于所述晶粒与所述导热柱之间。6.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于还包括一对金属导线电性连接所述晶粒与所述金属电极。7.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于还包括一封装胶填充于所述凹槽内。8.如权利要求7所述的发光二极管封装结构，其特征在于还包括荧光粉掺杂于所述封装胶。9.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于所述透明基板为石英、氮化硅、玻璃或是透明胶材。10.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于所述第二表面及所述侧面之角度介于90度至150度之间。全文摘要一种发光二极管封装结构，包括一透明基板、一设置于透明基板上的凹槽、及一位于该凹槽底部的晶粒，透明基板具有一第一表面、一第二表面以及连接所述第一表面及第二表面的侧面，该凹槽位于该透明基板的第一表面，该发光二极管封装结构还包括覆盖于所述透明基板的第二表面及侧面的一金属层，一对金属电极位于凹槽底部并延伸穿过所述透明基板的第二表面及金属层，一绝缘材料隔绝该金属电极与该金属层；金属层将晶粒发出的并穿过透明基板的光线反射出去。本发明透明基板的光透性更提高发光二极管封装结构的出光面积及出光效率。文档编号H01L33/64GK102315354SQ201010212068公开日2012年1月11日申请日期2010年6月29日优先权日2010年6月29日发明者林雅雯,洪梓健申请人:展晶科技(深圳)有限公司,荣创能源科技股份有限公司