专利名称：膜上芯片型半导体封装的制作方法
技术领域：
本发明的示例性实施方案涉及半导体封装，且更具体地涉及膜上芯片型半导体封装。
背景技术：
由于需要低制造成本和高性能的显示装置，如液晶显示(LCD)面板，所以显示装 置像素的集成度升高。因此，随着用于对显示装置中每一像素进行控制的驱动器IC芯片的节距已尽可 能减小，已经发展了各种半导体封装。半导体型封装，如带载式封装(tape carrier package) (TCP)、玻璃上芯片(chip on glass) (COG)和膜上芯片(chip on film) (COF)通常用于显示装置。自1990年代起，COF型半导体封装作为常用半导体型封装已主要用于改善产率及 降低生产成本。COF型半导体封装是用于使显示装置的驱动器IC芯片最小化的新型半导体封装。由于TV和监视器的驱动频率已由60Hz上升到120Hz，所以驱动器IC芯片的驱动 负载也上升，因此增加驱动器IC芯片的热量。增加的热量被认为是个问题。韩国专利第10-0771890号公开了一种用于解决与驱动器IC芯片热量增加有关的 问题的方法。图1是常规COF型半导体封装100的横截面视图。参照图1，常规COF型半导体封装100包括驱动器IC芯片103、凸块(bump) 106、多 个导线 102、底填层(under-fill layer) 107、膜 101、热垫(heat pad) 104 及绝缘带 105。膜101是柔性的且通过所述多个导线102和凸块106与驱动器IC芯片103连接。所述多个导线102在膜101上彼此分离地形成，且所述导线102的一端设置为集 中于中心区域。在驱动器IC芯片103与膜101之间的空间中，填充底填层107以稳固地固定驱动 器IC芯片103及柔性膜101。热垫104通过粘合部件(未显示)在膜101的与导线102接触的相反侧上形成。热垫104可使由驱动器IC芯片103运行所产生的热通过底填层107及导线102 辐射。热垫104可包括金属材料如铝(Al)。如上所述，由于常规COF型半导体封装100包括含有金属材料的热垫104，因此常 规COF型半导体封装100不具柔性。此外，由于常规COF型半导体封装100包括含有金属材料的热垫104，因此附加绝缘带105对于热垫104的绝缘处理是必需的。其使得COF型半导体封装100的制造方法不 便利。此外，由于热垫104变得柔性较差，当热垫104变厚时导线102容易损坏。
发明内容
本发明的实施方案涉及提供用于制造半导体存储器件的方法，其可降低半导体存 储器件的制造成本。本发明的其它目的及优势可通过以下描述来理解，且参考本发明的实施方案将变 得显而易见。此外，本发明所属领域中的技术人员显然可通过本发明要求保护的方案及其 组合来实现本发明的目的和优势。根据本发明的实施方案，膜上芯片型半导体封装包括膜、在膜上形成的多个导 线、在多个导线上形成的芯片、填充芯片与多个导线之间空间的底填层、及在膜的接触多个 导线的相反侧上形成的绝缘热片(insulating heating sheet)，其中绝缘热片是由基于玻 璃纤维的复合物形成。绝缘热片可具有栅格结构形式。绝缘热片可具有硅面和玻璃纤维的堆叠结构。绝缘热片可包括包含硅橡胶、氮化硼及玻璃纤维的复合物。硅橡胶的体积含量可为约19%至约对％，氮化硼的体积含量可为约65%至约 71 %和玻璃纤维的体积含量可为小于约10 %。绝缘热片厚度可为约100 μ m至约200 μ m。绝缘热片可通过粘合部件与膜相附着。芯片可包括驱动器IC芯片。底填层可包括液体树脂。绝缘热片可具有小于约0. 2V /W的热阻。
图1是说明常规膜上芯片(COF)型半导体封装的横截面视图。图2是说明根据本发明的一个实施方案的膜上芯片(COF)型半导体封装的横截面 视图。图3A是说明图2所示热片的横截面视图。图;3B是说明图3A中热片的详细视图。具体实施方案本发明的示例性实施方案将参考附图更详细描述。然而，本发明可以不同形式实 施且不应将其理解为限制于本文所述的实施方案。相反地，提供这些实施方案以使本发明 公开详尽及完整，并且相本领域技术人员完整传达本发明的范围。在整个公开内容中，相同 参考数字指代本发明实施方案和各图中的相同部件。各图不一定按照比例绘制，在某些实例中，可放大其比例以清晰说明实施方案的 特征。当第一层称为在第二层“上”时，不仅指第一层是直接在第二层或衬底上形成的情况，也指在第一层与第二层之间存有第三层的情况。图2是说明根据本发明的一个实施方案的膜上芯片(COF)型半导体封装200的横 截面视图。图3A是说明热片的横截面视图。图:3B是说明图3A中热片的详细视图。参照图2，COF型半导体封装200包括驱动器IC芯片203、凸块205、多个导线202、 底填层206、膜201、粘合部件207和绝缘热片204。膜201是柔性的并且通过所述多个导线 202及凸块205与驱动器IC芯片203连接。多个导线202彼此分离地在膜201下方形成，并且导线202的一端设置为集中于 中心区域。在驱动器IC芯片203与膜201之间的空间中，填充底填层206以稳固地固定驱动 器IC芯片203和膜201。绝缘热片204是通过粘合部件207在膜201上形成。膜201可包括绝缘层，如聚酰亚胺。导线202可包括铜(Cu)。导线202和驱动器 IC芯片203通过凸块205连接。凸块205可包括金(Au)。底填层206可包括液体树脂。粘合部件207可包括导电材料。导电材料可包括基于丙烯酸的材料。热片204可将驱动器IC芯片203运行所产生的热通过底填层206和导线202辐 射到外部。绝缘热片204包括基于玻璃纤维而非基于金属的复合物。例如，绝缘热片204可 包括玻璃纤维层、基于硅面的层及玻璃纤维层的堆叠层。绝缘热片204可包括包含硅橡胶、氮化硼和玻璃纤维的复合物。硅橡胶的体积含 量为约19%至约对％。氮化硼的体积含量为约65%至约71%。玻璃纤维的体积含量为小 于约10%。如图3A所示，绝缘热片204可具有玻璃纤维204C插入两个硅面层204A和204B 之间的结构，以提高导热性及降低热阻。如图;3B所示，玻璃纤维204C可具有栅格结构的形式。此外，由于包括硅橡胶、氮化硼及玻璃纤维的绝缘热片204具有绝缘特性，所以无 需外加绝缘带105来绝缘处理包含绝缘热片204的COF型半导体封装200。因此，可降低制 造成本。绝缘热片204的厚度为约100 μ m至约200 μ m的范围内。包含热片204的COF型 半导体封装200的散热效果随绝缘热片204厚度变大而变大。绝缘热片204是柔性的，是因为绝缘热片204包含基于具有柔性的玻璃纤维204C 的复合物。可将绝缘热片204提供至辊型层压设备。即，层压设备可容易地将绝缘热片204 层压至膜201而不受设计的限制。与此相反的是，由于常规热垫104包含金属基材料(如 铝(Al))，故常规热垫104不是柔性的。例如，包含热片204的COF型半导体封装200可用于车辆部件、发光二极管(LED) 及荧光灯辐射热的目的。包含热片204的COF型半导体封装200可应用于各种不包括膜型 散热器的产品，如其上无法安装散热器的驱动器IC、热控制器、中央处理单元(CPU)、存储。绝缘热片204可用作柔性型印刷电路板(PCB)中需要绝缘的热片或用作驱动器IC 芯片、半导体器件及热块中的散热器。
此外，由于基于玻璃纤维的绝缘热片204具有大的张力，因此包含热片204的COF 型半导体封装200可应用于需要张力和柔性的产品。常规热垫104与本发明实施方案的热片204之间的热导性及热阻比较结果描述于 以下表1中。表 权利要求
1.一种膜上芯片型半导体封装，其包括 膜；在所述膜下方形成的多个导线； 与所述导线的一端连接的芯片； 填充于所述芯片与所述多个导线间的底填层；和 在所述膜上形成且包含基于玻璃纤维的复合物的绝缘热片。
2.权利要求1的膜上芯片型半导体封装，其中所述绝缘热片具有栅格结构的形式。
3.权利要求1的膜上芯片型半导体封装，其中所述绝缘热片具有硅面与玻璃纤维的堆 叠结构。
4.权利要求1的膜上芯片型半导体封装，其中所述绝缘热片包含含有硅橡胶、氮化硼 及玻璃纤维的复合物。
5.权利要求4的膜上芯片型半导体封装，其中所述硅橡胶的体积含量为约19%至 约24%，所述氮化硼的体积含量为约65%至约71%和所述玻璃纤维的体积含量为小于约 10%。
6.权利要求1的膜上芯片型半导体封装，其中所述绝缘热片具有约IOOym至约 200 μ m的厚度。
7.权利要求1的膜上芯片型半导体封装，其中所述绝缘热片通过粘合部件附着于所述膜。
8.权利要求1的膜上芯片型半导体封装，其中所述芯片包括驱动器IC芯片。
9.权利要求1的膜上芯片型半导体封装，其中所述底填层包括液体树脂。
10.权利要求1的膜上芯片型半导体封装，其中所述绝缘热片具有小于约0.2°C /W的 热阻。
全文摘要
本发明涉及一种膜上芯片型半导体封装，其包括膜、在膜上形成的多个导线、在所述多个导线上形成的芯片、填充芯片与多个导线间的空间的底填层和在膜的与多个导线接触的相反侧上形成的绝缘热片，其中所述绝缘热片是由基于玻璃纤维的复合物形成。
文档编号H01L23/373GK102054807SQ20101021920
公开日2011年5月11日 申请日期2010年6月30日 优先权日2009年10月30日
发明者金都永 申请人:美格纳半导体有限会社