专利名称：发光器件、制造该发光器件的方法、发光器件封装和照明系统的制作方法
技术领域：
实施方案涉及发光器件、制造该发光器件的方法、发光器件封装和照明系统。
背景技术：
近来，发光二极管(LED)已经广泛用作发光器件。通过使用化合物半导体材料例如GaAs、AlGaAs, GaN, InGaN或者AWaInP来制造 LED，以产生具有各种颜色的光。LED具有包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体 层的发光结构层，当通过第一和第二导电半导体层对其供电时由有源层发射光。
发明内容
实施方案提供具有新结构的发光器件、制造该发光器件的方法、发光器件封装以 及照明系统。实施方案提供具有可容易地与生长衬底分离的发光结构层的发光器件、制造该发 光器件的方法、发光器件封装以及照明系统。实施方案提供能够防止发光结构层受损的发光器件、制造该发光器件的方法、发 光器件封装以及照明系统。一种制造根据实施方案的发光器件的方法可包括以下步骤在生长衬底上部分形 成第一缓冲层，其中所述第一缓冲层的杨氏模量小于生长衬底的杨氏模量；以及在生长衬 底和第一缓冲层上形成发光结构层，其中所述发光结构层包括第一导电半导体层、第二导 电半导体层以及介于所述第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层。一种制造根据实施方案的发光器件的方法可包括以下步骤在生长衬底上部分形 成第一缓冲层，其中所述第一缓冲层的杨氏模量小于所述生长衬底的杨氏模量；在生长衬 底和第一缓冲层上形成发光结构层，其中所述发光结构层包括第一导电半导体层、第二导 电半导体层以及介于所述第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层；在所述发 光结构层上形成第二电极层；使生长衬底和第一缓冲层与发光结构层分离；以及在由于使 生长衬底和第一缓冲层与发光结构层分离而暴露出的第一导电半导体层的预定部分上形 成第一电极层。根据实施方案的发光器件可包括发光结构层，其包括第一导电半导体层、第二导 电半导体层以及介于所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间的有源层，其中 第一导电半导体层的第一表面面向有源层并且在第一导电半导体层的第二表面上形成多 个突起，其中第一导电半导体层的第二表面包括周边部分和由周边部包围的中心部分，所 述突起在中心部分上形成同时彼此间隔开。
图1是显示根据第一实施方案的发光器件的截面图；图2是显示根据第二实施方案的发光器件的截面图；图3和4是显示根据第一实施方案在发光器件的生长衬底上形成的第一缓冲层的 视图；图5是显示当通过激光剥离方案使发光结构层与生长衬底分离时其上辐照激光 束的激光辐照区域的视图；图6 8是显示根据实施方案的发光器件的制造方法的截面图；图9是显示包括根据实施方案的发光器件的发光器件封装的截面图；图10是显示包括根据实施方案的发光器件或者发光器件封装的背光单元的分解 立体图；图11是显示包括根据实施方案的发光器件或者发光器件封装的照明单元的立体 图。
具体实施例方式在实施方案的描述中，应理解，当层(或膜)、区域、图案或者结构称为在另一衬 底、另一层(或者膜)、另一区域、另一垫或者另一图案“上”或者“下”时，其可以“直接地” 或者“间接地”在所述另一衬底、层(或者膜)、区域、垫或者图案“上”或者“下”，或也可存 在一个或者更多个中间层。所述层的这种位置已经参考附图进行描述。为了方便和清楚的目的，附图中显示的各层的厚度和尺寸可进行放大、省略或者 示意地绘出。此外，元件的尺寸并不完全反映实际尺寸。以下，将参考附图详细地描述根据实施方案的发光器件及其制造方法。图1是显示根据第一实施方案的发光器件的截面图。参考图1，根据第一实施方案的发光器件包括生长衬底10、在生长衬底10上部分 地形成的第一缓冲层20、在第一缓冲层20上形成的第一导电半导体层30、在第一导电半导 体层30上形成的有源层40、以及在有源层40上形成的第二导电半导体层50。第一导电半导体层30、有源层40和第二导电半导体层50构成发光结构层60，当 对发光结构层60供电时产生光。例如，生长衬底10 可包括 Al203、SiC、GaAs、GaN、Zn0、Si、GaP、InP 和 Ge 中的至少 之一，但是实施方案不限于此。第一缓冲层20通过化学气相沉积、物理气相沉积或者蒸发在生长衬底10上部分 地形成。例如，第一缓冲层20通过溅射工艺在生长衬底10上部分地形成。当在平面图中 观察时，第一缓冲层20可具有厚度为约0. Inm 5. 0 μ m的周期性图案或者随机图案。此 夕卜，第一缓冲层20可具有基本平坦的上表面。第一缓冲层20可具有在构成发光结构层60的半导体层的带隙能和生长衬底10 的带隙能之间的带隙能。例如，如果发光结构层60是带隙能为3. 4eV的GaN基半导体层 和生长衬底10是带隙能为9. 9eV的蓝宝石衬底，则第一缓冲层20的带隙能可为3. 4eV至 9. 9eV。例如，第一缓冲层20的带隙能可为5至6eV。
此外，第一缓冲层20可包括杨氏模量小于生长衬底10的杨氏模量的材料。例如，第一缓冲层20可包括含有Al、Ta、Ti、Mo、W、Pd、Ir、Rb、Si和Cr中至少之 一的氧化物或者氮化物。例如，第一缓冲层20可包括Al2O315通过溅射工艺在蓝宝石衬底 上形成的包括Al2O3的第一缓冲层20的带隙能可小于蓝宝石衬底的带隙能。
第一缓冲层20在生长衬底10上部分地形成，使得可部分暴露出生长衬底10。例 如，在生长衬底10上形成的第一缓冲层20的面积可相当于生长衬底10总面积的30% 95%。如果在生长衬底10上形成的第一缓冲层20的面积小于生长衬底10总面积的30%， 则由第一缓冲层20产生的效果可下降。此外，如果在生长衬底10上形成的第一缓冲层20 的面积大于生长衬底10的总面积的95%，则发光结构层60可能无法在生长衬底10上有效 地形成。当第一缓冲层20通过溅射工艺形成时，与生长衬底10的其中形成第一缓冲层20 的其它区域相比，第一导电半导体层30可在生长衬底10的其中不形成第一缓冲层20的预 定区域上有效生长。此外，在形成第一导电半导体层30之前，在第一缓冲层20上可形成未掺杂的氮化 物层。例如，未掺杂的氮化物层包括未掺杂的GaN层。例如，第一导电半导体层30包括η型半导体层。第一导电半导体层30可包括组 成式为InxAlyGa1^yN(0彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的半导体材料，例如InAlGaN、 GaN、AlGaN, AlInN、InGaN, AlN或者InN。此外，第一导电半导体层30可掺杂有η型掺杂剂 例如Si、Ge或者Sn。有源层40通过经由第一导电半导体层30注入的电子(或者空穴)与经由第二导 电半导体层50注入的空穴(或者电子)的复合来发射光，所述光基于由有源层40的本征 材料所确定的能带的带隙差。有源层40可具有单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子线结构或者量子点结 构，但是实施方案不限于此。有源层40可包括组成式为InxAlyGai_x_yN (0彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的 半导体材料。如果有源层40具有MQW结构，则有源层40具有包括多个阱层和多个势垒层 的堆叠结构。例如，有源层40可具有InGaN阱层/GaN势垒层的堆叠结构。在有源层30上和/或下可形成掺杂有η型或者ρ型掺杂剂的覆层(未显示)。覆 层可包括AlGaN层或者InAlGaN层。第二导电半导体层50例如包括ρ型半导体层。第二导电半导体层50可包括组成 式为InxAlyGa1TyN(C)彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的半导体材料，例如InAlGaN、GaN、 AlGaN、InGaN、AlInN、AlN或者InN。此外，第二导电半导体层50可掺杂有ρ型掺杂剂例如 Mg、Zn、Ca、Sr 或者 Ba。同时，第一导电半导体层30可包括ρ型半导体层，第二导电半导体层50可包括η 型半导体层。此外，在第二导电半导体层50上可形成包括η型或者ρ型半导体层的第三导 电半导体层(未显示)。因此，发光结构层60可具有ΝΡ、ΡΝ、ΝΡΝ和PNP结结构中的至少之 一。此外，杂质可以在第一导电半导体层30和第二导电半导体层50中均勻或者不均勻地 掺杂。即，发光结构层60可具有各种结构，但是实施方案不限于此。换言之，包括第一导电半导体层30、有源层40和第二导电半导体层50的发光结构层60可进行各种改变而无限制。同时，在生长衬底10上形成的第一缓冲层20使得在生长衬底10上生长的发光结 构层60的应力减小，并防止当发光结构层60与生长衬底10分离时发光结构层60受损。图3和4是显示根据第一实施方案在发光器件的生长衬底上形成的第一缓冲层的 视图。第一缓冲层20可具有规则或者不规则地形成为各种形状的图案。参考图3，第一 缓冲层20具有彼此规则地间隔开的圆形图案。参考图4，第一缓冲层20沿着生长衬底10 的外周表面连续地形成为在生长衬底10的暴露表面上彼此规则地间隔开的圆形图案。此 夕卜，第一缓冲层20可以沿着生长衬底10的外周表面形成为在生长衬底10的暴露表面上彼 此不规则地间隔开的圆形图案。第一缓冲层20的图案可为圆形或者多边形。图5是显示当通过激光剥离方案使发光结构层与生长衬底分离时其上辐照激光 束的激光辐照区域的视图。为了使发光结构层60与生长衬底10分离，在生长衬底10上辐照波长为248nm或 者193nm的激光束，使得在生长衬底10和发光结构层60之间的界面处可发生热化学分解。如图5所示，发光结构层60在生长衬底10的整个区域上形成，使得可以制造多个 发光器件。通过隔离工艺将发光结构层60分成多个发光结构层60。在对应于发光结构层 60的单元区域100、110、120和130上辐照激光束。详细地，在稍微宽于单元区域100、110、 120和130的激光辐照区域100a、110a、120a和130a上辐照激光束。因此，激光束在彼此相邻的单元区域100、110、120和130的周边部分处交叠数次， 使得发光结构层60可被激光束所损伤。同时，根据第一实施方案的发光器件及其制造方法，第一缓冲层20可用作能量吸 收层以通过减小辐照在发光结构层60上的能量值来防止发光结构层60受损。特别地，由于第一缓冲层20在生长衬底10的外周部分形成，如图4所示，所以即 使激光束在生长衬底10的周边部分处交叠，也可防止发光结构层60受损。此外，由于第一缓冲层20具有在生长衬底10的带隙能和发光结构层60的带隙能 之间的带隙能，所以第一缓冲层20可吸收入射到生长衬底10上的激光束能量，由此通过热 化学分解将发光结构层60与生长衬底10分离同时防止发光结构层60受损。图2是显示根据第二实施方案的发光器件的截面图。 在根据第二实施方案的发光器件及其制造方法的以下描述中，将在第一实施方案 中描述的要素和结构省略以避免重复。参考图2，根据第二实施方案的发光器件包括生长衬底10、在生长衬底10上部分 地形成的第一缓冲层20、在生长衬底10和第一缓冲层20上形成的第二缓冲层21、在第二 缓冲层21上形成的未掺杂的氮化物层22、在未掺杂的氮化物层22上形成的第一导电半导 体层30、在第一导电半导体层30上形成的有源层40、以及在有源层40上形成的第二导电 半导体层50。与根据第一实施方案的发光器件不同，根据第二实施方案的发光器件还包括介 于第一导电半导体层30和生长衬底10之间的第二缓冲层21以及未掺杂的氮化物层22。 虽然图2中显示了第二缓冲层21和未掺杂的氮化物层22 二者，但是第二缓冲层21和未掺 杂的氮化物层22之一可省略。
第二缓 冲层21可使得由生长衬底10和发光结构层60之间晶格失配所导致的缺 陷减少，未掺杂的氮化物层22可改善发光结构层60的品质。第二缓冲层21可在第一缓冲层20和生长衬底10上形成为厚度小于第一缓冲层 20的厚度。第二缓冲层21可与通过第一缓冲层20暴露出的生长衬底10接触。此外，第二 缓冲层21的至少一部分布置在与第一缓冲层20相同平面上。此外，未掺杂的氮化物层22 与第二缓冲层21接触，未掺杂的氮化物层22的至少一部分布置在与第一缓冲层20相同的 平面上。第二缓冲层21可通过溅射工艺形成。当第二缓冲层21通过溅射工艺形成时，在 第一缓冲层20和生长衬底10上形成的缓冲层21的厚度厚于在第一缓冲层20的横侧面处 形成的第二缓冲层21的厚度。例如，第二缓冲层21 可以通过使用 AlN、GaN、InN、GaBN、AlGaN、AlInGaN 和 InGaN 中的至少之一制备为单层或者多层。未掺杂的氮化物层22可包括未掺杂的GaN层。根据第一和第二实施方案的发光器件，第一缓冲层20在生长衬底10上部分地形 成，发光结构层60在生长衬底10和第一缓冲层20上形成。第二缓冲层21在生长衬底10 和第一缓冲层20的整个区域上形成，未掺杂的氮化物层22在第二缓冲层21上形成。同 时，在图1和2显示的发光器件中，通过台面蚀刻工艺选择性地移除第二导电半导体层50、 有源层40和第一导电半导体层30。在这种状态下，在第一导电半导体层30上形成第一电 极层，在第二导电半导体层50上形成第二电极层，由此制造横向型发光器件。根据实施方案，第一导电半导体层30的第一表面面向有源层40，第一导电半导体 层30的第二表面形成有多个突起31。第一导电半导体层30的第二表面包括周边部分和由 周边部分包围的中心部分，突起31在中心部分上形成同时彼此间隔开。第一缓冲层20和生长衬底10在第一导电半导体层30下形成，并且第一缓冲层20 的至少一部分介于突起31之间。图6 8是显示根据实施方案的发光器件的制造方法的截面图。图6 8显示制造垂直型发光器件的方法。参考图6，通过溅射工艺在生长衬底10上部分地形成第一缓冲层20，并且通过 MOCVD工艺在生长衬底10和第一缓冲层20上形成包括第一导电半导体层30、有源层40和 第二导电半导体层50的发光结构层60。图2中显示的第二缓冲层21和未掺杂的氮化物层22通过MOCVD工艺在生长衬底 10和第一缓冲层20上形成。此外，在发光结构层60上形成第二电极层70。第二电极层70可包括反射层和导 电支撑衬底，并且在第二导电半导体层50和反射层之间可形成欧姆接触层。参考图7和8，在生长衬底10上辐照激光束以将生长衬底10与发光结构层60分 离。例如，激光束的波长为248nm或者193nm。此时，第一缓冲层20防止发光结构层60受到激光束的损伤，同时允许生长衬底10 与发光结构层60容易地分离。此外，由于移除第一缓冲层20，所以在第一导电半导体层30的上表面上形成多个 突起31。详细地，第一导电半导体层30的上表面的周边部分具有第一高度，并且在由周 边部分包围的第一导电半导体层30的中心部分形成具有高于第一高度的第二高度的突起 31。通过突起31可以更多地改善光提取效率。
参考图8，在由于生长衬底10与发光结构层60分离而暴露出的第一导电半导体层30的预定部分上形成第一电极层80。因此，可制造能够改善光提取效率的垂直型发光器 件。如上所述，实施方案可提供具有新结构的发光器件及其制造方法。此外，实施方案 可提供具有可容易地与生长衬底分离的发光结构层的发光器件及其制造方法。此外，实施 方案可提供能够防止发光结构层受损的发光器件及其制造方法。图9是显示包括根据实施方案的发光器件的发光器件封装的截面图。参考图9，发光器件封装600包括封装体300、在封装体300上形成的第一电极层 310和第二电极层320、在封装体300上设置并与第一电极层310和第二电极层320电连接 的发光器件200、以及包围发光器件200的模制元件500。封装体300可包括硅、合成树脂或者金属材料。在发光器件200周围可形成倾斜表面。第一电极层310和第二电极层320彼此电隔离以对发光器件200供电。此外，第 一电极层310和第二电极层320反射由发光器件200发射的光以改善光效率并将由发光器 件200产生的热散发至外部。横向型发光器件或者垂直型发光器件可用于发光器件200，并且发光器件200可 安装于封装体300上或者第一电极层310和第二电极层320上。发光器件200可通过导线400与第一电极310和/或第二电极320电连接。实 施方案中公开了垂直型发光器件200。在这种情况下，发光器件通过导线400与第二电极 320电连接。根据另一实施方案，可使用横向型发光器件200。在这种情况下，使用两根导 线400。此外，如果发光器件200是倒装芯片型发光器件，则可不使用导线400。模制元件500包围发光器件200以保护发光器件200。此外，模制元件500可包括 发光物质以改变由发光器件200发射的光的波长。根据实施方案的发光器件封装600包括具有防止受损的发光结构层的发光器件 200，使得可改善光效率。在衬底上可布置多个根据实施方案的发光器件封装600，并且在由发光器件封装 600发射的光的光路径上可提供光学元件，包括导光板、棱镜板、散射板和荧光板。发光器件 封装、衬底和光学元件可用作背光单元或者照明单元。例如，照明系统可包括背光单元、照 明单元、指示器、灯或者街灯。图10是显示包括根据实施方案的发光器件封装的背光单元1100的分解立体图。 图10中显示的背光单元1100是照明系统的一个实例，实施方案不限于此。参考图10，背光单元1100包括底框1140、在底框1140中设置的导光元件1120、 以及在导光元件1120的一个侧表面或者底表面上设置的发光模块1110。此外，在导光元件 1120下设置反射板1130。底框1140为具有开口上表面的盒形以在其中容纳导光元件1120、发光模块1110 和反射板1130。此外，底框1140可包括金属材料或者树脂材料，但是实施方案不限于此。发光模块1110可包括衬底700和在衬底700上设置的多个发光器件封装600。发 光器件封装600为导光元件1120提供光。根据实施方案的发光模块1110，在衬底700上安 装发光器件封装600。然而，根据实施方案，也能够直接安装发光器件200。
如图10所示， 发光模块1110安装在底框1140的至少一个内侧面上，从而为导光 元件1120的至少一侧提供光。此外，发光模块1110可在底框1140下提供，以向导光元件1120的底表面提供光。 根据背光单元1100的设计，这种结构可进行各种变化，但是实施方案不限于此。在底框1140中安装导光元件1120。导光元件1120将由发光模块1110发射的光 转化为表面光，以引导表面光朝向显示面板(未显示)。导光元件1120可包括导光板。例如，导光板可通过使用丙烯酰基树脂例如 PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PC(聚碳酸酯)、C0C或者PEN(聚 萘二甲酸乙二醇酯)树脂制造。在导光元件1120上可提供光学板1150。光学板1150可包括散射板、集光板、增亮板和荧光板中的至少之一。例如，光学板 1150具有散射板、集光板、增亮板和荧光板的堆叠结构。在这种情况下，散射板将由发光模 块1110发射的光均勻地散射，使得散射光可通过集光板集中到显示面板(未显示)上。来 自集光板的光输出任意偏振并且增亮板将来自集光板的光输出的偏振度增加。集光板可包 括水平棱镜板和/或垂直棱镜板。此外，增亮板可包括双增亮膜，荧光板可包括包含发光物 质的透光板或者透光膜。在导光元件1120下可设置反射板1130。反射板1130将通过导光元件1120的底 表面发射的光反射，朝向导光元件1120的出光表面。 反射板1130可包括具有高反射率的树脂材料例如PET、PC或者PVC树脂，但是实 施方案不限于此。图11是显示包括根据实施方案的发光器件或者发光器件封装的照明单元1200的 立体图。图11中显示的照明单元1200是照明系统的一个实例，实施方案不限于此。参考图11，照明单元1200包括壳体1210、在壳体1210中安装的发光模块1230、 以及在壳体1210中安装用于接收来自外部电源的功率的接线端子1220。优选地，壳体1210包括具有优异散热性能的材料。例如，壳体1210包括金属材料 或者树脂材料。发光模块1230可包括衬底700和在衬底700上安装的至少一个发光器件封装 600。根据实施方案，发光器件封装600安装在衬底700上。然而，根据实施方案，也能够直 接安装发光器件200。衬底700可包括印刷有电路图案的绝缘元件。例如，衬底700包括PCB(印刷电路 板)、MC (金属芯)PCB、F (柔性)PCB或者陶瓷PCB0此外，衬底700可包括有效反射光的材料。衬底700的表面可涂敷有颜色例如白 色或者银色，以有效地反射光。在衬底700上可安装至少一个根据实施方案的发光器件封装600。各发光器件封 装600可包括至少一个LED (发光二极管)。LED可包括发射红色光、绿色光、蓝色光或者白 色光的彩色LED或者发出紫外线的UV (紫外)LED。发光模块1230的LED可进行各种组合以提供各种颜色和亮度。例如，白色LED、红 色LED和绿色LED可组合以实现高的显色指数(CRI)。此外，在由发光模块1230发射的光 路中可提供荧光板，以改变由发光模块1230发射的光的波长。例如，如果由发光模块1230发射的光具有蓝色光波段，则荧光板可包括黄色发光物质。在这种情况下，由发光模块1230 发射的光通过荧光板，使得光看起来为白色光。 接线端子1220与发光模块1230电连接以对发光模块1230供电。参考图11，接线 端子1220具有与外部电源插座螺旋连接的形状，但是实施方案不限于此。例如，接线端子 1220可制备为插入外部电源中的插销形式或者通过导线与外部电源连接。根据如上所述的照明系统，在由发光模块发射的光路中提供导光元件、散射板、集 光板、增亮板和荧光板中的至少之一，使得可实现期望的光学效果。如上所述，由于照明系统包括具有防止受损的发光结构层的发光器件或发光器件 封装，所以可改善光效率。在本说明书中对〃 一个实施方案〃、‘‘实施方案〃、‘‘示例性实施方案〃等的任 何引用，表示与实施方案相关描述的具体的特征、结构或特性包含于本发明的至少一个实 施方案中。在说明书不同地方出现的这些措词不必都涉及相同的实施方案。此外，当结合 任何实施方案描述具体的特征、结构或特性时，认为将这种特征、结构或特性与实施方案的 其它特征、结构或特性关联均在本领域技术人员的范围之内。虽然参考若干其说明性的实施方案已经描述了实施方案，但是应理解本领域技术 人员可设计很多的其它改变和实施方案，这些也将落入本公开的原理的精神和范围内。更 具体地，在本公开、附图和所附的权利要求的范围内，在本发明的组合排列的构件和/或结 构中可能具有各种的变化和改变。除构件和/或结构的变化和改变之外，对本领域技术人 员而言，可替代的用途也会是明显的。
权利要求
1.一种制造发光器件的方法，所述方法包括在生长衬底上部分地形成第一缓冲层，所述第一缓冲层的杨氏模量小于所述生长衬底 的杨氏模量；和在所述生长衬底和所述第一缓冲层上形成发光结构层，所述发光结构层包括第一导电 半导体层、第二导电半导体层以及介于所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之 间的有源层。
2.根据权利要求1所述的方法，还包括在形成所述发光结构层之前，在所述第一缓冲 层上形成第二缓冲层。
3.根据权利要求2所述的方法，还包括在形成所述发光结构层之前，在所述第二缓冲 层上形成未掺杂的氮化物层。
4.根据权利要求2所述的方法，其中所述第二缓冲层的厚度小于所述第一缓冲层的厚度。
5.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一缓冲层与所述生长衬底接触，所述第二 缓冲层与所述生长衬底和所述第一缓冲层接触。
6.根据权利要求1所述的方法，还包括在形成所述发光结构层之前，在所述第一缓冲 层上形成未掺杂的氮化物层。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一缓冲层的厚度为0.Inm 5. 0 μ m。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一缓冲层包括含有选自Al、Ta、Ti、Mo、W、 Pd、Ir、Rb、Si和Cr中的至少之一的氧化物或者氮化物。
9.根据权利要求1所述的方法，其中在所述生长衬底上形成的所述第一缓冲层的面积 相当于所述生长衬底的总面积的30% 95%。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一缓冲层的带隙能低于所述生长衬底的 带隙能并且高于所述发光结构层的带隙能。
11.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一缓冲层沿着所述生长衬底的外周部分 连续地形成同时包围所述生长衬底的中心部分，并且部分地形成在所述生长衬底的中心部 分上。
12.一种制造发光器件的方法，所述方法包括在生长衬底上部分地形成第一缓冲层，所述第一缓冲层的杨氏模量小于所述生长衬底 的杨氏模量；在所述生长衬底和所述第一缓冲层上形成发光结构层，所述发光结构层包括第一导电 半导体层、第二导电半导体层以及介于所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之 间的有源层；在所述发光结构层上形成第二电极层；使所述生长衬底和所述第一缓冲层分离于所述发光结构层；和在由于使所述生长衬底和所述第一缓冲层分离于所述发光结构层而暴露出的所述第 一导电半导体层的预定部分上形成第一电极层。
13.根据权利要求12所述的方法，其中在由于使所述生长衬底和所述第一缓冲层分离 于所述发光结构层而暴露出的所述第一导电半导体层的所述预定部分上形成多个突起。
14.根据权利要求13所述的方法，其中由于使所述生长衬底和所述第一缓冲层分离于所述发光结构层而暴露出的所述第一导电半导体层包括具有第一高度的周边部分和由所 述周边部分包围并形成有突起的中心部分，所述突起具有高于所述第一高度的第二高度。
15.根据权利要求12所述的方法，还包括在形成所述发光结构层之前，在所述第一缓 冲层上形成第二缓冲层。
16.一种发光器件，包括发光结构层，所述发光结构层包括第一导电半导体层、第二导电半导体层以及介于所 述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间的有源层，其中所述第一导电半导体层的第一表面面向所述有源层，并且在所述第一导电半导体 层的第二表面上形成有多个突起，和其中所述第一导电半导体层的所述第二表面包括周边部分和由所述周边部分包围的 中心部分，并且所述突起在所述中心部分上形成同时彼此间隔开。
17.根据权利要求16所述的发光器件，还包括在所述第一导电半导体层下的第一缓 冲层和在所述第一缓冲层下的生长衬底，其中所述第一缓冲层的至少一部分设置于所述突 起之间。
18.根据权利要求17所述的发光器件，其中所述第一缓冲层部分地形成于所述第一导 电半导体层和所述生长衬底之间。
19.根据权利要求17所述的发光器件，还包括在所述第一导电半导体层和所述第一缓 冲层之间的第二缓冲层。
20.根据权利要求16所述的发光器件，还包括在所述第一导电半导体层下的第一电极 和在所述第二导电半导体层下的第二电极层。
全文摘要
一种制造根据实施方案的发光器件的方法，包括以下步骤在生长衬底上部分地形成第一缓冲层，其中所述第一缓冲层的杨氏模量小于所述生长衬底的杨氏模量；和在生长衬底和第一缓冲层上形成发光结构层，其中所述发光结构层包括第一导电半导体层、第二导电半导体层以及介于所述第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层。
文档编号H01L33/20GK102074621SQ20101053020
公开日2011年5月25日 申请日期2010年10月21日 优先权日2009年10月21日
发明者丁焕熙, 宋俊午, 崔光基, 金昭廷 申请人:Lg伊诺特有限公司