专利名称：发光二极管封装构造的制作方法
发光二极管封装构造方法
技术领域：
本发明涉及一种发光二极管封装构造，特别是涉及一种将稳压二极管嵌埋于壳体 内的发光二极管封装构造。背景技术：
液晶显示器(liquid crystal display, LCD)是利用液晶材料的特性来显示图像 的一种平板显示装置(flat panel display，FPD)，其相较于其他显示装置而言更具轻薄、 低驱动电压及低功耗等优点，已经成为整个消费市场上的主流产品。然而，液晶显示器的液 晶材料无法自主发光，必须借助外在提供光源，因此液晶显示器中又另外设有背光模块以 提供所需的光源。一般而言，背光模块可分为侧入式背光模块和直下式背光模块两种形式。已知背 光模块主要是以冷阴极荧光灯管(CCFL)、热阴极荧光灯管(HCFL)及半导体发光组件作为 光源，而半导体发光组件主要又是利用发光二极管(LED)进行发光，其相较于阴极荧光灯 管更为省电节能、使用寿命更长，且体积更为轻巧，因而有逐渐取代阴极荧光灯管的趋势， 发光二极管将是液晶显示器的背光模块未来的主要光源。现今，发光二极管多以芯片的形式进行半导体封装，以作为发光二极管封装构造， 最后再与背光模块的固定板接合。发光二极管产品封装构造的类型，有根据发光颜色、晶 粒材料、发光亮度、尺寸大小等情况特征来分类的。单个晶粒一般构成点光源，多个晶粒组 装一般可构成面光源和线光源，作信息、状态指示及显示用，发光显示器也是用多个晶粒， 通过晶粒的适当连接(包括串联和并联)与合适的光学结构组合而成的，构成发光显示器 的发光段和发光点。其中，表面粘着封装型的LED(SMD-LED)是贴于电路板表面，适合SMT 加工，可回流辉，很好地解决了亮度、视角、平整度、可靠性、一致性等问题，其采用了更轻的 PCB板和反射层材料，改进后去掉了直插LED较重的碳钢材料引脚，使显示反射层需要填充 的环氧树脂更少，表面粘着封装LED可轻易地将产品重量减轻一半，最终使应用更加完美。 因此，表面粘着封装LED已逐渐替代引脚式LED，应用设计更灵活，特别是在LED显示市场中 占有一定的份额，有加速发展趋势。请参照图1所示，图1揭示一种现有发光二极管封装构造的侧剖视图。如图1所 示，一种现有发光二极管封装构造90包含一壳体91、一第一电极片92、一第二电极片93、 一发光二极管芯片94、一稳压二极管95及一透光封装部96。所述壳体91的顶面设有一 凹部911 ；所述第一电极片92的一部分设于所述凹部911的底部，另一部份延伸至所述壳 体91外，以使用于与外部的电性连接；所述第二电极片93的一部分设于所述凹部911的底 部，另一部份延伸至所述壳体91外，以使用于与外部的电性连接；所述发光二极管芯片94 设于所述凹部911之内，其第一电极电性连接于所述第一电极片上，其第二电极通过一第 一引线941电性连接于所述第二电极片93 ；所述透光封装部96，填补于所述凹部911并且 封装所述凹部911内之各组件，所述发光二极管芯片94的光线能通过所述透光封装部96 向上方发射。4
然而，在现有的所述发光二极管封装构造90中，为了使所述发光二极管芯片94避 免由于静电而被击穿，往往会幷联一个或一组所述稳压二极管95来解决这样的问题。请同 时参照图1及图2所示，其中图2是图1的现有发光二极管封装构造的电路示意图。在所 述发光二极管封装构造90中，所述稳压二极管95是设于所述壳体91之上，亦即设于所述 第二电极片93之上，其第一电极位于下端电性连接于所述第二电极片93上，其第二电极位 于上端通过一第二引线951电性连接于所述第一电极片92。也就是说，所述稳压二极管95 与所述发光二极管芯片94是形成并联的状态，且所述稳压二极管95是呈反向偏压的设置。 因此，所述稳压二极管95可以起到保护所述发光二极管芯片94避免被静电击穿的功用。但 是，所述稳压二极管95是设置于所述第二电极片93的上方，意即位于所述壳体91的上方， 也就是位于所述透光封装部96之内。并且，由于所述稳压二极管95的外观是无法透光且 多呈现黑色的，因此，所述稳压二极管95因具有挡光及吸光的性质，会引影响到所述发光 二极管芯片94的部份光通量，降低所述发光二极管封装构造90的发光效能。故，有必要提供一种发光二极管封装构造，以解决现有技术所存在的问题。
发明内容本发明的主要目的是提供一种发光二极管封装构造，其通过将稳压二极管设置于 壳体之内，其避免影响到发光二极管芯片的光通量，从而提高了发光二极管封装构造的整 体发光效能。本发明的次要目的是提供一种发光二极管封装构造，其通过将第一电极片或第二 电极片的端部向下弯折设置，以电性连接于位于壳体内的稳压二极管的下端。本发明的另一目的是提供一种发光二极管封装构造，其通过将第一电极片的一部 份贯穿壳体，以电性连接于位于壳体内的稳压二极管的下端。为达上述目的，本发明提供一种发光二极管封装构造，其包含一壳体，顶面设有一凹部；一第一电极片，一部分设于所述凹部之内，及另一部份延伸至所述壳体外；一第二电极片，一部分设于所述凹部之内，及另一部份延伸至所述壳体外；一发光二极管芯片，设于所述凹部之内，所述发光二极管芯片的一第一电极电性 连接于所述第一电极片，所述发光二极管芯片的一第二电极电性连接于所述第二电极片； 及至少一稳压二极管，嵌埋于所述壳体的一嵌孔内，所述稳压二极管的一第二电极 电性连接于所述第一电极片，所述稳压二极管的一第一电极电性连接于所述第二电极片。在本发明的一实施例中，所述稳压二极管的第二电极及第一电极分别在其上端及 下端，所述第一电极片电性连接于所述稳压二极管的上端，所述第二电极片电性连接于所 述稳压二极管的下端。在本发明的一实施例中，所述第二电极片的一端部具有一向下的弯折部嵌埋于所 述壳体内，以电性连接所述稳压二极管的下端。在本发明的一实施例中，所述稳压二极管的第一电极及第二电极分别在其下端及 上端，所述第二电极片电性连接于所述稳压二极管的上端，所述第一电极片电性连接于所 述稳压二极管的下端。
在本发明的一实施例中，所述第一电极片的一端部具有一向下的弯折部嵌埋于所 述壳体内，以电性连接所述稳压二极管的下端。在本发明的一实施例中，所述稳压二极管的第一电极及第二电极分别在其对应的 两侧端，所述第一电极片的一端部具有一向下的弯折部嵌埋于所述壳体内，以电性连接所 述稳压二极管的一侧端，所述第二电极片的一端部具有另一向下的弯折部嵌埋于所述壳体 内，以电性连接所述稳压二极管的另一侧端。在本发明的一实施例中，所述稳压二极管的第一电极及第二电极是分别通过导电 银胶与对应的第二电极片及第一电极片电性连接；所述发光二极管芯片的第二电极通过一 引线电性连接于所述第二电极片；所述发光二极管封装构造另包含一透光封装部，封装在 所述凹部上，以包覆保护位于所述凹部的第一电极片、第二电极片及发光二极管芯片。为达上述另一目的，本发明提供一种发光二极管封装构造，其包含一壳体，顶面设有一凹部；一第一电极片，包含一内部区段、一第一贯穿区段、一外部区段及一第二贯穿区 段，所述内部区段位于所述凹部内，所述第一贯穿区段向外延伸至所述壳体的一外底部，所 述外部区段位于所述壳体的外底部，所述第二贯穿区段再延伸至所述壳体内；一第二电极片，一部分设于所述凹部之内，及另一部份延伸至所述壳体外；一发光二极管芯片，设于所述凹部之内，所述发光二极管芯片的第一电极电性连 接于所述第一电极片的内部区段，所述发光二极管芯片的第二电极电性连接于所述第二电 极片；及至少一稳压二极管，嵌埋于所述壳体的一嵌孔内，所述稳压二极管的一第二电极 电性连接于所述第一电极片的第二贯穿区段，所述稳压二极管的一第一电极电性连接于所 述第二电极片。在本发明的一实施例中，所述稳压二极管的第一电极及第二电极分别在其上端及 下端，所述第一电极片的第二贯穿区段电性连接至所述稳压二极管的下端，所述第二电极 片电性连接至所述稳压二极管的上端。本发明的所述发光二极管封装构造的所述稳压二极管是嵌埋设置于所述壳体之 内，其避免影响到所述发光二极管芯片的光通量，从而提高了所述发光二极管封装构造的 整体发光效能。
图1一种现有发光二极管封装构造的剖视图。图2图1的现有发光二极管封装构造的电路示意图。图3本发明第--实施例的发光二二极 f封装构造的剖视图。图4本发明第--实施例的发光二二极 f封装构造的局部俯视图。图5本发明第二二实施例的发光二二极 f封装构造的剖视图。图6本发明第三Ξ实施例的发光二二极 f封装构造的剖视图。图7本发明第四实施例的发光二二极 f封装构造的剖视图。
具体实施方式为让本发明上述目的、特征及优点更明显易懂，下文特举本发明较佳实施例，幷配 合附图，作详细说明如下请同时参照图3及图4所示，图3揭示本发明第一实施例的发光二极管封装构造 的剖视图；图4揭示本发明第一实施例的发光二极管封装构造的局部俯视图。如图3及图 4所示，本发明第一实施例的发光二极管封装构造10包含一壳体11、一第一电极片12、一 第二电极片13、一发光二极管芯片14及一稳压二极管15。所述壳体11的顶面设有一凹 部111，所述凹部111是一多阶状的凹陷构造，其形状可依产品需求而对应调整；所述第一 电极片12的一部分设于所述凹部111的底部，其另一部份延伸至所述壳体11外，以用于与 外部的电性连接；所述第二电极片13的一部分设于所述凹部111的底部，其另一部份延伸 至所述壳体11外，以用于与外部的电性连接；所述发光二极管芯片14设于所述凹部111之 内，其第一电极电性连接于所述第一电极片12上，其第二电极通过一引线141电性连接于 所述第二电极片13 ；所述稳压二极管15是设于所述壳体11之内，其第二电极电性连接于 所述第一电极片12上，其第一电极电性连接于所述第二电极片13上。所述发光二极管封装构造10另包含一透光封装部16封装在所述凹部111上，以 包覆保护位于所述凹部111的第一电极片12、第二电极片13及发光二极管芯片14。所述 透光封装部16的材质为适用于封装并且能透光的材质，例如环氧树脂，所述发光二极管芯 片14的光线能通过所述透光封装部16向上方发射。另外，所述发光二极管芯片14为了避免由于静电而被击穿，因此需要设置至少一 所述稳压二极管15，并且所述稳压二极管15的极性配置是，其第二电极在上端及第一电极 在下端，所述第一电极片12电性连接于所述稳压二极管的上端，所述第二电极片13电性连 接于所述稳压二极管15的下端，所述稳压二极管15与所述发光二极管芯片14形成并联， 且所述稳压二极管15是反向偏压。在本发明的发光二极管封装构造10中，由于所述稳压二极管15是嵌埋设置于所 述壳体11之内，其避免所述稳压二极管15影响到所述发光二极管芯片14的光通量，从而 提高了整体发光二极管封装构造10的发光效能。再者，虽然本发明第一实施例所揭示的所述发光二极管封装构造10是一种表面 粘着封装的发光二极管，然而，本发明并不限制所适用的发光二极管的类型，本发明也可用 于其它适合类型的发光二极管，例如可适用于热电分离的发光二极管。另外，本发明并不指定所述第一电极及所述第二电极所代表的极性，在一通常的 情况下，所述第一电极可能是指阳极(正极)，而所述第二电极可能是指阴极(负极)，但也 有可能是所有极性对应状况的排列组合。并且，虽然本发明第一实施例所揭示的所述发光二极管封装构造10设有一个所 述稳压二极管15，然而，本发明并不限制所述稳压二极管15的数量，使用者可依实际需要 嵌埋设置多个所述稳压二极管15。另外，所述各二极管(发光二极管芯片14、稳压二极管1 的极性端可通过导电银 胶与对应的极性电极片(第一电极片12、第二电极片13)电性连接。请参照图5所示，图5揭示本发明第二实施例的发光二极管封装构造的剖视图。 本发明第二实施例的发光二极管封装构造10相似于本发明第一实施例的发光二极管封装构造10，因此沿用相同的组件符号与名称，但其不同之处在于本发明第二实施例的所述 稳压二极管15’的极性方向与本发明第一实施例的所述稳压二极管15的极性方向是上下 相反的，所述稳压二极管15’的极性配置是第一电极在上端及第二电极在下端。本发明第 二实施例的所述第一电极片12’的端部具有一向下的弯折部位在所述稳压二极管15’的下 方，所述第一电极片12’电性连接于所述稳压二极管15’的下端，所述第二电极片13’电性 连接于所述稳压二极管15’的上端。请参照图6所示，图6揭示本发明第三实施例的发光二极管封装构造的剖视图。本 发明第三实施例的发光二极管封装构造10相似于本发明第一实施例的发光二极管封装构 造10，因此沿用相同的组件符号与名称，但其不同之处在于本发明第三实施例的所述稳 压二极管15”的极性配置是第一电极及第二电极分别在对应的左右两侧端，所述第一电极 片12”的端部具有一向下的弯折部位电性连接于所述稳压二极管15”的一侧端(如左端) 的第二电极上，所述第二电极片13”的端部具有一向下的弯折部电性连接于所述稳压二极 管15”的另一侧端(如右端)的第一电极上，以使所述稳压二极管15”与所述发光二极管 芯片14形成反向并联。请再参照图7所示，图7揭示本发明第四实施例的发光二极管封装构造的剖视图。 本发明第四实施例的发光二极管封装构造20包含一壳体21、一第一电极片22、一第二电 极片23、一发光二极管芯片对及一稳压二极管25。所述壳体21的顶面设有一凹部211 ；所 述第一电极片22的一部分设于所述凹部211的底部，另一部份延伸至所述壳体21的底部， 以使用于与外部的电性连接；所述第二电极片23的一部分设于所述凹部211的底部，另一 部份延伸至所述壳体21外，以使用于与外部的电性连接；所述发光二极管芯片M设于所述 凹部211之内；所述稳压二极管25是设于所述壳体21之内。另外，所述发光二极管封装构 造20包含一透光封装部沈封装在所述凹部211上，以包覆保护位于所述凹部211的第一 电极片22、第二电极片23及发光二极管芯片M。其中，所述发光二极管芯片M的第一电极电性连接于所述第一电极片22上，所述 发光二极管芯片M的第二电极通过一引线Ml电性连接于所述第二电极片23 ；另外，所述 稳压二极管25的极性配置是第一电极在上端及第二电极在下端，所述第一电极片22还包 含一部份连接至所述至少一稳压二极管25的下端。详细来说，所述第一电极片22包含一内部区段221、一第一贯穿区段222、一外部 区段223及一第二贯穿区段224。所述内部区段221于所述凹部211之内并与所述发光二 极管芯片M的第一电极电性连接，且通过所述第一贯穿区段222连接于位于所述壳体21 外的所述外部区段223，并通过所述第二贯穿区段2M连接至所述稳压二极管25的下端。 因此，所述稳压二极管25的第二电极是电性连接于所述第一电极片22，所述稳压二极管25 的第一电极电性连接于所述第二电极片23上，所述稳压二极管25与所述发光二极管芯片 24形成并联，且所述稳压二极管25是反向偏压。再者，如图7所示，所述第二贯穿区段2M可以是接在所述外部区段223的末端， 也可以是接在所述第一电极片22的其他位置，主要能提供所述第一电极片22与所述稳压 二极管25的第二电极连接。由于，本发明第四实施例的发光二极管封装构造20的所述稳压二极管25仍是设 于所述壳体21之内，其避免所述稳压二极管25影响到所述发光二极管芯片M的光通量。
综上所述，相较于现有的发光二极管封装构造的稳压二极管是设置于壳体的上 方，其引影响到发光二极管芯片的部份光通量，因而降低所述发光二极管封装构造的发光 效能。本发明的所述发光二极管封装构造10，20，由于将所述稳压二极管15，25嵌埋设置于 所述壳体11，21之内，以避免影响到所述发光二极管芯片14，M的光通量，从而提高了所述 发光二极管封装构造10，20的整体发光效能。本发明已由上述相关实施例加以描述，然而上述实施例仅为实施本发明的范例。 必需指出的是，已公开的实施例并未限制本发明的范围。相反地，包含于权利要求书的精神 及范围的修改及均等设置均包括于本发明的范围内。
权利要求
1.一种发光二极管封装构造，其特征在于所述发光二极管封装构造包含 一壳体，顶面设有一凹部；一第一电极片，一部分设于所述凹部之内，及另一部份延伸至所述壳体外； 一第二电极片，一部分设于所述凹部之内，及另一部份延伸至所述壳体外； 一发光二极管芯片，设于所述凹部之内，所述发光二极管芯片的一第一电极电性连接 于所述第一电极片，所述发光二极管芯片的一第二电极电性连接于所述第二电极片；及至少一稳压二极管，嵌埋于所述壳体的一嵌孔内，所述稳压二极管的一第二电极电性 连接于所述第一电极片，所述稳压二极管的一第一电极电性连接于所述第二电极片。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装构造，其特征在于所述稳压二极管的第二电 极及第一电极分别在其上端及下端，所述第一电极片电性连接于所述稳压二极管的上端， 所述第二电极片电性连接于所述稳压二极管的下端。
3.如权利要求2所述的发光二极管封装构造，其特征在于所述第二电极片的一端部 具有一向下的弯折部嵌埋于所述壳体内，以电性连接所述稳压二极管的下端。
4.如权利要求1所述的发光二极管封装构造，其特征在于所述稳压二极管的第一电 极及第二电极分别在其下端及上端，所述第二电极片电性连接于所述稳压二极管的上端， 所述第一电极片电性连接于所述稳压二极管的下端。
5.如权利要求4所述的发光二极管封装构造，其特征在于所述第一电极片的一端部 具有一向下的弯折部嵌埋于所述壳体内，以电性连接所述稳压二极管的下端。
6.如权利要求1所述的发光二极管封装构造，其特征在于所述稳压二极管的第一电 极及第二电极分别在其对应的两侧端，所述第一电极片的一端部具有一向下的弯折部嵌埋 于所述壳体内，以电性连接所述稳压二极管的一侧端，所述第二电极片的一端部具有另一 向下的弯折部嵌埋于所述壳体内，以电性连接所述稳压二极管的另一侧端。
7.如权利要求1所述的发光二极管封装构造，其特征在于所述稳压二极管的第一电 极及第二电极是分别通过导电银胶与对应的第二电极片及第一电极片电性连接；所述发光 二极管芯片的第二电极通过一弓I线电性连接于所述第二电极片；所述发光二极管封装构造 另包含一透光封装部，封装在所述凹部上，以包覆保护位于所述凹部的第一电极片、第二电 极片及发光二极管芯片。
8.一种发光二极管封装构造，其特征在于所述发光二极管封装构造包含 一壳体，顶面设有一凹部；一第一电极片，包含一内部区段、一第一贯穿区段、一外部区段及一第二贯穿区段，所 述内部区段位于所述凹部内，所述第一贯穿区段向外延伸至所述壳体的一外底部，所述外 部区段位于所述壳体的外底部，所述第二贯穿区段再延伸至所述壳体内；一第二电极片，一部分设于所述凹部之内，及另一部份延伸至所述壳体外； 一发光二极管芯片，设于所述凹部之内，所述发光二极管芯片的第一电极电性连接于 所述第一电极片的内部区段，所述发光二极管芯片的第二电极电性连接于所述第二电极 片；及至少一稳压二极管，嵌埋于所述壳体的一嵌孔内，所述稳压二极管的一第二电极电性 连接于所述第一电极片的第二贯穿区段，所述稳压二极管的一第一电极电性连接于所述第 二电极片。
9.如权利要求8所述的发光二极管封装构造，其特征在于所述稳压二极管的第一电 极及第二电极分别在其上端及下端，所述第一电极片的第二贯穿区段电性连接至所述稳压 二极管的下端，所述第二电极片电性连接至所述稳压二极管的上端。
10.如权利要求8所述的发光二极管封装构造，其特征在于所述至少一稳压二极管的 第一电极及第二电极是通过导电银胶与对应的第二电极片及第一电极片电性连接；所述发 光二极管芯片的第二电极通过一弓I线电性连接于所述第二电极片；所述发光二极管封装构 造另包含一透光封装部，封装在所述凹部上，以包覆保护位于所述凹部的第一电极片、第二 电极片及发光二极管芯片。
全文摘要
本发明公开一种发光二极管封装构造，其包含一壳体、一第一电极片、一第二电极片、一发光二极管芯片及一稳压二极管。所述发光二极管芯片设于所述壳体的一凹部之内，且其第一与第二电极分别电性连接于所述第一与第二电极片。所述稳压二极管嵌埋于所述壳体之内，其第二及第一电极分别电性连接于所述第一电极与第二电极片。本发明的稳压二极管嵌埋于所述壳体之内，故可避免影响所述发光二极管芯片的光通量。
文档编号H01L33/48GK102054829SQ20101053683
公开日2011年5月11日 申请日期2010年11月5日 优先权日2010年11月5日
发明者胡哲彰, 郑巍巍 申请人:深圳市华星光电技术有限公司