专利名称：有机发光二极管显示装置及其制造方法
技术领域：
本公开涉及一种能 够利用有机发射材料来实现图像的有机发光二极管(OLED)显 示装置及其制造方法。
背景技术：
OLED显示装置是这样一种显示装置，该显示装置利用从阴极和阳极注入到发射层 中的电子和空穴复合产生的激子所产生的能量来发射具有特定波长的光。OLED显示装置分为无源矩阵型和有源矩阵型。有源矩阵OLED显示装置通常包括 两个薄膜晶体管(TFT)来驱动包括有机薄膜的有机发光二极管(OLED)。这两个晶体管可以 包括向OLED施加驱动电流的驱动晶体管和向驱动晶体管传输数据信号从而确定驱动晶体 管的导通/截止的开关晶体管。因此，与无源矩阵OLED显示装置相比，有源矩阵OLED显示 装置具有相对更加复杂的制造工艺。无源矩阵OLED显示装置通常用在例如低分辨率和小尺寸的显示装置的应用中。 利用设置在显示区域的每个像素中的开关晶体管和驱动晶体管提供均勻的电流，根据该电 流，有源矩阵OLED显示装置通常能够展示稳定的亮度。通常，薄膜晶体管(例如开关晶体管或驱动晶体管)包括半导体层；栅电极，设 置在半导体层的一侧上，以通过半导体层控制电流流动；源电极和漏电极，分别连接到半导 体层的相对端，以使一定量的电流通过半导体层。半导体层可以由多晶硅(poly-Si)或非 晶硅(a-Si)形成。由于poly-Si的电子迁移率比a_Si的电子迁移率高，所以通常更经常 地使用poly-Si。为了利用poly-Si形成半导体层，通常在基底上形成a-Si层，并且通过固相结晶 (SPC)、快速热退火(RTA)、金属诱导结晶(MIC)、金属诱导横向结晶(MILC)、准分子激光退 火(ELA)和连续横向固化(SLS)中的一种使a-Si层结晶。
发明内容
本发明的实施例提供了一种OLED显示装置及其制造方法，本发明的OLED显示装 置通过相对简单的工艺在每个像素中按照适于不同作用的结构形成开关晶体管和驱动晶 体管能够防止工艺效率下降并能够增加发射效率。一方面是一种有机发光二极管(OLED)显示装置，所述有机发光二极管显示装置 包括多条扫描线、多条数据线和设置在扫描线与数据线交叉的区域中的多个像素，其中，多 个像素中的每个像素包括开关晶体管，包括第一栅电极、设置在第一栅电极上方的第一半 导体层、设置在第一栅电极和第一半导体层之间的第一栅极绝缘层、以及第一源电极和第 一漏电极；驱动晶体管，包括第二半导体层、设置在第二半导体层上方的第二栅电极、设置 在第二栅电极和第二半导体层之间的第二栅极绝缘层、以及第二源电极和第二漏电极；有 机发光二极管，与驱动晶体管的第二源电极和第二漏电极中的一个电极电连接，其中，第一 半导体层和第二半导体层由相同的材料通过同一工艺形成。
第一半导体层和第二半导体层可以由多晶硅(poly-Si)形成。第一半导体层和第二半导体层的poly-Si可以具有相同的晶体结构。每个像素还可以包括设置在第一半导体层和第一源电极、第一漏电极之间的第一 欧姆接触层，以及设置在第二半导体层和第二源电极、第二漏电极之间的第二欧姆接触层。第一欧姆接触层和第二欧姆接触层可以由掺杂有杂质的非晶硅形成。每个像素还可以包括设置在第一半导体层的部分区域上的第一蚀刻停止层以及 设置在第二半导体层的部分区域上的第二蚀刻停止层。OLED可以包括与第二源电极和第二漏电极中的所述一个电极电连接的下电极、设 置在所述下电极上方并且包括一个或多个发射层的有机层以及设置在有机层上方的上电 极。第二栅电极可以设置在第二源电极和第二漏电极上方。第一源电极和第一漏电极可以由与第二源电极和第二漏电极的材料相同的材料 与第二源电极和 第二漏电极通过同一工艺形成。另一方面是一种制造有机发光二极管(OLED)显示装置的方法，所述方法包括 以下步骤提供具有第一区域和第二区域的基底；在所述基底的第一区域上方形成第一 栅电极；在第一栅电极上方形成第一栅极绝缘层；在第一栅极绝缘层上方形成多晶硅 (poly-Si)层；在所述poly-Si层上方形成导电材料层；蚀刻所述poly-Si层和所述导电材 料层，在第一区域中形成第一半导体层、第一源电极和第一漏电极，在第二区域中形成第二 半导体层、第二源电极和第二漏电极，其中，第一半导体层和第二半导体层通过同一工艺由 相同的材料形成；在第一源电极和第一漏电极以及第二源电极和第二漏电极上方形成第二 栅极绝缘层；在第二区域的第二栅极绝缘层上方形成第二栅电极；在第二栅电极上形成保 护层；蚀刻所述保护层和第二栅极绝缘层，形成暴露第二源电极和第二漏电极中的一个电 极的通孔；形成包括下电极的0LED，该下电极通过所述保护层中的通孔与第二源电极和第 二漏电极中的所述一个电极电连接。形成多晶硅层的步骤可包括在第一栅极绝缘层上方沉积非晶硅层，并使所述非 晶娃层结晶为多晶娃层。所述方法还可以包括在所述poly-Si层上方形成非晶硅层；在所述非晶硅层上 方形成所述导电材料层；通过用于所述多晶硅层和所述导电材料层的蚀刻工艺蚀刻掺杂有 杂质的所述非晶硅层，在第一半导体层和第一源电极、第一漏电极之间形成第一欧姆接触 层，在第二半导体层和第二源电极、第二漏电极之间形成第二欧姆接触层。所述方法还可以包括在所述poly-Si层的第一区域上方形成第一蚀刻停止层，在 所述多晶硅层的第二区域上方形成第二蚀刻停止层。所述方法还可以包括沿着第一半导体层和第二半导体层的部分区域形成第一蚀 刻停止层和第二蚀刻停止层。所述方法还可以包括蚀刻第二栅极绝缘层，形成暴露第一源电极和第一漏电极 之一的第一接触孔；通过第一接触孔将第二栅电极与第一源电极和第一漏电极中的所述之 一电连接。所述方法还可以包括蚀刻第二栅极绝缘层，形成暴露第二源电极和第二漏电极 中的所述一个电极的第二接触孔；与第二栅电极一起形成通过第二接触孔与第二源电极和第二漏电极中 的所述一个电极电连接的互连件；通过所述通孔暴露所述互连件以将所述下 电极与所述互连件电连接。所述方法还可以包括利用相同的材料和同一工艺形成第一栅电极和第二栅电极。可以通过在所述保护层上方形成部分地暴露所述下电极的像素限定层、在被像素 限定层暴露的下电极上方形成包括一个或多个发射层的有机层以及在所述有机层上方形 成上电极来形成所述OLED。所述方法还可以包括在所述保护层上方形成平坦化层；通过蚀刻所述保护层和 所述平坦化层来形成所述通孔；在所述平坦化层上方形成通过所述通孔与第二源电极和第 二漏电极中的所述一个电极电连接的下电极。本发明实施例的其他方面和/或优点将通过下面的描述进行部分地阐述，一部分 将从描述而清楚，或者可以通过本发明的实践获知。
将参照附图描述以上和其他目的、特征和优点，附图中图1是OLED显示装置的实施例的示意图；图2是OLED显示装置的实施例的单个像素的平面图；图3A和图3B是示出倒置交错(BG)薄膜晶体管和交错(TG)薄膜晶体管之间的驱 动特性的比较的曲线图；图4A至图4G是顺序地示出了制造OLED显示装置的实施例的方法的实施例的剖 视图。
具体实施例方式在下文中，现在将参照附图更充分地描述本发明的实施例。在整个说明书中，相同 的标号通常表示相同的元件，当一个元件“与另一个元件连接”时，这些元件可以彼此“直接 连接”，或者在这两个元件之间可以具有其他元件而这两个元件彼此电连接。此外，在图中， 为了清晰起见，可以夸大层和区域的厚度。有源矩阵OLED显示装置通常包括在每个像素中具有相同结构的开关晶体管和驱 动晶体管。驱动晶体管用来向OLED提供一定的最小量的驱动电流。因此，在驱动晶体管中 通常需要高的电流驱动能力。另一方面，因为开关晶体管必须准确地确定驱动晶体管的导 通/截止状态，所以开关晶体管通常应当保持低的漏电流。然而，开关晶体管和驱动晶体管 通常被制造成具有相同的结构，以保持或提高制造效率。因此，相同结构的开关晶体管和驱 动晶体管不能充分地满足开关晶体管和驱动晶体管的不同作用，这会导致发射效率下降。为了更好地实现不同的作用，开关晶体管和驱动晶体管被不同地设计并且分开制 造，这会导致制造工艺效率可能下降。根据本发明的各个实施例，开关晶体管和驱动晶体管 的构造不同，同时将制造效率的下降最小化。图1是OLED显示装置的实施例的示意图，图 2是OLED显示装置的实施例的单个像素的平面图。参照图1和图2，OLED显示装置100的实施例包括像素部分101，显示图像；数据 驱动器102，通过多条数据线Dl至Dm向像素部分101施加数据信号；扫描驱动器103，通过 多条扫描线Sl至Sn向像素部分101施加扫描信号。像素部分101包括设置在扫描线和数据线交叉的区域中的多个像素P。 每个像素P包括⑴OLED发射层(EL)，响应于数据信号来表现出颜色；(2)驱动 晶体管TRd，响应于数据信号向OLED EL提供驱动电流；(3)开关晶体管TRs，响应于扫描信 号来传输数据信号，以将驱动晶体管TRd导通/截止；(4)电容器Cst，存储与数据信号对应 的电压。在一些实施例中，像素P还可以包括多个薄膜晶体管(未示出)和电容器(未示 出)，以补偿驱动晶体管TRd的阈值电压。开关晶体管TRs包括第一栅电极112，与扫描线S 1至Sn中的一条电连接；第一 半导体层122，设置在第一栅电极112上；第一源电极151和第一漏电极153，电连接到第一 半导体层122的相对端。驱动晶体管TRd包括第二半导体层127，设置在与第一半导体层122相同的层 上；第二栅电极167，设置在第二半导体层127上；第二源电极156和第二漏电极158，与第 二半导体层127的相对端电连接。在一些实施例中，第二栅电极167可以与第一漏电极153 电连接。图3A和图3B是示出栅电极设置在半导体层下方的倒置交错(BG)薄膜晶体管 和半导体层设置在栅电极下方的交错(TG)薄膜晶体管之间的驱动特性的比较的曲线图。 换而言之，在倒置交错(BG)薄膜晶体管中，栅电极设置在基底和半导体层之间，而在交错 (TG)薄膜晶体管中，半导体层设置在基底和栅电极之间。图3A示出了当向栅电极施加-20V 时根据时间的阈值电压的变化，图3B示出了当向栅电极施加IOV时根据施加到漏电极的电 流的阈值电压的变化。参照图3A，当向栅电极连续施加一定量的负电压时，对于交错(TG)薄膜晶体管， 阈值电压根据时间的变化斜率为0. 4577 ；对于倒置交错(BG)薄膜晶体管，阈值电压根据时 间的变化斜率为0.3212。与交错(TG)薄膜晶体管相比，倒置交错(BG)薄膜晶体管的阈值 电压根据时间的变化相对小。参照图3B，当随着时间逝去向栅电极连续施加一定量的正电压并且施加到漏电极 的电流增加时，交错(TG)薄膜晶体管中阈值电压变化0.08V，倒置交错(BG)薄膜晶体管中 阈值电压变化0. 54V。与倒置交错(BG)薄膜晶体管相比，交错(TG)薄膜晶体管的根据施加 到漏电极的电流的变化的阈值电压变化相对小。换句话说，与倒置交错(BG)薄膜晶体管相 比，交错(TG)薄膜晶体管中漏极电场的变化小。因此，为了响应于扫描信号来传输数据信号，OLED显示装置100的实施例可以包 括倒置交错(BG)薄膜晶体管作为理想地展示低的漏电流的开关晶体管TRs，并且包括交错 (TG)薄膜晶体管作为通常需要高驱动特性的驱动晶体管TRd。这些晶体管将响应于数据信 号产生各种驱动电流并向OLEDEL施加各种驱动电流。因此，OLED显示装置100可以显示 出改进的发射效率。图4A至图4G是沿着图2中的线1_1’截取的剖视图，并且示出了制造OLED显示 装置100的实施例的方法的实施例。如图4A中所示，OLED显示装置100的实施例包括形成在具有第一区域A和第二 区域B的基底110上的第一导电材料层(未示出)。所述基底可以由玻璃、合成树脂或者 不锈钢形成。OLED显示装置还包括通过蚀刻第一导电材料层而形成并设置在基底110的 第一区域A上的第一栅电极112。在一些实施例中，第一导电材料层可以是以铝(Al)或Al合金例如铝-钕(Al-Nd)的单层、或者Al合金堆叠在铬(Cr)或钼(Mo)合金上的多层形成
的金属层。如图4B中所示，在包括第一栅电极112上的基底110上形成第一栅极绝缘层120，在第一栅极绝缘层120形成多晶硅层130。在一些实施例中，为了在第一栅极绝缘层120上 形成多晶硅层130，可以将a-Si层(未示出)沉积在第一栅极绝缘层120上，然后通过从 SPC、RTA、MIC、MILC、ELA和SLS中选择的方法使a_Si层结晶为多晶硅层130。如图4C中所示，在多晶硅层130上形成a-Si层140之后，用P型或N型杂质掺杂 a-Si层140，并且在a-Si层140上形成第二导电材料层150。在一些实施例中，第二导电材 料层150可以由钼-钨(Moff)、铝(Al)或Al合金例如Al-钕(Nd)形成。在一些实施例中，为了防止由于后续蚀刻工艺期间对多晶硅层130表面的损坏而 导致通过蚀刻多晶硅层130形成的第一半导体层122和第二半导体层127的驱动特性劣 化，可以在多晶硅层130上形成第一蚀刻停止层132和第二蚀刻停止层137。如图4D中所示，第一蚀刻停止层132形成为与将通过后续工艺形成的第一半导体 层122的部分区域对应，第二蚀刻停止层137形成为与将通过后续工艺形成的第二半导体 层127的部分区域对应。在这种实施例中，可以容易地形成第一半导体层122与第一源电 极151、第一漏电极153之间的电连接，以及第二半导体层127与第二源电极156、第二漏电 极158之间的电连接。仍然参照图4D，蚀刻多晶硅层130、掺杂有杂质的a-Si层140以及第二导电材料 层150，从而形成设置在第一区域A中的第一半导体层122和设置在第二区域B中的第二半 导体层127。第一源电极151和第一漏电极153与第一半导体层122的相对端电连接，在第 一半导体层122和第一源电极151、第一漏电极153之间设置第一欧姆接触层142。第二源 电极156、第二漏电极158与第二半导体层127的相对端电连接，在第二半导体层127和第 二源电极156、第二漏电极158之间设置第二欧姆接触层147。在一些实施例中，第一半导体层122和第二半导体层127通过由掺杂有杂质的 a-Si形成的第一欧姆接触层142和第二欧姆接触层147与第一源电极151和第一漏电极 153或第二源电极156和第二漏电极158电连接。在其他实施例中，第一欧姆接触层142和 第二欧姆接触层147可以由多晶硅形成，可以通过用杂质掺杂第一半导体层122和第二半 导体层127的部分区域来形成源区和漏区(未示出)以及沟道区(未示出)，第一源电极 151和第一漏电极153可以与第一半导体层122的源区和漏区连接，第二源电极156和第二 漏电极158可以与第二半导体层127的源区和漏区连接。在一些实施例中，多晶硅层130、掺杂有杂质的a-Si层140和第二导电材料层150 可以顺序堆叠并且被顺序蚀刻，可以在形成a-Si层140之前蚀刻多晶硅层130，从而形成第 一半导体层122和第二半导体层127，可以在第一半导体层122和第二半导体层127上形 成掺杂有杂质的a-Si层140，可以在形成第二导电材料层150之前蚀刻掺杂有杂质的a-Si 层140，从而形成第一欧姆接触层142和第二欧姆接触层147。如图4E中所示，在第一源电极151和第一漏电极153以及第二源电极156和第二 漏电极158上形成第二栅极绝缘层160，并且蚀刻第二栅极绝缘层160，从而形成部分地暴 露第一源电极151和第一漏电极153中的第一漏电极153的第一接触孔164、部分地暴露第 二源电极156和第二漏电极158中的第二漏电极158的第二接触孔169以及部分地暴露第一栅电极112的第三接触孔125。虽然在该实施例中第一接触孔164暴露第一漏电极，但是 本发明不限于此。在另一实施例中，第一接触孔暴露开关晶体管的源电极。也就是说，开关 晶体管的源电极和漏电极的位置可以互换。
在一些实施例中，通过第一接触孔164部分地暴露第一漏电极153，并且通过第二 接触孔169部分地暴露第二漏电极158，可以通过第一接触孔164部分地暴露第一源电极 151，并且可以通过第二接触孔169部分地暴露第二源电极156。在一些实施例中，可以单独地形成第一栅电极112和扫描线Sl。在其他实施例中， 可以与扫描线Sl同时形成第一栅电极112。如图4F中所示，在第二栅极绝缘层160上形成第三导电材料层(未示出)并蚀刻 第三导电材料层，从而形成扫描线Si、通过第一接触孔164与第一漏电极153电连接的第二 栅电极167以及与第二漏电极158电连接的互连件170。在一些实施例中，第三导电材料层可以是以Al或Al合金例如Al-Nd的单层、或者 Al合金堆叠在Cr或Mo合金上的多层形成的金属层，并且可以由与第一导电材料层的材料 相同的材料形成。如图4G中所示，在扫描线Si、第二栅电极167和互连件170上形成保护层180并 且蚀刻保护层180，从而形成部分地暴露互连件170的通孔189。形成通过通孔189与互连 件170电连接的下电极192，形成设置在下电极192上并且包括一个或多个发射层(未示 出)的有机层194以及设置在有机层194上的上电极196，从而完成了 0LED。在一些实施例中，为了将相邻的像素彼此分开，由从由聚酰亚胺、苯并环丁烯系列 树脂、酚树脂和丙烯酸酯组成的组中选择的材料来形成像素限定材料层(未示出)并且蚀 刻像素限定材料层，从而形成部分地暴露下电极192的像素限定层185，在被像素限定层 185暴露的下电极192上形成有机层194。保护层180可以由氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)或者它们的组合形成，还可以在 保护层180上由丙烯酰基材料的有机绝缘层或者氧化硅的无机绝缘层形成平坦化层(未示 出)。在保护层上形成平坦化层的情况下，蚀刻保护层和平坦化层来形成通孔，然后在平坦 化层上方形成OLED的通过该通孔与驱动晶体管的漏电极电连接的下电极。在一些实施例中，OLED的下电极192可以通过互连件170与第二漏电极158电连 接。第二接触孔169可以与通孔189同时形成，以使得下电极192与第二漏电极158直接 接触。然而，因为第二栅极绝缘层160和保护层180的厚度之间的阶差，所以下电极192可 能与第二漏电极158短路。虽然在上面的实施例中，下电极192与第二漏电极158电连接，但是本发明不限于 此。在另一实施例中，OLED的下电极与驱动晶体管的源电极电连接。换言之，0LED(更具体 地说，OLED的下电极)与驱动晶体管的源电极和漏电极中的一个电极电连接。在一些实施例中，形成开关晶体管的栅电极，与驱动晶体管的半导体层同时形成 开关晶体管的半导体层，并且在所述半导体层上形成驱动晶体管的栅电极。因此，在每个像 素中，可以用相对简单的工艺形成为了实现不同作用而具有不同结构的开关晶体管和驱动 晶体管。在OLED显示装置及其制造方法的实施例中，形成具有高驱动能力的驱动晶体管 以及通过形成一个多晶硅层而保持低的漏电流的开关晶体管，从而以相对简单的制造工艺增加了 OLED显示装置的发射效率。
尽管已经描述了本发明的特定实施例，但是本领域技术人员应该理解，在不脱离 权利要求及其等同物中限定的本发明的精神或范围的情况下，可以对实施例进行各种修改 和变化。
权利要求
1.一种有机发光二极管显示装置，所述有机发光二极管显示装置包括多条扫描线、多条数据线和设置在多条扫描线与多条数据线交叉的区域中的多个像素，其中，多个像素中的每个像素包括开关晶体管，包括第一栅电极、第一源电极、第一漏电极、设置在第一栅电极上方的第 一半导体层以及设置在第一栅电极和第一半导体层之间的第一栅极绝缘层；驱动晶体管，包括第二半导体层、第二源电极、第二漏电极、设置在第二半导体层上方 的第二栅电极以及设置在第二栅电极和第二半导体层之间的第二栅极绝缘层；有机发光二极管，与驱动晶体管的第二源电极和第二漏电极中的一个电极电连接。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，第一半导体层和第二半导 体层由多晶硅形成。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示装置，其中，第一半导体层和第二半导 体层的多晶硅具有相同的晶体结构。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，每个像素还包括设置在第 一半导体层和第一源电极、第一漏电极之间的第一欧姆接触层，以及设置在第二半导体层 和第二源电极、第二漏电极之间的第二欧姆接触层。
5.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示装置，其中，第一欧姆接触层和第二欧 姆接触层由掺杂有杂质的非晶硅形成。
6.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，每个像素还包括设置在第 一半导体层的部分区域上的第一蚀刻停止层以及设置在第二半导体层的部分区域上的第 二蚀刻停止层。
7.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，有机发光二极管包括与第 二源电极和第二漏电极中的所述一个电极电连接的下电极、设置在所述下电极上方并且包 括一个或多个发射层的有机层以及设置在有机层上方的上电极。
8.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，第二栅电极设置在第二源 电极和第二漏电极上方。
9.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，第一源电极和第一漏电极 由与第二源电极和第二漏电极的材料相同的材料形成。
10.一种制造有机发光二极管显示装置的方法，所述方法包括以下步骤 提供具有第一区域和第二区域的基底；在所述基底的第一区域上方形成第一栅电极； 在第一栅电极上方形成第一栅极绝缘层； 在第一栅极绝缘层上方形成多晶硅层； 在所述多晶硅层上方形成导电材料层；蚀刻所述多晶硅层和所述导电材料层，在第一区域中形成第一半导体层、第一源电极 和第一漏电极，在第二区域中形成第二半导体层、第二源电极和第二漏电极，其中，第一半 导体层和第二半导体层通过同一工艺由相同的材料形成；在第一源电极和第一漏电极以及第二源电极和第二漏电极上方形成第二栅极绝缘层；在第二区域的第二栅极绝缘层上方形成第二栅电极；在第二栅电极上形成保护层；蚀刻所述保护层和第二栅极绝缘层，形成暴露第二源电极和第二漏电极中的一个电极 的通孔；形成包括下电极的有机发光二极管，所述下电极通过所述保护层中的通孔与第二源电 极和第二漏电极中的所述一个电极电连接。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，形成多晶硅层的步骤包括在第一栅极绝缘层 上方沉积非晶硅层，并使所述非晶硅层结晶为多晶硅层。
12.根据权利要求10所述的方法，所述方法还包括在所述多晶硅层上方形成非晶硅层；在所述非晶硅层上方形成所述导电材料层；通过用于所述多晶硅层和所述导电材料层的蚀刻工艺蚀刻掺杂有杂质的所述非晶硅 层，在第一半导体层和第一源电极、第一漏电极之间形成第一欧姆接触层，在第二半导体层 和第二源电极、第二漏电极之间形成第二欧姆接触层。
13.根据权利要求10所述的方法，还包括在所述多晶硅层的第一区域上方形成第一蚀 刻停止层，在所述多晶硅层的第二区域上方形成第二蚀刻停止层。
14.根据权利要求13所述的方法，还包括沿着第一半导体层和第二半导体层的部分区 域形成第一蚀刻停止层和第二蚀刻停止层。
15.根据权利要求10所述的方法，还包括蚀刻第二栅极绝缘层，形成暴露第一源电极和第一漏电极之一的第一接触孔；通过第一接触孔将第二栅电极与第一源电极和第一漏电极中的所述之一电连接。
16.根据权利要求10所述的方法，还包括蚀刻第二栅极绝缘层，形成暴露第二源电极和第二漏电极中的所述一个电极的第二接 触孔；与第二栅电极一起形成通过第二接触孔与第二源电极和第二漏电极中的所述一个电 极电连接的互连件；通过所述通孔暴露所述互连件以将所述下电极与所述互连件电连接。
17.根据权利要求10所述的方法，还包括利用相同的材料和同一工艺形成第一栅电极 和第二栅电极。
18.根据权利要求10所述的方法，通过在所述保护层上方形成部分地暴露所述下电极 的像素限定层、在被像素限定层暴露的下电极上方形成包括一个或多个发射层的有机层以 及在所述有机层上方形成上电极，来形成有机发光二极管。
19.根据权利要求10所述的方法，还包括在所述保护层上方形成平坦化层；通过蚀刻所述保护层和所述平坦化层来形成所述通孔；在所述平坦化层上方形成通过所述通孔与第二源电极和第二漏电极中的所述一个电 极电连接的下电极。
全文摘要
本发明公开了一种有机发光二极管(OLED)显示装置及其制造方法。所述OLED显示装置包括多条扫描线、多条数据线和设置在扫描线与数据线交叉的区域中的多个像素，其中，多个像素中的每个像素包括开关晶体管，包括第一栅电极、设置在第一栅电极上方的第一半导体层、设置在第一栅电极和第一半导体层之间的第一栅极绝缘层、以及第一源电极和第一漏电极；驱动晶体管，包括第二半导体层、设置在第二半导体层上方的第二栅电极、设置在第二栅电极和第二半导体层之间的第二栅极绝缘层、以及第二源电极和第二漏电极；有机发光二极管，与驱动晶体管的第二源电极和第二漏电极中的一个电极电连接，其中，第一半导体层和第二半导体层由相同的材料通过同一工艺形成。
文档编号H01L29/786GK102074569SQ20101054244
公开日2011年5月25日 申请日期2010年11月10日 优先权日2009年11月10日
发明者崔埈厚, 崔宝京, 文相皓, 曹圭湜, 朴容焕, 李仑揆, 李源规, 梁泰勋, 申旼澈, 秋秉权 申请人:三星移动显示器株式会社