专利名称：发光二极管封装结构的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种封装结构，尤其涉及一种发光二极管封装结构。
背景技术：
现有的发光二极管封装结构一般包括反射杯，设置在反射杯底面的发光二极管芯片，以及设置在该发光二极管芯片出光面的荧光粉。一般地，为了得到白光，采用发蓝光发光二极管芯片，并且在其出光面设置黄色荧光粉，蓝光发光二极管芯片发出的蓝光部分被荧光粉吸收，另一部分蓝光与荧光粉发出的黄光混合，从而得到得白光。并且，在混光过程中，会产生较多的热量以及短波长光，一般地，所述短波长的光的波长为380 480纳米。然而，由于发光二极管封装结构的反射杯一般由塑料制成，其耐热性较差，且很容易被短波长的光线破坏，从而造成反射杯性能劣化， 进而影响发光二极管封装结构的使用寿命和出光效率。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种使用寿命长且出光效率好的发光二极管封装结构。一种发光二极管封装结构，其包括一种发光二极管封装结构，其包括一反射杯，一发光二极管芯片，一荧光粉以及一抗短波层。该反射杯具有一顶面。该反射杯包括一形成在该顶面且向该反射杯凹陷的凹槽，该凹槽具有一底面以及环绕该底面的侧壁；该发光二极管芯片设置在该凹槽的底面。该荧光粉设置在发光二极管芯片的出光面且收容于该反射杯的凹槽内，该荧光粉吸收该发光二极管芯片发出的光并将其转换成白光，并产生短波长光。 该抗短波层设置在该凹槽的侧壁，该抗短波层用于反射该短波长光。所述发光二极管封装结构的反射杯的侧壁上设置有抗短波层，该抗短波层将发光二极管芯片发出的光与荧光粉混光过程所产生的短波长光反射并出射，从而，避免了该短波长光被反射杯所吸收而造成其性能劣化。因此，该发光二极管封装结构的使用寿命长且出光效率好。
图1是本发明实施例提供的发光二极管封装结构的剖面示意图。主要元件符号说明发光二极管封装结构 100反射杯20顶面21凹槽22底面225侧壁2 发光二极管芯片30
封装胶40光出射面41荧光粉50抗短波层60
具体实施例方式下面将结合附图对本发明实施例作进一步的详细说明。请参见图1，本发明实施例提供的一种发光二极管封装结构100，其包括一反射杯 20，一发光二极管芯片30，一封装胶40，一荧光粉50以及一抗短波层60。该反射杯20具有一顶面21。该反射杯20包括一形成在其顶面21且向该反射杯 20凹陷的凹槽22。该凹槽22包括有一底面225以及环绕该底面225的侧壁226。在本实施例中，该反射杯20由塑料制成。该发光二极管芯片30设置在该凹槽22的底面225。在本实施例中，该发光二极管芯片30为蓝光发光二极管芯片。该封装胶40收容于该反射杯20的凹槽22内，且覆盖该发光二极管芯片30。该封装胶40具有一个光出射面41，该光出射面41为一平面，且与该反射杯20的顶面21在同一平面上。该荧光粉50分布在该封装胶40内。在本实施例中，该荧光粉50为黄色荧光粉， 其均勻分布在该封装胶40内。该黄色荧光粉50吸收该蓝色发光二极管芯片30发出的光并将其转换成白光，同时，并产生短波长光。一般地，该短波长光的波长为380纳米到480 纳米。当然，该光出射面41也可以为其他形状。该抗短波层60设置在该凹槽22的侧壁2 上。在本实施例中，该抗短波层60 的厚度小于100微米。该抗短波层60的材料为二氧化钛(SiO2)，二氧化锆(&02)，氧化锌 (ZnO)，二氧化锡(SnO2)，磷化镓(GaP)，硅(Si)，钛酸锶(SrTiO3)，三氧化钨(WO3)，或者硫化镉(CdS)。该抗短波层60用于反射该短波长光，以从该封装胶40的光出射面41出射。从而， 防止该短波长光被反射杯20所吸收。该发光二极管封装结构100具有一抗短波层60，其可以将短波长光反射至该封装胶40的光出射面41出射，从而防止该短波长光被该反射杯20吸收而造成该反射杯20的性能劣化，因此，该发光二极管封装结构100的使用寿命长。并且，由于该短波长光被反射并出射，从而提高了该发光二极管封装结构100的出光效率。可以理解的是，本领域技术人员还可于本发明精神内做其它变化，只要其不偏离本发明的技术效果均可。这些依据本发明精神所做的变化，都应包含在本发明所要求保护的范围之内。
权利要求
1.一种发光二极管封装结构，其包括一反射杯以及一发光二极管芯片，该反射杯具有一顶面，该反射杯包括一形成在该顶面且向该反射杯凹陷的凹槽，该凹槽具有一底面以及环绕该底面的侧壁；该发光二极管芯片设置在该凹槽的底面；其特征在于该发光二极管封装结构进一步包括一荧光粉以及一抗短波层，该荧光粉设置在发光二极管芯片的出光面且收容于该反射杯的凹槽内，该荧光粉吸收该发光二极管芯片发出的光并将其转换成白光，并产生短波长光；该抗短波层设置在该凹槽的侧壁，该抗短波层用于反射该短波长光。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该发光二极管芯片为蓝光发光二极管芯片。
3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该荧光粉为黄色荧光粉。
4.如权利要求3所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该短波长光的波长为380纳米到480纳米。
5.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该抗短波层的厚度小于100 微米。
6.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该抗短波层的材料为二氧化钛，二氧化锆，氧化锌，二氧化锡，磷化镓，硅，钛酸锶，三氧化钨，或者硫化镉。
7.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该反射杯的材料为塑料。
8.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该发光二极管封装结构进一步包括封装胶，该封装胶收容于该反射杯的凹槽内，该荧光粉分布在该封装胶内。
全文摘要
本发明涉及一种发光二极管封装结构，其包括一反射杯，一发光二极管芯片，一荧光粉以及一抗短波层。该反射杯具有一顶面。该反射杯包括一形成在该顶面且向该反射杯凹陷的凹槽，该凹槽具有一底面以及环绕该底面的侧壁；该发光二极管芯片设置在该凹槽的底面。该荧光粉设置在发光二极管芯片的出光面且收容于该反射杯的凹槽内，该荧光粉吸收该发光二极管芯片发出的光并将其转换成白光，并产生短波长光。该抗短波层设置在该凹槽的侧壁，该抗短波层用于反射该短波长光。
文档编号H01L33/56GK102479906SQ201010555819
公开日2012年5月30日 申请日期2010年11月24日 优先权日2010年11月24日
发明者郭德文 申请人:展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司