专利名称：薄膜晶体管、显示装置和制造该显示装置的方法
技术领域：
实施例涉及一种薄膜晶体管、一种包括该薄膜晶体管的显示装置和一种制造该显 示装置的方法。
背景技术：
显示装置(例如有机发光二极管显示装置和液晶显示装置)可以包括可用作开关 元件的至少一个晶体管。通常，薄膜晶体管包括半导体层、栅电极以及源电极和漏电极，栅 电极位于半导体层的一端上，以控制流过半导体层的电流，源电极和漏电极与半导体层的 两端连接，以传递通过半导体层的预定量的电流。半导体层可以由多晶硅(多晶Si)或非晶硅(a-Si)形成。然而，因为多晶Si与 a-Si相比展现出更高的电子迁移性，所以已经广泛地使用多晶Si。在这种情况下，多晶Si 可以如下来形成在基底上形成a-Si层，并使用结晶工艺例如固相结晶(SPC)、快速热退火 (RTA)、金属诱导结晶(MIC)、金属诱导横向结晶(MILC)、准分子激光退火(ELA)或顺序横向 固化(SLS)将a-Si层结晶为多晶Si层。然而，当在栅电极上形成a-Si层并使用ELA或SLS将a_Si层结晶为多晶Si层时， 照射在a-Si层上的激光束的热源会导致热流向栅电极。然后，热流会导致a-Si的不充分 的晶体生长。因此，多晶Si半导体层会包括不稳定的晶体生长区域，这会导致薄膜晶体管 的驱动特性和可靠性劣化。
发明内容
实施例涉及相对于现有技术显示出改进的一种薄膜晶体管、一种包括该薄膜晶体 管的显示装置和一种制造该显示装置的方法。实施例的特征在于提供一种包括多晶硅(多晶Si)半导体层的薄膜晶体管，所述 多晶硅半导体层不包括不稳定的晶体生长区域。以上和其它特征及优点中的至少一个可以通过提供一种薄膜晶体管来实现，所述 薄膜晶体管包括基底；栅电极，位于所述基底上；栅极绝缘层，位于所述栅电极上；半导体 层，位于所述栅极绝缘层上；源/漏电极，与所述半导体层电连接，其中，所述栅电极具有大 约500A至大约1500A的厚度，所述栅极绝缘层具有大约1600A至大约2500A的厚度。所述半导体层可以具有初级晶粒边界，所述初级晶粒边界之间的距离可以为大约 2. 75 μ m 至大约 3μπι。以上和其它特征及优点中的至少一个还可以通过提供一种显示装置来实现，所述 显示装置包括基底，具有第一区域和第二区域；栅电极，分别位于所述基底的所述第一区 域和所述第二区域中的每个上；栅极绝缘层，位于所述栅电极上；半导体层，分别位于所述 基底的所述第一区域和所述第二区域中的栅极绝缘层上；源/漏电极，分别与位于所述基 底的所述第一区域和所述第二区域上的半导体层电连接，其中，所述栅电极具有大约500Α 至大约1500Α的厚度，所述栅极绝缘层具有大约1600Α至大约2500Α的厚度。
每个半导体层可以具有初级晶粒边界，相应的半导体层的初级晶粒边界之间的距 离可以为大约2. 75 μ m至大约3 μ m。 所述显示装置还可以包括与至少一个栅电极电连接的栅极线，所述栅极线位于与 所述至少一个栅电极对应的一个半导体层上。所述显示装置还可以包括钝化层，位于所述基底上，在所述基底上包括所述源/ 漏电极；栅极线，位于所述钝化层上，所述栅极线通过所述钝化层和所述第一区域上的栅极 绝缘层中的接触孔与所述第一区域的栅电极电连接。所述显示装置还可以包括钝化层，位于所述基底上，所述基底包括所述源/漏电 极；连接构件，位于所述钝化层上，所述连接构件通过所述钝化层和所述栅极绝缘层中的接 触孔与所述第二区域上的栅电极电连接。所述连接构件可以通过所述钝化层中的接触孔与所述第一区域上的漏电极电连接。所述显示装置还可以包括位于所述钝化层上的接触构件，接触构件通过所述钝化 层中的接触孔与所述第二区域上的漏电极电连接。所述显示装置还可以包括位于所述钝化层上的像素电极，所述像素电极与所述接 触构件电连接。以上和其它特征及优点中的至少一个还可以通过提供一种制造显示装置的方法 来实现，所述方法包括提供包括第一区域和第二区域的基底；分别在所述基底的所述第 一区域和所述第二区域上形成栅电极；在所述栅电极上形成栅极绝缘层；分别在所述基底 的所述第一区域和所述第二区域上的栅极绝缘层上形成半导体层；分别在所述基底的所述 第一区域和所述第二区域上的半导体层的特定区域上形成源/漏区域；分别在所述基底的 所述第一区域和所述第二区域中形成源/漏电极，所述源/漏电极与所述半导体层电连接， 其中，所述栅电极具有大约500A至大约1500A的厚度，所述栅极绝缘层具有大约1600A至 大约2500A的厚度。每个半导体层可以具有初级晶粒边界，相应的半导体层的初级晶粒边界之间的距 离可以为大约2. 75 μ m至大约3 μ m。形成半导体层的步骤可以包括通过顺序横向固化(SLS)的结晶。可以使用掩模执行所述SLS，所述掩模具有激光束穿过的区域。所述激光束穿过的区域可以具有大约4. 5 μ m至大约5. 0 μ m的长度，所述激光束 穿过的区域之间的距离可以为大约Ι.Ομπι至大约1.5μπι。形成半导体层的步骤可以包括在所述栅极绝缘层上形成非晶硅(a-Si)层，对所 述a-Si层执行SLS工艺。
通过参照附图详细描述示例性实施例，对于本领域普通技术人员来说，以上和其 它特征及优点将变得更加明显，在附图中图IA示出根据实施例的显示装置的平面图；图IB示出沿图IA的III-III线截取的剖视图；图2A至图6B示出根据实施例的制造显示装置的方法的阶段；
图7示出顺序横向固化工艺的示意图；图8A至图8D示出根据栅电极的厚度的结晶特性的图像；图9A至图9C示出根据栅极绝缘层的厚度的结晶特性的图像；图IOA示出根据初级晶粒边界的结晶特性的曲线图；图IOB示出根据初级晶粒边界的结晶特性的图像；图11示出根据初级晶粒边界之间的距离的相对标准偏差(RSD)特性的比较曲线 图。
具体实施例方式现在将在下文中参照附图更充分地描述示例实施例；然而，示例实施例可以以不 同形式来实施，不应该被理解为局限于在此提出的实施例。相反，提供这些实施例使本公开 将是彻底的且完整的，并将把本发明的范围充分地传达给本领域技术人员。在附图中，为了清晰地示出，会夸大层和区域的尺寸。还应当理解的是，当层或元 件被称作“在”另一层或基底“上”时，该层或元件可以直接地在另一层或基底上，或者也可 以存在中间层。此外，应当理解的是，当层被称作“在”另一层“下方”时，该层可以直接在 另一层下方，并且也可以存在一个或多个中间层。此外，还应当理解的是，当层被称作“在” 两个层“之间”时，该层可以是这两个层之间的唯一层，或者也可以存在一个或多个中间层。 相同的标号始终表示相同的元件。图IA示出根据实施例的显示装置的平面图。图IB示出沿图IA的III-III线截 取的剖视图。图IA示出包括有机发光材料的有机发光显示装置的一个示例，但实施例不限 于此。因此，可以将实施例应用于各种显示装置，例如使用液晶的液晶显示装置。参照图IA和1B，开关栅电极12 和驱动栅电极124b可以形成在包括例如透明玻 璃或塑料的绝缘基底110上。开关栅电极12 和驱动栅电极124b可以彼此隔离，并可以是小岛的形式。开关 栅电极12 和驱动栅电极124b可以分别具有由例如Mo、W、MoW、AlNd、Ti、Cu、Cu合金、Al、 Al合金、Ag和/或Ag合金制成的单层结构。在一个实施方案中，开关栅电极12 和驱动 栅电极124b可以分别具有由低电阻材料(例如，Mo、Cu、Al和/或Ag)制成的2层结构，以 减小布线电阻。可选地，开关栅电极12 和驱动栅电极124b可以分别由例如Mo、Cu、Al和 /或Ag制成的3层或更多层的多层结构，以减小布线电阻。每个栅电极的厚度可以为大约500A至大约1500A。将栅电极的厚度维持在大约 500人或更大可以有助于确保栅电极能够防止压降和电阻增大。将栅电极的厚度维持在大 约1500人或更小可以有助于确保由栅电极引起的热流不会在结晶工艺期间形成不稳定的 结晶区域。下面将对其进行详细描述。栅极绝缘层140可以形成在开关栅电极12 和驱动栅电极124b上。栅极绝缘层 140可以由例如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiO2)制成。栅极绝缘层140的厚度可以为大约1600A至大约2500A。将栅极绝缘层140的厚 度维持在大约1600A或更大可以有助于确保由栅电极引起的热流不会在结晶工艺期间形 成不稳定的结晶区域。将栅极绝缘层140的厚度维持在大约2500A或更小可以有助于确保 电容器的电容不降低。下面将详细描述电容器。
接下来，开关半导体层15 和驱动半导体层154b可以形成在栅极绝缘层140上。开关半导体层15 和驱动半导体层154b可以分别是小岛的形式。开关半导体层 15 可以与开关栅电极12 叠置，驱动半导体层154b可以与驱动栅电极124b叠置。半导 体层15 和154b可以分别由通过例如顺序横向固化(SLS)结晶为多晶硅(多晶Si)层的 非晶硅(a-Si)层构成。相应的多晶Si半导体层15 和154b中的初级晶粒边界之间的距离可以小于大 约3 μ m。将初级晶粒边界之间的距离保持在小于大约3 μ m可以有助于确保足够的结晶度。 在一个实施方案中，多晶Si层中的初级晶粒边界之间的距离可以大于大约2. 75 μ m。由于 当a-Si层通过SLS结晶时所形成的足够的重叠区域，所以将初级晶粒边界之间的距离保持 在大于大约2. 75 μ m可以有助于确保足够的结晶度。蚀刻停止件15 和15 可以分别形成在开关半导体层15 和驱动半导体层 154b上。蚀刻停止件15 和15 可以由例如氮化硅或氧化硅制成，并可以防止开关半导 体层15 和驱动半导体层154b在SLS期间被损坏。数据线171、开关漏电极17 和功率供给线172可以形成在蚀刻停止件155a、开 关半导体层15 和栅极绝缘层140上，数据线171、功率供给线172和驱动漏电极17 可 以形成在蚀刻停止件15 、驱动半导体层154b和栅极绝缘层140上。数据线171可以传送数据信号，并通常沿纵向方向布置。每条数据线171可以包 括朝向开关栅电极12 延伸的开关源电极173a以及具有大的区域从而与其它层或外部驱 动电路接触的端部179。开关漏电极17 可以与数据线171隔离，并可以面对开关半导体层15 上方的 开关源电极173a。功率供给线172可以传送驱动电压，并可以通常沿纵向方向布置。每条功率供给 线172可以包括朝向驱动半导体层154b延伸的驱动源电极17 和与驱动栅电极124b叠 置的维持电极174。驱动栅电极124b可以用作电容器底部电极，维持电极174可以用作电 容器顶部电极。即，驱动栅电极1Mb、维持电极174以及栅极绝缘层140的位于维持电极 174和驱动栅电极124b之间的一部分可以形成电容器(Cst)。驱动漏电极17 可以与数据线171、开关漏电极17 和功率供给线172隔离，并 可以面对驱动半导体层154b上方的驱动源电极17北。数据线171、开关漏电极175a、功率供给线172和驱动漏电极17 可以分别具有 包括例如Mo、W、MoW、AlNcU Ti、Cu、Cu合金、Al、Al合金、細和/或Ag合金的单层结构。在 一个实施方案中，它们可以分别具有由低电阻材料(例如，Mo、Cu、Al和/或Ag)制成的2 层结构，以减小布线电阻。可选地，它们可以分别具有由例如Mo、Cu、Al和/或Ag制成的3 层或更多层的多层结构，以减小布线电阻。 欧姆接触层161、163a、163b、165a和165b可以分别形成在数据线171、开关漏电极 175a、功率供给线172和驱动漏电极175b下方。欧姆接触层161、163a、163b、165a和165b 可以由包括例如a-Si、微晶硅和/或多晶Si的材料形成，所述材料可以掺杂有高浓度的η 型或P型杂质。欧姆接触层可以布置在半导体层15 和154b上以限定源极区和漏极区， 并可以分别与源电极和漏电极电连接。 欧姆接触层161、163a、163b、16fe和165b可以与数据线171、开关漏电极17 、功率供给线172和驱动漏电极17 具有基本上相同的形状，但是也可以仅形成在开关半导体 154a和开关源电极173a之间、开关半导体15 和开关漏电极17 之间、驱动半导体154b 和驱动源电极17 之间和/或驱动半导体154b和驱动漏电极17 之间。钝化层180可以形成在数据线171、开关漏电极175a、功率供给线172和驱动漏电 极17 上。用于分别暴露开关漏电极175a、驱动漏电极17 和数据线171的端部179的 接触孔185a、l^b和182可以形成在钝化层180上或者可以形成在钝化层180中。另外， 用于分别暴露开关栅电极12 和驱动栅电极124b的接触孔183和184可以形成在钝化层 180和栅极绝缘层140上或者可以形成在钝化层180和栅极绝缘层140中。栅极线121、连接构件85和接触构件86可以形成在钝化层180上。栅极线121可以传送栅极信号，可以沿横向方向延伸，并可以通常通过与数据线 171和功率供给线172交叉来形成。栅极线121可以通过接触孔183与开关栅电极12 电 连接，并可以具有区域较大的端部129，从而与其它层或外部驱动电路接触。连接构件85可以通过接触孔184和18 与开关漏电极17 和驱动栅电极124b 连接。接触构件86可以通过接触孔18 接触驱动漏电极17 。栅极线121、连接构件85和接触构件86可以分别具有包括例如Mo、W、MoW、AINd、 Ti、Cu、Cu合金、Al、Al合金、Ag和/或Ag合金的单层结构。在一个实施方案中，栅极线 121、连接构件85和接触构件86可以分别具有由低电阻材料(例如，Mo、Cu、Al和/或Ag) 制成的2层结构，以减小布线电阻。可选地，栅极线121、连接构件85和接触构件86可以分 别具有包括低电阻材料(例如，Mo、Cu、Al和/或Ag)的3层或更多层的多层结构，以减小 布线电阻。像素电极191、第一钝化构件195、第二钝化构件196和接触辅助构件82可以形成 在栅极线121、连接构件85、接触构件86和钝化层180上。像素电极191可以通过接触构件86与驱动漏电极17 电连接。接触构件86可 以提高驱动漏电极17 和像素电极191之间的附着性能和接触性能。第一钝化构件195可以覆盖栅极线121，第二钝化构件196可以覆盖连接构件85。 当使像素电极191经历光刻时，第一钝化构件195和第二钝化构件196可以防止栅极线121 和连接构件85由于与化学溶液(例如，蚀刻溶液)接触而被侵蚀。接触辅助构件82可以通过接触孔182与数据线171的端部179接触。接触辅助 构件82可以提供对数据线171的端部179和外部设备的附着性能，并可以保护数据线171 和外部设备。像素电极191、第一钝化构件195、第二钝化构件196和接触辅助构件82可以分别 包括例如可单独使用或以其组合方式使用的氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(TO)
和氧化锌。有机绝缘层361可以形成在像素电极191、第一钝化构件195、第二钝化构件196、 接触辅助构件82和钝化层180上。有机绝缘层361可以具有开口 385，通过开口 385暴露 像素电极191的一部分。有机层370可以形成在开口 365中。有机层370可以具有多层结构，该多层结构 包括发射层(未示出)，并且还包括用于提高发射层的发光效率的辅助层(未示出)。发射层可以由例如聚合材料、低聚物材料或其混合物制成，聚合材料、低聚物材料或其混合物可以固有地发射三种原色(即，红色、绿色和蓝色)中的一种。辅助层可以包括例如电子传输层(未示出)、空穴传输层(未示出)、电子注入层 (未示出)和空穴注入层(未示出)中的至少一个。电子传输层和空穴传输层可以保持电 子和空穴之间的平衡，电子注入层和空穴注入层可以改善电子和空穴的注入。有机层370可以通过在每个像素中具有发射红色、绿色或蓝色的发射层而在每个 像素中实现期望的颜色。另外，有机层370可以通过在每个像素中垂直地或水平地形成红 色、绿色和蓝色发射层以形成白色发射层并在白色发射层上方或下方形成可实现红色、绿 色和/或蓝色的滤色器来实现期望的颜色。除了包括红色像素、绿色像素和蓝色像素的3颜色结构之外，可以以条纹或格子 的形式布置包括红色像素、绿色像素、蓝色像素和白色像素的4颜色结构，以提高亮度。共电极270可以形成在有机层370上。共电极270可以形成在基底的整个表面上， 并可以由不透明导体(例如，可单独使用或以其组合方式使用的金(Au)、钼(Pt)、镍(Ni)、 铜(Cu)、钨(W)和/或其合金)制成。共电极270可以与像素电极191形成为一对，从而使电流流向有机层370。在有机发光显示装置中，开关栅电极12 、开关源电极173a和开关漏电极17 可 以组合，从而与开关半导体层15 形成开关薄膜晶体管Ois)。开关薄膜晶体管Ois)的沟 道可以形成在开关源电极173a和开关漏电极17 之间的开关半导体层15 中。另外，驱动栅电极124b、驱动源电极17 和驱动漏电极17 可以组合，从而与驱 动半导体层154b形成驱动薄膜晶体管0W)。驱动薄膜晶体管0W)的沟道可以形成在驱动 源电极17 和驱动漏电极17 之间的驱动半导体层154b中。另外，像素电极191、有机层370和共电极270可以结合，以形成有机发光二极管 (OLED)。在这种情况下，像素电极191可以变为阳极，共电极270可以变为阴极。可选地， 像素电极191可以变为阴极，共电极270可以变为阳极。如上所述，栅极线121和与栅极线121连接的开关栅电极12 可以布置在其它层 上。即，栅电极可以位于半导体下方，栅极线121可以位于半导体上方。如上所述，栅电极12 和124b可以具有小于大约1500A的厚度，从而防止在结晶 工艺中形成不稳定的结晶区域。如果同时形成栅电极和布线(例如，栅极线)，则布线(例 如，栅极线)也可以具有小于大约1500A的厚度。然而，电阻会因布线的厚度减小而增大， 这会使得在结晶工艺中难以使用布线。因此，会期望使用与形成栅电极12 和124b的工 艺单独的工艺来形成布线(例如，栅极线121)。在下文中，如下详细描述在图IA和图IB中示出的制造有机发光显示装置的方法。图2A至图6B示出根据实施例的制造显示装置的方法的阶段。在这种情况下，图 2A、图3A、图4A、图5A和图6A示出平面图，图2B示出沿图2A的V-V线截取的剖视图，图 示出沿图3A的VII-VII线截取的剖视图，图4B示出沿图4A的IX-IX线截取的剖视图，图 5B示出沿图5A的XI-XI线截取的剖视图，图6B示出沿图6A的XIII-XIII线截取的剖视 图。参照图2A和图2B，可以在基底110上形成金属层(未示出)，并可以使金属层经 过光刻，以形成开关栅电极12 和驱动栅电极124b。接下来，参照图3A和图:3B，可以在基底110、开关栅电极12 和驱动栅电极124b上顺序地堆叠栅极绝缘层140和a-Si层(未示出)。然后，可以将a-Si层结晶为多晶Si层。根据本实施例，可以使用SLS执行结晶。图7示出显示SLS工艺的示意图。通常，SLS可以如下执行在a-Si层的侧面照射激光束2次或更多次，从而将a_Si 层结晶为晶体硅(多晶Si)层。由于无限地增大晶粒的尺寸，所以使用该结晶工艺制备的 多晶Si晶粒的特征可在于沿一个方向为长的圆柱形状和在相邻的晶粒之间形成的晶粒边界。在SLS中，当通过具有激光束穿过的区域和激光束不穿过的区域的掩模200在 a-Si层上照射激光束时，如在(a)中所示，激光束穿过的区域中的a-Si会被熔化。在这种情况下，掩模200可以具有长度L，以限定激光束穿过的区域，和/或可以在 激光束穿过的区域之间具有距离S。当激光束的照射完成并且冷却工艺开始时，结晶优选地在a-Si/熔融硅界面处开 始。在这种情况下，由于产生的固化潜热，会发生温度从a-Si/熔融硅界面朝向熔融硅层逐 渐下降的温度梯度。因此，因为潜热从掩模界面流向熔融硅层的中央，所以多晶Si晶粒可以在熔融硅 层的侧面上生长，直到熔融硅层完全凝结为止。随后，掩模可以通过阶段移动来移动，以使a-Si薄膜层与已经结晶的多晶Si层的 一部分叠置，从而暴露这些部分。可以在a-Si薄膜层和已经结晶的多晶Si层的一部分上 照射激光束，如在(b)至(d)中所示，当a-Si和晶体硅被加热和冷却时，硅原子可以附着到 已经形成的未被掩模覆盖的多晶Si晶粒。在这种情况下，晶粒可以沿长度增加。S卩，多晶Si可以具有在相邻生长的晶粒之间形成的边界，即晶粒边界。在这种情 况下，沿晶粒的生长方向(即，激光照射方向X)形成的晶粒边界称作“二次晶粒边界(b)”。另外，因为多晶Si中的晶粒可以在熔融硅的边界中同时生长，所以晶粒的生长可 以在熔融硅的中央完成，并且其它晶粒边界可以在沿相反方向生长的晶粒之间形成。在这 种情况下，沿晶粒的生长方向(即，平行于激光照射方向X)形成的晶粒边界称作“初级晶粒 边界(a) ”。在这种情况下，初级晶粒边界之间的距离可以由激光束正在穿过的区域的长度L 和激光束已经穿过的区域的距离S来确定。这里，初级晶粒边界之间的距离可以由表达式 (L+S)/2来限定。初级晶粒边界之间的距离可以为大约2. 75 μ m至大约3 μ m，如上所述。另外，因为初级晶粒边界之间的距离可以定义为(L+S)/2，在下面的表1中列出激 光束正在穿过的区域的长度L和激光束已经穿过的区域的距离S，从而满足初级晶粒边界 之间的距离为大约2. 75 μ m至大约3 μ m的要求。表 权利要求
1.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括 基底；栅电极，位于所述基底上； 栅极绝缘层，位于所述栅电极上； 半导体层，位于所述栅极绝缘层上； 源/漏电极，与所述半导体层电连接，其中，所述栅电极具有500A至1500A的厚度，所述栅极绝缘层具有1600A至2500A 的厚度。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中 所述半导体层具有初级晶粒边界，所述初级晶粒边界之间的距离为2. 75 μ m至3 μ m。
3.一种显示装置，所述显示装置包括 基底，具有第一区域和第二区域；栅电极，分别位于所述基底的所述第一区域和所述第二区域中的每个上； 栅极绝缘层，位于所述栅电极上；半导体层，分别位于所述基底的所述第一区域和所述第二区域中的栅极绝缘层上； 源/漏电极，分别与位于所述基底的所述第一区域和所述第二区域上的半导体层电连接，其中，所述栅电极具有500A至1500A的厚度，所述栅极绝缘层具有1600A至2500A 的厚度。
4.如权利要求3所述的显示装置，其中，每个半导体层具有初级晶粒边界， 相应的半导体层的初级晶粒边界之间的距离为2. 75 μ m至3 μ m。
5.如权利要求3所述的显示装置，所述显示装置还包括与至少一个栅电极电连接的栅 极线，所述栅极线位于与所述至少一个栅电极对应的一个半导体层上。
6.如权利要求3所述的显示装置，所述显示装置还包括 钝化层，位于所述基底上，在所述基底上包括所述源/漏电极；栅极线，位于所述钝化层上，所述栅极线通过所述钝化层和所述第一区域上的栅极绝 缘层中的接触孔与所述第一区域的栅电极电连接。
7.如权利要求3所述的显示装置，所述显示装置还包括 钝化层，位于所述基底上，所述基底包括所述源/漏电极；连接构件，位于所述钝化层上，所述连接构件通过所述钝化层和所述栅极绝缘层中的 接触孔与所述第二区域上的栅电极电连接。
8.如权利要求7所述的显示装置，其中，所述连接构件通过所述钝化层中的接触孔与 所述第一区域上的漏电极电连接。
9.如权利要求7所述的显示装置，所述显示装置还包括位于所述钝化层上的接触构 件，接触构件通过所述钝化层中的接触孔与所述第二区域上的漏电极电连接。
10.如权利要求9所述的显示装置，所述显示装置还包括位于所述钝化层上的像素电 极，所述像素电极与所述接触构件电连接。
11.一种制造显示装置的方法，所述方法包括提供包括第一区域和第二区域的基底；分别在所述基底的所述第一区域和所述第二区域上形成栅电极； 在所述栅电极上形成栅极绝缘层；分别在所述基底的所述第一区域和所述第二区域上的栅极绝缘层上形成半导体层； 分别在所述基底的所述第一区域和所述第二区域上的半导体层的特定区域上形成源/ 漏区域；分别在所述基底的所述第一区域和所述第二区域中形成源/漏电极，所述源/漏电极 与所述半导体层电连接，其中，所述栅电极具有500A至1500A的厚度，所述栅极绝缘层具有1600A至2500A 的厚度。
12.如权利要求11所述的方法，其中，每个半导体层具有初级晶粒边界， 相应的半导体层的初级晶粒边界之间的距离为2. 75 μ m至3 μ m。
13.如权利要求11所述的方法，其中，形成半导体层的步骤包括通过顺序横向固化的结晶。
14.如权利要求11所述的方法，其中，使用掩模执行所述顺序横向固化，所述掩模具有 激光束穿过的区域。
15.如权利要求14所述的方法，其中所述激光束穿过的区域具有4. 5 μ m至5. 0 μ m的长度， 所述激光束穿过的区域之间的距离为1. 0 μ m至1. 5 μ m。
16.如权利要求11所述的方法，其中，形成半导体层的步骤包括 在所述栅极绝缘层上形成非晶硅层，对所述非晶硅层执行顺序横向固化工艺。
全文摘要
本发明提供了一种薄膜晶体管、一种包括该薄膜晶体管的显示装置和一种制造该显示装置的方法，所述薄膜晶体管包括基底；栅电极，位于所述基底上；栅极绝缘层，位于所述栅电极上；半导体层，位于所述栅极绝缘层上；源/漏电极，与所述半导体层电连接，其中，所述栅电极具有大约至大约的厚度，所述栅极绝缘层具有大约至大约的厚度。
文档编号H01L21/77GK102110719SQ20101057956
公开日2011年6月29日 申请日期2010年12月3日 优先权日2009年12月4日
发明者姜镇熙, 朴钟贤, 朴鲜, 李律圭, 柳春基 申请人:三星移动显示器株式会社