专利名称：一种填充式半导体制冷激光温控装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种填充式半导体制冷激光温控装置。
背景技术：
为使倍频绿光激光器能够得到稳定输出的功率，一般采用半导体制冷技术，该技 术的研发方向是通过半导体制冷片进行温控。将808nm泵浦激光源和倍频晶体与外壳散 热部分进行热隔离，并采用半导体制冷片进行热源的处理，通过半导体制冷片的正、反相接 通，对808nm激光管进行制冷或制热。低温环境下，对激光管进行预热处理，可以快速达到 正常工作状态，当808nm激光管内环境温度达到一定值时，自动导相，进行制冷，使808nm激 光管内环境温度保持在一个合适的温度范围内。这种制冷装置能使激光器中工作的大功 率、大电流的泵浦激光源与激光晶体得到充分冷却，使得连续工作时间得到延长。若由温度 控制电路加以控制，则能确保晶体、激光管以及半导体制冷片不被损坏，且功率稳定性极大 的提升，并使得带有制冷装置激光器工作时的环境温度范围大大提高。在半导体制冷结构中，为使得制冷效果达到最佳，通常采取悬空半导体制冷系统。 将泵浦激光源和激光晶体作为组件后，悬空与半导体制冷片粘接在一起，使泵浦激光源和 激光晶体避免与散热部分接触，从而使得半导体制冷片的全部功效都作用于泵浦激光源和 激光晶体之上，大大的提高了制冷与升温的效果，以满足激光器可以在更宽温度的工作环 境下稳定输出功率。但在实验与使用工程中发现，泵浦激光源和激光晶体由于自身重量的原因，会出 现从半导体制冷片一端脱落的现象。而且更为重要的原因是半导体制冷片在极端温度环境 下工作时，上下两导热陶瓷间的温度差值非常大，也会出现制冷半导体与导热陶瓷间开裂 的现象。使得绿光倍频效率迅速降低，甚至泵浦激光源和激光晶体与结构之间脱落。
实用新型内容本实用新型为解决背景技术中存在的上述技术问题，而提供一种填充式半导体制 冷激光温控装置。本实用新型的技术解决方案是本实用新型为一种填充式半导体制冷激光温控装 置，包括半导体制冷片，所述半导体制冷片包括上、下导热陶瓷和制冷半导体，所述制冷半 导体设置在上、下导热陶瓷之间，其特殊之处在于所述上、下导热陶瓷之间设置有粘接层。上述粘接层是在上、下导热陶瓷之间填充胶体构成。上述半导体制冷片与泵浦激光源和制冷片散热体之间填充有胶体。本实用新型在半导体制冷片上、下导热陶瓷间填充黏合粘接性质的各类胶体，使 得半导体制冷片的强度与牢固度极大的提升，从而达到避免制冷半导体与导热陶瓷间开裂 的现象产生，也有效的避免了因为泵浦激光源和激光晶体由于自身重量的原因而使得半导 体制冷结构从中断裂的现象发生，也有效的避免了因为泵浦激光源和激光晶体由于自身重 量的原因而使得半导体制冷结构从中断裂的现象发生。
图1是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
参见图1，本实用新型包括半导体制冷片1、注泵浦激光源以及激光晶体，半导体 制冷片1包括上、下导热陶瓷4、5和制冷半导体2，制冷半导体2设置上、下导热陶瓷4、5之 间，上、下导热陶瓷4、5之间设置有粘接层3。粘接层3采取在半导体制冷片1的上、下导热 陶瓷4、5间填充黏合粘接性质的各种现有胶体均可。半导体制冷片1与泵浦激光源6和制 冷片散热体7之间也填充有胶体。
权利要求1.一种填充式半导体制冷激光温控装置，包括半导体制冷片，所述半导体制冷片包括 上、下导热陶瓷和制冷半导体，所述制冷半导体设置在上、下导热陶瓷之间，其特征在于所 述上、下导热陶瓷之间设置有粘接层。
2.根据权利要求1所述的填充式半导体制冷激光温控装置，其特征在于所述粘接层 是在上、下导热陶瓷之间填充胶体构成。
3.根据权利要求1或2所述的填充式半导体制冷激光温控装置，其特征在于所述半 导体制冷片与泵浦激光源和制冷片散热体之间填充有胶体。
专利摘要本实用新型提供了一种填充式半导体制冷激光温控装置，包括半导体制冷片，所述半导体制冷片包括上、下导热陶瓷和制冷半导体，所述制冷半导体设置在上、下导热陶瓷之间，其特殊之处在于所述上、下导热陶瓷之间设置有粘接层。本实用新型使得半导体制冷片的强度与牢固度极大的提升，从而达到避免制冷半导体与导热陶瓷间开裂的现象产生，也有效的避免了因为泵浦激光源和激光晶体由于自身重量的原因而使得半导体制冷结构从中断裂的现象发生。
文档编号H01S5/024GK201893492SQ20102066900
公开日2011年7月6日 申请日期2010年12月19日 优先权日2010年12月19日
发明者孙建华, 汪东, 袁磊 申请人:西安华科光电有限公司