专利名称：电子元器件的制作方法
技术领域：
本发明涉及电子元器件，更特定而言，涉及包含谐振电路的电子元器件。
背景技术：
作为现有的电子元器件，例如，已知有专利文献1所记载的电子元器件。图7是专利文献1所记载的电子元器件的层叠体212的分解立体图。层叠体212由电介质层214 (214a 214f)经层叠而构成，并形成为长方体。层叠体212内置有线圈L11、L12和电容器Cll C14。线圈L11、L12分别包括线圈导体层216a、 216b。电容器Cll包括电容器导体层218a、218d。电容器C12包括电容器导体层218b、218c。 电容器C13包括电容器导体层218d、218e。电容器C14包括电容器导体层218c、218e。如上所述的线圈Lll、L12和电容器Cll C14例如构成噪声滤波器。在专利文献1所记载的电子元器件中，电介质层214d包括第一电介质部分220和第二电介质部分222。第二电介质部分222具有比第一电介质部分220要高的相对介电常数。而且，将第二电介质部分222设为电容层，从而电容器Cll C14具有较大的电容。在移动电话和无线LAN等所使用的频率的通频带下，如上所述的电子元器件显示出良好的通过特性，在除此以外的频率下，如上所述的电子元器件具有良好的衰减特性。另外，在该电子元器件中，由于电介质部分222具有较高的相对介电常数，因此，易于在电容器Cll C14 中获得较大的电容。因此，既能维持电容器Cll C14的电容，又能将其小型化，从而能将专利文献1所记载的电子元器件小型化。然而，对于内置有谐振电路的电子元器件，希望进一步将其小型化。专利文献1 日本专利特开2006-222691号公报
发明内容
因而，本发明的目的在于，力图实现内置有谐振电路的电子元器件的小型化。本发明的一个方式所涉及的电子元器件的特征在于，包括层叠体，该层叠体由第一绝缘体层和第二绝缘体层经层叠而形成，所述第一绝缘体层由第一电介质材料所形成， 所述第二绝缘体层由相对介电常数比该第一电介质材料要高的第二电介质材料所形成；以及第一线圈，该第一线圈内置于所述层叠体中，所述第一线圈包括线圈导体层，所述线圈导体层设置于由所述第二绝缘体层所形成的第一区域内。根据本发明，能力图实现内置有谐振电路的电子元器件的小型化。
图1是本发明的实施方式所涉及的电子元器件的外观立体图。图2是图1的电子元器件在A-A和B-B处的剖视结构图。图3是图1的电子元器件的层叠体的分解立体图。图4是图1的电子元器件的等效电路图。
图5是其他实施方式所涉及的电子元器件的剖视结构图。图6是其他实施方式所涉及的电子元器件的剖视结构图。图7是专利文献1所记载的电子元器件的层叠体的分解立体图。
具体实施例方式下面，对本发明的实施方式所涉及的电子元器件进行说明。(电子元器件的结构)下面，参照附图，对本发明的一个实施方式所涉及的电子元器件的结构进行说明。 图1是本发明的实施方式所涉及的电子元器件10a、10b的外观立体图。图2(a)是电子元器件IOa在A-A处的剖视结构图。图2(b)是电子元器件IOa在B-B处的剖视结构图。图3 是电子元器件IOa的层叠体12a的分解立体图。图4是电子元器件IOa的等效电路图。在图1和图2中，ζ轴方向表示层叠方向。另外，χ轴方向表示沿电子元器件IOa的长边的方向，y轴方向表示沿电子元器件IOa的短边的方向。另外，χ轴方向、y轴方向、及ζ轴方向的正方向和负方向以层叠体12a的中心为基准。电子元器件IOa例如作为使无线LAN等的2. 4GHz频带的高频信号通过、并去除除此以外的频带的信号的滤波器来使用。如图1所示，电子元器件IOa包括层叠体12a、 外部电极14(1 14d)、以及LC滤波器LCl。如图2和图3所示，层叠体12a由绝缘体层16 (16a 16ο)和18 (18a 18h)经层叠而构成，并形成为长方体形状，所述绝缘体层 16 (16a 16ο)和18 (18a 18h)由陶瓷电介质所形成。如图1所示，外部电极1 设置于y轴方向的负方向侧的侧面(表面)上，作为输入端子来使用。外部电极14b设置于y轴方向的正方向侧的侧面(表面)上，作为输出端子来使用。外部电极14c设置于y轴方向的负方向侧的侧面(表面)上，作为接地端子来使用。外部电极14c设置于外部电极14a的1轴方向的负方向侧。外部电极14d设置于y 轴方向的正方向侧的侧面(表面)上，作为接地端子来使用。外部电极14d设置于外部电极14b的χ轴方向的负方向侧。绝缘体层16例如包括陶瓷电介质等第一电介质材料(例如，相对介电常数为5)。 绝缘体层18包括介电常数比绝缘体层16的第一电介质材料要高的第二电介质材料(例如，相对介电常数为50)。如图2和图3所示，LC滤波器LCl内置于层叠体12a内，是包括线圈Li、电容器 C1、C2、以及通孔导体b7 blO的谐振电路。线圈Ll包括线圈导体层2(K20a 20c)和通孔导体bl b6。电容器Cl包括电容器导体层22Q2b、22c)。电容器C2包括电容器导体层22(22a、22b、22c)。通孔导体b7 blO连接线圈Ll和电容器Cl。下面，参照图2和图3，对绝缘体层16、18、线圈导体层20、电容器导体层22、以及通孔导体bl blO的详细情况进行说明。绝缘体层16a是由第一电介质材料所构成的长方形的层，设置于最靠近ζ轴方向的正方向一侧。线圈导体层20a具有连接y轴方向两侧的长边的直线部分、以及从该直线部分分岔出来的线圈部分。由于将直线部分引出至两个长边，因此，线圈导体层20a与外部电极 14a、14b相连接。另外，如图3所示，在沿ζ轴方向进行俯视时，线圈部分以与直线部分相连接的连接部分为起点而沿顺时针盘旋。绝缘体层16d是长方形的层。绝缘体层18b设置于绝缘体层16d上。在沿ζ轴方向进行俯视时，绝缘体层18b形成为与线圈导体层20a相一致的“ 口，，字形，并具有比线圈导体层20a的线宽要宽的宽度。另外，绝缘体层16c位于绝缘体层16d上，并设置于未设置有绝缘体层18b的部分。而且，线圈导体层20a设置于绝缘体层18b上。由此，在沿ζ轴方向进行俯视时，线圈导体层20a收于绝缘体层18b内而不超出至绝缘体层16c。绝缘体层18a设置于绝缘体层18b和线圈导体层20a上。在沿ζ轴方向进行俯视时，绝缘体层18a形成为与线圈导体层20a相一致的“ 口”字形，并具有比线圈导体层20a 的线宽要宽的宽度。另外，绝缘体层16b设置于绝缘体层16c上。此外，绝缘体层18a和绝缘体层18b具有相同的形状，绝缘体层16b和绝缘体层16c具有相同的形状。由此，在沿ζ 轴方向进行俯视时，线圈导体层20a收于绝缘体层18a内而不超出至绝缘体层16b。将如上所述的绝缘体层16b 16d、18a、18b、以及线圈导体层20a进行层叠，从而如图2所示，利用绝缘体层18a、18b包围线圈导体层20a。即，线圈导体层20a设置于由绝缘体层18a、18b(第二电介质材料)所形成的区域El内。另外，由于绝缘体层18a、18b形成为与线圈导体层20a相一致的形状，因此，区域El也形成为与线圈导体层20a相一致的形状。线圈导体层20b包括具有长方形线状导体的一部分被切除的形状的线圈部分。绝缘体层16g是长方形的层。绝缘体层18d设置于绝缘体层16g上。在沿ζ轴方向进行俯视时，绝缘体层18d形成为与线圈导体层20b相一致的“ 口，，字形，并具有比线圈导体层20b 的线宽要宽的宽度。另外，绝缘体层16f位于绝缘体层16g上，并设置于未设置有绝缘体层 18d的部分。而且，线圈导体层20b设置于绝缘体层18d上。由此，在沿ζ轴方向进行俯视时，线圈导体层20b收于绝缘体层18d内而不超出至绝缘体层16f。绝缘体层18c设置于绝缘体层18d和线圈导体层20b上。在沿ζ轴方向进行俯视时，绝缘体层18c形成为与线圈导体层20b相一致的“ 口”字形，并具有比线圈导体层20b 的线宽要宽的宽度。另外，绝缘体层16e设置于绝缘体层16f上。此外，绝缘体层18c和绝缘体层18d具有相同的形状，绝缘体层16e和绝缘体层16f具有相同的形状。由此，在沿ζ 轴方向进行俯视时，线圈导体层20b收于绝缘体层18c内而不超出至绝缘体层16e。将如上所述的绝缘体层16e 16g、18c、18d、以及线圈导体层20b进行层叠，从而如图2所示，利用绝缘体层18c、18d包围线圈导体层20b。即，线圈导体层20b设置于由绝缘体层18c、18d(第二电介质材料)所形成的区域El内。另外，由于绝缘体层18c、18d形成为与线圈导体层20b相一致的形状，因此，区域El也形成为与线圈导体层20b相一致的形状。线圈导体层20c包括具有长方形线状导体的一部分被切除的形状的线圈部分。绝缘体层16j是长方形的层。绝缘体层18f设置于绝缘体层16j上。在沿ζ轴方向进行俯视时，绝缘体层18f形成为与线圈导体层20c相一致的“ 口，，字形，并具有比线圈导体层20c 的线宽要宽的宽度。另外，绝缘体层16i位于绝缘体层16j上，并设置于未设置有绝缘体层 18f的部分。而且，线圈导体层20c设置于绝缘体层18f上。由此，在沿ζ轴方向进行俯视时，线圈导体层20c收于绝缘体层18f内而不超出至绝缘体层16i。绝缘体层18e设置于绝缘体层18f和线圈导体层20c上。在沿ζ轴方向进行俯视时，绝缘体层18e形成为与线圈导体层20c相一致的“ 口，，字形，并具有比线圈导体层20c 的线宽要宽的宽度。另外，绝缘体层1 设置于绝缘体层16i上。此外，绝缘体层18e和绝缘体层18f具有相同的形状，绝缘体层1 和绝缘体层16i具有相同的形状。由此，在沿ζ 轴方向进行俯视时，线圈导体层20c收于绝缘体层18e内而不超出至绝缘体层16h。将如上所述的绝缘体层16h 16j、18e、18f、以及线圈导体层20c进行层叠，从而如图2所示，利用绝缘体层18e、18f包围线圈导体层20c。即，线圈导体层20c设置于由绝缘体层18e、18f (第二电介质材料)所形成的区域El内。另外，由于绝缘体层18e、18f形成为与线圈导体层20c相一致的形状，因此，区域El也形成为与线圈导体层20c相一致的形状。通孔导体bl b3分别沿ζ轴方向贯穿绝缘体层18b、16d、18c,以连接线圈导体层 20a、20b。具体而言，通孔导体bl与线圈导体层20a的线圈部分的端部相连接。另外，通孔导体b3与线圈导体层20b的端部相连接。通孔导体b4 M分别沿ζ轴方向贯穿绝缘体层18d、16g、18e,以连接线圈导体层 20b、20c。具体而言，通孔导体b4与线圈导体层20b的未与通孔导体b3相连接的一个端部相连接。另外，通孔导体M与线圈导体层20c的端部相连接。绝缘体层1 是长方形的层，设置于绝缘体层16j的ζ轴方向的负方向侧。另外， 绝缘体层16η是长方形的层。电容器导体层22c是设置于绝缘体层16η上以覆盖该绝缘体层16η的几乎整个表面的长方形导体层。其中，将电容器导体层22c引出至绝缘体层16η 在y轴方向两侧的长边，且在其他的部分上不与绝缘体层16η的外缘相接触。由此，电容器导体层22c与外部电极14c、14d相连接。绝缘体层1 是设置于电容器导体层22c上的长方形的层。绝缘体层16m设置于绝缘体层18h的周围。电容器导体层22b是设置于绝缘体层1 上的长方形的导体层。由此，如图2所示，在被电容器导体层22b、22c所夹住的区域E3中，设置有由第二电介质材料所形成的绝缘体层18h。绝缘体层18g具有电容器导体层22b的一半左右的大小，设置于电容器导体层22b 上。绝缘体层161设置于电容器导体层22b和绝缘体层16m上的、未设置有绝缘体层18g 的部分。电容器导体层2 是具有电容器导体层22b的一半左右的大小的长方形导体层， 设置于绝缘体层18g上。由此，如图2所示，在被电容器导体层22a、22b所夹住的区域E3 中，设置有由第二电介质材料所形成的绝缘体层18g。另外，将电容器导体层22a引出至绝缘体层161在y轴方向两侧的长边，从而与外部电极14a、14b相连接。通孔导体b7 blO分别沿ζ轴方向贯穿绝缘体层18f、16j、16k、161。通孔导体 b7 blO连接线圈Ll和电容器Cl。具体而言，通孔导体b7与线圈导体层20c的未与通孔导体M相连接的一个端部相连接。另外，通孔导体blO与电容器导体层22b相连接。另外，绝缘体层16ο成为长方形，设置于最靠近ζ轴方向的负方向一侧。此外，如图2所示，线圈Ll和电容器C1、C2之间的区域E2的至少一部分包括绝缘体层16 j、16k (第一电介质材料)。如图4所示，具有如上所述结构的电子元器件IOa构成滤波器。更具体而言，线圈导体层20a的直线部分连接外部电极14a、14b。由此，如图4所示，外部电极14a、14b之间通过布线相连接。另外，线圈导体层20a的线圈部分从直线部分分岔出来。而且，线圈导体层20a的线圈部分、线圈导体层20b、20c相互连接。由此，线圈Ll从连接外部电极14a、14b的布线分岔出来而进行设置。另外，线圈导体层20c与电容器导体层22b通过通孔导体b7 blO相连接。而且， 电容器导体层22c与外部电极14c、14d相连接。由此，如图4所示，线圈Ll和电容器Cl在连接外部电极14a、14b的布线与外部电极14c、14d之间串联连接。而且，电容器导体层22a与外部电极14a、14b相连接，电容器导体层22c与外部电极14c、14d相连接。由此，如图4所示，电容器C2连接在外部电极14a、14b与外部电极 14c、14d之间。即，电容器C2并联连接于线圈Ll和电容器Cl。(电子元器件的制造方法)参照图1及图3，对具有如上所述结构的电子元器件IOa的制造方法进行说明。此外，以下，对制作一个电子元器件IOa的情况进行说明，但实际上可以同时制作多个电子元器件10a。首先，准备要成为绝缘体层16a、16d、16g、16j、16k、16n、160的陶瓷生片。接着，利用丝网印刷，在要成为绝缘体层16d的陶瓷生片上涂布第二电介质材料的糊料，以形成要成为绝缘体层18b的陶瓷生片层。利用丝网印刷，在要成为绝缘体层16d的陶瓷生片上涂布第一电介质材料的糊料，以形成要成为绝缘体层16c的陶瓷生片层。接着，在要成为绝缘体层16d、18b的陶瓷生片上形成通孔导体bl、b2。具体而言， 对要成为绝缘体层16d、18b的陶瓷生片照射激光束，以形成通孔。然后，对该通孔填充以Cu 等为主要成分的导体糊料。接着，利用丝网印刷，在要成为绝缘体层18b的陶瓷生片层上涂布以Cu等为主要成分的导电性糊料，以形成线圈导体层20a。此外，也可以在形成线圈导体层20a时，将导电性糊料填充至要成为绝缘体层16d、18b的陶瓷生片的通孔中。接着，利用丝网印刷，在要成为绝缘体层18b的陶瓷生片层和线圈导体层20a上涂布第二电介质材料的糊料，以形成要成为绝缘体层18a的陶瓷生片层。并且，利用丝网印刷，在要成为绝缘体层16c的陶瓷生片上涂布第一电介质材料的糊料，以形成要成为绝缘体层16b的陶瓷生片层。利用上述工序完成图3所示的陶瓷生片Si。另外，执行相同的工序，从而能获得陶瓷生片S2、S3。接着，利用丝网印刷，在要成为绝缘体层16η的陶瓷生片上涂布以Cu等为主要成分的导电性糊料，以形成电容器导体层22c。接着，利用丝网印刷，在电容器导体层22c上涂布第二电介质材料的糊料，以形成要成为绝缘体层1 的陶瓷生片层。并且，利用丝网印刷，在要成为绝缘体层16η的陶瓷生片上涂布第一电介质材料的糊料，以形成要成为绝缘体层16m的陶瓷生片层。接着，利用丝网印刷，在要成为绝缘体层16m的陶瓷生片层上涂布以Cu等为主要成分的导电性糊料，以形成电容器导体层22b。接着，利用丝网印刷，在电容器导体层22b上涂布第二电介质材料的糊料，以形成要成为绝缘体层18g的陶瓷生片层。接着，在电容器导体层22b和要成为绝缘体层16m的陶瓷生片层上涂布第一电介质材料的糊料，以形成要成为绝缘体层161的陶瓷生片层。此时，在要成为绝缘层161的陶瓷生片层上形成通孔导体blO。具体而言，在形成要成为绝缘体层161的陶瓷生片层时，先形成通孔。然后，利用丝网印刷，对该通孔填充以Cu等为主要成分的导电性糊料。接着，利用丝网印刷，在要成为绝缘体层18g的陶瓷生片层上涂布以Cu等为主要成分的导电性糊料，以形成电容器导体层22a。此外，也可以在形成电容器导体层2 时，将导电性糊料填充至要成为绝缘体层161的陶瓷生片层的通孔中。利用以上的工序，来完成陶瓷生片S4。接着，在要成为绝缘体层1 的陶瓷生片上形成通孔导体b9。具体而言，对要成为绝缘体层16k的陶瓷生片照射激光束，以形成通孔。然后，对该通孔填充以Cu等为主要成分的导体糊料。将具有如上所述结构的陶瓷生片进行层叠，以获得层叠体12a。具体而言，配置要成为绝缘体层16ο的陶瓷生片。接着，在要成为绝缘体层16ο的陶瓷生片上层叠陶瓷生片 S4，并进行预压接。之后，对要成为绝缘体层16k的陶瓷生片、陶瓷生片S3、S2、Si、及要成为绝缘体层16a的陶瓷生片，也按照该顺序进行层叠和预压接。由此，能获得未烧成的层叠体12a。通过静水压冲压等对未烧成的层叠体1 实施正式压接。并且，对未烧成的层叠体 12a进行脱粘合剂处理和烧成。通过以上工序，能获得烧成的层叠体12a。对层叠体1 实施滚光筒加工，并进行倒角。之后，利用例如浸渍法等方法，在层叠体1 的表面上涂布主要成分为铜的电极糊料并进行烧结，从而形成要成为外部电极14的铜电极。最后，对铜电极的表面实施镀Ni/镀Sn，从而形成外部电极14。经过以上的工序， 完成图1所示的电子元器件10a。此外，在同时制作多个电子元器件IOa的情况下，层叠大尺寸的陶瓷生片，以制作母层叠体。然后，将该母层叠体进行切割，从而获得层叠体。(效果)根据具有如上所述结构的电子元器件10a，如以下所说明的那样，能力图实现内置有谐振电路的电子元器件IOa的小型化。更详细而言，在专利文献1所记载的电子元器件中，如图7所示，具有较高的相对介电常数的第二电介质部分222形成电容器Cll C14的电容层。由此，易于在电容器Cll C14中获得较大的电容。因此，能容易地将电容器Cll C14小型化，从而能将专利文献1所记载的电子元器件小型化。然而，在线圈Lll、L12的周围，存在具有较低的相对介电常数的第一电介质部分 220。在线圈L11、L12中前进的高频信号的传输速度与相对介电常数成反比。由此，在线圈 LlU L12中前进的高频信号的传输速度会变得较大。其结果是，该高频信号的波长会变得较长。若高频信号的波长变长，则在利用线圈Lll、L12和电容器Cll C14构成谐振电路时，需要延长线圈L11、L12的线路长度。其结果是，专利文献1所记载的电子元器件会变得大型化。因此，在电子元器件IOa中，将线圈导体层20a 20c设置于由绝缘体层18(第二电介质层)所形成的区域El内。即，线圈导体层20a 20c被具有较高的相对介电常数的第二电介质层所包围。因此，在线圈导体层20a 20c中前进的高频信号的传输速度会减小。由此，在线圈导体层20a 20c中前进的高频信号的波长会变短。其结果是，在利用线圈Ll和电容器Cl构成谐振电路时，能缩短线圈Ll的线路长度。即，能力图实现电子元器件IOa的小型化。另外，在电子元器件IOa中，能将线圈Ll自身的谐振频率低频化。更详细而言，线圈导体层20a 20c被第二电介质层所包围。因此，线圈导体层20a 20c之间的寄生电容会增大。线圈Ll自身的谐振频率反比于线圈Ll的电感值与线圈Ll的寄生电容之积的平方根。由此，在电子元器件IOa中，若线圈导体层20a 20c之间的寄生电容增大，则线圈Ll自身的谐振频率会降低。另夕卜，在电子元器件IOa中，能减小线圈Ll与电容器Cl、C2之间的寄生电容。更详细而言，如图2所示，线圈Ll与电容器C1、C2之间的区域E2的至少一部分包括相对介电常数比第一电介质材料要低的绝缘体层16j、16k(第一电介质材料)。由此，在电子元器件 IOa中，能减小线圈Ll与电容器C1、C2之间的寄生电容。其结果是，能抑制线圈Ll的Q值降低，并能提高电子元器件10自身的谐振频率。如上所述，根据电子元器件10，能容易地对电子元器件10的可使用频带进行调整。另外，在电子元器件IOa中，如以下所说明的那样，能抑制制造成本的上涨。更详细而言，在电子元器件IOa的制造方法中，对要成为绝缘体层16a、16d、16g、16j、16k、16n、 16ο的陶瓷生片实施丝网印刷，从而形成要成为绝缘体层16、18的陶瓷生片层、线圈导体层 20、以及电容器导体层22。因此，只要准备一种陶瓷生片就够了。其结果是，在电子元器件 IOa中，与需要准备多种陶瓷生片的电子元器件相比，能抑制制造成本的上涨。另外，电容器Cl、C2的电容层包括由相对介电常数较高的第二电介质材料所形成的绝缘体层18。因此，在电子元器件IOa中，易于增大电容器C1、C2的电容。其结果是，由于既能维持电容器Cl、C2的电容，又能使电容器Cl、C2变小，因此，能力图实现电子元器件 IOa的小型化。(其它实施方式)本发明申请所涉及的电子元器件并不限于所述电子元器件10a，也可以在其要点范围内进行变更。下面，参照附图，对其他实施方式所涉及的电子元器件IOb进行说明。图 5是其他实施方式所涉及的电子元器件IOb的剖视结构图。如图5所示，电子元器件IOb与电子元器件IOa的不同之处在于，电子元器件IOb 设置有接地导体层对。接地导体层M是在ζ轴方向上设置于线圈Ll与电容器Cl、C2之间的导体层，并与外部电极14c、14d相连接。由此，能提高线圈Ll与电容器Cl、C2之间的隔离性。此外，也可以设置与外部电极14c、14d相连接的布线或通孔导体来代替接地导体层24。接着，参照附图，对其他实施方式所涉及的电子元器件IOc进行说明。图6是其他实施方式所涉及的电子元器件IOc的剖视结构图。电子元器件IOc与电子元器件IOa的不同之处在于，电子元器件IOc设置有LC滤波器LC2。LC滤波器LCl使2. 4GHz频带的高频信号通过。另一方面，LC滤波器LC2具有比LC滤波器LC2要高的谐振频率，使5GHz频带的高频信号通过。然后，利用LC滤波器LCl 和LC滤波器LC2构成分配器。如图6所示，LC滤波器LC2包括线圈L2和电容器C3。线圈L2包括线圈导体层 30a、30b和未图示的通孔导体。另外，电容器C3包括电容器导体层32a、32b。而且，线圈L2和电容器C3通过未图示的通孔导体相连接。这里，如上所述，LC滤波器LC2具有比LC滤波器LCl要高的谐振频率。因此，无需将LC滤波器LC2的线圈L2自身的谐振频率降低至LC滤波器LCl的线圈L2自身的谐振频率左右。因而，将构成线圈L2的线圈导体层30a、30b设置于由相对介电常数比第二电介质材料要低的第一电介质材料所形成的区域E4内。工业上的实用性 本发明对于电子元器件是有用的，特别在能力图实现内置有谐振电路的电子元器件的小型化这一点上较为优异。标号说明
LCl、！X2LC滤波器
Cl -一 C3电容器
Li、L2线圈
bl -一 blO通孔导体
IOa IOc电子元器件
12a 12c层叠体
14a 14d外部电极
16a 16o、18a 18h 绝缘体层
20a 20c、30a、30b 线圈导体层
22a 22c、32a、32b 电容器导体,
24接地导体层
El -一 E4区域
权利要求
1.一种电子元器件，其特征在于，包括层叠体，该层叠体由第一绝缘体层和第二绝缘体层经层叠而形成，所述第一绝缘体层由第一电介质材料所形成，所述第二绝缘体层由相对介电常数比该第一电介质材料要高的第二电介质材料所形成；以及第一线圈，该第一线圈内置于所述层叠体中， 所述第一线圈包括线圈导体层，所述线圈导体层设置于由所述第二绝缘体层所形成的第一区域内。
2.如权利要求1所述的电子元器件，其特征在于， 所述第一区域形成为与所述线圈导体层相一致的形状。
3.如权利要求1或2所述的电子元器件，其特征在于，所述电子元器件还包括第一电容器，该第一电容器内置于所述层叠体中， 所述第一线圈和所述第一电容器构成第一谐振电路。
4.如权利要求3所述的电子元器件，其特征在于，所述第一线圈与所述第一电容器之间的第二区域的至少一部分包括所述第一绝缘体层。
5.如权利要求3或4所述的电子元器件，其特征在于， 所述第一电容器包括多个电容器导体层，在由所述电容器导体层所夹住的第三区域中，设置有所述第二绝缘体层。
6.如权利要求3至5的任一项所述的电子元器件，其特征在于，所述电子元器件还包括通孔导体，该通孔导体连接所述第一线圈与所述第一电容器。
7.如权利要求3至6的任一项所述的电子元器件，其特征在于，所述层叠体还包括第二谐振电路，该第二谐振电路包括第二线圈和第二电容器，并具有比所述第一谐振电路要高的谐振频率，所述第二线圈设置于由所述第一绝缘体层所形成的第四区域内。
全文摘要
本发明力图实现内置有谐振电路的电子元器件的小型化。层叠体(12a)由绝缘体层(16)和第二绝缘体层(18)经层叠而形成，所述绝缘体层(16)由第一电介质材料所形成，所述第二绝缘体层(18)由相对介电常数比该第一电介质材料要高的第二电介质材料所形成。LC滤波器(LC1)包括内置于层叠体(12a)的线圈(L1)和电容器(C1)。线圈(L1)包括设置于绝缘体层(18)上的线圈导体层(20)。线圈导体层(20)设置于由绝缘体层(18)所形成的区域(E1)内。
文档编号H01P7/08GK102349189SQ20108001266
公开日2012年2月8日 申请日期2010年2月3日 优先权日2009年3月18日
发明者增田博志, 森隆浩 申请人:株式会社村田制作所