专利名称：反熔丝元件的制作方法
技术领域：
本发明涉及反熔丝元件。
背景技术：
对于一般的熔丝而言，当为规定以上的电压时就熔断来切断电流。与此相反，提出了当为规定以上的电压时就短路而使电流流动的反熔丝元件。例如在专利文献1中公开了图5的剖面图所示的构造。绝缘层108由绝缘材料 (例如SiO2)构成，绝缘层108与基板101上形成的布线图案10k、102t的双方接触，并按照跨过布线图案10k、102t的空隙103的方式连续地形成。在布线图案102s、102t上使用焊锡104a、10 连接有LED (发光二极管)106的引线端子104、105。通常时，电流向LED106的正方向流动。例如，电流从一布线图案10 ，通过焊锡 105a、引线端子105、LED106、引线端子104、焊锡104a，流至另一布线图案102t。但是，当由于LED106的不良、故障等变为电流不在LED106内流动的开路状态(导通不良)时，由于施加于布线图案10k、102t间的电压，基于绝缘层108的绝缘被破坏，电流从一布线图案10 ，通过绝缘层108流向另一布线图案102t。这样的构成的反熔丝元件，用于即使例如图6的电路图所示串联地连接的 LED111A、111B、...Illn的一部分发生故障，其他的LED也可持续点亮。该情况下，反熔丝元件112A、112B、. . . 112η以与串联地连接的LED111A、111Β、. . . Illn的各个并联地连接的状态被使用。当电流在一部分的LED(例如111Α)中不流动的导通不良时，与该LED并联地连接的反熔丝元件(例如112A)发生短路，电流绕道而流向反熔丝元件(例如112A)，电流在其他的LED中流动，因此其他的LED持续点亮。η个LED串联连接，当将LED的正方向电压下降的电压值设为Vf时，在LED变为导通不良的情况下，在串联连接了的η个LED的两端施加大约VfXn的电压来破坏反熔丝元件的绝缘而使反熔丝元件短路来点亮其他的LED。图7是表示反熔丝元件的绝缘破坏电压与反熔丝元件的通电电流的关系的曲线图。在图7那样的现有技术的反熔丝元件中，当在反熔丝元件上施加的电压(图7中的施加电压)超过绝缘破坏电压(50V)时，绝缘破坏就会开始。专利文献1 日本特开2007-3M355号公报如上所述，反熔丝元件当LED开路时被施加电压而短路。因此，不优选在LED开路时的电压以外的电压下短路。然而，当反熔丝元件与LED并联地连接时，例如由于安装时的静电，反熔丝元件有可能发生绝缘破坏。需要对反熔丝元件施以这样的静电放电 (ElectroStaticDischarge ；ESD)的对策。一般地静电放电是指由于带电的导电性物体的接触、接近而使带电电荷移动，从而脉冲性的大电流流动。
发明内容
本发明鉴于上述的现有技术，目的在于提供一种难以发生因静电放电引起的绝缘
3破坏的反熔丝元件。本发明所涉及的反熔丝元件具备电容部，该电容部具有绝缘层和在所述绝缘层的上下面上形成的至少一对电极层，所述电容部具有对静电放电的保护功能。在本发明中，电容部具有对静电放电的保护功能。也就是说，使反熔丝元件具有一定量的静电电容，从而向电容部聚集带电电荷来防止绝缘破坏带来的大电流流动。因此，能够提供难以产生例如因部件安装时的静电放电引起的绝缘破坏的反熔丝元件。另外，优选本发明的反熔丝元件的所述电容部的机器模型的静电破坏试验中的耐压为100V 250V。该情况下，可以得到即使由于静电等施加了大电压时，也难以产生绝缘破坏的反熔丝元件。另外，优选本发明的反熔丝元件的所述电容部的静电电容为InF lOOnF。另外， 优选本发明的反熔丝元件的所述电容部的静电电容为4. 2nF 15nF。另外，优选本发明的反熔丝元件的所述绝缘层的介电常数为100 1000。另外，优选本发明的反熔丝元件，当施加所述绝缘层的绝缘破坏电压以上的电压时，所述至少一对电极层熔融，所述至少一对电极层彼此熔接而电连接。该情况下，通过施加绝缘层的绝缘破坏电压以上的电压，一对电极层容易短路。另夕卜，当通入大电流时也为低电阻，短路后的电阻值也稳定。另外，优选本发明的反熔丝元件，当施加所述绝缘层的绝缘破坏电压以上的电压时，所述至少一对电极层熔融，并且所述绝缘层被断开，在卷入所述绝缘层的状态下所述至少一对电极层彼此熔接。在该情况下，一对电极层彼此牢固地被一体化，可以可靠地实现低电阻、稳定的导通状态。另外，对于本发明的反熔丝元件，优选所述绝缘层的材质为(Ba、Sr)Ti03，所述至少一对电极层的材质为由从金、银、钼、钯、铑、铱、钌、锇构成的组中选出的至少一种元素构成的金属或者其合金。在该情况下，即使通过静电等施加了大电压时，也可以得到难以产生绝缘破坏的反熔丝元件。在本发明的反熔丝元件中，电容部具有针对静电放电的保护功能，因此能够提供难以产生由静电放电引起的绝缘破坏的反熔丝元件。
图1是表示本发明的第1实施方式的反熔丝元件的俯视图。图2是图1的A-A剖面图。图3是表示本发明的第1实施方式的反熔丝元件的从绝缘状态向通电状态变化时的机理的示意图。图4是使用了在实验例中制作的反熔丝元件的模块的电路图。图5是表示现有的反熔丝元件的剖面图。图6是现有的反熔丝元件的电路图。图7是表示现有的反熔丝元件的特性的曲线图。
具体实施例方式下面，参照附图对用于实施本发明的方式进行说明。〔第1实施方式〕图1是本发明的第1实施方式的反熔丝元件的俯视图。而且，图2是图1的八_八剖面图。例如选择Si单晶基板作为基板11。而且，在基板11的表面上形成有氧化物层12。 氧化物层12是以防止基板11与紧贴层13的相互扩散的目的而设置的。氧化物层12例如通过对基板11进行热处理而形成。然后，在氧化物层12之上依次层叠有紧贴层13、下部电极层21、绝缘层22、上部电极层23。然后，在上部电极层23之上形成有第1无机保护层31。紧贴层13为了确保氧化物层12与下部电极层21的紧贴性而形成。紧贴层13可以使用与绝缘层22相同的材料，也可以使用不同的材料。当使用了相同的材料时，具有制造变得简单的优点。在下部电极层21以及上部电极层23中使用具有导电性的金属材料。反熔丝元件在短路后会长时间流过电流，在该情况下，需要防止由氧化引起的球状化(玉化)等不良。 因此，优选在下部电极层21以及上部电极层23中使用贵金属。例如，优选由从金、银、钼、 钯、铑、铱、钌、锇构成的组选出的至少一种元素构成的金属或者其合金。下部电极层21、绝缘层22和上部电极层23构成电容部20。优选电容部20的静电电容为InF lOOnF。当静电电容小于InF时，不能得到希望的针对静电放电的保护功能，因此不优选。另外，当静电电容比IOOnF大时，作为反熔丝元件，从被施加电压到短路的反应时间过长，因此不优选。另外，若电容部20的静电电容为4. 2 15nF，则反熔丝元件在静电破坏试验中的耐压为最佳的范围，因而更优选。对绝缘层22而言，选择若在下部电极层21与上部电极层23之间施加的电压超过规定量，则绝缘被破坏，使下部电极层21与上部电极层23短路那样的材料。优选绝缘层22的介电常数为100 1000。这是因为只要在该范围内，就可以在优选的范围内设计绝缘层22的厚度、面积等对针对静电放电的保护功能产生影响的因素。为了满足该要求，作为绝缘层22的材质的例子，可以举出介电常数为100左右的 TiO2、介电常数为400左右的(Ba、Sr) TiO3、介电常数为1000左右的Pb (Zr、Ti) 03。第1无机保护层31具有减小在下部电极层21与上部电极层23之间施加了电压时的漏电流的作用。对第1无机保护层31而言，可以使用与绝缘层22相同的材料，也可以使用不同的材料。当使用相同的材料时，具有制造变得简单的优点。第2无机保护层32以覆盖紧贴层13、电容部20以及第1无机保护层31的方式形成。作为第2无机保护层32的材质的例子，可以举出SiNx、Si02、Al203、Ti02。第1有机保护层33被形成于第2无机保护层32之上。作为第1有机保护层33 的材质的例子，可以举出聚酰亚胺树脂、环氧树脂。第1外部电极42与第2外部电极43按照其表面在反熔丝元件10的上面露出的方式形成。第1外部电极42经由引出电极41与下部电极层21电连接。另外，第2外部电极43经由引出电极41与上部电极层23电连接。第2有机保护层34按照覆盖第2无机保护层32、第1有机保护层33以及引出电极41的方式形成。作为第2有机保护层34的材质的例子可以举出聚酰亚胺树脂、环氧树脂。第1有机保护层33与第2有机保护层34按照覆盖无机保护层32的方式形成。因此，例如即使起因于下部电极层21与上部电极层23的熔接而产生了层间的剥离时，也能够通过第1有机保护层33与第2有机保护层34来进行密封。因此，在短路后也能够稳定地在反熔丝元件中流过电流。此外，在图2中，绝缘层22为1层构造，但绝缘层22也可以存在多层。在该情况下，会通过各个绝缘层和存在于各个绝缘层的上下的一对电极层形成各个电容部。在该情况下，也可以按照电连接存在于多个绝缘层的上下的电极层与外部电极的方式设置引出电极。可以通过引出电极的形成位置，并联地连接由各个绝缘层产生的电容部。图3是表示本发明的第1实施方式的反熔丝元件的从绝缘状态向导通状态变化时的机理的示意图。图3(a)是与反熔丝元件并联地连接的例如LED等电子部件正常动作时的图。在该情况下，下部电极层21与上部电极层23隔着绝缘层22而处于绝缘状态。但是，当LED等电子部件由于断线等变为开路状态时，会在反熔丝元件上施加绝缘层22的绝缘破坏电压以上的电压。而且，应在LED等电子部件中流动的例如IOmA以上的大电流会流入电容部20。图3(b)是表示在反熔丝元件上施加了绝缘层22的绝缘破坏电压以上的电压，绝缘破坏发生时的图。利用流入电容部20的电流，产生焦耳热。由于该发热，下部电极层21 以及上部电极层23熔融而球状化。例如下部电极层21熔融而形成球状化部25a、25b。另夕卜，上部电极层23熔融而形成球状化部^5aJ6b。然后，绝缘层22被球状化部的熔融热加热而产生裂缝对。图3(c)是下部电极层21与上部电极层23的熔融深化时的图。由于向电容部20 继续地流入电流，因此随着时间的经过，下部电极层21与上部电极层23的熔融深化。球状化部25a、25bJ6aJ6b向箭头方向膨大化。然后，绝缘层22通过熔融热被完全地断开。图3(d)是熔融进一步深化的状态的图。当球状化部25a、25bJ6aJ6b的膨大化进行时，膨大化的球状化部彼此以卷入被断开的绝缘层22的状态熔接而一体化。然后，形成接合部27来变为导通状态。当变为导通状态时，由通电导致的发热被抑制，温度降低而低电阻化。因此，大电流会经由反熔丝元件而流动。研究本发明的反熔丝元件在图6那样的电路中使用的情况。也就是说，例如当 LED111A为导通不良而熄灭时，与LED111A并联连接的反熔丝元件112A的下部电极层以及上部电极层利用上述的机理相互熔接而短路，从绝缘状态变为导通状态。然后，电流绕过 LED 11IA流入反熔丝元件112A。由此，与LEDl IlA串联连接的其他的LED会维持通电状态，
持续点亮。在本实施方式中，说明了与LED连接的例子，但反熔丝元件连接的电子部件不限于LED。通过使用本发明的反熔丝元件，即使串联连接的电子部件的一部分发生故障而成为开路状态，其他的电子部件也可以持续进行正常动作。然而，在使由Pt、Au构成的高融点的
6贵金属材料形成的电极层彼此熔融以及熔接而短路的情况下，即使熔融也不会发生氧化或者高电阻化，能够维持低电阻。因此，也不需要电力容量大的电源。〔实验例〕在本实验例中，制作了改变了静电电容的4种类的反熔丝元件。首先，如下制作了条件1的反熔丝元件。条件1的反熔丝元件具有图2那样的构造。首先，准备形成了厚度700nm的氧化物层的Si单晶基板(以下称为“Si基板”)。接下来，形成了钛酸锶钡((Ba、Sr)TiO3,以下称为“BST”)层作为紧贴层。具体地，通过旋转涂敷法将Ba的有机化合物、Sr的有机化合物以及Ti的有机化合物混合为 Ba Sr Ti = 70 30 100(摩尔比)的比例的原料液涂敷于Si基板的上面，在加热板上以300°C的温度进行干燥。将其重复2次后，以升温速度5°C /s进行RTA (Rapid Thermal Annealing 高速升温加热)处理，在氧气氛围中以600°C的条件进行30分钟热处理。这样， 形成了厚度90nm的BST层。接下来，使用溅射法在紧贴层之上形成了厚度200nm的Pt层作为下部电极层。接下来，按顺序形成了绝缘层、上部电极层、第1无机保护层。也就是说，在Pt层之上，利用与前述的BST层同样的方法形成了厚度90nm的BST层作为绝缘层。在该BST层之上，利用与前述的Pt层同样的方法形成了厚度200nm的Pt层作为上部电极层23。进而， 在该Pt层之上，形成了厚度90nm的BST层作为第1无机保护层。接下来，进行了第1无机保护层与上部电极层的图案形成。也就是说，在作为第 1无机保护层的BST层之上涂敷抗蚀剂，通过曝光、显影形成了抗蚀剂图案。然后，通过 RIE (Reactive Ion Etching ；反应离子蚀刻)形成规定形状的图案后，通过灰化除去抗蚀齐U。用同样的方法，形成绝缘层、下部电极层、紧贴层的图案后，除去抗蚀剂。接下来，按照覆盖形成图案后的第1无机保护层、上部电极层、绝缘层、下部电极层以及紧贴层的上面与侧面的方式，如下形成第2无机保护层与第1有机保护层。也就是说，通过溅射形成厚度400nm的SiNx层作为第2无机保护层。在其上，旋转涂敷感光性聚酰亚胺作为第1有机保护层。然后，通过曝光、显影、固化形成聚酰亚胺树脂的掩模图案。使用该掩模图案，按照通过RIE形成开口部的方式形成SiNx层与BST层的图案。接下来，形成引出电极。具体地，使用磁控管溅射法连续地形成Ti层(层厚50nm) 与Cu层(层厚500nm)。接下来，进行引出电极的图案形成。具体地，通过按顺序进行抗蚀剂涂敷、曝光、显影形成抗蚀剂图案。然后，将抗蚀剂图案作为掩模，通过湿式蚀刻形成Cu层的图案。接下来，直接使用抗蚀剂图案，通过RIE形成Ti层的图案。接下来，形成第1外部电极与第2外部电极。具体地，通过按顺序进行抗蚀剂涂敷、 曝光、显影形成抗蚀剂图案。然后，在抗蚀剂图案的开口部通过电解镀敷形成厚度Iym的 Ni层。在其上形成厚度1 μ m的Au层。接下来，在第1外部电极与第2外部电极的周围，形成聚酰亚胺树脂层作为第2有机保护层。具体地，旋转涂敷感光性聚酰亚胺作为阻焊剂，通过按顺序进行曝光、显影、固化，以形成图案的状态形成感光性聚酰亚胺。然后，切割基板，取出反熔丝元件。具体地，研磨Si基板的未形成电容部侧的主面直至Si基板变为0. Imm的厚度。然后，使用切割锯来切割基板，取出规定大小的芯片形状的反熔丝元件。这样就得到了条件1的反熔丝元件。条件1的反熔丝元件的尺寸为 Li. OXffO. 5XTO. 5mm，有效电极面积为0. 385mm2。另外，静电电容为15nF。
接下来，制作了条件2的反熔丝元件。条件2的反熔丝元件是交替地形成4层电极层与3层绝缘层的构造。然后，通过并联连接起因于各个绝缘层的电容部，形成增大静电电容的构造。绝缘层1层的厚度和电极层1层的厚度与条件1相同。另外，其他制作条件与条件1相同。条件2的反熔丝元件的尺寸为0. 6X0. 3X0. 3mm，有效电极面积为0. 256mm2。 另外，静电电容为lOnF。接下来，制作了条件3的反熔丝元件。条件3的反熔丝元件的尺寸和静电电容的条件是与条件1不同的条件。其他的制作条件与条件1相同。条件3的反熔丝元件的尺寸为0. 6X0. 3X0. 3mm，有效电极面积为0. 108mm2。另外，静电电容为4. 2nF。接下来，作为比较例，制作了条件4的反熔丝元件。在条件4的反熔丝元件的绝缘层中，与条件1 3的BST (介电常数400)不同，使用了 SiNx (介电常数7)。此外，条件4 的绝缘层的厚度为75nm。另外，在作为绝缘层的SiNx层的形成中使用了 ECR溅射。其他的制作条件与条件1同样。条件4的反熔丝元件的尺寸为1. 0X0. 5X0. 5mm，有效电极面积为 0. 385mm20另夕卜，静电电容为0. 26nF。对得到的各条件的样品，进行了以下的测量。首先，根据电压-电流(V-I)特性的测量结果求出绝缘破坏电压(Break Down Voltage =BDV)。将测量次数设为20，采用了 BDV值的最大值。接下来，求出了机器模型的静电破坏试验中的耐压。机器模型是金属制设备带有的电荷与元件接触时放电的模型，是向元件脉冲式地导入电流的模型。试验方法依据EIAJ ED-4701/304。测量次数设为20，关于试验，改变极性并5次5次地进行试验。静电破坏试验从50V开始，当样品中未出现一位以上的电阻劣化时，每次将试验电压增加50V来重复试验。未出现一位以上的电阻劣化的试验电压的最大值为耐压。耐压越大表示对静电放电的耐性越高。接下来，进行反熔丝元件短路的确认。具体地，如图4所示，制作了串联连接了 12 个IW的白色LED50的模块。然后，在12个LED50之间的1个位置设置开关(图中表示为 S)，用焊锡将反熔丝元件10并联地连接于开关与LED50。在关闭开关的状态下，使用恒定电流电源流入300mA的电流。通入300mA电流时的电压约为40V。在该状态下，断开开关，确认反熔丝元件10有无短路。此外，将恒定电流电源的电压的上限值设定为48V。表1中表示了实验条件与结果。[表 1]
权利要求
1.一种反熔丝元件，其特征在于，具备电容部，该电容部具有绝缘层和形成于所述绝缘层的上下面的至少一对电极层， 所述电容部具有针对静电放电的保护功能。
2.根据权利要求1所述的反熔丝元件，其特征在于，所述电容部在机器模型的静电破坏试验中的耐压为100V 250V。
3.根据权利要求1或2所述的反熔丝元件，其特征在于， 所述电容部的静电电容为InF lOOnF。
4.根据权利要求1或2所述的反熔丝元件，其特征在于， 所述电容部的静电电容为4. 2nF 15nF。
5.根据权利要求3或4所述的反熔丝元件，其特征在于， 所述绝缘层的介电常数为100 1000。
6.根据权利要求1 5中任一项所述的反熔丝元件，其特征在于，当施加所述绝缘层的绝缘破坏电压以上的电压时，所述至少一对电极层熔融，所述至少一对电极层彼此熔接而电连接。
7.根据权利要求6所述的反熔丝元件，其特征在于，当施加所述绝缘层的绝缘破坏电压以上的电压时，所述至少一对电极层熔融，并且所述绝缘层被断开，在卷入所述绝缘层的状态下所述至少一对电极层彼此熔接。
8.根据权利要求1 7中任一项所述的反熔丝元件，其特征在于，所述绝缘层的材质为(Ba、SiOTiO3，所述至少一对电极层的材质为由从金、银、钼、钯、 铑、铱、钌、锇构成的组中选出的至少一种元素构成的金属或者其合金。
全文摘要
本发明提供一种难以产生因静电放电导致的绝缘破坏的反熔丝元件。本发明的反熔丝元件(10)的特征在于，具备电容部(20)，该电容部(20)具有绝缘层(22)和在所述绝缘层的上下面形成的至少一对电极层(21)、(23)，电容部(20)具有对静电放电的保护功能。在本发明中，电容部具有对静电放电的保护功能，因此能够提供难以产生例如因部件安装时的静电放电导致的绝缘破坏的反熔丝元件。
文档编号H01L21/822GK102473674SQ201080028169
公开日2012年5月23日 申请日期2010年7月8日 优先权日2009年7月9日
发明者中矶俊幸, 竹岛裕, 谷晋辅 申请人:株式会社村田制作所