专利名称：高集成度晶圆扇出封装方法
技术领域：
本发明涉及半导体技术，尤其涉及一种高集成度晶圆扇出封装方法。
背景技术：
晶圆级封装(Wafer Level Packaging，WLP)技术是对整片晶圆进行封装测试后再切割得到单个成品芯片的技术，封装后的芯片尺寸与裸片完全一致。晶圆级芯片尺寸封装技术彻底颠覆了传统封装如陶瓷无引线芯片载具(Ceramic Leadless Chip Carrier)以及有机无引线芯片载具(Organic LeadlessChip Carrier)等模式，顺应了市场对微电子产品日益轻、小、短、薄化和低价化要求。经晶圆级芯片尺寸封装技术封装后的芯片尺寸达到了高度微型化，芯片成本随着芯片尺寸的减小和晶圆尺寸的增大而显著降低。晶圆级芯片尺寸封装技术是可以将IC设计、晶圆制造、封装测试、基板制造整合为一体的技术，是当前封装领域的热点和未来发展的趋势。扇出晶圆封装是晶圆级封装的一种。例如，中国发明专利申请第200910031885. 0 号公开一种晶圆级扇出芯片封装方法，包括以下工艺步骤在载体圆片表面依次覆盖剥离膜和薄膜介质层I，在薄膜介质层I上形成光刻图形开口 I ；在图形开口 I及其表面实现与基板端连接之金属电极和再布线金属走线；在与基板端连接之金属电极表面、再布线金属走线表面以及薄膜介质层I的表面覆盖薄膜介质层II，并在薄膜介质层II上形成光刻图形开口 II ；在光刻图形开口 II实现与芯片端连接之金属电极；将芯片倒装至与芯片端连接之金属电极后进行注塑封料层并固化，形成带有塑封料层的封装体；将载体圆片和剥离膜与带有塑封料层的封装体分离，形成塑封圆片；植球回流，形成焊球凸点；单片切割，形成最终的扇出芯片结构。按照上述方法所封装制造的最终产品仅具有单一的芯片功能。如需实现完整的系统功能，需要在最终产品之外加上包含有各种电容、电感或电阻等的外围电路。
发明内容
本发明解决的技术问题是如何实现高集成度的扇出晶圆封装。为解决上述技术问题，本发明提供高集成度晶圆扇出封装方法，包括步骤在载板上形成胶合层；将由芯片和无源器件组成的被封装单元的功能面贴于所述胶合层上；将载板贴有芯片和无源器件的一面形成封料层，进行封装固化，所述封料层表面对应于被封装单元之间设有凹槽；去除所述载板和胶合层。可选地，所述封料层还填充于所述芯片与芯片之间、芯片与无源器件之间和/或无源器件和无源器件之间的空间。可选地，所述无源器件包括电容、电阻和电感。可选地，所述封料层的材料为环氧树脂。可选地，所述封料层通过转注、压缩或印刷的方法形成在所述芯片和无源器件上。
可选地，所述胶合层为UV胶。
可选地，所述凹槽有多条，每一条凹槽围绕所述封装单元而封闭。可选地，每一条凹槽所围成的形状包括正方形、长方形或圆形。可选地，每一条凹槽之间保持相同距离。可选地，所述凹槽成矩阵排列。可选地，所述凹槽的横截面包括U型、V型或凹型。可选地，所述去除所述载板和胶合层的步骤具体包括去除所述胶合层；将载板与芯片和无源器件的功能面进行分离；清洗所述芯片和无源器件的功能面。可选地，所述芯片包括多个不同的芯片。可选地，所述载板为玻璃载板。可选地，还包括步骤在芯片和无源器件裸露的功能面形成金属再布线层；在金属再布线层上形成保护膜层；在保护膜层上形成暴露金属再布线层的开口 ；在所述开口内形成与所述金属再布线层连接的球下金属层；在球下金属层上形成金属焊球。与现有技术相比，本发明请求保护的高集成度晶圆扇出封装方法，将芯片和无源器件进行整合后再一并封装，可以形成包含整体系统功能而非单一的芯片功能的最终封装产品，相比现有的系统级封装，高集成度的圆片级封装更是降低了系统内电阻、电感等干扰因素，也更能顺应半导体封装轻薄短小的趋势要求。另外，将封装层的整片封装分解成多个小封装块以降低封装层的内应力，进而避免封料层在晶圆封装的后续过程中出现翘曲变形，提高了晶圆封装成品的质量。
图1为本发明一个实施例中高集成度晶圆扇出封装方法流程图；图2为本发明另一个实施例中高集成度晶圆扇出封装方法流程图；图3至图11为图2所示流程中封装结构示意图。
具体实施例方式在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。其次，本发明利用示意图进行详细描述，在详述本发明实施例时，为便于说明，所述示意图只是实例，其在此不应限制本发明保护的范围。下面结合附图对本发明的具体实施方式
做详细的说明。如图1所示，在本发明的一个实施例中，提供高集成度晶圆扇出封装方法，包括步骤S101，在载板上形成胶合层；S102，将由芯片和无源器件组成的被封装单元的功能面贴于胶合层上；S103，将载板贴有芯片和无源器件的一面形成封料层，进行封装固化，所述封料层表面对应于被封装单元之间设有凹槽；S104，去除载板和胶合层。如图2所示，在本发明的另一个实施例中，提供高集成度晶圆扇出封装方法，包括步骤S201，在载板上形成胶合层；S202，将由芯片和无源器件组成的被封装单元的功能面贴于胶合层上；S203，将载板贴有芯片和无源器件的一面形成封料层，进行封装固化，所述封料层表面对应于被封装单元之间设有凹槽；S204，去除胶合层；S205，将载板与芯片和无源器件的功能面进行分离；S206，清洗芯片和无源器件的功能面；S207，在芯片和无源器件裸露的功能面进行金属再布线； S208，在金属再布线所在表面形成保护膜，并在保护膜上形成露出金属面的开 Π ；S209，在保护膜开口内的金属面上形成球下金属层；S210，在球下金属层表面形成金属焊球。在本实施例中，首先执行步骤S201，在载板101上形成胶合层102，形成如图3所示的结构。在这一步骤中，载板101是用来承载后续芯片103和无源器件104的基础。在本实施例中，载板101采用玻璃材质，可以提供较好的硬度和平整度，降低封装器件的失效比例。另外，由于载板101在后续步骤中会被剥离，且玻璃材质的载板101易剥离、抗腐蚀能力强，不会因为与胶合层102的接触而发生物理和化学性能的改变，因此可以进行重复利用。当然，本领域技术人员了解，载板101采用例如硅化合物也能实现本发明的目的。在载板101上形成的胶合层102是用于将由芯片103和无源器件104组成的被封装单元固定在载板101上。胶合层102可选用的材质有多种，在本发明一个优选的实施例中，胶合层102采用UV胶。UV胶是一种能对特殊波长的紫外光照射产生反应的胶合材料。 UV胶根据紫外光照射后粘性的变化可分为两种，一种是UV固化胶，即材料中的光引发剂或光敏剂在紫外线的照射下吸收紫外光后产生活性自由基或阳离子，引发单体聚合、交联和接支化学反应，使紫外光固化胶在数秒钟内由液态转化为固态，从而将与其接触的物体表面粘合；另一种是UV胶是在未经过紫外线照射时粘性很高，而经过紫外光照射后材料内的交联化学键被打断导致粘性大幅下降或消失。这里的胶合层102所采用的UV胶即是后者。在载板101上形成胶合层102的方法可以例如是通过旋涂或印刷等方法将胶合层 102涂覆在载板101上。这样的方法在半导体制造领域中已为本领域技术人员所熟知，在此不再赘述。在载板101上形成胶合层102后，即可执行步骤S202，将由芯片103和无源器件 104组成的被封装单元的功能面贴于胶合层102上，形成如图4所示的结构。在本发明的具体实施方式
中，由芯片103和无源器件104组成的被封装单元的功能面，是指被封装单元中芯片103的金属电极和无源器件104的焊盘所在表面。在本发明的一个优选的实施例中，贴合于胶合层102之上的多个芯片103可以是多个不同的芯片，这些芯片各自成为一个系统级封装产品的一部分，各自完成实现系统级功能中的一个或多个单独的功能。
无源器件104是与芯片103共同实现被封装单元的系统级功能的外部电路器件， 包括电容、电阻和电感等。将无源器件104与不同功能的芯片103组合在一起封装，可以实现所需的系统级功能。在本发明的一个优选的实施例中，芯片103与无源器件104的组合是根据被封装单元的系统功能来设计的。因此，在一个芯片103的周围，可能有相同或不同的另外的芯片 103，或者相同或不同的电容、电阻或电感等无源器件104 ；类似的，在一个无源器件104的周围，可能有相同或不同的其他的无源器件104，或者一个或多个相同或不同芯片103。然后执行步骤S203，将贴有芯片和无源器件的载板面进行塑封料层封装并固化， 形成带有封料层105的封装体，即形成如图5所示的结构。在后续工艺过程中，封装体即可保护芯片103和无源器件104的功能面以外的其他表面，又可作为后续工艺的承载体。在本发明的一个实施例中，形成封料层105的材料是环氧树脂。这种材料的密封性能好，塑型容易，是形成封料层105的较佳材料。形成封料层105的方法可以例如是转注、 压缩或印刷的方法。这些方法的具体步骤已为本领域技术人员所熟知，在此不再赘述。如前所述，在一个芯片103的周围，可能有另外的芯片103，或者无源器件104 ；在一个无源器件104的周围，也可能有相同或不同的其他的无源器件104，或者一个或多个相同或不同芯片103。因此，在芯片103或者无源器件104的周围会有空隙。为了对芯片103 和无源器件104形成更好的保护，封料层105还填充于芯片103与芯片103之间、芯片103 与无源器件104之间和/或无源器件104和无源器件104之间的空间。由于芯片103与无源器件104的厚度并不尽相同，有可能芯片103更厚，也有可能无源器件104更厚。因此，封料层105的厚度应该大于各个芯片103与无源器件104中最厚的一个的厚度，用以对芯片103和无源器件104提供最佳的保护。由于封料层105与载板101两种材料的热收缩比例不同，导致封料层105内部应力不均勻，这会导致封料层105在晶圆封装的后续过程中出现翘曲变形，进而影响到封装成品的质量。因此，如图6所示，在本发明的具体实施方式
中，在封料层105的每一个被封装单元间设有凹槽150。这些凹槽150是通过stencil网板开孔和深度的设计，在印刷后形成的。在形成凹槽150后，可以平衡封料层105内的应力，从而避免在晶圆封装的后续过程中出现翘曲变形。凹槽150的横截面可以根据封料层105内的应力和被封装器件的轮廓进行不同的设计。在优选的实施例中，凹槽150的横截面包括U型、V型或凹型。凹槽150的深度跟stencil网板的设计有关。根据stencil网板设计所设置的凹槽150厚度可以有效平衡封料层105内部的应力。在本发明的一个优选的实施例中，凹槽150有多条，每一条凹槽150围绕被一个封装单元而封闭成环。这种环状结构可以有效降低封料层105在芯片103和无源器件104周围的应力，从而进一步平衡封料层105内部的应力分布。每一条凹槽150所围成的环形包括正方形、长方形或圆形。每一个环形的凹槽150所圈定的封装单元内可以包含多颗芯片 103，也可组合无源器件104。封装单元之间是矩阵排列的，而凹槽150设置于封装单元间， 类似阡陌交错。环形的凹槽150有多种排列方式，可以适应芯片103和无源器件104的不同排列。在本发明的另一个优选的实施例中，多个环形的凹槽150成矩阵排列。再执行步骤S204，去除胶合层102。由于胶合层102是有机材料，可以溶解于特定的有机溶剂。因此，可以采用有机溶剂清洗的方法，使得胶合层102溶解于有机溶剂中。 然后执行步骤S205，将载板101与芯片103和无源器件104的功能面进行分离。 也就是说，在执行步骤S204之后，胶合层102已经溶剂掉了，或者处于可剥离的熔融状态下，可以轻松将载板101从芯片103和无源器件104的功能面上剥离下来，从而裸露出芯片 103和无源器件104的功能面。再执行步骤S206，清洗芯片103和无源器件104的功能面，将功能面上残留的胶合层102，形成如图7所示的结构，此时芯片103和无源器件104不再透过载板固定在一起而是通过封装体固定在一起了，同时芯片的金属电极和无源器件的焊盘也裸露出来。如图8至图11所示，接着再执行步骤S207至步骤S210，包括在芯片和无源器件裸露的功能面进行金属再布线106，使芯片的金属电极和无源器件的焊盘透过再布的金属线实现功能性系统互联和走线；在金属再布线所在表面形成保护膜107，并在保护膜上形成设计所需的开口以露出金属再布线106;在保护膜开口内的金属再布线106上形成球下金属层108 ；在球下金属层108表面形成金属焊球109。步骤S207至步骤S210与现有扇出晶圆封装的方法相同，在此不再赘述。经过上述步骤，已基本完成系统级封装。虽然本发明已以较佳实施例披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
权利要求
1.高集成度晶圆扇出封装方法，其特征在于，包括步骤 在载板上形成胶合层；将由芯片和无源器件组成的被封装单元的功能面贴于所述胶合层上； 将载板贴有芯片和无源器件的一面形成封料层，进行封装固化，所述封料层表面对应于被封装单元之间设有凹槽； 去除所述载板和胶合层。
2.如权利要求1所述的高集成度晶圆扇出封装方法，其特征在于所述封料层还填充于所述芯片与芯片之间、芯片与无源器件之间和/或无源器件和无源器件之间的空间。
3.如权利要求1所述的高集成度晶圆扇出封装方法，其特征在于所述无源器件包括电容、电阻和电感。
4.如权利要求1所述的高集成度晶圆扇出封装方法，其特征在于所述封料层的材料为环氧树脂。
5.如权利要求1所述的高集成度晶圆扇出封装方法，其特征在于所述封料层通过转注、压缩或印刷的方法形成在所述芯片和无源器件上。
6.如权利要求1所述的高集成度晶圆扇出封装方法，其特征在于所述胶合层为UV胶。
7.如权利要求1所述的高集成度晶圆扇出封装方法，其特征在于所述凹槽有多条，每一条凹槽围绕所述封装单元而封闭。
8.如权利要求7所述的高集成度晶圆扇出封装方法，其特征在于每一条凹槽所围成的形状包括正方形、长方形或圆形。
9.如权利要求7所述的高集成度晶圆扇出封装方法，其特征在于每一条凹槽之间保持相同距离。
10.如权利要求7所述的高集成度晶圆扇出封装方法，其特征在于所述凹槽成矩阵排列。
11.如权利要求1所述的高集成度晶圆扇出封装方法，其特征在于所述凹槽的横截面包括U型、V型或凹型。
12.如权利要求1所述的高集成度晶圆扇出封装方法，其特征在于，所述去除所述载板和胶合层的步骤具体包括去除所述胶合层；将载板与芯片和无源器件的功能面进行分离； 清洗所述芯片和无源器件的功能面。
13.如权利要求1所述的高集成度晶圆扇出封装方法，其特征在于所述芯片包括多个不同的芯片。
14.如权利要求1所述的高集成度晶圆扇出封装方法，其特征在于所述载板为玻璃载板。
15.如权利要求1所述的高集成度晶圆扇出封装方法，其特征在于，还包括步骤 在芯片和无源器件裸露的功能面形成金属再布线层；在金属再布线层上形成保护膜层； 在保护膜层上形成暴露金属再布线层的开口；在所述开口内形成与所述金属再布线层连接的球下金属层； 在球下金属层上形成金属焊球。
全文摘要
本发明涉及高集成度晶圆扇出封装方法，包括步骤在载板上形成胶合层；将由芯片和无源器件组成的被封装单元的功能面贴于所述胶合层上；将载板贴有芯片和无源器件的一面形成封料层，进行封装固化，所述封料层表面对应于被封装单元之间设有凹槽；去除所述载板和胶合层。与现有技术相比，本发明请求保护的高集成度晶圆扇出封装方法，将芯片和无源器件进行整合后再一并封装，可以形成包含整体系统功能而非单一的芯片功能的最终封装产品。另外，将封装层的整片封装分解成多个小封装块以降低封装层的内应力，进而避免封料层在晶圆封装的后续过程中出现翘曲变形，提高了晶圆封装成品的质量。
文档编号H01L21/56GK102157400SQ20111003259
公开日2011年8月17日 申请日期2011年1月30日 优先权日2011年1月30日
发明者朱海青, 石磊, 陶玉娟 申请人:南通富士通微电子股份有限公司