专利名称：双层富硅SiNx背钝化结构及其工艺的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种硅电池的背钝化技术领域。
背景技术：
现在晶体硅太阳能电池背钝化高效电池一般采用热氧化生长的Si02实现背钝 化。部分高效电池也采用SiNx和Si02叠层实现背钝化，达到了提高Uoc的效果。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种实现电池背钝化，提高电池效率的硅电 池的背钝化结构及其工艺。本发明解决其技术问题所采用的技术方案是一种双层富硅SiNx背钝化结构，包 括P型硅基体，在基体的正面是N型扩散区，在基体的背面通过双层SiNx叠层钝化。N型扩散区的表面镀氮化硅，或氧化硅和氮化硅的叠层，氮化硅在氧化硅的上层。一种双层富硅SiNx背钝化工艺，其工艺步骤如下1)P型硅片经过制绒、扩散、后清洗；2)正面PECVD镀SiNx，折射率为2 2. 1，厚度为75 90nm ；3)背面PECVD镀双层SiNx，折射率为2. 2 2. 4，叠层厚度为80 IOOnm ；4)制作电极；5)烧结。本发明的有益效果是在高效晶体硅太阳能电池的基础上，采用双层富硅SiNx叠 层作为背钝化的介质，和正常生产工艺相比有以下的特点1. SiNx带正电荷，用其做背钝 化面，可以降低背场复合，显著提高Uoc。采用双层富硅SiNx进一步降低了复合。2. IQE长 波响应可以得到提高。
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明；图1是本发明的电池结构示意图；图中，1.基体，2. N型扩散区，3.双层SiNx叠层，4.氮化硅或氧化硅和氮化硅的叠 层，5.点接触Al。
具体实施例方式如图1所示，一种双层富硅SiNx背钝化结构，包括P型硅基体1，在基体1的正面 是N型扩散区2，在基体1的背面通过双层SiNx叠层3钝化，并用湿法化学刻蚀开槽，印刷 点接触A15，激光烧结。N型扩散区2的表面镀氮化硅或氧化硅和氮化硅的叠层4，氧化硅和 氮化硅的叠层中氮化硅在氧化硅的上层。双层富硅SiNx背钝化工艺的工艺步骤如下
1)P型硅片经过碱制绒、扩散、后清洗；2)正面PECVD镀SiNx，折射率一般为2. 0左右，厚度为75 90nm ；3)背面PECVD镀双层SiNx，折射率一般为2. 3左右，叠层厚度为80 IOOnm ；4)背面采用湿法刻蚀开槽，印刷点接触A15，激光烧结；5)正面印刷；6)烧结，测试。
权利要求
1.一种双层富硅SiNx背钝化结构，包括P型硅基体(1)，在基体(1)的正面是N型扩 散区O)，其特征是在在所述的基体(1)的背面通过双层SiNx叠层C3)钝化。
2.根据权利要求1所述的双层富硅SiNx背钝化结构，其特征是所述的N型扩散区(2) 的表面镀氮化硅或氧化硅和氮化硅的叠层，氧化硅和氮化硅的叠层中氮化硅在氧化硅 的上层。
3.根据权利要求1所述的双层富硅SiNx背钝化工艺，其特征是工艺步骤如下 DP型硅片经过制绒、扩散、后清洗；2)正面PECVD镀SiNx，折射率为2 2.1，厚度为75 90nm ；3)背面PECVD镀双层SiNx，折射率为2.2 2. 4，叠层厚度为80 IOOnm ；4)制作电极；5)烧结。
全文摘要
本发明涉及一种硅电池的背钝化技术领域，特别是一种双层富硅SiNx背钝化结构及其工艺，该结构包括P型硅基体，在基体的正面是N型扩散区，在基体的背面通过双层SiNx叠层钝化。其工艺步骤如下1、P型硅片经过制绒、扩散、后清洗；2、正面PECVD镀SiNx；3、背面PECVD镀双层SiNx；4、制作电极；5、烧结。在高效晶体硅太阳能电池的基础上，采用双层富硅SiNx叠层作为背钝化的介质，和正常生产工艺相比有以下的特点1.SiNx带正电荷，用其做背钝化面，可以降低背场复合，显著提高Uoc。采用双层富硅SiNx进一步降低了复合。2.IQE长波响应可以得到提高。
文档编号H01L31/0216GK102148263SQ20111006256
公开日2011年8月10日 申请日期2011年3月16日 优先权日2011年3月16日
发明者许艳 申请人:常州天合光能有限公司