专利名称：金属半导体化合物薄膜的制备方法
技术领域：
本发明涉及微电子器件技术领域，尤其涉及一种金属半导体化合物薄膜的制备方法。
背景技术：
作为金属电极的金属半导体化合物薄膜被广泛用于金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的源漏极和栅极，形成和硅、锗或硅-锗半导体的金-半接触。金属半导体化合物薄膜的主要作用从一开始的为简单的二极管提供可靠的接触， 到近来利用自对准金属半导体化合物薄膜形成工艺(salicide)为MOSFET形成低阻源漏接触和低方块电阻栅电极，在CMOS器件尺寸的微缩化及提高器件性能上起着非常重要的作用。随着半导体制备工艺技术的进步，金属半导体化合物薄膜从早期的硅化钛(TiSi2)、硅化钴(CoSi2)发展到现在主流的的硅化镍(NiSi)或掺钼硅化镍(Ni (Pt) Si)。并且随着器件尺寸的缩小，金属半导体化合物薄膜的厚度也要求越来越薄。传统的制备金属半导体化合物薄膜的方法(例如硅化钛工艺、硅化钴工艺、硅化镍工艺等)不利于形成超薄金属半导体化合物薄膜。专利申请“形成超薄可控的金属硅化物的方法”(申请公布号为CN101764058A的中国专利申请)公开了一种制备金属硅化物的方法，该方法通过在硅衬底上沉积金属层， 金属层向硅衬底扩散后去除硅衬底表面剩余的金属，并进行退火，从而硅衬底表面形成金属硅化物。由于金属向硅衬底扩散存在一扩散饱和度，因此扩散的金属是有限的，并且是一定的，从而该方法制备的金属硅化物的厚度非常薄(通常为3 4nm)，并且该厚度是可控的。一般情况下，金属层是通过物理气相沉积(PVD，Physical Vapor Deposition)形成的，并且在沉积金属时，轰击产生的金属粒子不进行离子化处理，而且硅衬底也不施加偏压。然而，上述方法也存在如下缺点由于常温下向硅衬底扩散的金属是有限的，因而不能制备更厚的金属硅化物薄膜；而在某些集成电路制程下，所需的金属硅化物薄膜的厚度比上述方法得到的金属硅化物薄膜的厚度要稍厚。因此，有必要提供一种改进的金属半导体化合物薄膜的制备方法。
发明内容
本发明的目的在于提供一种金属半导体化合物薄膜的制备方法，以得到合适厚度的超薄金属半导体化合物薄膜。为解决上述问题，本发明提出一种金属半导体化合物薄膜的制备方法，该方法包括如下步骤提供半导体衬底；利用PVD(物理气相沉积，Wiysical Vapor D印osition)法在所述半导体衬底上沉积金属层，所述金属层中的金属向所述半导体衬底扩散；其中，在PVD沉积金属层的过程中，将靶材部分离化成离子状态，使其产生金属离子，并在所述半导体衬底上加衬底偏压；去除所述半导体衬底表面剩余的金属层；以及对所述半导体衬底进行退火，在所述半导体衬底的表面形成金属半导体化合物薄膜。可选的，所述金属半导体化合物薄膜的厚度为3 llnm。可选的，所述将靶材部分离化成离子状态是通过在所述靶材上加第一偏压实现的。可选的，所述第一偏压为直流偏压、交流偏压或脉冲偏压中的任一种。可选的，所述衬底偏压为直流偏压、交流偏压或脉冲偏压中的任一种。可选的，所述半导体衬底为硅或绝缘层上硅，所述金属半导体化合物薄膜为金属硅化物。可选的，所述半导体衬底为锗或绝缘层上锗，所述金属半导体化合物薄膜为金属锗化物。可选的，所述金属半导体化合物薄膜由金属与所述半导体衬底反应生成，其中，所述金属为镍、钴、钛、镱中的任一种，或镍、钴、钛、镱中的任一种并掺入钼。可选的，所述金属中还掺入了钨和/或钼。可选的，在所述半导体衬底上沉积金属层时的衬底温度为0 300°C。可选的，所述退火的温度为200 900°C。本发明由于采用上述技术方案，使之与现有技术相比，具有以下的优点和积极效果1)本发明提供的金属半导体化合物薄膜的制备方法，通过在PVD沉积金属层的过程中，将靶材部分离化成离子状态，使其产生金属离子，并在半导体衬底上加衬底偏压，使得所述金属离子加速向所述半导体衬底运动，并进入所述半导体衬底，从而使得扩散至所述半导体衬底表面的金属离子更多，扩散深度更深，因而最终形成的金属半导体化合物薄膜的厚度加厚；2)本发明提供的金属半导体化合物薄膜的制备方法，通过调整衬底偏压的大小可调整进入半导体衬底中的金属离子的数量，从而使得最终形成的金属半导体化合物薄膜的厚度可调。
图1为本发明实施例提供的金属半导体化合物薄膜的制备方法的步骤流程图；图2A至图2C为本发明实施例提供的金属半导体化合物薄膜的制备方法的各步骤对应的器件截面图。
具体实施例方式以下结合附图和具体实施例对本发明提出的金属半导体化合物薄膜的制备方法作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用于方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。本发明的核心思想在于，提供一种金属半导体化合物薄膜的制备方法，该方法通过在PVD沉积金属层的过程中，将靶材部分离化成离子状态，使其产生金属离子，并在半导体衬底上加衬底偏压，使得所述金属离子加速向所述半导体衬底运动，并进入所述半导体衬底，从而使得扩散至所述半导体衬底表面的金属离子更多，扩散深度更深，因而最终形成的金属半导体化合物薄膜的厚度也加厚；同时通过调整所述衬底偏压的大小可调整扩散至半导体衬底表面的金属离子的数量，从而使得最终形成的金属半导体化合物薄膜的厚度可调。请参考图1，以及图2A至图2C，其中，图1为本发明实施例提供的金属半导体化合物薄膜的制备方法的步骤流程图，图2A至图2C为本发明实施例提供的金属半导体化合物薄膜的制备方法的各步骤对应的器件截面图，如图1，以及图2A至图2C所示，本发明实施例提供的金属半导体化合物薄膜的制备方法包括如下步骤S101、提供半导体衬底101 ；具体地，准备半导体衬底101，并完成生长前的各项工艺，如清洗和去除半导体衬底101表面的天然氧化层等；并且，所述半导体衬底101上还可以有选择性地覆盖有扩散阻挡层102，所述扩散阻挡层102可以是二氧化硅、氮化硅或其它绝缘介质层；S102、利用PVD法在所述半导体衬底101上沉积金属层103，如图2A所示；所述金属层103中的金属向所述半导体衬底101扩散；其中，在PVD沉积金属层103的过程中，将靶材部分离化成离子状态，使其产生金属离子，并在所述半导体衬底101上加衬底偏压；S103、去除所述半导体衬底101表面剩余的金属层103 ；具体地，利用湿法或干法刻蚀除去所述半导体衬底101表面剩余地金属层101 ；去除所述半导体衬底101表面剩余的金属层103后的器件截面图如图2B所示，所述金属扩散至所述半导体衬底101表面后， 在所述半导体衬底101的表面形成含有金属的半导体薄层104 ；以及S104、对所述半导体衬底101进行退火，在所述半导体衬底101的表面形成金属半导体化合物薄膜105，如图2C所示。进一步地，所述金属半导体化合物薄膜105的厚度为3 llnm。进一步地，所述将靶材部分离化成离子状态是通过在所述靶材上加第一偏压实现的。当然，本发明并不以此为限，任何使得靶材的一部分离化成离子状态的方式都在本发明的保护范围之内。进一步地，所述第一偏压为直流偏压、交流偏压或脉冲偏压中的任一种。需要说明的是，所述第一偏压的大小取决于使用的PVD系统，即PVD系统不同，所述第一偏压的大小也相应地有所变化；一般来说，所述第一偏压的大小为200V 1000V，其中对于交流偏压和脉冲偏压来说，上述大小指的是其有效值。进一步地，所述衬底偏压为直流偏压、交流偏压或脉冲偏压中的任一种。需要说明的是，所述衬底偏压的大小是可调的，通过调整所述衬底偏压的大小，可以调整扩散至半导体衬底表面的金属离子的数量，从而使得最终形成的金属半导体化合物薄膜的厚度可调。一般来说，所述衬底偏压的大小为200V 1000V，其中对于交流偏压和脉冲偏压来说，上述大小指的是其有效值。进一步地，所述半导体衬底101为硅或绝缘层上硅，所述金属半导体化合物薄膜105为金属硅化物。进一步地，所述半导体衬底101为锗或绝缘层上锗，所述金属半导体化合物薄膜 105为金属锗化物。需要说明地是，当所述半导体衬底101为硅或锗时，所述衬底偏压可为直流偏压、 交流偏压或脉冲偏压中的任一种；当所述半导体衬底101为绝缘层上硅或绝缘层上锗时， 由于包含有绝缘层，因此直流偏压不起作用，需加交流偏压或脉冲偏压。当然，本发明中的半导体衬底101并不以上述举例的种类为限，其它种类的半导体衬底，例如三五族化合物半导体衬底等也在本发明的保护范围之内。进一步地，所述金属半导体化合物薄膜105由金属与所述半导体衬底101反应生成，其中，所述金属为镍、钴、钛、镱中的任一种，或镍、钴、钛、镱中的任一种并掺入钼；掺入钼是因为纯的一硅化镍在高温条件下稳定性差，或出现薄膜厚度变得不均勻并结块，或生成电阻率高的二硅化镍NiSi2，严重影响器件的性能，因此，为了减慢硅化镍的生长速度以及防止硅化镍薄层遇到高温时发生结块或形成二硅化镍，可以在镍中掺入一定比例的钼； 其它金属中掺钼作类似解释。进一步地，所述金属中还掺入了钨和/或钼；以进一步控制硅化镍或掺钼硅化镍的生长和镍/钼的扩散，并增加硅化镍或掺钼硅化镍的稳定性；其它金属中掺钨和/或钼作类似解释。当然，本发明中的金属并不以上述举例的具体金属为限，其它能与半导体材料发生反应，产生金属半导体化合物薄膜的金属都在本发明的保护范围之内。进一步地，在所述半导体衬底上沉积金属层时的衬底温度为0 300°C ；这是因为对金属镍来说，沉积温度超过300°C会造成在超量的镍扩散的同时镍会和硅直接反应形成硅化镍，导致厚度控制的失败；在该特定温度下，镍会经硅表面向硅衬底进行扩散，这种扩散具有自饱和特性镍向硅衬底进行扩散仅在硅的表面薄层中发生，形成一定硅/镍原子比例的薄层镍，该薄层镍的厚度和淀积时的衬底温度有关，温度越高，该薄层镍的厚度也越大，在室温下，该薄层镍的等效镍厚度为2纳米左右。进一步地，所述退火的温度为200 900°C。综上所述，本发明提供了一种金属半导体化合物薄膜的制备方法，该方法通过在 PVD沉积金属层的过程中，将靶材部分离化成离子状态，使其产生金属离子，并在半导体衬底上加衬底偏压，使得所述金属离子加速向所述半导体衬底运动，并进入所述半导体衬底， 从而使得扩散至所述半导体衬底表面的金属离子更多，扩散深度更深，因而最终形成的金属半导体化合物薄膜的厚度也加厚；同时通过调整所述衬底偏压的大小可调整扩散至半导体衬底表面的金属离子的数量，从而使得最终形成的金属半导体化合物薄膜的厚度可调。显然，本领域的技术人员可以对发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
权利要求
1.一种金属半导体化合物薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤提供半导体衬底；利用PVD法在所述半导体衬底上沉积金属层，所述金属层中的金属向所述半导体衬底扩散；其中，在PVD沉积金属层的过程中，将靶材部分离化成离子状态，使其产生金属离子， 并在所述半导体衬底上加衬底偏压；去除所述半导体衬底表面剩余的金属层；以及对所述半导体衬底进行退火，在所述半导体衬底的表面形成金属半导体化合物薄膜。
2.如权利要求1所述的金属半导体化合物薄膜的制备方法，其特征在于，所述金属半导体化合物薄膜的厚度为3 llnm。
3.如权利要求2所述的金属半导体化合物薄膜的制备方法，其特征在于，所述将靶材部分离化成离子状态是通过在所述靶材上加第一偏压实现的。
4.如权利要求3所述的金属半导体化合物薄膜的制备方法，其特征在于，所述第一偏压为直流偏压、交流偏压或脉冲偏压中的任一种。
5.如权利要求2所述的金属半导体化合物薄膜的制备方法，其特征在于，所述衬底偏压为直流偏压、交流偏压或脉冲偏压中的任一种。
6.如权利要求1所述的金属半导体化合物薄膜的制备方法，其特征在于，所述半导体衬底为硅或绝缘层上硅，所述金属半导体化合物薄膜为金属硅化物。
7.如权利要求1所述的金属半导体化合物薄膜的制备方法，其特征在于，所述半导体衬底为锗或绝缘层上锗，所述金属半导体化合物薄膜为金属锗化物。
8.如权利要求6或7所述的金属半导体化合物薄膜的制备方法，其特征在于，所述金属半导体化合物薄膜由金属与所述半导体衬底反应生成，其中，所述金属为镍、钴、钛、镱中的任一种，或镍、钴、钛、镱中的任一种并掺入钼。
9.如权利要求9所述的金属半导体化合物薄膜的制备方法，其特征在于，所述金属中还掺入了钨和/或钼。
10.如权利要求1所述的金属半导体化合物薄膜的制备方法，其特征在于，在所述半导体衬底上沉积金属层时的衬底温度为0 300°C。
11.如权利要求1所述的金属半导体化合物薄膜的制备方法，其特征在于，所述退火的温度为200 900°C。
全文摘要
本发明公开了一种金属半导体化合物薄膜的制备方法，该方法通过在PVD沉积金属层的过程中，将靶材的一部分离化成离子状态，使其产生金属离子；并在半导体衬底上加衬底偏压，使得所述金属离子加速向所述半导体衬底运动，并进入所述半导体衬底，从而使得最终形成的金属半导体化合物薄膜的厚度加厚；并且通过控制加在所述半导体衬底上的衬底偏压的大小，可调节进入所述半导体衬底中的金属离子的数量，从而调整最终形成的金属半导体化合物薄膜的厚度。
文档编号H01L21/283GK102169830SQ201110063760
公开日2011年8月31日 申请日期2011年3月17日 优先权日2011年3月17日
发明者吴东平, 张世理, 张卫, 朱志炜 申请人:复旦大学