专利名称：相变存储单元及其形成方法
技术领域：
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种相变存储单元及其形成方法。
背景技术：
相变存储器(PhaseChange Random Access Memory, PCRAM)技术是基于S. R. Ovshinsky在20世纪60年代末提出相变薄膜可以应用于相变存储介质的构想建立起来的。作为一种新兴的非易失性存储技术，相变存储器在读写速度、读写次数、数据保持时间、单元面积、多值实现等诸多方面对快闪存储器都具有较大的优越性，已成为目前非挥发存储技术研究的焦点。现有技术中相变存储器可以通过施加不同的电压或电流来选择特定的相变存储 单元，从而完成读写擦操作。相变存储器包括外围电路和存储器区，所述存储器区包括多个相变存储单元，请参考图I，所述相变存储单元通常包括一个二极管100和一个相变单元105，所述相变单元105的材料为相变材料例如Ge-Sb-Te，以下简称GST。一定条件下，所述相变材料会在晶态和非晶态之间发生可逆的相变。所述相变存储器通过二极管100控制相变存储单元的开关，当二极管100处于导通状态时，电流通过导电塞101、底电极103、相变单元105和顶电极107，所述相变单元105可在晶态和非晶态之间发生可逆相变，将所述两个状态中的任一个被指定为逻辑I、另一个被指定为逻辑0，设定成为可以复位的电学状态即可实现存储的功能。随着半导体制造工艺的发展，器件的尺寸等比例缩小，相变存储器的优势越来越明显，然而随着器件尺寸的等比例缩小，其驱动电流也将等比例缩小，难以满足相变存储器的存储功能的需求。为满足相变存储器的存储功能的需求，通常需要具有更高驱动电流能力的二极管，或者减小实现相变存储器存储功能所需的驱动电流。上述方法仍不能很好的满足相变存储器的存储功能的需求。更多相变存储器的形成方法请参考专利号为“US6838727B2”的美国专利。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种满足存储功能的需求的相变存储单元及其形成方法。为解决上述问题，本发明的实施例提供了一种相变存储单元，包括二极管；与所述二极管电连接的至少四个分立的底电极；与所述底电极一一对应电连接的相变单元。可选地，所述相变单元的材料为Ge-Sb-Te。可选地，所述底电极的材料为Ti、TiN、Ta或者TaN，所述底电极的厚度小于100人。可选地，还包括一端与所述二极管连接的导电塞；基电极，所述基电极的一端与导电塞连接，另一端与所述底电极连接；与所述相变单元一一对应连接的顶电极；与所述顶电极一一对应连接的位线。本发明的实施例还提供了一种相变存储单元的形成方法，包括提供二极管；形成与所述二极管电连接的至少四个分立的底电极；形成与所述底电极一一对应电连接的相变单元。可选地，还包括形成一端与所述二极管连接的导电塞；形成基电极，所述基电极的一端与导电塞连接，另一端与所述底电极连接；形成与所述相变单元一一对应连接的顶电极；形成与所述顶电极一一对应连接的位线。可选地，所述导电塞的形成步骤为在二极管表面形成第一介质层，所述第一介质层的表面具有第三方向和与所述第三方向垂直的第四方向；在所述第一介质层表面形成光刻胶层，所述光刻胶层具有开口，所述开口的位置与后续形成的导电塞的位置相对应；以所述光刻胶层为掩膜刻蚀所述第一介质层，形成第一沟槽，所述第一沟槽暴露出二极管表面；在所述第一沟槽内填充满导电材料，形成导电塞。可选地，所述底电极的形成步骤包括形成位于第一层间介质层表面的第二层间介质层，所述第二层间介质层具有第一开口，所述第一开口暴露出导电塞和第一层间介质层，且贯穿第三方向的第二层间介质层；形成覆盖所述第二层间介质层的表面和侧壁、以及第一层间介质层的底电极薄膜；形成覆盖所述底电极薄膜的第一停止层；形成位于所述第一停止层表面的第二停止层，所述第二停止层具有第二开口，所述第二开口暴露出第一停止层，且贯穿第四方向的第二停止层；形成位于所述第二停止层表面的第三层间介质层，所述第三层间介质层暴露第二开口 ；以所述第三层间介质层和第二停止层为掩膜，去除第一停止层、底电极薄膜和部分厚度的第二层间介质层；平坦化所述第三层间介质层、第二停止层、第一停止层和底电极薄膜，暴露出第二层间介质层之后，去除所述第三层间介质层，形成基电极和至少四个分立的存储区域。可选地，所述相变单元的形成步骤为形成覆盖所述第一停止层表面的第四层间介质层，所述第四层间介质层的表面与第二层间介质层表面齐平；在所述第四层间介质层表面形成光刻胶层，所述光刻胶层具有开口，所述开口的位置与后续形成的相变单元的位置相对应，以所述光刻胶层为掩膜去除底电极薄膜、第二层间介质层和第一停止层，形成第二沟槽；向所述第二沟槽内填充满相变材料。可选地，所述顶电极的形成步骤为形成覆盖所述相变单元、第二层间介质层和第四层间介质层的顶电极薄膜；在所述顶电极薄膜表面形成光刻胶层，所述光刻胶层的位置与顶电极的位置相对应；以所述光刻胶层为掩膜去除顶电极薄膜，形成顶电极。
可选地，还包括以所述光刻胶层为掩膜去除第一层间介质层、第二层间介质层、第一停止层和第四层间介质层与现有技术相比，本发明的实施例具有以下优点本发明实施例的相变存储单元包括二极管、及与所述二极管电连接的至少四个相变单元。现有技术用于容纳至少四个二极管的区域在本发明实施例中仅用于容纳一个二极管，因此本发明实施例的二极管的尺寸大于现有技术中二极管的尺寸，在外围电路提供的电压相同的条件下，经过本发明实施例的二极管的电流大于现有技术中二极管的电流，使得本发明实施例的二极管的驱动能力增强，从而满足了相变存储器的存储功能的需求。
图I是现有技术的相变存储单元的结构示意图；图2是本发明实施例的相变存储单元的结构示意图；图3是本发明实施例的相变存储器的局部结构示意图；图4是本发明一实施例的相变存储单元的形成方法的流程示意图；图5 图12是本发明一实施例的相变存储单元的形成方法的形成过程的结构示意图。
具体实施例方式
为使本发明的实施例的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的实施例的具体实施方式
做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明的实施例，但是本发明的实施例还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，因此本发明的实施例不受下面公开的具体实施例的限制。正如背景技术部分所述，现有的相变存储单元中，一个二极管对应于一个相变单元，随着相变存储器的尺寸的等比例缩小，外围电路提供给存储单元的电压有限，所述二极管的尺寸减小，所述二极管的驱动能力减弱，难以满足存储功能的需求。因此，需要降低驱动电流或者提高二极管的驱动电流能力以满足存储功能的需求。根据二极管的工作原理，在相同工艺条件下，二极管的横截面积越大，其所能提供的驱动电流也越大。本发明的发明人经过研究后发现，将现有技术中用于容纳多个二极管的空间用于容纳一个大的二极管，所述大的二极管与多个相变单元相对应，由于所述大的二极管的横截面积增大，能够提供更高的驱动电流，增强了二极管的驱动能力，从而满足存储功能的需求。本发明实施例的发明人经过进一步研究后发现，当相变存储器的尺寸进一步缩小时，一个二极管对应于两个相变单元的结构，二极管的横截面积增加的较为有限，驱动能力增强的有限，满足存储功能的需求也较有限。本发明实施例的发明人经过进一步研究后发现，一个二极管对应于四个相变单元的结构，二极管的横截面积增加较大，二极管驱动电流的能力较强，并且此种结构的相变存储单元形成工艺简单。针对上述问题，发明人提供了一种相变存储单元，请参考图2，包括二极管 200 ；与所述二极管200连接的导电塞201 ；与所述导电塞201连接的基电极，所述基电极与至少四个对称设置的底电极2031、2032、2033、2034 连接；与所述底电极2031、2032、2033、2034——对应连接的相变单元2051、2052、2053、2054 ；与所述相变单元2051、2052、2053、2054——对应连接的顶电极2071、2072、2073、2074。其中，所述二极管200用于控制相变存储单元的开关。当相变存储单元的外围电路提供的电流大于二极管的驱动电流时，电路导通，可以实现存储功能。所述导电塞201与二极管200电连接，用于传递二极管200得到的信号。所述导电塞201的材料为导电材料，例如Cu、W、Al中的一种。在本发明的实施例中,所述导电塞201的材料选为W。考虑到相变单元2051、2052、2053、2054之间需要一定的间隙，在本发明的实施例中还设计了基电极，所述基电极(未标示)呈平板状，所述基电极的一端与导电塞连接，另一端与所述底电极连接。所述底电极通过基电极与导电塞201电连接，用于加热相变单元，所述底电极的厚度与所述相变单元的接触面积有关，若底电极的厚度太大，通常需要消耗更多的能量才能加热与底电极相接触的部分相变单元，使所述部分相变单元的材料由晶态变为非晶态，出于降低功耗的考虑，所述底电极的厚度不能太大；所述底电极的材料为导电材料，例如金属材料 W、Pt、Au、Ti、Al、Ag、Cu、Ni 中的一种，或由所述金属材料 W、Pt、Au、Ti、Al、Ag、Cu、 Ni中的任意两种组合或多种组合而成的合金材料。随着相变存储器尺寸的减小，所述一个二极管对应一个相变单元的结构，其通过二极管的电流减小，驱动能力减弱，难以满足存储功能的需求，而一个二极管与多个相变单元对应的结构则使得现有技术中容纳多个二极管的空间可以用于容纳一个大的二极管，所述二极管的横截面积增大，根据二极管的特性可知，在外界电压相同的情况下，通过所述二极管的电流增加，驱动能力增强，以满足存储功能的需求。由于所述底电极与相变单元相对应。因此，所述底电极为多个，考虑到更好的满足存储功能的需求，所述底电极至少为四个。在本发明的实施例中，所述底电极的材料为Ti、TiN, Ta或者TaN中的一种；所述底电极的厚度小于100 A;所述底电极为四个，所述四个底电极2031、2032、2033、2034构成方形，所述底电极2031、2032、2033、2034分别对应于方形的各个顶点。需要说明的是，在本发明的其他实施例中，所述底电极2031、2032、2033、2034可以呈一条直线，所述底电极的个数也可以大于四个。所述相变单元与底电极一一对应连接，所述相变单元的个数与底电极的个数相对应，至少为四个。所述相变单元的材料为相变材料，例如GST。所述相变材料在加热条件下，在结晶态和非晶态之间发生可逆的相变，将所述结晶态和非晶态指定为逻辑“0”或“1”，实现存储的功能。在本发明的实施例中，所述相变单元为四个，具体为相变单元2051、2052、2053和2054。其中，所述相变单元2051与底电极2031电连接、所述相变单元2052与底电极2032电连接、所述相变单元2053与底电极2033电连接、所述相变单元2054与底电极2034电连接。在本发明的其他实施例中，所述相变单元的个数也可以大于四个，只要能满足存储功能的需求即可。所述顶电极与相变单元一一对应电连接，用于与外部信号相连；所述顶电极的材料为导电材料，例如金属材料W、Pt、Au、Ti、Al、Ag、Cu、Ni中的一种，或由所述金属材料W、Pt、Au、Ti、Al、Ag、Cu、Ni中的任意两种组合或多种组合而成的合金材料；所述顶电极的个数与底电极、相变单元的个数相对应。在本发明的实施例中，所述顶电极为四个，具体为顶电极2071、2072、2073、2074。所述顶电极2071与相变单元2051电连接、所述顶电极2072与相变单元2052电连接、所述顶电极2073与相变单元2053电连接、所述顶电极2074与相变单元2054电连接。需要说明的是，在本发明的实施例中，所述相变存储单元还包括与所述二极管200电连接的字线(未图示)和与所述顶电极电连接的位线(未图示)。所述字线沿第一方向排列，用于选通写入信息的存储单元，所述位线沿与所述第一方向垂直的第二方向排列，用于向存储单元读、写、擦所述信息。需要说明的是，所述第一方向、与所述第一方向垂直的第二方向所在的表面与相变单元2051、2052、2053和2054构成的表面平行。本发明实施例的相变存储器的局部结构示意图请参考图3，图3中仅示出了四个二极管，其中包括图2所示的二极管200。如图3所示，所述二极管200、二极管210与第一字线250电连接，所述二极管220、二极管230与第二字线260电连接，所述第一字线250和第二字线260沿第一方向排列。以 二极管200为例，对应的顶电极2071与第一位线270电连接，顶电极2072与第二位线275电连接，顶电极2073与第三位线280电连接，所述顶电极2074与第四位线285电连接，所述第一位线270、第二位线275、第三位线280、第四位线285沿第二方向排列。当外部电压施加在第一字线250和第一位线270上时，则可以对顶电极2071对应的区域实现读写擦等操作。需要说明的是，在本发明的其他实施例中，所述字线也可以沿第二方向排列，所述位线沿第一方向排列。相应的，本发明实施例的发明人还提供了一种相变存储单元的形成方法，请参考图4,包括步骤S301，提供二极管，形成一端与所述二极管电连接的导电塞；步骤S303，形成一端与所述导电塞连接的基电极、及与所述基电极的另一端连接的至少四个分立的底电极；步骤S305，形成与所述底电极一一对应电连接的相变单元；步骤S307,形成与所述相变单元--对应连接的顶电极。为便于理解本发明实施例的相变存储单元的形成方法，请参考图4 图11，图5 图12为本发明实施例的相变存储单元的形成方法的形成过程的结构示意图。执行步骤S301，请参考图5，提供二极管(未图示)，形成一端与所述二极管电连接的导电塞403。为方便起见，图中未示出二极管。所述导电塞403的形成步骤为在二极管表面形成第一介质层401，所述第一介质层401的表面具有第三方向和与所述第三方向垂直的第四方向；在所述第一介质层401表面形成光刻胶层(未图不)，所述光刻胶层具有开口(未图示)，所述开口的位置与后续形成的导电塞403的位置相对应；以所述光刻胶层为掩膜刻蚀所述第一介质层401，形成第一沟槽(未标示)，所述第一沟槽暴露出二极管表面；在所述第一沟槽内填充满导电材料，形成导电塞403。在本发明的实施例中，所述第一介质层401的材料为氧化物，例如二氧化硅。在第一沟槽内填充导电材料采用的方法为沉积工艺，例如物理或化学气相沉积。之后，再采用化学机械抛光工艺平坦化所述导电材料，形成导电塞403,所述导电塞403与第一介质层401表面齐平。需要说明的是，在本发明的实施例中，还需要去除光刻胶层。执行步骤S303，请参考图6 8，形成一端与所述导电塞连接的基电极(未表示)、及与所述基电极的另一端连接的至少四个分立的底电极(未标示)。请参考图6，形成位于所述第一层间介质 层401表面的第二层间介质层405，所述第二层间介质层405具有第一开口(未标不)，所述第一开口暴露出导电塞403和第一层间介质层401，且贯穿第三方向的第二层间介质层405 ;形成覆盖所述第二层间介质层405的表面和侧壁、以及第一层间介质层401的底电极薄膜407 ;形成覆盖所述底电极薄膜407的第一停止层409。所述第二层间介质层405的材料为氧化物，所述第二层间介质层405用于定义出后续形成的底电极的位置。所述第二层间介质层405的形成方法为沉积工艺，例如物理或化学气相沉积。所述底电极薄膜407用于后续形成基电极和与所述基电极的一端相连的底电极，所述底电极薄膜407覆盖所述第二层间介质层405的表面和侧壁、以及第一层间介质层401的表面。在本发明的实施例中，所述底电极薄膜407的材料为TiN，所述底电极薄膜407的形成方法为沉积工艺，例如物理或化学气相沉积。所述第一停止层409用于作为后续去除第二停止层411时的阻挡层。在本发明的实施例中，所述第一停止层409的材料为SiN。所述第一停止层409的形成方法为沉积工艺，例如物理或化学气相沉积。请参考图7，形成位于所述第一停止层409表面的第二停止层411，所述第二停止层411具有第二开口(未标示)，所述第二开口暴露出第一停止层409，且贯穿第四方向的第二停止层411 ;在所述第二停止层411表面形成第三层间介质层413，所述第三层间介质层413暴露第二开口。所述第二停止层411和第三层间介质层413的形成步骤为采用沉积工艺形成覆盖所述第一停止层409表面的抗反射薄膜；采用沉积工艺形成覆盖抗反射薄膜表面的氧化薄膜；采用光刻、显影工艺去除部分氧化薄膜和部分抗反射薄膜，形成具有第二开口的第二停止层411和位于第二停止层411表面的第三层间介质层413，所述第二开口暴露出第一停止层409，且贯穿第四方向的第二停止层411，所述第二停止层411的位置定义出底电极沿第三方向的尺寸。在本发明的实施例中，所述第二停止层411为底层抗反射层(BARC，BottomAnti-Reflective Coating),用于作为后续去除部分氧化薄膜时的阻挡层。请参考图8，以所述第三层间介质层413和第二停止层411为掩膜，去除第一停止层409、底电极薄膜407和部分厚度的第二层间介质层405 ;平坦化所述第三层间介质层413、第二停止层411、第一停止层409和底电极薄膜，暴露出第二层间介质层405之后，去除所述第三层间介质层，形成基电极和位于基电极表面的至少四个分立的存储区域，所述四个分立的存储区域后续用于形成四个分立的底电极。在本发明的实施例中，所述四个分立的存储区域在同一工艺步骤中形成，而不用分别形成，大大节省了工艺步骤，且形成工艺简单。执行步骤S305，请参考图9 11，形成与所述底电极一一对应电连接的相变单元4191、4192、4193 和 4194。请参考图9，形成覆盖所述第一停止层409表面的第四层间介质层415，所述第四层间介质层415的表面与第二层间介质层405表面齐平。所述第四层间介质层415为氧化物，例如二氧化硅。所述第四层间介质层415的形成方法为高密度等离子体沉积工艺，所述第四层间介质层415用于后续作为顶电极的支撑。请参考图10，采用光刻、显影工艺去除部分底电极薄膜407、第二层间介质层405和第一停止层409，形成第二沟槽417。所述第二沟槽417用于后续填充相变材料，形成相变单元。所述第二沟槽417的形成步骤具体为在所述第四层间介质层415表面形成光刻胶层(未图示)，所述光刻胶层 具有开口(未图示)，所述开口的位置与后续形成的相变单元的位置相对应，以所述光刻胶层为掩膜去除底电极薄膜407、第二层间介质层405和第一停止层409，形成第二沟槽417。所述第二沟槽的数目与相变单元的个数相对应。在本发明的实施例中，所述第二沟槽417为四个，所述第二沟槽417暴露出底电极薄膜407。请参考图11，向所述第二沟槽内填充相变材料形成相变单元。所述相变单元的形成步骤为采用沉积工艺，例如物理或化学气相沉积在所述第二沟槽内填充满相变薄膜(未标示)，例如GST薄膜；采用化学机械抛光的方法平坦化所述相变薄膜，使得所述相变薄膜与第二层间介质层405和第四层间介质层415表面齐平，形成相变单元。在本发明的实施例中，所述相变单元为四个，具体为相变单元4191、4192、4193和4194。需要说明的是，步骤S305执行完成后，所述四个分立的底电极已形成。执行步骤S307，请参考图12，形成顶电极，所述顶电极包括分别与所述底4191、4192,4193和4194——对应电连接的顶电极4211、4212、4213、4214。所述第二电极的形成步骤为形成覆盖所述相变单元、第二层间介质层405和第四层间介质层415的顶电极薄膜(未标示)；在所述顶电极薄膜表面形成光刻胶层(未图示)，所述光刻胶层与顶电极4211、4212、4213、4214的位置相对应；以所述光刻胶层为掩膜去除顶电极薄膜，形成顶电极4211、4212、4213、4214。需要说明的是，在本发明的实施例中，所述相变存储单元的形成方法还包括以所述光刻胶层为掩膜去除第一层间介质层401、第二层间介质层405、第一停止层409和第四层间介质层415，形成如图2所示的本发明实施例的相变存储单元。需要说明的是，在本发明的实施例中，为使所述相变存储单元实现存储功能，所述相变存储单元的形成方法还包括形成与所述顶电极4211、4212、4213、4214 —一对应连接的位线(详情请参考图3)。上述步骤完成之后，本发明实施例的相变存储单元的制作完成。综上，本发明实施例的相变存储单元包括二极管、及与所述二极管电连接的至少四个相变单元。现有技术用于容纳至少四个二极管的区域在本发明实施例中仅用于容纳一个二极管，因此本发明实施例的二极管的尺寸大于现有技术中二极管的尺寸，在外围电路提供的电压相同的条件下，经过本发明实施例的二极管的电流大于现有技术中二极管的电流，使得本发明实施例的二极管的驱动能力增强，从而满足了相变存储器的存储功能的需求。本发明虽然已以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出可能的变动和修改，因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明 的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本发明技术方案的保护范围。
权利要求
1.一种相变存储单元，包括 二极管； 其特征在于，还包括 与所述二极管电连接的至少四个分立的底电极； 与所述底电极对应电连接的相变单兀。
2.如权利要求I所述的相变存储单元，其特征在于，所述相变单元的材料为Ge-Sb-Te。
3.如权利要求I所述的相变存储单元，其特征在于，所述底电极的材料为Ti、TiN,Ta或者TaN，所述底电极的厚度小于100人。
4.如权利要求I所述的相变存储单元，其特征在于，还包括一端与所述二极管连接的导电塞；基电极，所述基电极的一端与导电塞连接，另一端与所述底电极连接；与所述相变单元--对应连接的顶电极；与所述顶电极--对应连接的位线。
5.一种相变存储单元的形成方法，包括 提供二极管； 其特征在于，还包括 形成与所述二极管电连接的至少四个分立的底电极； 形成与所述底电极一一对应电连接的相变单元。
6.如权利要求5所述的相变存储单元的形成方法，其特征在于，还包括形成一端与所述二极管连接的导电塞；形成基电极，所述基电极的一端与导电塞连接，另一端与所述底电极连接；形成与所述相变单元一一对应连接的顶电极；形成与所述顶电极一一对应连接的位线。
7.如权利要求6所述的相变存储单元的形成方法，其特征在于，所述导电塞的形成步骤为在二极管表面形成第一介质层，所述第一介质层的表面具有第三方向和与所述第三方向垂直的第四方向；在所述第一介质层表面形成光刻胶层，所述光刻胶层具有开口，所述开口的位置与后续形成的导电塞的位置相对应；以所述光刻胶层为掩膜刻蚀所述第一介质层，形成第一沟槽，所述第一沟槽暴露出二极管表面；在所述第一沟槽内填充满导电材料，形成导电塞。
8.如权利要求7所述的相变存储单元的形成方法，其特征在于，所述底电极的形成步骤包括形成位于第一层间介质层表面的第二层间介质层，所述第二层间介质层具有第一开口，所述第一开口暴露出导电塞和第一层间介质层，且贯穿第三方向的第二层间介质层；形成覆盖所述第二层间介质层的表面和侧壁、以及第一层间介质层的底电极薄膜；形成覆盖所述底电极薄膜的第一停止层；形成位于所述第一停止层表面的第二停止层，所述第二停止层具有第二开口，所述第二开口暴露出第一停止层，且贯穿第四方向的第二停止层；形成位于所述第二停止层表面的第三层间介质层，所述第三层间介质层暴露第二开口 ；以所述第三层间介质层和第二停止层为掩膜，去除第一停止层、底电极薄膜和部分厚度的第二层间介质层；平坦化所述第三层间介质层、第二停止层、第一停止层和底电极薄膜，暴露出第二层间介质层之后，去除所述第三层间介质层，形成基电极和至少四个分立的存储区域。
9.如权利要求8所述的相变存储单元的形成方法，其特征在于，所述相变单元的形成步骤为形成覆盖所述第一停止层表面的第四层间介质层，所述第四层间介质层的表面与第二层间介质层表面齐平；在所述第四层间介质层表面形成光刻胶层，所述光刻胶层具有开口，所述开口的位置与后续形成的相变单元的位置相对应，以所述光刻胶层为掩膜去除底电极薄膜、第二层间介质层和第一停止层，形成第二沟槽；向所述第二沟槽内填充满相变材料。
10.如权利要求9所述的相变存储单元的形成方法，其特征在于，所述顶电极的形成步骤为形成覆盖所述相变单元、第二层间介质层和第四层间介质层的顶电极薄膜；在所述顶电极薄膜表面形成光刻胶层，所述光刻胶层的位置与顶电极的位置相对应；以所述光刻胶层为掩膜去除顶电极薄膜，形成顶电极。
11.如权利要求10所述的相变存储单元的形成方法，其特征在于，还包括以所述光刻胶层为掩膜去除第一层间介质层、第二层间介质层、第一停止层和第四层间介质层。
全文摘要
本发明的实施例提供了一种相变存储单元，包括二极管；与所述二极管电连接的至少四个分立的底电极；与所述底电极一一对应电连接的相变单元。本发明实施例的相变存储单元在现有技术用于容纳多个二极管的空间中容纳一个大的二极管，所述大的二极管与多个相变单元相对应，由于所述大的二极管的横截面积增大，能够提供更高的驱动电流，增强了二极管的驱动能力，从而满足存储功能的需求，且本发明实施例的相变存储单元的形成工艺简单。
文档编号H01L21/82GK102800805SQ20111013666
公开日2012年11月28日 申请日期2011年5月25日 优先权日2011年5月25日
发明者徐成, 吴关平, 朱南飞, 任佳栋 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司