专利名称：基板处理系统和基板处理方法
技术领域：
本发明涉及对基板进行包括光刻工序的处理的基板处理系统和基板输送方法。
背景技术：
在半导体装置的制造过程中，应在半导体晶片(以下记作“晶片”)上形成图案，再进行光刻工序。在光刻工序中进行如下处理，即，晶片的抗蚀剂涂敷处理、对抗蚀剂涂敷之后的晶片使用曝光掩膜进行曝光的曝光处理、和对曝光之后的晶片进行显像处理的显像处理。半导体装置制造过程的光刻工序通过与工厂内的载体的自动输送系统连接的抗蚀剂图案形成系统实施。在载体内收纳有由多枚同种晶片组成的批量。而且，上述抗蚀剂图案形成系统构成为将进行抗蚀剂涂敷涂敷装置进行显像的显像装置和曝光装置排成一列进行连接，从载体搬出的晶片W按照涂敷、显像装置一曝光装置一涂敷、显像装置的顺序进行交接并接受处理，进行一系列的光刻处理。然而，在这种抗蚀剂图案形成系统中，如果确定载体的输送目的地的系统，则使用的涂敷装置、显像装置、曝光装置也唯一地确定。因此，这些涂敷装置、显像装置、曝光装置当中，在任何一个装置产生故障，则晶片的处理延迟，则对其他的处理装置也产生影响，使抗蚀剂图案形成系统整体的处理效率降低。特别是，由于曝光装置的运用方面需要较高的成本，所以若如此使处理效率降低，则浪费的成本变大，这不是有利的办法。因此，如专利文献1所示，可以考虑将涂敷装置、显像装置、曝光装置分别作为独立的处理装置加以构成，并以通过自动输送系统依次在各处理装置之间输送载体的方式构成基板处理系统。然而，在光刻工序中，在进行完一个处理之后，若在规定的时间之间不进行其后面的处理，则会使产品的品质降低，或其后面的处理不能正常进行。若是发生上述状况，则需要进行称为再加工的晶片的再生处理，会增加成本。但是，在上述基板处理系统中，当通过载体1向曝光装置搬入在涂布装置进行过抗蚀剂涂敷之后的晶片Wl时，在该曝光装置中先进行输送至曝光装置的载体2的晶片102 的处理，或者进行维修，或者突发地在装置产生不良，由此，具有在晶片Wl涂敷之后在规定的时间内不能进行曝光处理的问题。在专利文献1中，关于这样的问题并未记载，也没能解决该问题。现有技术文献专利文献1 日本特开2007-3；3562
发明内容
发明想要解决的问题本发明是鉴于以下情况而完成的，其目的在于提供能够在光刻工序中提高总处理能力并且防止对基板进行浪费的处理的基板处理系统和基板处理方法。本发明的基板处理系统，从按照批量收纳基板的载体取出基板并进行处理，该基板处理系统的特征在于，包括如下特征(1)具备处理装置组，该处理装置组具有用于对基板形成抗蚀剂膜的多个涂敷装置；用于对基板上的抗蚀剂膜进行曝光的多个曝光装置、和用于通过显像液对曝光后的基板进行显像的多个显像装置；(2)所述涂敷装置、曝光装置和显像装置分别具有搬入搬出载体的搬入搬出台、 用于使载体待机的载体待机部、在所述搬入搬出台和载体待机部之间移载载体的载体移载机、对载置在所述搬入搬出台的载体交接基板的交接机构；和对通过该交接机构交接的基板进行目标的处理的处理部；(3)设置有相对于处理装置组共用的用于从自动输送装置接受载体的搬入栈、和相对于处理装置组共用的用于向自动输送装置交接载体的搬出栈；(4)设置有在彼此邻接的处理装置之间输送载体的专用的输送机构；(5)设置有对所述处理装置组进行管理并且对所述载体移载机和所述专用的输送结构进行控制的群组控制器；以及(6)设置有向群组控制器发送关于通过所述自动输送装置输送的载体内的基板的处理方案的主机，其中(7)所述群组控制器具有用于实行以下步骤的程序(7-1)当依次通过多个处理装置对搬入所述搬入栈的载体内的基板进行处理时， 根据基板的处理方案和各处理装置的处理状况，决定在最终的处理装置中处理结束的时刻最早的处理装置的组合的步骤；(7-2)在所决定的处理装置的组合中，根据基板的处理方案和各处理装置的处理状况，计算从预先决定的一个处理装置的批量的处理结束时刻开始，到针对该批量而预先决定的下游一侧的处理装置的处理开始时间为止的预测经过时间，当预测经过时间超过设定时间时，以将预测经过时间缩减至设定时间内的方式，决定向所述一个处理装置或该一个处理装置的上游侧的处理装置交付基板的时间的步骤；和(7-3)将收纳有经过所述多个处理装置进行的一系列的处理结束后的基板搬出至搬出栈的步骤。本发明的另外的基板处理系统，从按照批量收纳有基板的载体取出基板并进行处理，该基板处理系统的特征在于，包括如下特征(1)具备处理装置组，该处理装置组具有用于对基板形成抗蚀剂膜的多个涂敷装置、用于对基板上的抗蚀剂膜进行曝光的多个曝光装置、和用于通过显像液对曝光后的基板进行显像的多个显像装置；(2)所述涂敷装置、曝光装置和显像装置分别具有搬入搬出载体的搬入搬出台、 用于使载体待机的载体待机部、在所述搬入搬出台和载体待机部之间移栽载体的载体移载机、对载置在所述搬入搬出台的载体交接基板的交接机构、和对通过该交接机构交接的基板进行目标的处理的处理部；(3)设置有对所述处理装置组进行管理并且对所述载体移载机进行控制的群组控制器；以及(4)设置有向群组控制器发送关于通过所述自动输送装置输送的载体内的基板的处理方案的主机，其中
(5)所述群组控制器具有用于实行以下步骤的程序(5-1)当依次通过多个处理装置对由自动输送装置输送的载体内的基板进行处理时，根据基板的处理方案和各处理装置的处理状况，决定在最终的处理装置中处理结束的时刻最早的处理装置的组合的步骤；(5-2)在所决定的处理装置的组合中，通过自动输送装置向最初的处理装置的载体待机部搬入载体的步骤；(5-3)通过自动输送装置，依次从上游侧的处理装置的载体待机部向下游侧的处理装置的载体待机部输送载体的步骤；(5-4)在所决定的处理装置的组合中，根据基板的处理方案和各处理装置的处理状况，计算从预先决定的一个处理装置的批量的处理结束时刻开始到针对该批量而预先决定的下游侧的处理装置的处理开始时间为止的预测经过时间，当预测超过设定时间时，以将预测经过时间缩减至设定时间内的方式，决定向所述一个处理装置或该一个处理装置的上游侧的处理装置交付基板的时间的步骤；以及(5-5)通过自动输送装置，从进行完最终处理的处理装置的载体待机部搬出收纳有结束了一系列的处理的基板的载体的步骤。上述的基板处理系统的具体的方式如下。a)进一步根据各处理装置中的维修信息决定上述处理装置的组合和上述预测经过时间。b)上述处理装置组包括对由显像装置显像的基板进行检查的多个检查装置，上述检查装置包括搬入搬出载体的搬入搬出台；用于使载体待机的载体待机部；在上述搬入搬出台和载体待机部之间移栽载体的载体移栽部；对载置在上述搬入搬出台的载体交接基板的交接机构；和对通过该交接机构交接的基板进行检查的检查部。c)上述处理装置组包括对由显像装置显像的基板进行洗净的多个洗净装置，上述洗净装置包括搬入搬出载体的搬入搬出台；用于使载体待机的载体待机部；在上述搬入搬出台和载体待机部之间移栽载体的载体移栽部；对载置在上述搬入搬出台的载体交接基板的交接机构；和对通过该交接机构交接的基板进行洗净的洗净部。本发明的基板处理方法，为基板处理系统的处理方法，该处理系统包括处理装置组，该处理装置组具有用于对基板形成抗蚀剂膜的多个涂敷装置、用于对基板上的抗蚀剂膜进行曝光的多个曝光装置、和用于通过显像液对曝光后的基板进行显像的多个显像装置，所述涂敷装置、曝光装置和显像装置分别具有搬入搬出载体的搬入搬出台、用于使载体待机的载体待机部、在所述搬入搬出台和载体待机部之间移栽载体的载体移载机； 对载置在所述搬入搬出台的载体交接基板的交接机构；和对通过该交接机构交接的基板进行目标的处理的处理部，该基板处理方法的特征在于，包括通过自动输送装置，将按照批量收纳有基板的载体搬入处理装置组的共用的搬入栈的工序；从主机向群组控制器发送关于通过自动输送装置运送的载体内的基板的处理方案的工序；
当依次通过多个处理装置对由被搬入所述搬入栈的基板进行处理时，所述群组控制器根据基板的处理方案和各处理装置的处理状况，决定在最终的处理装置中处理结束的时刻最早的处理装置的组合的工序；在所决定的所述处理装置的组合中，根据基板的处理方案和各处理装置的处理状况，计算从预先决定的一个处理装置的批量的处理结束时刻开始到针对该批量而预先决定的下游侧的处理装置的处理开始时间为止的预测经过时间的工序；当预测经过时间超过设定时间时，所述群组控制器以将预测经过时间缩短至设定时间内的方式，决定向所述一个处理装置或该一个处理装置的上游侧的处理装置交付基板的时间的工序；通过在彼此相邻的处理装置之间输送载体的专用的输送机，向下游侧的处理装置输送收纳有经过上游侧的处理装置结束处理的基板的载体的工序；和将收纳有经过所述多个处理装置的一系列的处理结束后的基板搬出至处理装置的共用的搬出栈的工序。本发明的另外的基板处理方法，为基板处理系统的处理方法，该处理系统包括处理装置组，该处理装置组具有用于对基板形成抗蚀剂膜的多个涂敷装置、用于对基板上的抗蚀剂膜进行曝光的多个曝光装置、和用于通过显像液对曝光后的基板进行显像的多个显像装置，所述涂敷装置、曝光装置和显像装置分别具有搬入搬出载体的搬入搬出台、用于使载体待机的载体待机部、在所述搬入搬出台和载体待机部之间移栽载体的载体移载机； 对载置在所述搬入搬出台的载体交接基板的交接机构；和对通过该交接机构交接的基板进行目标的处理的处理部，该基板处理方法的特征在于，包括通过自动输送装置，对按照批量收纳有基板的载体进行输送的工序；从主机向群组控制器发送关于通过自动输送装置输送的载体内的基板的处理方案的工序；当依次通过多个处理装置对所述载体内的基板进行处理时，所述群组控制器根据基板的处理方案和各处理装置的处理状况，决定在最终的处理装置中处理结束的时刻最早的处理装置的组合的工序；通过自动输送装置，向所决定的处理装置的组合中的最上游侧的处理装置的载体待机部交接载体的工序；在所决定的处理装置的组合中，所述群组控制器根据基板的处理方案和各处理装置的处理状况，计算从预先决定的一个处理装置的批量的处理结束时刻开始到针对该批量而预先决定的下游侧的处理装置的处理开始时刻为止的预测经过时间的工序；当预测经过时间超过设定时间时，所述群组控制器以将预测经过时间缩短至设定时间内的方式，决定向所述一个处理装置或该一个处理装置的上游侧的处理装置交付基板的时间的工序；通过自动输送装置，从上游侧的处理装置的载体待机部向下游侧的处理装置的载体待机部依次输送载体的工序；和通过自动输送装置，从进行了最终处理的处理装置的载体待机部搬出收纳有结束了一系列的处理的基板的载体的工序。上述的基板处理方法的具体的方式如下。a)进一步根据各处理装置的维修信息进行上述处理装置的组合的决定和上述预测经过时间的决定。b)上述处理装置组包括对通过显像装置显像的基板进行检查的多个检查装置，上述检查装置包括搬入搬出载体的搬入搬出台；用于使载体待机的载体待机部；在上述搬入搬出台和载体待机部之间移栽载体的载体移栽部；对载置在上述搬入搬出台的载体交接基板的交接机构；和对通过该交接机构交接的基板进行检查的检查部。c)上述处理装置组包括对由显像装置显像的基板进行洗净的多个洗净装置，上述洗净装置包括搬入搬出载体的搬入搬出台；用于使载体待机的载体待机部；在上述搬入搬出台和载体待机部之间移栽载体的载体移栽部；对载置在上述搬入搬出台的载体交接基板的交接机构；和对通过该交接机构交接的基板进行洗净的洗净部。发明效果根据本发明，以最终的处理装置的批量的处理的结束时刻为较早的方式，从含有多个涂敷装置、多个曝光装置、多个显像装置的处理装置组中决定使用的处理装置的组合， 进而决定向一个处理装置或该一个处理装置的上游侧的处理装置交付基板的时间。因此， 能够提高总处理能力并且能够抑制对基板进行浪费的处理。
图1是本发明的基板处理系统的整体结构图。图2是表示构成基板处理系统的处理装置的连接的模式图。图3是处理装置组的概略图。图4是表示装载栈(Lord port装载码头)的立体图。图5是构成处理装置组的涂敷装置的俯视图。图6是构成处理装置组的曝光装置的俯视图。图7是表示装置间载体输送机构的动作的立体图。图8是表示基板处理系统的处理工序的流程图。图9是表示批量的处理状况和维修时间的时间流程图。图10是表示晶片的输送通道的模式图。图11是表示基板处理系统的处理工序的流程图。图12是表示基板处理系统的处理工序的流程图。图13是表示基板处理系统的变形例的结构图。图14是其他的基板处理系统的整体结构图。图15是表示批量的处理状况和维修时间的时间流程图。符号的说明1基板处理系统10 主机11自动输送控制部12顶部输送装置
21群组控制器
25主存储器
31选择程序
32交付控制程序
33载体输送控制程序
40处理装置组
4A、4B涂敷装置
5A、5B、5C曝光、加热装置
6A、6B显像装置
71专用输送通道
72载体站
81装置间载体输送单元
82装置内载体输送单元
具体实施例方式(第一实施方式)图1是作为本发明的实施方式的基板处理系统1的整体结构图。基板处理系统1 由处理装置40组构成，在处理装置之间对载体C进行输送，在晶片W上形成抗蚀剂图案。在一个载体C收纳有多枚相同种类的晶片W，将该同种的晶片W称为批量。基板处理系统1包括主机10、群组控制器21、顶部输送装置12、和上述处理装置组40。处理装置组40包括 涂敷装置4A、4B ；曝光、加热装置5A 5C ；和显像装置6A、6B。主机10通过自动输送控制部11与顶部输送装置12连接。另外，主机10与群组控制器21连接，在群组控制器21的下游侧与处理装置组40连接。从群组控制器21观看， 构成处理装置组40的涂敷装置4A、4B ；曝光、加热装置5A 5C ；和显像装置6A、6B分别并列地连接。进而，主机10在基板处理系统1的上游侧与对晶片W进行处理的上游侧装置连接。晶片W以收纳在载体C的状态从上游侧装置输送至基板处理系统1。当在上游侧装置的批量处理结束时，上游侧装置将表示其结束的信号发送至主机10。主机10包括程序13和存储器14。程序13编排有步骤组，以能够对基板处理系统1的动作进行控制，进行载体C和晶片W的输送和对于晶片W的各种处理。在上述存储器14收纳有关于形成在晶片W的抗蚀剂膜的膜厚和抗蚀剂图案的线宽等设定的各种的方案。与各方案相关联地存储有在处理装置组40用于对晶片W进行处理的参数。上述参数例如包括在各处理装置供给的药液的供给量、药液的供给时间、晶片W的加热温度和曝光时的照度等。基板处理系统1的用户从设置在主机10的未图示的输入部，将批量与对该批量进行处理的方案相关联地进行设定。然后，对群组控制器(群体控制器)21进行说明。图中22是总线，总线22与进行各种运算的CPU23、程序收纳部M和主存储器25连接。程序收纳部M包括各处理装置的选择程序31、批量的交付控制程序32和载体输送控制程序33，各程序例如以收纳在硬盘、 软盘、磁盘或存储卡等的存储介质的状态收纳在程序收纳部M。处理装置的选择程序31根据后述的装置内的模块的调整所需要的时间、各处理装置的维修状况或处理状况，决定载体C的输送目的地。在涂敷装置4A、4B或曝光、加热装置5A 5C之间等对晶片W进行相同处理的相同的处理装置之间，决定将载体C输送至哪个处理装置。批量的交付控制程序32，对后述的预测经过时间进行运算，基于该运算结果，对从输送至涂敷装置4A、4B的载体C向这些涂敷装置4A、4B开始交付晶片W的时间进行控制。 载体输送控制程序33具有向通过处理装置的选择程序31所选择的处理装置输送载体C的作用，对后述的载体输送单元81、82的动作进行控制，并对在处理装置间和处理装置内的载体C的交接进行控制。在主存储器25设置有方案收纳部34和状况信息数据收纳部35。在方案收纳部 34彼此对应地收纳有从主机10发送来的批量的ID ；对于该批量设定的方案；与该方案对应的处理参数；和构成批量的晶片W枚数等的附加信息。状况信息数据实时地从各处理装置发送给群组控制器21，收纳在上述状况信息数据收纳部35，并且更新所收纳的状况信息数据。该状况信息数据包含各处理装置的处理状况、维修信息和装置内的模块的调整所需要的时间。上述处理状况包括处理装置是否运行的数据、在未运行的情况下再次开始运行的时刻、到现在处理中的载体的处理结束为止的时间、从该时间开始进行处理的载体的处理时间。维修信息包含对处理装置进行维修的时刻、从上述维修开始至该维修结束为止的时间。到现在处理中的载体的处理结束为止的时间是从现在时刻开始包含在该载体的批量的最后的晶片W返回至载体C为止的时间与该载体的交付时间的合计。载体的处理时间是从批量的最开始的晶片搬入装置开始到批量的最后的晶片返回至载体为止的时间与载体的交付时间以及载体的准备时间的合计。关于载体的准备时间和交付时间在后面叙述。装置内的模块的调整所需要的时间是在处理装置结束一个批量的处理之后，为了进行后续的批量的处理用于对各模块的环境进行调整所需要的时间。该模块环境的调整包括例如通过加热模块对加热晶片W的热板的温度进行调整，和对曝光、加热装置5的曝光照度进行调整。该调整所需要的时间，例如各处理装置根据在该调整的前后对进行处理的批量设定的方案决定。然后，关于处理装置组40进行说明。图2表示涂敷装置4A、4B、曝光装置5A、5B、 5C、显像装置6A、6B的配置的布局。如该图所示，涂敷装置4A、4B、曝光、加热装置5A、5B、5C、 显像装置6A、6B以该顺序排列成一列。而且，各装置间通过载体C的专用输送通道71连接。在图3中为了方便说明将图2的处理装置组40的结构简化，仅仅表示涂敷装置 4A、曝光、加热装置5A和显像装置6B。各处理装置包括用于搬入载体C的载体站72。载体站72包括装载栈73，通过上述专用输送通道71连接相邻的处理装置间的装载栈73、73。图 4表示以该方式彼此连接的两个装载栈73、73的正面。在装载栈73设置有成为搬入搬出台的载体载置部74，载体载置部74包括保持载体C的保持机构。载体载置部74在进行载体 C的交接的后退位置和从载体C向载体站72内交付晶片W的前进位置之间前进和后退。上述载体C的准备时间是从载体载置部74在后退位置接受载体C开始到移动至前进位置交付晶片W为止的时间，在该准备时间通过载体载置部74的保持机构保持载体C， 打开载体C的盖，并对载体载置部74所载置的载体C的高度的位置进行调整。上述载体C的排出时间是从全部的晶片W返回至载体C开始到移动至后退位置为止的时间，在该期间关闭载体C的盖，并解除上述保持机构对载体C的保持。在载体载置部74的上方侧设置有架部75、76，这些架部75、76包括成为使搬入处理装置的载体C暂时退避的载体待机部的退避区域70。当载体载置部74被占用时，被搬入处理装置的载体C退避至退避区域70，直到载体载置部74空出为止。而且，按照输送至处理装置的顺序，载体C从退避区域70被输送至载体载置部74。另外，在除去涂敷装置4A 之外的处理装置中，架部76的涂敷装置4A侧构成为用于从与该涂敷装置4A相邻的处理装置接受载体C的搬入栈77。在除去涂敷装置4A之外的各处理装置中，各处理装置的架部76的涂敷装置4A侧构成为用于从与该涂敷装置4A相邻的处理装置接受载体C的搬入栈77。另外，如图3所示，替代搬入栈77，在涂敷装置4A设置有用于从顶部输送装置12接受载体C的共用搬入栈 78。在除去显像装置6B之外的各处理装置中，各处理装置的架部76的显像装置6B侧设置有成为用于对与该显像装置6B侧相邻的处理装置交接载体C的载体移载机的装置间载体输送单元81。另外在显像装置6B的架部76上，替代如图3所示的装置间载体输送单元81，设置有用于对顶部输送装置12交接载体C的共用搬入栈79。另外，装载栈73包括装置内载体输送单元82。该载体输送单元82包括沿升降轴 83升降自由的基部84和与该基部84连接并相对该基部84绕铅直轴旋转自由的多关节的输送臂85。该升降轴83沿导轨86在横方向移动自由。通过载体输送单元82，在架部75、 76的退避区域70、装置间载体输送单元81和载体载置部74之间交接载体C。图4中的箭头的位置表示为了以该方式进行交接，输送臂85保持载体C的状态。对顶部输送装置12进行说明。顶部输送装置12包括在图3中虚线所示的轨道14 和输送装置主体15，输送装置主体15沿轨道14移动。虽然省略图示，但是输送装置主体15 包括把持载体C的把持部，从上游侧的装置将载体C输送至涂敷装置4A的共用搬入栈78， 并且从设置在显像装置6B的共用搬出栈79搬出载体C。接着，参照图5对涂敷装置4A进行说明。设置在涂敷装置4A的载体站72与处理站101连接。设置在载体站72内的输送臂102，在载置于载体载置台74的载体C和设置在处理站101的交接模块103之间交接晶片W。在处理站101中的周方向设置有交接模块 103、叠层为多段的涂敷模块104、和叠层为多段的加热模块105。另外，以被这些模块包围的方式设置有主输送臂106。主输送臂106构成为自由地升降、转动和进退，在各模块之间交接晶片W。涂敷模块104向晶片W供给作为药液的抗蚀剂，形成抗蚀剂膜。涂敷装置4B 由于与涂敷装置4A同样地构成，所以省略详细的说明。显像装置6A、6B包括与涂敷模块104相对应的显像模块107，在该显像模块107 中，替代向晶片W供给抗蚀剂，而向晶片W供给显像液。另外，设置有与涂敷装置4的加热模块105对应的加热模块108。除去这些不同之处之外，显像装置6A、6B与涂敷装置4A同样地构成。然后，参照图6对曝光、加热装置5A进行说明。曝光、加热装置5A具有的载体站 72与处理站111连接，设置在载体站72内的输送臂102，在载置于载体载置台74的载体C 和设置在处理站111的交接模块113之间交接晶片W。在处理站111中，沿周方向设置有交接模块113、叠层为多段的涂敷模块114、和交接模块115，以被这些模块包围的方式设置有主输送臂116。主输送臂116构成为自由地升降、转动、进退，在各模块之间交接晶片W。处理站 111经由连接块117与曝光装置118连接。连接臂119在交接模块115和曝光装置118之间交接晶片W。曝光、加热装置5B、5C与曝光、加热装置5A同样地构成。参照图7，对在处理装置组40的各处理装置之间交接载体C进行说明。上述装置间载体输送单元81构成为多关节臂，通过装置内载体输送单元82在臂的前端部交接载体 C，其前端部以保持有载体C的状态，向与显像装置6侧相邻的处理装置的搬入栈77移动。 搬入栈77例如包括升降自由的支撑销81a，通过支撑销81a和装置间载体输送单元81的协同作业向上述搬入栈77交接载体C。载体输送单元81、82和搬入栈77的电源和控制器，与设置有这些输送单元和栈的处理装置的电源和控制器分离。由此，在输送载体C的通道的处理装置即使发生电源断开， 或进行维修，或突然停止处理，在该处理装置中包含未进行处理的批量的载体C，也被输送至进行下个工序的处理装置。接着，参照图8的流程对基板处理系统1的作用进行说明。在该例中，对从涂敷装置4的批量的处理结束开始至曝光加热装置的上述批量的处理开始为止的经过的时间进行控制。主机10从上游侧装置接收表示载体C的批量的处理结束了的信号(步骤Si)。主机10将信号发送至顶部输送装置12，顶部输送装置12在上游侧装置接受载体C并将载体 C搬入共用搬入栈78 (步骤S2)。主机10向群组控制器21发送上述载体C内的批量的ID、方案、与该方案对应的处理参数和晶片W的枚数等附带信息，这些数据被收纳在群组控制器21的主存储器25 (步骤 S3)。而且，群组控制器21选择能够更早地开始上述批量的处理的涂敷装置4。关于该涂敷装置4的选择，参照作为一个例子的图9的时间流程表进行说明。在上述载体C被搬入共用搬入栈78的时刻t0，例如在涂敷装置4A中已经搬入有批量A、B，在涂敷装置4B中已经搬入有批量C、D，这次新搬入基板处理系统1的批量设为批量E。另外，在涂敷装置4A、 4B中批量A、B正在处理中。群组控制器21根据到批量A、B的载体的处理结束为止的时间、在各批量处理期间模块的调整所需要的时间、批量C、D的载体的处理时间，分别运算出批量C、D的载体的处理结束的时刻tl、t2。然后，群组控制器21向涂敷装置4A、4B发送关于批量E的晶片W的枚数、方案、和处理参数等的数据。涂敷装置4A、4B根据发送来的数据运算出批量E的载体的处理时间，并且运算出模块调整所需的时间。群组控制器21接受运算出的这些信息，对在涂敷装置4A、4B分别对批量E进行处理时的批量E的载体的处理结束时刻t3、t4进行运算。在此，上述调整的开始时刻设为是批量C、D的载体的处理结束的时刻tl、t2。然后，群组控制器21对时刻tl_t3期间、时刻t2_t4期间与在各个装置进行维修的时间是否重合进行判断。若不重合，则在tl、t2之后将上述调整结束的时刻t5、t6设为批量E的处理开始时刻。当时刻tl-t3期间、时刻t2-t4期间分别与在各个装置中进行维修的时间重合时，例如从该维修结束时开始进行上述调整，重新对批量E的处理开始时刻t5、 t6进行运算。在图9的例子中，时刻tl-t3期间与在涂敷装置4A进行维修的时间重合。因此，如图箭头所示，在维修结束之后，以依次进行上述调整、批量E的载体的处理的方式，错开这些调整和载体的处理时间，运算上述处理开始时刻t5。而且，群组控制器21进行如下决定判断在涂敷装置4A中的批量E的载体的处理开始时刻t5和涂敷装置4B中的批量E的载体的处理开始时刻t6哪个为更早的时刻，而向时刻较早的涂敷装置4输送含有批量E的载体C。这样，群组控制器21，在涂敷装置4A、4B中，根据决定先在涂敷装置4A、4B进行处理的批量的处理情况，对为了分别在各涂敷装置对批量E处理而能够进行调整的时刻进行检测。并且，对在涂敷装置中该批量E的调整时间和批量E的处理时间与维修时间是否重合进行判定。当判定为重合时，则错开在维修结束时刻进行调整的时刻，对在各装置4A、4B 能够进行批量E的处理的时刻进行检测，根据该时刻决定批量E的输送目的地。虽然对涂敷装置4的决定方法进行了说明，但是群组控制器21，即使针对曝光、加热装置5和显像装置6，也与涂敷装置4同样地根据各处理装置的处理状况、维修信息和调整时间，决定批量E的载体C的处理开始时刻。而且，决定为将批量E的载体C输送至曝光、 加热装置5A 5C中处理开始时刻最早的装置。另外，决定为将批量E的载体输送至显像装置6A 6B中处理开始时刻最早的装置(步骤S4)。即，以能够最早结束批量E的处理的方式选择处理装置。群组控制器21，以发送至有步骤S4选择出的各处理装置的批量E的处理参数进行处理的方式发出指示。而且，从共用搬入栈77经由载体输送单元81和82将载体C输送至选择的涂敷装置4 (图9的情况下是涂敷装置4B)的载体载置台74或退避区域70 (步骤 S5)。当将载体C输送至退避区域70时，在载体载置台74空出之后，载体C被输送至该载体载置台74。然后，群组控制器21对选择出的涂敷装置4的批量E的载体的处理结束蚀刻(在图9的例中，时刻t4是批量E的处理结束时刻)与选择出的曝光、加热装置5的批量E的处理开始时刻的差进行运算，运算出从涂敷处理结束到曝光处理开始为止的预测经过时间 Tal (步骤 S6)。然后，群组控制器21对上述预测经过时间Tal是否在设定的时间TaO以内进行判定(步骤S7)。当在步骤S7判定预测经过时间Tal在设定的时间TaO以内时，在选择的处理装置4，批量E之前的批量(在图9中批量D)的载体的处理、和用于处理批量E的模块的调整依次结束，在能够处理批量E的载体的时刻，开始对该载体进行处理(步骤S8)。当在步骤S7判定预测经过时间Ta不在设定的时间TaO以内时，从能够处理批量E的时刻开始经过(Tal-TaO)之后，开始该载体E的处理(步骤S9)。下面，参照表示晶片W的输送通道的图10进行说明。从载体C交付的晶片W在涂敷装置4中以交接模块103 —涂敷模块104的顺序输送，在涂敷模块104对晶片W涂敷抗蚀剂。然后，晶片W在加热模块105接受加热处理，并以交接模块103 —载体C的顺序输送。如果在涂敷装置4对于载体C内的全部的晶片W的处理结束，则载体C通过输送单元81、82向选择的曝光、加热装置5的载体载置部74输送上述载体C。若在曝光、加热装置5能够开始对晶片W进行处理，则从载体C依次交付晶片W。上述晶片W按照交接模块 113 —交接模块115 —曝光装置118的顺序被输送，接受曝光处理。接受过曝光处理的晶片W按照交接模块115 —加热模块114的顺序被输送，在加热模块114进行加热处理(后暴露烘干)。接受过加热处理的晶片W经由交接模块113返回至载体C。然后，载体C输送至选择出的显像装置6。而且，从载体C交付的晶片W按照显像装置6的交接模块103 —显像模块107的顺序输送，供给显像。然后，晶片W在加热模块 108接受加热处理(后烘干)，并以交接模块103 —载体C的顺序输送(步骤S10)。全部的批量E的晶片W输送至载体C之后，载体C被输送至共用搬出栈79 (步骤 Sll)，群组控制器21向主机10输出表示已经能够准备搬出载体C的意思的信号。主机10 向顶部输送装置12发送信号，顶部输送装置12通过共用搬出栈79接受载体C，并向下游侧的装置输送该载体C (步骤S12)。采用该基板处理系统1，群组控制器21根据处理装置的批量的处理情况和维修情况，在相同种类的处理装置中选择批量的处理的开始时刻较早的装置。由此，例如与在涂敷、显像装置连接有曝光装置的基板处理系统相比，能够以上述的方式按照处理装置的情况选择批量的输送目的地，所以在各处理装置能够高效地进行批量的处理，能够提高总处理能力。另外，计算从在选择的涂敷装置4的处理结束时刻到曝光处理开始时刻为止的预测经过时间Tal，根据该预测经过时间对晶片W的交付进行控制。因此，能够对向晶片W涂敷抗蚀剂之后，到曝光为止的时间变长进行抑制，能够防止对晶片W进行无用的处理，能够降低成本。在该基板处理系统1中，顶部输送装置12仅仅在搬入共用搬入栈78时和从共用搬出栈79搬出时的两次，访问一个载体C。而且，在各处理装置之间，载体C通过基板处理系统1的专用的装置间载体输送单元81进行交接。因此，由于与顶部输送装置12对每个处理装置搬入搬出晶片W的情况相比，顶部输送装置12的负载变轻，并且不根据顶部输送装置12的动作情况能够在处理装置间输送载体C，所以能够提高总处理能力。下面，图11表示第一实施方式的第一变形例的流程。在该变形例中，替代对从抗蚀剂涂敷处理结束之后至曝光处理开始为止的预测经过时间进行控制，而对从曝光、加热处理结束后至显像处理开始为止的预测经过时间进行控制。首先，按照已述的步骤Sl S5 进行处理。而且，与第一实施方式相同，群组控制去21根据各处理装置的处理状况、维修信息和调整时间，对任意的批量的载体C的曝光、加热装置的处理结束时刻和显像处理开始时刻进行运算。进而，对从上述曝光加热处理结束时刻至显像处理开始时刻为止的预测经过时间Tbl进行运算(步骤S101)。然后，群组控制器21对运算出的预测经过时间Tbl是否在预先设定的时间TbO以内进行判定(步骤S102)。当在步骤S102判定预测经过时间Tbl在预先设定的时间TbO以内时，在上述载体 C能够进行处理的时刻，在选择出的涂敷装置4开始对批量进行处理(步骤S103)。当在步骤S103判定预测经过时间Tbl未在预先设定的时间TbO以内时，从上述载体C能够进行处理的时刻经过(Tbl-Tbo)之后开始对批量E进行处理(步骤S104)。然后，按照已述的步骤 SlO S12进行处理。图12表示第一实施方式的第二变形例的流程。在该第二变形例中，对从抗蚀剂涂敷处理结束之后至曝光处理开始为止的预测经过时间和曝光、加热处理结束之后至显像处理开始为止的预测经过时间的双方进行控制。首先，按照已述的步骤Sl S5进行处理，然后群组控制器21与第一实施方式的步骤S6同样，根据各处理装置的处理状况、维修信息和调整时间，对任意的批量的载体C在涂敷装置中的处理结束时刻至曝光开始时刻为止的预测经过时间Tal进行计算。另外，群组控制器21与第一实施方式的步骤SlOl同样，对从曝光加热处理结束时刻至显像处理开始时刻为止的预测经过时间Tbl进行运算(步骤S201)。然后，群组控制器21对运算出的预测经过时间Tal是否在预先设定的时间TaO以内进行判定。进而，对预测经过时间Tbl是否在预先设定的时间TbO以内进行判定(步骤 S202)。当判定为预测经过时间Tal在预先设定的时间TaO以内且预测经过时间Tbl在预先设定的时间TbO以内时，在选择出的涂敷装置4能够对上述批量进行处理的时刻，开始对该批量进行处理(步骤S203)。当预测经过时间Tal超过预先设定的时间TaO或预测经过时间Tbl超过预先设定的时间TbO时，群组控制器21对该超过的时间进行运算。而且，在选择了的涂敷装置4变成能够对上述批量进行处理的时刻开始，在经过了运算过的时间之后时，开始对批量进行处理(步骤S204)。当判定预测经过时间Tal超过预先设定的时间TaO，或预测经过时间Tbl超过预先设定的时间TbO时，群组控制器21对各预测经过时间Tal、Tbl分别运算所超过的时间。而且，当从能够对上述批量进行处理的时刻经过了超过的时间较长的一方的时间之后，在选择出的涂敷装置4开始对该批量进行处理(步骤S204)。然后，按照上述的步骤SlO S12 进行处理。在基板处理系统1中，针对批量，例如用户能够任意地选择以上述的方式对从哪个工序的处理结束至哪个工序的处理开始为止的时间进行控制。(第二实施方式)图13表示第二实施方式的基板处理系统121的布局。按照涂敷装置4A、4B、曝光装置5A、5B、显像装置6A、6B、检查装置7A、7B的顺序连接。检查装置7A、7B包括对显像后的晶片W的表面状态进行检查的检查模块，检查装置7A、7B除了在处理站101搭载上述检查模块来替代涂敷模块之外，与涂敷装置4A同样地构成。显像后的晶片W通过检查装置7A或7B检查。载体C从涂敷装置4A侧向检查装置 7B侧输送，在检查装置7B的载体站72设置有共用搬出栈79。在该基板处理系统121中，与基板处理系统1同样地从各装置将维修信息、晶片W 的处理状况和根据方案而决定的调整时间发送至群组控制器21，群组控制器21根据这些， 决定批量的输送目的地。有关涂敷装置4、曝光、加热装置5、显像装置6之外的检查装置， 对于要将批量输送至7A、7B的那一个，也决定为处理开始时刻较早的一方。然后，与第一实施方式同样地控制向涂敷装置4交付批量。在该基板处理系统121中，与第一实施方式的各例同样地，对检查装置的处理开始时刻和其上游侧的处理装置的处理结束时刻之间的预测经过时间进行运算，能够以根据该预测经过时间向涂敷装置送出晶片W的方式进行控制。可以替代检查装置7A、7B设置对显像处理之后的晶片W进行洗净处理的多个洗净装置。洗净装置除了具有向晶片W供给洗净液进行洗净的洗净模块替代检查模块之外，其他是与检查装置7A、7B是相同的结构。洗净装置可以设置在检查模块7A、7B的上游，也可以设置在检查模块7A、7B的下游。群组控制器21和主机10的连接并不限制于图1的例子，也可以如图14所示的方式连接。在该例中，群组控制器21在主机10的下游与处理装置组40并列连接。在该例中， 从主机10向群组控制器21和处理装置组发送批量的ID、批量的方案和处理参数。当群组控制器21发生了故障时，虽然不能对上述那样的根据处理装置40的选择、预测经过时间的批量的交付进行控制，但是处理装置组40能够独立动作，在处理装置之间输送晶片W，进行处理。虽然在上述各例中设置有装置间载体输送机构81，但是能够使用顶部输送装置 12替代设置这样的载体输送机构在各装置间输送载体C。例如，在各处理装置设置搬出栈来替代载体输送机构81，将在处理装置完成处理的载体C输送至该搬出栈。而且，顶部输送装置12从上述搬出栈接受载体C，可以将该载体C载置到选择出的下游的处理装置的搬入栈77。例如，在各实施方式中，与各处理装置的维修时间无关，群组控制其21根据批量的处理状况和调整时间，决定批量的输送目的地的处理装置，进而可以对从载体C交付晶片W进行控制。以下，对这样的一个例子进行说明。在该例中，与第一实施方式同样地对从在涂敷装置4的处理之后至曝光、加热装置5的处理开始为止的时间进行控制。如第一实施方式的图9所示，当设定批量A 批量D的处理时间和用于对各批量 C 批量E进行处理的调整时间时，若不考虑维修时间，批量E能够处理的时刻在涂敷装置 4A的一方较早，因此群组处理器21决定为将批量E的载体输送至该涂敷装置4A。并且，按照上述的步骤S5 S6，将批量E的载体输送至涂敷装置4A，运算预测经过时间Tal。在此，在各涂敷装置4中，当例如维修时间与批量的调整时间和处理时间重合时， 则以将维修的开始时刻与该批量的处理结束时刻错开的方式进行变更。具体而言，关于上述批量E，如图15(a)所示，由于涂敷装置4A的维修时间与该批量E的调整时间和处理时间重合，所以如图15(b)所示，涂敷装置4A以从批量E的处理结束的时刻t3开始维修的方式改变维修时间的设定。关于批量E，其后按照上述的S7以后的步骤进行处理。关于由该改变设定而产生的搬入的涂敷装置4A的后续的批量(在图15中是批量 F)的处理开始时刻发生改变的信息，从涂敷装置4A发送至群组控制器21。群组控制器21 根据这样更新的涂敷装置4A的处理状况，针对输送目的地未决定的后续的批量，与批量E 同样地决定输送目的地，并进行处理。即使在这样的实施方式中，也具有与上述的实施方式相同的效果，但是如第一实施方式那样，群组控制器21也参照维修时间对处理装置进行选定和对预测经过时间Tal进行运算，能够更可靠地对晶片W的交付时刻进行管理，能够抑制对晶片W进行无用的处理。
权利要求
1.一种基板处理系统，其从按照批量收纳基板的载体中取出基板并进行处理，该基板处理系统的特征在于(1)具备处理装置组，该处理装置组具有用于对基板形成抗蚀剂膜的多个涂敷装置； 用于对基板上的抗蚀剂膜进行曝光的多个曝光装置、和用于通过显像液对曝光后的基板进行显像的多个显像装置；(2)所述涂敷装置、曝光装置和显像装置各自具有搬入搬出载体的搬入搬出台、用于使载体待机的载体待机部、在所述搬入搬出台和载体待机部之间移载载体的载体移载机、 对载置在所述搬入搬出台的载体交接基板的交接机构；和对通过该交接机构交接的基板进行目标的处理的处理部；(3)设置有相对于处理装置组共用的用于从自动输送装置接受载体的搬入栈、和相对于处理装置组共用的用于向自动输送装置交接载体的搬出栈；(4)设置有在彼此邻接的处理装置之间输送载体的专用的输送机构；(5)设置有对所述处理装置组进行管理并且对所述载体移载机和所述专用的输送结构进行控制的群组控制器；以及(6)设置有向群组控制器发送由所述自动输送装置输送的载体内的基板的相关处理方案的主机，其中(7)所述群组控制器具有用于实行以下步骤的程序(7-1)当依次通过多个处理装置对搬入所述搬入栈的载体内的基板进行处理时，根据基板的处理方案和各处理装置的处理状况，决定在最终的处理装置中处理结束的时刻最早的处理装置的组合的步骤；(7-2)在所决定的处理装置的组合中，根据基板的处理方案和各处理装置的处理状况， 计算从预先决定的一个处理装置的批量的处理结束时刻开始，到针对该批量而预先决定的下游一侧的处理装置的处理开始时间为止的预测经过时间，当预测经过时间超过设定时间时，以将预测经过时间缩减至设定时间内的方式，决定向所述一个处理装置或该一个处理装置的上游侧的处理装置交付基板的时间的步骤；和(7-3)将收纳有经过所述多个处理装置进行的一系列的处理结束后的基板搬出至搬出栈的步骤。
2.一种基板处理系统，其从按照批量收纳有基板的载体取出基板并进行处理，该基板处理系统的特征在于(1)具备处理装置组，该处理装置组具有用于对基板形成抗蚀剂膜的多个涂敷装置、用于对基板上的抗蚀剂膜进行曝光的多个曝光装置、和用于通过显像液对曝光后的基板进行显像的多个显像装置；(2)所述涂敷装置、曝光装置和显像装置分别具有搬入搬出载体的搬入搬出台、用于使载体待机的载体待机部、在所述搬入搬出台和载体待机部之间移栽载体的载体移载机、 对载置在所述搬入搬出台的载体交接基板的交接机构、和对通过该交接机构交接的基板进行目标的处理的处理部；(3)设置有对所述处理装置组进行管理并且对所述载体移载机进行控制的群组控制器；以及(4)设置有向群组控制器发送由所述自动输送装置输送的载体内的基板的相关处理方案的主机，其中(5)所述群组控制器具有用于实行以下步骤的程序(5-1)当依次通过多个处理装置对由自动输送装置输送的载体内的基板进行处理时， 根据基板的处理方案和各处理装置的处理状况，决定在最终的处理装置中处理结束的时刻最早的处理装置的组合的步骤；(5-2)在所决定的处理装置的组合中，通过自动输送装置向最初的处理装置的载体待机部搬入载体的步骤；(5-3)通过自动输送装置，依次从上游侧的处理装置的载体待机部向下游侧的处理装置的载体待机部输送载体的步骤；(5-4)在所决定的处理装置的组合中，根据基板的处理方案和各处理装置的处理状况， 计算从预先决定的一个处理装置的批量的处理结束时刻开始到针对该批量而预先决定的下游侧的处理装置的处理开始时间为止的预测经过时间，当预测超过设定时间时，以将预测经过时间缩减至设定时间内的方式，决定向所述一个处理装置或该一个处理装置的上游侧的处理装置交付基板的时间的步骤；以及(5-5)通过自动输送装置，将收纳有结束了一系列的处理的基板的载体从进行了最终处理的处理装置的载体待机部搬出的步骤。
3.如权利要求1或2所述的基板处理系统，其特征在于进一步根据各处理装置中的维修信息决定所述处理装置的组合和所述预测经过时间。
4.如权利要求1至3中任一项所述的基板处理系统，其特征在于所述处理装置组包括对由显像装置显像的基板进行检查的多个检查装置， 所述检查装置包括搬入搬出载体的搬入搬出台；用于使载体待机的载体待机部；在所述搬入搬出台和载体待机部之间移栽载体的载体移栽部；对载置在所述搬入搬出台的载体交接基板的交接机构；和对通过该交接机构交接的基板进行检查的检查部。
5.如权利要求1至4中任一项所述的基板处理系统，其特征在于所述处理装置组包括对由显像装置显像的基板进行洗净的多个洗净装置， 所述洗净装置包括搬入搬出载体的搬入搬出台；用于使载体待机的载体待机部；在所述搬入搬出台和载体待机部之间移栽载体的载体移栽部；对载置在所述搬入搬出台的载体交接基板的交接机构；和对通过该交接机构交接的基板进行洗净的洗净部。
6.一种基板处理方法，其为基板处理系统的处理方法，该处理系统包括处理装置组，该处理装置组具有用于对基板形成抗蚀剂膜的多个涂敷装置、用于对基板上的抗蚀剂膜进行曝光的多个曝光装置、和用于通过显像液对曝光后的基板进行显像的多个显像装置，所述涂敷装置、曝光装置和显像装置分别具有搬入搬出载体的搬入搬出台、用于使载体待机的载体待机部、在所述搬入搬出台和载体待机部之间移栽载体的载体移载机；对载置在所述搬入搬出台的载体交接基板的交接机构；和对通过该交接机构交接的基板进行目标的处理的处理部，该基板处理方法的特征在于，包括通过自动输送装置，将按照批量收纳有基板的载体搬入处理装置组的共用的搬入栈的工序；从主机向群组控制器发送由自动输送装置运送的载体内的基板的相关处理方案的工序；当依次通过多个处理装置对由被搬入所述搬入栈的载体内基板进行处理时，所述群组控制器根据基板的处理方案和各处理装置的处理状况，决定在最终的处理装置中处理结束的时刻最早的处理装置的组合的工序；在所决定的所述处理装置的组合中，根据基板的处理方案和各处理装置的处理状况， 计算从预先决定的一个处理装置的批量的处理结束时刻开始到针对该批量而预先决定的下游侧的处理装置的处理开始时间为止的预测经过时间的工序；当预测经过时间超过设定时间时，所述群组控制器以将预测经过时间缩短至设定时间内的方式，决定向所述一个处理装置或该一个处理装置的上游侧的处理装置交付基板的时间的工序；通过在彼此相邻的处理装置之间输送载体的专用的输送机，向下游侧的处理装置输送收纳有经过上游侧的处理装置结束处理的基板的载体的工序；和将收纳有结束了所述多个处理装置进行的一系列的处理结束后的基板搬出至处理装置的共用的搬出栈的工序。
7. 一种基板处理方法，其为基板处理系统的处理方法，该处理系统包括处理装置组，该处理装置组具有用于对基板形成抗蚀剂膜的多个涂敷装置、用于对基板上的抗蚀剂膜进行曝光的多个曝光装置、和用于通过显像液对曝光后的基板进行显像的多个显像装置，所述涂敷装置、曝光装置和显像装置分别具有搬入搬出载体的搬入搬出台、用于使载体待机的载体待机部、在所述搬入搬出台和载体待机部之间移栽载体的载体移载机；对载置在所述搬入搬出台的载体交接基板的交接机构；和对通过该交接机构交接的基板进行目标的处理的处理部，该基板处理方法的特征在于，包括通过自动输送装置，对按照批量收纳有基板的载体进行输送的工序； 从主机向群组控制器发送关于通过自动输送装置输送的载体内的基板的处理方案的工序；所述群组控制器根据基板的处理方案和各处理装置的处理状况，决定当依次通过多个处理装置对所述载体内的基板进行处理时，在最终的处理装置中处理结束的时刻最早的处理装置的组合的工序；通过自动输送装置，向所决定的处理装置的组合中的最上游侧的处理装置的载体待机部交接载体的工序；在所决定的处理装置的组合中，所述群组控制器根据基板的处理方案和各处理装置的处理状况，计算从预先决定的一个处理装置的批量的处理结束时刻开始到针对该批量而预先决定的下游侧的处理装置的处理开始时刻为止的预测经过时间的工序；当预测经过时间超过设定时间时，所述群组控制器以将预测经过时间缩短至设定时间内的方式，决定向所述一个处理装置或该一个处理装置的上游侧的处理装置交付基板的时间的工序；通过自动输送装置，从上游侧的处理装置的载体待机部向下游侧的处理装置的载体待机部依次输送载体的工序；和通过自动输送装置，从进行了最终处理的处理装置的载体待机部搬出收纳有结束了一系列的处理的基板的载体的工序。
8.如权利要求6或7所述的基板处理系统，其特征在于进一步根据各处理装置的维修信息进行所述处理装置的组合的决定和所述预测经过时间的决定。
9.如权利要求6至8中任一项所述的基板处理系统，其特征在于 所述处理装置组包括对通过显像装置显像的基板进行检查的多个检查装置，所述检查装置包括搬入搬出载体的搬入搬出台；用于使载体待机的载体待机部；在所述搬入搬出台和载体待机部之间移栽载体的载体移栽部；对载置在所述搬入搬出台的载体交接基板的交接机构；和对通过该交接机构交接的基板进行检查的检查部。
10.如权利要求6至9中任一项所述的基板处理系统，其特征在于 所述处理装置组包括对由显像装置显像的基板进行洗净的多个洗净装置，所述洗净装置包括搬入搬出载体的搬入搬出台；用于使载体待机的载体待机部；在所述搬入搬出台和载体待机部之间移栽载体的载体移栽部；对载置在所述搬入搬出台的载体交接基板的交接机构；和对通过该交接机构交接的基板进行洗净的洗净部。
全文摘要
本发明提供一种能够提高总处理能力并对处理时间进行管理的基板处理系统。其设置有对处理装置组进行管理的群组控制器。群组控制器实施如下步骤通过多个的处理装置依次对载体内的基板进行处理时，基于基板的处理方案和处理状况，决定最终的处理装置的处理结束时刻最早的处理装置的组合的步骤；在上述处理装置的组合中，基于基板的处理方案和处理状况，决定从预先决定的一个处理装置的批量的处理结束时刻至预先决定的下游侧的处理装置的处理开始时间为止的预测经过时间，以将预测经过时间缩短至设定时间内的方式，决定将基板交付至上述的一个处理装置或上游侧的处理装置的时间的步骤。
文档编号H01L21/677GK102270562SQ20111015350
公开日2011年12月7日 申请日期2011年6月1日 优先权日2010年6月1日
发明者山本雄一, 月野木涉 申请人:东京毅力科创株式会社