专利名称：光器件晶片的分割方法
技术领域：
本发明涉及沿着间隔道分割光器件晶片的光器件晶片的分割方法，所述光器件晶片在蓝宝石基板的表面上的、由形成为格子状的多个间隔道划分出的多个区域中形成有光器件。
背景技术：
在光器件制造工序中，在大致圆板形状的蓝宝石基板的表面层叠由氮化镓类化合物半导体构成的光器件层，并且，在由形成为格子状的多个间隔道划分出的多个区域中形成发光二极管、激光二极管等光器件，从而构成光器件晶片。然后，沿着间隔道分割光器件晶片而制造出一个个光器件。通常，通过被称为划片机(dicer)的切削装置来进行上述光器件晶片的沿着间隔道的切断。该切削装置具备卡盘台，其保持被加工物；切削单元，其用于对保持于该卡盘台上的被加工物进行切削；以及切削进给单元，其使卡盘台与切削单元相对移动。切削单元包含旋转主轴、装配于该旋转主轴上的切削刀具、以及驱动旋转主轴旋转的驱动机构。切削刀具由圆盘状的基座和装配于该基座的侧面外周部上的环状的切削刃构成，切削刃例如通过电铸将粒径为3 μ m左右的金刚石磨粒固定于基座而形成，并且其厚度形成为20 μ m左右ο然而，由于构成光器件晶片的蓝宝石基板的莫氏硬度高，所以利用上述切削刀具进行的切断未必容易。因此，不能增大切削刀具的切入量，而需要多次实施切削工序来切断光器件晶片，所以存在生产性较差的问题。为了消除上述问题，提出了这样的方法通过从光器件晶片的一面侧沿着间隔道照射对于光器件晶片具有吸收性的波长的脉冲激光光线来形成作为断裂起点的激光加工槽，沿着形成了该作为断裂起点的激光加工槽的间隔道施加外力，由此使光器件晶片沿着间隔道断裂(例如，参照专利文献1)。专利文献1日本特开平10-305420号公报然而，当沿着形成有作为断裂起点的激光加工槽的间隔道施加外力来使光器件晶片沿着间隔道断裂时，存在这样的问题断裂面相对于与正面和背面垂直的面倾斜了 5 IOym左右而裂开，降低了光器件的亮度。根据本发明人的研究推断出，光器件晶片的断裂面相对于与正面和背面垂直的面倾斜5 10 μ m左右而裂开与以下因素有关构成蓝宝石基板的蓝宝石的结晶方位以及通过照射激光光线而生成的细微裂纹。S卩，如图1所示，光器件晶片2在形成有表示蓝宝石的结晶方位的定向平面 (Orientation Flat) 21的蓝宝石基板的正面加，在由与定向平面21平行的多个第1间隔道22和与定向平面21垂直的多个第2间隔道23划分出的区域中，形成有光器件对。构成光器件晶片2的蓝宝石基板在与定向平面21垂直的方向上且与正面和背面倾斜地形成有作为R面的结晶层。因此，当沿着第1间隔道22照射激光光线时，在激光加工槽的下侧沿着R面较深地形成了细微的裂纹。因此，当沿着激光加工槽(该激光加工槽是沿着第2间隔道23形成的)施加外力而使光器件晶片2断裂时，受到在沿着第1间隔道22形成的激光加工槽的下侧生成的细微裂纹的影响而沿着R面断裂，因此断裂面相对于正面和背面倾斜地裂开。
发明内容
本发明正是鉴于上述情况而完成的，其主要的技术课题在于提供一种光器件晶片的分割方法，能够以断裂面与正面和背面垂直的方式沿着间隔道分割形成在蓝宝石基板表面的光器件晶片。为了解决上述主要的技术课题，根据本发明，提供一种光器件晶片的分割方法，该分割方法沿着第1间隔道和第2间隔道将光器件晶片分割成各个光器件，其中，所述光器件晶片在形成有表示蓝宝石的结晶方位的定向平面的蓝宝石基板的正面，在由与定向平面平行的多个第1间隔道和与定向平面垂直的多个第2间隔道划分出的区域中，形成有光器件， 该分割方法的特征在于，包含以下工序第1激光加工槽形成工序，从光器件晶片的正面或背面侧沿着第1间隔道照射激光光线，在光器件晶片的正面或背面形成作为断裂起点的第1激光加工槽；第2激光加工槽形成工序，从光器件晶片的正面或背面侧沿着第2间隔道照射激光光线，在光器件晶片的正面或背面形成作为断裂起点的第2激光加工槽；第1断裂工序，沿着实施了该第1激光加工槽形成工序和该第2激光加工槽形成工序后的光器件晶片的第1间隔道施加外力，使光器件晶片沿第1激光加工槽断裂，其中， 该第1激光加工槽是沿着第1间隔道形成的；以及第2断裂工序，沿着实施了该第1激光加工槽形成工序和该第2激光加工槽形成工序后的光器件晶片的第2间隔道施加外力，使光器件晶片沿第2激光加工槽断裂，其中， 该第2激光加工槽是沿着第2间隔道形成的，该第2激光加工槽的深度被设定为比该第1激光加工槽的深度深。所述第1激光加工槽的深度被设定为光器件晶片的厚度的10 20%，所述第2激光加工槽的深度被设定为比第1激光加工槽的深度深40 60%。在本发明的光器件晶片的分割方法中，沿着与表示蓝宝石的结晶方位的定向平面垂直的第2间隔道形成的第2激光加工槽的深度被设定为比沿着与定向平面平行的第1间隔道形成的第1激光加工槽的深度深，因此，在沿着形成了第2激光加工槽的第2间隔道使光器件晶片断裂时，不会受到在激光加工槽的下侧沿着R面形成的裂纹的影响。因此，沿着形成了第2激光加工槽的第2间隔道断裂的光器件晶片的断裂面与正面及背面垂直。
图1是示出剖切光器件晶片的一部分后的状态的立体图。图2是示出将图1所示的光器件晶片粘贴到装配在环状框上的切割带表面后的状态的立体图。图3是用于实施本发明的光器件晶片的分割方法中的第1激光加工槽形成工序和第2激光加工槽形成工序的激光加工装置的要部立体图。
图4是本发明的光器件晶片的分割方法中的第1激光加工槽形成工序的说明图。图5是放大地示出实施了图4所示的第1激光加工槽形成工序后的光器件晶片的要部的剖视图。图6是本发明的光器件晶片的分割方法中的第2激光加工槽形成工序的说明图。图7是放大地示出实施了图6所示的第2激光加工槽形成工序后的光器件晶片的要部的剖视图。图8是本发明的光器件晶片的分割方法中的第1断裂工序和用于实施第1断裂工序的晶片断裂装置的立体图。图9是本发明的光器件晶片的分割方法中的第1断裂工序的说明图。图10是本发明的光器件晶片的分割方法中的第2断裂工序的说明图。标号说明2 光器件晶片21 定向平面22 第1间隔道23 第2间隔道24 光器件25 第1激光加工槽26 第2激光加工槽3 激光加工装置31 激光加工装置的卡盘32 激光光线照射单元322 聚光器4:晶片断裂装置41:晶片断裂装置的基座42 移动台44 框保持单元46 张力施加单元F 环状框T 切割带
具体实施例方式下面，参照附图对本发明的光器件晶片的分割方法的优选实施方式进行详细说明。为了沿第1间隔道22和第2间隔道23分割上述图1所示的光器件晶片2，在图示的实施方式中，如图2所示，将光器件晶片2的背面2b粘贴到由聚烯烃等合成树脂片构成的切割带T上，该切割带T被装配于环状框F上(晶片支撑工序)。因此，被粘贴到切割带T上的光器件晶片2的正面加成为上侧。此外，也可以将光器件晶片2的正面加粘贴到切割带T上而使背面2b成为上侧。在实施了上述晶片支撑工序后，实施如下的第1激光加工槽形成工序从光器件
5晶片2的正面或背面侧沿着第1间隔道22照射激光光线，在光器件晶片2的正面或背面形成作为断裂起点的第1激光加工槽。另外，在图示的实施方式中，对下例进行说明在上述晶片支撑工序中，将光器件晶片2的背面2b粘贴到装配于环状框F上的切割带T上，在第1 激光加工槽形成工序中，从光器件晶片2的正面侧沿着第1间隔道22照射激光光线，在光器件晶片2的正面形成作为断裂起点的第1激光加工槽。使用图3所示的激光加工装置3 来实施该第1激光加工槽形成工序。图3所示的激光加工装置3具备卡盘台31，其保持被加工物；激光光线照射单元32，其向保持于该卡盘台31上的被加工物照射激光光线；和摄像单元33，其对保持于卡盘台31上的被加工物进行拍摄。上述卡盘台31构成为吸附保持被加工物，该卡盘台31通过未图示的加工进给单元在图3中箭头X所示的加工进给方向上移动，并且通过未图示的分度进给单元在图3中箭头Y所示的分度进给方向上移动。上述激光光线照射单元32包含实质上水平配置的圆筒形状的壳体321。在壳体 321内配设有脉冲激光光线振荡单元，该脉冲激光光线振荡单元具有由未图示的YAG激光振荡器或YV04激光振荡器构成的脉冲激光光线振荡器和重复频率设定单元。在上述壳体 321的前端部，装配有聚光器322，聚光器322用于使从脉冲激光光线振荡单元振荡出的脉冲激光光线会聚。摄像单元33装配在构成上述激光光线照射单元32的壳体321的前端部，该摄像单元33具有对被加工物进行照明的照明单元；捕捉由该照明单元照明的区域的光学系统；以及对由该光学系统捕捉到的像进行拍摄的摄像元件(CCD)等，该摄像单元33将拍摄到的图像信号发送到未图示的控制单元。为了使用上述激光加工装置3实施上述第1激光加工槽形成工序，将粘贴着光器件晶片2的切割带T侧载置到图3所示的激光加工装置3的卡盘台31上。然后，使未图示的吸附单元工作，将光器件晶片2隔着切割带T吸附保持在卡盘台31上(晶片保持工序)。 因此，保持于卡盘台31上的光器件晶片2的正面加成为上侧。另外，在图3中，省略了装配着切割带T的环状框F的图示，而环状框F是由配置于卡盘台31上的适当的框保持单元来保持的。接着，使未图示的加工进给单元工作而将吸附保持着半导体晶片2的卡盘台31移动到摄像单元33的正下方。在卡盘台31被定位于摄像单元33的正下方时，通过摄像单元 33和未图示的控制单元来执行对准作业，该对准作业是检测光器件晶片2的应进行激光加工的加工区域的作业。即，摄像单元33和未图示的控制单元执行图案匹配等图像处理，从而执行激光光线照射位置的对准(对准工序)，其中，上述图案匹配等图像处理用于进行形成在光器件晶片2上的第1间隔道22、与沿着该第1间隔道22照射激光光线的激光光线照射单元32的聚光器322之间的位置对准。此外，对于形成在光器件晶片2上的第2间隔道 23，也同样地执行激光光线照射位置的对准。在实施了上述对准工序后，如图4(a)所示，将卡盘台31移动至激光光线照射单元 32的聚光器322所在的激光光线照射区域，并将预定的第1间隔道22定位于聚光器322 的正下方。此时，如图4(a)所示，光器件晶片2被定位成，使得第1间隔道22的一端(图 4(a)中为左端)位于聚光器322的正下方。然后，如图4(a)所示，使从聚光器322照射出的脉冲激光光线的聚光点P对准光器件晶片2的正面加(上表面)附近。接着，从激光光线照射单元32的聚光器322照射对于光器件晶片2具有吸收性的波长的脉冲激光光线，同时使卡盘台31以预定的加工进给速度在图4(a)中箭头Xl所示的方向上移动。然后，如图 4(b)所示，当第1间隔道22的另一端(图4(b)中为右端)到达聚光器322的正下方位置时，停止照射脉冲激光光线，并且使卡盘台31停止移动。其结果，如图4(b)所示，在光器件晶片2的正面2a，沿着第1间隔道22形成了作为断裂起点的第1激光加工槽25。
在图5(a)和(b)中示出了放大地表示实施了上述第1激光加工槽形成工序后的光器件晶片2的要部的剖视图，图5(a)是与第1间隔道22垂直的方向的剖视图，图5 (b) 是图5(a)中的A-A线剖视图。如图5(a)和(b)所示，在光器件晶片2的正面加沿着第1 间隔道22形成的第1激光加工槽25的深度被设定为光器件晶片2的厚度的10 20%。 例如，在光器件晶片2的厚度为100 μ m的情况下，优选将第1激光加工槽25的深度设定为 10 20 μ m。当这样地在光器件晶片2的正面加沿着第1间隔道22形成第1激光加工槽 25时，在第1激光加工槽25的下侧沿着上述R面形成深度为几μ m的细微裂纹251。对于第1激光加工槽25的深度，当比光器件晶片2的厚度的10%浅时，难以沿着第1激光加工槽25使光器件晶片2确切地断裂，当比光器件晶片2的厚度的20%深时，形成在第1激光加工槽25下侧的裂纹251的影响变大，因此优选将第1激光加工槽25的深度设定为光器件晶片2的厚度的10 20%。上述第1激光加工槽形成工序中的加工条件例如如下所示地设定。
光源半导体激励固体激光器(Nd:YAG)
波长355nm脉冲激光
重复频率200kHz
平均输出1. 4W
聚光点直径φΙΟμιη
加工进给速度300mm/ 秒
通过根据上述加工条件实施第1激光加工槽形成工序，由此能够形成深度为
15 μ m的第1激光加工槽25。并且，沿着形成在光器件晶片2上的所有第1间隔道22实施上述第1激光加工槽形成工序。在沿着形成在光器件晶片2上的所有第1间隔道22实施了上述第1激光加工槽形成工序后，实施如下的第2激光加工槽形成工序从光器件晶片2的正面侧沿着第2间隔道23照射激光光线，在光器件晶片2的正面形成作为断裂起点的第2激光加工槽。可使用上述图3所示的激光加工装置3来实施该第2激光加工槽形成工序。即，在实施了上述第1 激光加工槽形成工序后，使卡盘台31转动90度，沿着在与上述第1间隔道22垂直的方向上形成的第2间隔道23照射激光光线，在光器件晶片2的正面形成作为断裂起点的第2激光加工槽。为了实施第2激光加工槽形成工序，如图6(a)所示，将卡盘台31移动至激光光线照射单元32的聚光器322所在的激光光线照射区域，并将预定的第2间隔道23定位于聚光器322的正下方。此时，如图6(a)所示，光器件晶片2被定位成，使得第2间隔道23的一端(图6(a)中为左端)位于聚光器322的正下方。然后，如图6(a)所示，使从聚光器322 照射出的脉冲激光光线的聚光点P对准光器件晶片2的正面加(上表面)附近。接着，从激光光线照射单元32的聚光器322照射对于光器件晶片2具有吸收性的波长的脉冲激光光线，同时使卡盘台31以预定的加工进给速度在图6(a)中箭头Xl所示的方向上移动。然后，如图6(b)所示，当第2间隔道23的另一端(图6(b)中为右端)到达聚光器322的正下方位置时，停止照射脉冲激光光线，并且使卡盘台31停止移动。其结果，如图6(b)所示， 在光器件晶片2的正面2a，沿着间隔道23形成了作为断裂起点的第2激光加工槽26。在图7(a)和(b)中示出了放大地表示实施了上述第2激光加工槽形成工序后的光器件晶片2的要部的剖视图，图7(a)是与第2间隔道23垂直的方向的剖视图，图7 (b) 是图7(a)中的B-B线剖视图。如图7(a)和(b)所示，在光器件晶片2的正面加沿着第2 间隔道23形成的第2激光加工槽沈的深度被设定为比第1激光加工槽25的深度深40 60%。例如，在第1激光加工槽25的厚度为10 20 μ m的情况下，优选将第2激光加工槽 26的深度设定为14 32 μ m。这样，通过将第2激光加工槽沈的深度设定为比第1激光加工槽25的深度深40 60%，由此如图7 (a)和(b)所示，第2激光加工槽沈的底部比形成在第1激光加工槽25下侧的细微裂纹251更靠下侧。另外，当这样地在光器件晶片2上沿着第2间隔道23形成第2激光加工槽沈时，在第2激光加工槽沈的下侧形成细微裂纹 261。上述第2激光加工槽形成工序中的加工条件例如如下所示地设定。光源波长重复频率平均输出聚光点直径加工进给速度
半导体激励固体激光器(Nd:YAG) 355nm脉冲激光 200kHz 2. 5W φΙΟμιη :300mm/ 秒通过根据上述加工条件实施第2激光加工槽形成工序，由此能够形成深度为 25 μ m的第2激光加工槽26。并且，沿着形成在光器件晶片2上的所有第2间隔道23实施上述第2激光加工槽形成工序。接着，实施如下的第1断裂工序沿着实施了上述第1激光加工槽形成工序和第2 激光加工槽形成工序后的光器件晶片2的第1间隔道22施加外力，使光器件晶片2沿第1 激光加工槽25断裂，该第1激光加工槽25是沿着第1间隔道22形成的。使用图8所示的晶片断裂装置4实施该第1断裂工序。图8所示的晶片断裂装置4具备基座41和移动台 42，该移动台42以能够在箭头Y所示的方向上移动的方式被配设在该基座41上。基座41 形成为矩形形状，在该基座41的两侧部上表面上沿箭头Y所示的方向相互平行地配设有两根导轨411、412。移动台42以能够移动的方式被配设在这两根导轨411、412上。移动台 42借助于移动单元43在箭头Y所示的方向上移动。在移动台42上配设有用于保持上述环状框F的框架保持单元44。框保持单元44具有圆筒状的主体441 ；设于该主体441的上端的环状的框保持部件442 ；以及配设于该框保持部件442的外周的作为固定单元的多个夹具443。如此构成的框保持单元44通过夹具443对载置于框保持部件442上的环状框 5进行固定。此外，图8所示的晶片断裂装置4具备使上述框保持单元44转动的转动单元 45。该转动单元45由以下部分构成配设于上述移动台42上的脉冲电动机451 ；带轮452，其装配于该脉冲电动机451的旋转轴上；以及环状带453，其卷绕在该带轮452和圆筒状的主体441上。如此构成的转动单元45通过驱动脉冲电动机451而经由带轮452和环状带 453使框保持单元44转动。图8所示的晶片断裂装置4具备张力施加单元46，该张力施加单元46在与第1间隔道22或第2间隔道23垂直的方向上对光器件晶片2作用拉伸力，其中，该光器件晶片2 隔着切割带T被支撑于环状框F上，而该环状框F则被保持于上述环状的框保持部件442 上。张力施加单元46被配置于环状的框保持部件442内。该张力施加单元46具备第1吸附保持部件461和第2吸附保持部件462，所述第1吸附保持部件461和第2吸附保持部件 462具备在与箭头Y方向垂直的方向上较长的长方形的保持面。在第1吸附保持部件461 上形成有多个吸附孔461a，在第2吸附保持部件462上形成有多个吸附孔46加。多个吸附孔461a和46 与未图示的吸附单元连通。此外，第1吸附保持部件461和第2吸附保持部件462构成为借助于未图示的移动单元分别在箭头Y方向上移动。图8所示的晶片断裂装置4具备用于检测光器件晶片2的第1间隔道22和第2 间隔道23的检测单元47，其中，该光器件晶片2隔着切割带T被支撑于由上述环状的框保持部件442保持的环状框F上。检测单元47被安装在配设于基座41上的L字状的支撑柱 471上。该检测单元47由光学系统和摄像元件(CCD)等构成，且该检测单元47被配置在上述张力施加单元46的上方位置处。如此构成的检测单元47对光器件晶片2的第1间隔道22和第2间隔道23进行拍摄，并将其转换成电信号发送至未图示的控制单元，其中，该光器件晶片2隔着切割带T被支撑于由上述环状的框保持部件442保持的环状框F上。参照图9对使用上述的晶片分割装置4实施的第1断裂工序进行说明。如图9 (a)所示，将装配着切割带T的环状框F载置到框保持部件442上，并利用夹具443将该环状框F固定于框保持部件442上，其中，在切割带T上粘贴着实施了上述第 1激光加工槽形成工序和第2激光加工槽形成工序后的光器件晶片2。接着，使移动单元43 工作，使移动台42在箭头Y所示的方向(参照图8)上移动，如图9(a)所示，将形成于光器件晶片2上的一条第1间隔道22 (在图示的实施方式中为最左端的间隔道)定位于构成张力施加单元46的第1吸附保持部件461的保持面与第2吸附保持部件462的保持面之间。 此时，借助检测单元47拍摄第1间隔道22，进行第1吸附保持部件461的保持面与第2吸附保持部件462的保持面之间的位置对准。这样，在将一条第1间隔道22定位于第1吸附保持部件461的保持面与第2吸附保持部件462的保持面之间后，使未图示的吸附单元工作，使吸附孔461a和46 作用负压，由此，隔着切割带T将光器件晶片2吸附保持于第1 吸附保持部件461的保持面和第2吸附保持部件462的保持面上(保持工序)。在实施了上述保持工序后，使构成张力施加单元46的未图示的移动单元工作，使第1吸附保持部件461与第2吸附保持部件462如图9 (b)所示那样朝相互分离的方向移动。其结果，在被定位于第1吸附保持部件461的保持面与第2吸附保持部件462的保持面之间的第1间隔道22上，沿与第1间隔道22垂直的方向作用拉伸力，光器件晶片2以第 1激光加工槽25成为断裂起点的方式沿着第1间隔道22断裂(第1断裂工序)。通过实施该第1断裂工序，切割带τ被稍稍拉伸。在该第1断裂工序中，由于光器件晶片2已沿着第1间隔道22形成了第1激光加工槽25从而降低了强度，因此，通过使第1吸附保持部件 461与第2吸附保持部件462向相互分离的方向移动0. 5mm左右，能够使光器件晶片2以形成于光器件晶片2上的第1激光加工槽25成为断裂起点的方式沿着第1间隔道22断裂。在这样地实施了沿着形成于光器件晶片2上的一条第1间隔道22断裂的第1断裂工序后，解除上述第1吸附保持部件461和第2吸附保持部件462对光器件晶片2的吸附保持。接着，使移动单元43工作，使移动台42在箭头Y所示的方向(参照图8)上移动与第1间隔道22的间隔相应的量，将与实施了上述断裂工序后的第1间隔道22相邻的第 1间隔道22定位于构成张力施加单元46的第1吸附保持部件461的保持面与第2吸附保持部件462的保持面之间。接着，实施上述保持工序和第1断裂工序。在如上那样对形成在光器件晶片2上的所有第1间隔道22实施了上述保持工序和断裂工序后，实施第2断裂工序，在该第2断裂工序中，沿着光器件晶片2的第2间隔道 23施加外力，沿第2激光加工槽沈使光器件晶片2断裂，其中，该第2激光加工槽沈是沿着第2间隔道23形成的。在该第2断裂工序中，从实施了第1断裂工序的状态起，使转动单元45工作，并使框保持单元44转动90度。其结果，保持于框保持单元44的框保持部件 442上的光器件晶片2也转动90度，将第2间隔道23定位成与第1吸附保持部件461的保持面和第2吸附保持部件462的保持面平行的状态，其中，该第2间隔道23形成在与形成于预定方向且实施了上述第1断裂工序后的第1间隔道22垂直的方向(与定向平面21垂直)上。接着，使移动单元43工作，使移动台472在箭头Y所示的方向(参照图8)上移动，如图10(a)所示，将形成于光器件晶片2上的一条第2间隔道23(在图示的实施方式中为最左端的间隔道)定位于构成张力施加单元46的第1吸附保持部件461的保持面与第 2吸附保持部件462的保持面之间。这样，将一条第2间隔道23定位于第1吸附保持部件 461的保持面与第2吸附保持部件462的保持面之间，之后，使未图示的吸附单元工作，使吸附孔461a和46 作用负压，由此，隔着切割带T将光器件晶片2吸附保持于第1吸附保持部件461的保持面和第2吸附保持部件462的保持面上(保持工序)。在实施了上述保持工序后，使构成张力施加单元46的未图示的移动单元工作，使第1吸附保持部件461与第2吸附保持部件462如图10 (b)所示那样朝相互分离的方向移动。其结果，在被定位于第1吸附保持部件461的保持面与第2吸附保持部件462的保持面之间的第2间隔道23上，沿与第2间隔道23垂直的方向作用拉伸力，光器件晶片2以第 2激光加工槽沈成为断裂起点的方式沿着第2间隔道23断裂(第2断裂工序)。这样，在第2断裂工序中，光器件晶片2以第2激光加工槽沈成为断裂起点的方式沿着第2间隔道 23断裂，而如上所述，第2激光加工槽沈形成为第2激光加工槽沈的底部比形成在第1激光加工槽25下侧的细微裂纹251更靠下侧(参照图7(a)和(b))，从而不会受到沿着R面形成的裂纹251的影响。因此，沿着形成了第2激光加工槽沈后的第2间隔道23断裂的光器件晶片2的断裂面与正面加及背面2b垂直。另外，虽在第2激光加工槽沈的下侧形成了细微裂纹沈1，但由于裂纹261形成为与R面大致平行，因此不会受到R面的影响。以上，根据图示的实施方式对本发明进行了说明，但是本发明不仅限于实施方式， 可在本发明的主旨范围内进行各种变形。例如，在上述实施方式中，对于第1激光加工槽形成工序和第2激光加工槽形成工序，示出了如下例子从光器件晶片的正面侧照射激光光线，在光器件晶片的正面形成第1激光加工槽和第2激光加工槽，但是第1激光加工槽形成工序和第2激光加工槽形成工序也可以从光器件晶片的背面侧照射激光光线，从而在光器件晶片的背面形成第1激光加工槽和第2激光加工槽。
权利要求
1.一种光器件晶片的分割方法，该分割方法沿着第1间隔道和第2间隔道将光器件晶片分割成各个光器件，其中，所述光器件晶片在形成有表示蓝宝石的结晶方位的定向平面的蓝宝石基板的正面，在由与定向平面平行的多个第1间隔道和与定向平面垂直的多个第 2间隔道划分出的区域中，形成有光器件，该分割方法的特征在于，包含以下工序第1激光加工槽形成工序，从光器件晶片的正面或背面侧沿着第1间隔道照射激光光线，在光器件晶片的正面或背面形成作为断裂起点的第1激光加工槽；第2激光加工槽形成工序，从光器件晶片的正面或背面侧沿着第2间隔道照射激光光线，在光器件晶片的正面或背面形成作为断裂起点的第2激光加工槽；第1断裂工序，沿着实施了该第1激光加工槽形成工序和该第2激光加工槽形成工序后的光器件晶片的第1间隔道施加外力，使光器件晶片沿第1激光加工槽断裂，其中，该第 1激光加工槽是沿着第1间隔道形成的；以及第2断裂工序，沿着实施了该第1激光加工槽形成工序和该第2激光加工槽形成工序后的光器件晶片的第2间隔道施加外力，使光器件晶片沿第2激光加工槽断裂，其中，该第 2激光加工槽是沿着第2间隔道形成的，该第2激光加工槽的深度被设定为比该第1激光加工槽的深度深。
2.根据权利要求1所述的光器件晶片的分割方法，其中，该第1激光加工槽的深度被设定为光器件晶片的厚度的10 20%，该第2激光加工槽的深度被设定为比第1激光加工槽的深度深40 60%。
全文摘要
光器件晶片的分割方法，能够以断裂面与正面和背面垂直的方式沿着间隔道分割在蓝宝石基板的表面形成有光器件层的光器件晶片。其中，沿间隔道将光器件晶片分割成各个光器件，光器件晶片在由第1、第2间隔道划分的区域中形成有光器件，该分割方法包含第1激光加工槽形成工序，从光器件晶片的正面或背面侧沿着第1间隔道照射激光光线，形成第1激光加工槽；第2激光加工槽形成工序，从光器件晶片的正面或背面侧沿第2间隔道照射激光光线，形成第2激光加工槽；第1断裂工序，沿光器件晶片的第1间隔道施加外力使光器件晶片断裂；第2断裂工序，沿光器件晶片的第2间隔道施加外力使光器件晶片断裂，第2激光加工槽的深度比第1激光加工槽的深度深。
文档编号H01L21/78GK102315169SQ201110188100
公开日2012年1月11日 申请日期2011年7月6日 优先权日2010年7月9日
发明者相川力 申请人:株式会社迪思科