专利名称：熔丝结构的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种熔丝结构。
背景技术：
在半导体领域中，如果需要对电路进行校准，例如修调电阻、电容、电流等，可以通过电流熔丝、齐纳击穿管或激光校正熔丝以及电路编程如EEPROM、EPROM、OTP等来实现电路校准。然而，齐纳击穿管、电路编程、激光校正熔丝只适合于特定工艺。电流熔丝的优势是测试成本低，每个工艺都支持。电流熔丝的两端需要与焊垫(pad)电连接，熔丝形成在芯片内部，通过金属互连线与焊垫电连接。其中，现有技术中，焊垫形成在芯片内部，每一个熔丝的两端通常均与两个焊垫电连接，焊垫所占的面积较大，例如对于一个400*400的芯片，与熔丝电连接的焊垫的面积需要80*80，因此焊垫占用了芯片额外面积，这样不利于缩小芯片的面积，因此，对于一个本身利润很低、跑量的芯片来说，由于要做电流熔丝，多放了几个焊垫，使晶圆上可以产出的芯片的数量减少，芯片本来微利变为不赚钱，甚至亏本，从而可能会放弃原本设计方案。现有技术，均是基于焊垫置入芯片内部去考虑的，所以无法彻底解决焊垫带来的面积增加的问题。现有技术中有许多关于熔丝结构的专利以及专利申请，例如2004年7月9日申请的申请号为200480020282.6的中国专利公开了一种熔丝结构，然而均没有解决以上所述的技术问题。
发明内容
本发明解决的问题是使用电流熔丝引入焊垫带来芯片面积增加的问题。为解决上述问题，本发明具体实施例提供一种熔丝结构，包括熔丝和与熔丝电连接的焊垫，所述熔丝位于芯片内，所述芯片位于晶圆上，所述焊垫位于晶圆上相邻两芯片之间的切割道。可选的，所述切割道包括第一切割道和第二切割道，所述第一切割道和第二切割
道相互垂直；所述焊垫位于第一切割道和/或第二切割道。可选的，所述熔丝和焊垫通过导线电连接，所述导线穿越相邻两芯片的切割位置。可选的，所述导线包括第一导线和第二导线；所述第一导线与所述第二切割道平行，所述第二导线与所述第一切割道平行，所述第一导线的一端与熔丝电连接，所述第二导线的一端与所述焊垫电连接，所述第一导线和所述第二导线的连接位置处于焊垫远离熔丝的边缘的延长线上。可选的，所述导线为金属线。与现有技术相比，本技术方案具有以下优点
本技术方案的熔丝结构，将熔丝设于芯片内，连接熔丝的焊垫位于晶圆上相邻两芯片之间的切割道上，这样可以减少在芯片内的焊垫的数量，有利于减小芯片面积，从而也就可以增加一个晶圆上可以产出的芯片的数量，节约成本。
图1是本发明第一具体实施例的熔丝结构的示意图；图2是本发明第二具体实施例的熔丝结构的示意图。
具体实施例方式现有技术中，连接电流熔丝的焊接均位于芯片上，而每一个与熔丝连接的焊垫的面积均较大，这样就导致了芯片的面积很难缩小。为了解决焊垫占用较大面积导致芯片面积增大的技术问题，本发明的熔丝结构将连接熔丝的焊垫设于相邻芯片之间的切割道上， 这样可以减少连接熔丝的焊垫占用的芯片面积，也就有利于缩小芯片的面积。通常晶圆上具有多个芯片，芯片内形成有熔丝，焊垫形成在芯片上与熔丝电连接， 在对芯片经过检测之后，根据需要通过给焊垫加电压，来使得将熔丝烧断或者不烧断，从而调整电路的电流达到目标值，在这之后焊垫就失去作用，从而可以将焊垫和熔丝之间的连接断开，但是现有技术中，通常焊垫是做在芯片内的，因此在烧断或者不烧断熔丝之后会对晶圆进行切割将位于晶圆上的芯片切割成单个的芯片，在芯片形成后，焊垫在芯片内并没有实际的作用。发明人发现相邻芯片之间的切割道的面积较大，该面积可以用来形成焊垫， 这样可以将焊垫形成在相邻两芯片之间的切割道上，避免焊垫形成在芯片内部占用芯片的面积。为了使本领域技术人员可以更好的理解本发明，下面结合附图详细说明本发明具体实施方式
的熔丝结构。图1为本发明第一具体实施例的熔丝结构示意图，参考图1，晶圆10上具有多个芯片20，本发明具体实施例的熔丝结构，包括熔丝21和与熔丝21电连接的焊垫22，所述熔丝 21位于芯片20内，所述芯片20位于晶圆10上，所述焊垫22位于晶圆10上相邻两芯片20 之间的切割道上。晶圆10上的芯片20通常是按照阵列的方式排布，因此相邻两芯片20之间的切割道包括第一切割道231和第二切割道232，第一切割道231和第二切割道232相互垂直。在图1所示的第一实施例中，焊垫22位于第一切割道231上，所述熔丝21和焊垫22通过导线电连接，所述导线穿越相邻两芯片的切割位置。由于焊垫22通常裸露于外界环境中，所以焊垫22受环境中的水蒸气、杂质微粒等的影响可能被腐蚀、氧化等，如果在切割晶圆将晶圆上的芯片分成单个的芯片时，焊垫22仍然通过导线与熔丝电连接，被腐蚀、氧化等的焊垫由于与熔丝电连接，这样会影响芯片的性能，为了防止焊垫被腐蚀、氧化等影响芯片的性能，因此导线穿越相邻两芯片的切割位置，保证切割晶圆时，导线被切割，从而使熔丝21 与焊垫22的电连接断开。为了实现该目的，本发明第一实施例中，所述导线包括第一导线 241和第二导线M2 ；所述第一导线241与所述第二切割道232平行，所述第二导线242与所述第一切割道231平行，所述第一导线Ml的一端与熔丝21电连接，所述第二导线242 的一端与所述焊垫22电连接，所述第一导线241和所述第二导线242的连接位置25处于焊垫22远离熔丝21的边缘的延长线上。也就是说，连接熔丝21与焊垫22的导线延伸至焊垫22远离熔丝21的边缘处再拐角延伸至焊垫22。需要说明的是，此处的边缘并不是严格的指焊垫22远离熔丝21的那一边，只要在焊垫22远离熔丝21的那一边的一定宽度范围内保证切割晶圆时可以切割到第一导线241均可。本发明具体实施例中，熔丝21的材料可以根据实际的应用进行确定。导线为金属线，该金属线的材料可以为铜、铝、钨等本领域技术人员公知的材料。当然，该导线不限于金属线，其也可以为本领域技术人员公知的其他导线，只要满足可以起到将熔丝21与焊垫22 电连接即可。本发明具体实施例中，熔丝的作用可以用来调节电流也可以用来调节电阻和电压以及本领域技术人员公知的其他用途。图2为本发明第二具体实施例的熔丝结构示意图，参考图2，该第二具体实施例的熔丝结构中，由于焊垫22的数量较多，第一切割道231不足以放置所有的焊垫22，因此将焊垫22分开设置，位于第一切割道231和第二切割道232上。第二具体实施例的其他细节与第一具体实施例相同，在此不做赘述。在本发明的第三具体实施例中，焊垫22也可以仅位于第二切割道232上，其他与第一实施例相同，在此不做赘述。需要说明的是，本发明的图1和图2所示出的晶圆10上的芯片20的数量以及排布仅起示例的作用，实际中芯片20的数量以及排布需要根据实际情况进行确定。本技术方案的熔丝结构，将熔丝设于芯片内，连接熔丝的焊垫位于晶圆上相邻两芯片之间的切割道上，这样可以减少在芯片内的焊垫的数量，有利于减小芯片面积，从而也就可以增加一个晶圆上可以产出的芯片的数量，节约成本。以上所述仅为本发明的具体实施例，为了使本领域技术人员更好的理解本发明的精神，然而本发明的保护范围并不以该具体实施例的具体描述为限定范围，任何本领域的技术人员在不脱离本发明精神的范围内，可以对本发明的具体实施例做修改，而不脱离本发明的保护范围。
权利要求
1.一种熔丝结构，包括熔丝和与熔丝电连接的焊垫，所述熔丝位于芯片内，所述芯片位于晶圆上，其特征在于，所述焊垫位于晶圆上相邻两芯片之间的切割道。
2.如权利要求1所述的熔丝结构，其特征在于，所述切割道包括第一切割道和第二切割道，所述第一切割道和第二切割道相互垂直；所述焊垫位于第一切割道和/或第二切割道。
3.如权利要求1或2所述的熔丝结构，其特征在于，所述熔丝和焊垫通过导线电连接， 所述导线穿越相邻两芯片的切割位置。
4.如权利要求3所述的熔丝结构，其特征在于，所述导线包括第一导线和第二导线； 所述第一导线与所述第二切割道平行，所述第二导线与所述第一切割道平行，所述第一导线的一端与熔丝电连接，所述第二导线的一端与所述焊垫电连接，所述第一导线和所述第二导线的连接位置处于焊垫远离熔丝的边缘的延长线上。
5.如权利要求3所述的熔丝结构，其特征在于，所述导线为金属线。
全文摘要
一种熔丝结构，包括熔丝和与熔丝电连接的焊垫，所述熔丝位于芯片内，所述芯片位于晶圆上，所述焊垫位于晶圆上相邻两芯片之间的切割道上。本技术方案可以减少在芯片内的焊垫的数量，有利于减小芯片面积。
文档编号H01L23/525GK102244067SQ201110213509
公开日2011年11月16日 申请日期2011年7月28日 优先权日2011年7月28日
发明者周桂华, 张镭 申请人:上海丽恒光微电子科技有限公司