专利名称：新型ic封装制造工艺的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种IC封装技术，尤其涉及一种新型的IC封装工艺。
背景技术：
IC封装，就是指把硅片上的电路管脚，用导线接引到外部接头处，以便与其它器件连接，封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳。它不仅起着安装、固定、密封、保护芯片及增强电热性能等方面的作用，而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接，从而实现内部芯片与外部电路的连接。因为芯片必须与外界隔离，以防止空气中的杂技对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降。IC封装的种类很多，达70多种，就现阶段在PCB业内直接接触的也非常之多，目前一种名称叫盖板模给封装PLCC非常常见，而要做好这类封装模式其关键点在于IC载板的制造方法，目前所使用的IC封装载板的制造方法由于设计步骤不合理，不能满足线条精度要求高、蚀刻线条光滑、盖板压合不变形等高标准要求。
发明内容
本发明的目的在于提供一种新型的IC封装制造工艺，该工艺步骤严谨，方法科学，解决了现有技术中存在的IC封装由于蚀刻线条不光滑盖板易变行等问题导致封装精度不高和密封效果不佳的问题。为解决上述问题，本发明所采取的技术方案是一种新型IC封装制造工艺，包括依次进行的底片制造工艺、盖板制造工艺以及底片和盖板的封装工艺，所述的底片制造工艺包括步骤1.1，底片制作；步骤1.2，开料;步骤1. 3，钻孔，即在底片上冲钻基准孔；步骤1. 4，沉铜，即在底片的基材表面和基准孔上沉上一层化学薄铜；步骤1. 5，加厚铜，即再一次沉铜，以使铜层厚度增加；步骤1.6，图形转移；步骤1.7，图形电镀；步骤1.8，退膜，步骤1.9，半孔加工；步骤1.10，蚀刻；步骤1.11，退锡；步骤1.12，阻焊；步骤1. 13，化金，完成底片的制作；
所述的盖板制造工艺包括步骤2.1，盖板备料；步骤2. 2，盖板开料；步骤2. 3，背胶；步骤2. 4，机加工；步骤2. 5，清洗，完成盖板的制作；所述的底片和盖板的封装工艺包括步骤3.1，压合；步骤3. 2，烘烤；步骤3. 3，清洗，完成封装工艺。为使本发明起到更好的技术效果更进一步的技术方案是上述的步骤1. 11完成后需对底片进行第一次检测，所述的步骤1. 13对底片进行第二次检测。更进一步的技术方案是上述的步骤3. 3完成后对成品进行终检，终检包括FQA和物理测试。更进一步的技术方案是上述的步骤1. 1中在进行光绘底片时须进行工艺补偿， 工艺补偿须依据测量不同厚度Cu的侧蚀来确定，所述的底片为正片。其中线宽补偿方法是公式[损失量(MIL)=基铜(MIL)/1.2]，例如:35UM基铜其损失量为35/25.4*1.2 = l.aiiiL，其损失量为线宽的损失量+补偿量，该线宽可以在要求范围内调整。更进一步的技术方案是上述的步骤2. 1中盖板的材料使用高TG双面板材，并将双面板材的铜皮蚀掉。更进一步的技术方案是上述的步骤1. 6中包括以下子步骤步骤1.6. 1，磨板;步骤1. 6. 2，对Cu面的处理运用化学微蚀处理；步骤1. 6. 3，烘干后立即进行贴膜；步骤1. 6. 4，显影后，用刻度放大镜测量线及间隙是否达到图纸要求，保证线条光滑无锯齿。更进一步的技术方案是上述的步骤1.9中，半孔加工采用正反两刀铣槽，行刀速度控制在1-2米/分钟。更进一步的技术方案是上述的步骤1. 10中，蚀刻采用CuCl2溶液进行腐蚀，同时将图形BGA面朝下以减少侧蚀量。更进一步的技术方案是上述的步骤3. 1中，压合温度控制在175摄氏度，时间控制在5分钟，压合完成后，再用平整钢板夹紧，用150摄氏度温度烘烤60分钟，冷却后再插架， 以免基板变形。采用上述技术方案所产生的有益效果在于制造出来的线条精度高，蚀刻后无残铜且线条光滑，盖板不变形，无严重溢胶，盖板与主板的结合力达到IOKG以上，机械加工后基板无分层，半孔无毛刺，外形边缘整齐，无粉尘。
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图1是本发明工艺的流程图。
具体实施例方式下面对本发明做进一步详细描述如图1所示，一种新型IC封装制造工艺，包括依次进行的底片制造工艺、盖板制造工艺以及底片和盖板的封装工艺，所述的底片制造工艺包括步骤1. 1，底片制作，即进行光绘底片制作；在进行光绘底片时须进行工艺补偿， 工艺补偿须依据测量不同厚度Cu的侧蚀来确定，所述的底片为正片，其中线宽补偿方法是公式[损失量(MIL)=基铜(MIL)/1.2]，例如35UM基铜其损失量为35/25.4*1.2 = 1.2miL，其损失量为线宽的损失量+补偿量，该线宽可以在要求范围内调整。步骤1.2，开料；步骤1. 3，钻孔，即在底片上冲钻基准孔；步骤1. 4，沉铜，即在底片的基材表面和基准孔上沉上一层化学薄铜；步骤1. 5，加厚铜，即再一次沉铜，以使铜层厚度增加；步骤1. 6，图形转移；本步骤中包括以下子步骤步骤1.6.1，磨板；步骤1. 6. 2，对Cu面的处理运用化学微蚀处理；步骤1. 6. 3，烘干后立即进行贴膜；步骤1. 6. 4，显影后，用刻度放大镜测量线及间隙是否达到图纸要求，保证线条光滑无锯齿。步骤1. 7，图形电镀；先针对板面进行刷光处理，电镀时采用交叉电流控制，使两面线路镀层均勻，在本步骤中要特别注意阶梯电镀的品质问题，确保铜面平整，使bonding 顺利进行。步骤1.8，退膜，步骤1. 9，半孔加工；此步骤中，要特别注意半孔的缺铜和半孔铜丝现象，CNC锣带可以采用正反两刀铣槽，行刀速度控制在1-2米/分钟。步骤1. 10，蚀刻；蚀刻采用CuCl2溶液进行腐蚀，同时将图形BGA面朝下以减少侧蚀量。步骤1. 11，退锡；本步骤中网版可以选用43T的网目，阻焊必须平整否则影响主板与盖板的结合力，其中阻焊优选自动丝印机印刷，如果铜厚超过10Z，则需先用线路菲林曝光法，把线路之间的缝隙先填平，然后再盖表层油墨，使之平整。步骤1.12，阻焊;步骤1. 13，化金；步骤中杜绝黑镍现象。在上述步骤1. 11和1. 13完成后，均需要对底片进行检测，如遇不合格产品可尽快剔除，以免浪费后期的材料成本。所述的盖板制造工艺包括步骤2. 1，盖板备料；盖板的材料使用高TG双面板材，并将双面板材的铜皮蚀掉。步骤2. 2，盖板开料；
步骤2. 3，背胶；盖板背胶必须保证无气泡，平整无垃圾，此步骤采用专用背胶机背胶，温度为100度，速度1-2米/分钟，在无尘房内作业最为理想。步骤2. 4，机加工；外形机加工时，应采用精密数控铣床，把精度控制好，不能有粉尘和毛刺的产生。步骤2. 5，清洗；所述的底片和盖板的封装工艺包括步骤3. 1，压合；压合温度控制在175摄氏度，时间控制在5分钟，压合完成后，再用平整钢板夹紧用150摄氏度温度烘烤60分钟，冷却后再插架，以免基板变形。步骤3. 2，烘烤；步骤3. 3，清洗；由于粉尘大量存在，会影响IC封装效果，所以本步骤中使用超声波清洗。在上述工艺完成后需对产品进行终检，包括进行FQA以及物理测试，然后再出货。
权利要求
1.一种新型IC封装制造工艺，其特征在于包括依次进行的底片制造工艺、盖板制造工艺以及底片和盖板的封装工艺，所述的底片制造工艺包括 步骤1.1，底片制作； 步骤1.2，开料；步骤1. 3，钻孔，即在底片上冲钻基准孔；步骤1. 4，沉铜，即在底片的基材表面和基准孔上沉上一层化学薄铜；步骤1. 5，加厚铜，即再一次沉铜，以使铜层厚度增加；步骤1.6，图形转移；步骤1.7，图形电镀；步骤1.8，退膜，步骤1.9，半孔加工；步骤1. 10，蚀刻；步骤1. 11，退锡；步骤1. 12，阻焊；步骤1. 13，化金，完成底片的制作；所述的盖板制造工艺包括步骤2.1，盖板备料；步骤2. 2，盖板开料；步骤2. 3，背胶；步骤2. 4，机加工；步骤2. 5，清洗，完成盖板的制作；所述的底片和盖板的封装工艺包括步骤3. 1，压合；步骤3. 2，烘烤；步骤3. 3，清洗，完成封装工艺。
2.根据权利要求1所述的新型IC封装制造工艺，其特征在于所述的步骤1.11完成后需对底片进行第一次检测，所述的步骤1. 13对底片进行第二次检测。
3.根据权利要求1所述的新型IC封装制造工艺，其特征在于所述的步骤3.3完成后对成品进行终检。
4.根据权利要求1所述的新型IC封装制造工艺，其特征在于所述的步骤1.1中在进行光绘底片时须进行工艺补偿，工艺补偿须依据测量不同厚度Cu的侧蚀来确定，所述的底片为正片。
5.根据权利要求1所述的IC封装载板的制造工艺，其特征在于所述的步骤2.1中盖板的材料使用高TG双面板材，并将双面板材的铜皮蚀掉。
6.根据权利要求1所述的新型IC封装制造工艺，其特征在于所述的步骤1.6中包括以下子步骤步骤1.6. 1，磨板；步骤1. 6. 2，对Cu面的处理运用化学微蚀处理；
7.根据权利要求1所述的新型IC封装制造工艺，其特征在于所述的步骤1.9中，半孔加工采用正反两刀铣槽，行刀速度控制在1-2米/分钟。
8.根据权利要求1所述的新型IC封装制造工艺，其特征在于所述的步骤1.10中，蚀刻采用CuCl2溶液进行腐蚀，同时将图形BGA面朝下以减少侧蚀量。
9.根据权利要求1所述的新型IC封装制造工艺，其特征在于所述的步骤3.1中，压合温度控制在175摄氏度，时间控制在5分钟；压合完成后，再用平整钢板夹紧，用150摄氏度温度烘烤60分钟，冷却后再插架，以免基板变形。
全文摘要
一种新型的IC封装制造工艺，包括底片制造工艺、盖板制造工艺以及底片和盖板的封装工艺，其中底片制造工艺包括底片制作；开料；钻孔；沉铜；加厚铜；图形转移；图形电镀；退膜；半孔加工；蚀刻；退锡；阻焊；化金；盖板制造工艺包括盖板备料；盖板开料；背胶；机加工；清洗；底片和盖板的封装工艺包括压合；烘烤；清洗；终检。本发明的有益效果在于制造出来的线条精度高，蚀刻后无残铜且线条光滑，盖板不变形，无严重溢胶，盖板与主板的结合力达到10KG以上，机械加工后基板无分层，半孔无毛刺，外形边缘整齐，无粉尘。
文档编号H01L21/50GK102290354SQ20111022553
公开日2011年12月21日 申请日期2011年8月8日 优先权日2011年8月8日
发明者陈胜华 申请人:慈溪市永旭丰泰电子科技有限公司