专利名称：多项目晶圆的芯片制造方法及多项目晶圆的外层金属掩膜板的制作方法
技术领域：
本发明涉及多项目晶圆制造，尤其是涉及一种多项目晶圆的芯片制造方法及多项目晶圆的外层金属掩膜板。
背景技术：
在多项目晶圆制程中，每个晶圆包括多种不同芯片，多项目晶圆是不同制程的产品为节省开发成本共用一套掩膜板的晶圆。多项目晶圆由于具有多种不同的芯片信息，最外层金属常常被设计成不同的厚度并采用不同的掩膜板形成电路图形。基于此，在随后的形成PAD(焊盘)的过程中，接触孔要对准由不同掩膜板生成的最外层金属图形就必须采用不同的PAD掩膜板，否则使用单一的PAD掩膜板(为节省成本，该单一的PAD掩膜板本身是用于单项目晶圆)很有可能会使接触孔形成于其他芯片区域，且延伸至没有金属层的位置，那么与该接触孔对应的位置会在形成接触孔的过程中产生缺陷。
发明内容
基于此，有必要提供一种可使用单一 PAD掩膜板的多项目晶圆的芯片制造方法。一种多项目晶圆的芯片制造方法，包括以下步骤:在与目标芯片的最外层金属对应的掩膜板上增设阻挡金属图形，所述阻挡金属图形对应于与目标芯片同属一个街区的制程外芯片；利用所述增设了阻挡金属图形的掩膜板对多项目晶圆上的最外层金属进行图形化处理；在进行图形化处理后的最外层金属上淀积绝缘介质层以及钝化层；利用对应于所述掩膜板的PAD层掩膜板，对所述绝缘介质层及钝化层进行图形化处理，形成PAD。优选地，所述阻挡金属图形用于形成整块的阻挡金属层。优选地，所述阻挡金属图形用于形成与PAD层掩膜板形成的接触孔对应的多个金属块。此外,还提供一种可与单一 PAD掩膜板配合的多项目晶圆的外层金属掩膜板。一种多项目晶圆的外层金属掩膜板，与多项目晶圆上的最外层金属对应，其上设有与目标芯片对应的目标图形，其特征在于，还设有对应于与目标芯片同属一个街区的制程外芯片的阻挡金属图形。优选地，所述阻挡金属图形用于形成整块的阻挡金属层。优选地，所述阻挡金属图形用于形成与PAD层掩膜板形成的接触孔对应的多个金属块。上述多项目晶圆的芯片制造方法和多项目晶圆的最外层金属掩膜板，由于PAD层掩膜板与目标芯片的最外层金属的掩膜板对应，因此会在目标芯片上形成正确的PAD区域。而制程外芯片表面的绝缘介质层和钝化层被图形化后，形成的接触孔会在阻挡金属层之上。因此在形成接触孔的过程中，由于阻挡金属层的存在，刻蚀、清洗等步骤不会在制程外芯片上造成缺陷。因此，即使使用单一的PAD掩膜板也不会有问题。
图1为一实施例的多项目晶圆的芯片制造方法流程图；图2为多项目晶圆不意图；图3为街区的局部放大示意图；图4为图3中的街区上形成PAD接触孔后的示意图。
具体实施方式如图1所示，为一实施例的多项目晶圆的芯片制造方法流程图。该方法包括如下步骤:SllO:在与目标芯片的最外层金属对应的掩膜板上增设阻挡金属图形，所述阻挡金属图形对应于与目标芯片同属一个街区的制程外芯片。如图2所示，为多项目晶圆示意图。多项目晶圆的一个街区10上包括多芯片信息。如图3所示，是街区10的局部放大图，该街区10包括目标芯片102和与目标芯片102相邻的制程外芯片104。目标芯片102是指本次制程中计划得到的芯片，形成于晶圆上的目标区域。与该目标区域对应有用于图形化的各层掩膜板。与目标芯片的最外层金属对应的掩膜板可在最外层金属上形成电路图形。制程外芯片104是指在多项目晶圆中，本次制程中未进行相关的工艺操作的芯片，制程外芯片与目标芯片分属于不同的项目。在与目标芯片102的最外层金属对应的掩膜板上，设有目标图形，用于将最外层金属图形化。除此之外，该掩膜板上还设有阻挡金属图形，该阻挡金属图形对应于制程外芯片104，用于在制程外芯片104上形成阻挡金属层。该阻挡金属图形优选用于形成整块的阻挡金属层。S120:利用所述增设了阻挡金属图形的掩膜板对多项目晶圆上的最外层金属进行图形化处理。该图形化处理一方面使目标芯片102上形成所需的电路连线图形202，另一方面在制程外芯片104上形成了阻挡金属层204。阻挡金属层204可以是整块的金属层，也可以是与PAD层掩膜板形成的接触孔对应的多个金属块，只需将接触孔挡住即可。S130:在进行图形化处理后的最外层金属上淀积绝缘介质层以及钝化层。本步骤是在金属化后的常规步骤，在此不赘述。 S140:利用对应于所述掩膜板的PAD层掩膜板，对所述绝缘介质层及钝化层进行图形化处理，形成PAD。图形化处理后，在绝缘介质层和钝化层上形成接触孔，露出部分最外层金属，形成PAD。如图4所示，电路连线图形202上被接触孔302露出的部分形成PAD。阻挡金属层204被接触孔304露出的部分会阻挡外部的破坏。由于该PAD层掩膜板与目标芯片102的最外层金属的掩膜板对应，因此会在目标芯片102上形成正确的PAD区域。而制程外芯片104表面的绝缘介质层和钝化层被图形化后，形成的接触孔会在阻挡金属层之上。因此在形成接触孔的过程中，由于阻挡金属层的存在，刻蚀、清洗等步骤不会在制程外芯片104上造成缺陷。此外，还提供一种多项目晶圆的最外层金属掩膜板。该掩膜板与多项目晶圆上的最外层金属对应，其上设有与目标芯片对应的目标图形，还设有对应于与目标芯片相邻的制程外芯片的阻挡金属图形。目标芯片是指本次制程中计划得到的芯片，形成于晶圆上的目标区域。与该目标区域对应有用于图形化的各层掩膜板。与目标芯片的最外层金属对应的掩膜板可在最外层金属上形成电路图形。制程外芯片是指在多项目晶圆中，本次制程中未进行相关的工艺操作的芯片，制程外芯片与目标芯片分属于不同的项目。在与目标芯片的最外层金属对应的掩膜板上，设有目标图形，用于将最外层金属图形化。除此之外，该掩膜板上还设有阻挡金属图形，该阻挡金属图形对应于制程外芯片，用于在制程外芯片上形成阻挡金属层。该阻挡金属图形优选用于形成整块的阻挡金属层。上述的最外层金属的掩膜板可在制程外芯片上形成阻挡金属层，因此可以避免使用单一的PAD层掩膜板对制程外芯片的破坏。以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
权利要求
1.一种多项目晶圆的芯片制造方法，其特征在于，包括以下步骤: 在与目标芯片的最外层金属对应的掩膜板上增设阻挡金属图形，所述阻挡金属图形对应于与目标芯片同属一个街区的制程外芯片； 利用所述增设了阻挡金属图形的掩膜板对多项目晶圆上的最外层金属进行图形化处理； 在进行图形化处理后的最外层金属上淀积绝缘介质层以及钝化层； 利用对应于所述掩膜板的PAD层掩膜板，对所述绝缘介质层及钝化层进行图形化处理，形成PAD。
2.如权利要求1所述的多项目晶圆的芯片制造方法，其特征在于，所述阻挡金属图形用于形成整块的阻挡金属层。
3.如权利要求1所述的多项目晶圆的芯片制造方法，其特征在于，所述阻挡金属图形用于形成与PAD层掩膜板形成的接触孔对应的多个金属块。
4.一种多项目晶圆的外层金属掩膜板，与多项目晶圆上的最外层金属对应，其上设有与目标芯片对应的目标图形，其特征在于，还设有对应于与目标芯片同属一个街区的制程外芯片的阻挡金属图形。
5.如权利要求4所述的多项目晶圆的外层金属掩膜板，其特征在于，所述阻挡金属图形用于形成整块的阻挡金属层。
6.如权利要求4所述的多项目晶圆的外层金属掩膜板，其特征在于，所述阻挡金属图形用于形成与PAD层掩膜板形成的接触孔对应的多个金属块。
全文摘要
本发明公开一种多项目晶圆的芯片制造方法，包括以下步骤在与目标芯片的最外层金属对应的掩膜板上增设阻挡金属图形，所述阻挡金属图形对应于与目标芯片同属一个街区的制程外芯片；利用所述增设了阻挡金属图形的掩膜板对多项目晶圆上的最外层金属进行图形化处理；在进行图形化处理后的最外层金属上淀积绝缘介质层以及钝化层；利用对应于所述掩膜板的PAD层掩膜板，对所述绝缘介质层及钝化层进行图形化处理，形成PAD。以及一种适用上述方法的多项目晶圆的外层金属掩膜板。制程外芯片表面的绝缘介质层和钝化层被图形化后，形成的接触孔会在阻挡金属层之上，刻蚀、清洗等步骤不会在制程外芯片上造成缺陷。
文档编号H01L21/48GK103107097SQ20111035872
公开日2013年5月15日 申请日期2011年11月11日 优先权日2011年11月11日
发明者李付军, 杜鹏, 王锴, 蔡建祥 申请人:无锡华润上华科技有限公司