专利名称：提高染料调q薄膜片激光透过率的方法
技术领域：
本发明涉及激光染料调Q薄膜片技术，尤其涉及一种提高染料调Q薄膜片激光透过率的方法。
背景技术：
激光调Q技术包括转镜调Q技术、声光调Q技术、电光调Q技术、染料调Q技术等，各种调Q技术具有不同的特点，应用在不同的场合。尤其是染料调Q器件，目前已做成了薄膜片，更加适应轻量化、小型化、集成化的应用场合，同时在降低成本、方便集成等方面具有较大的优势。目前，市场上的染料调Q薄膜片产品基本上是采用获得国家发明奖的E法成型工艺生产的(获奖名称RT-106染料片Q开关的E法成型工艺；获奖编号06114 ;获奖时间1983. I ;获奖等级国家发明四等奖)。用这种工艺方法生产染料调Q薄膜片已多 年，在军品和民品的实际应用中，发挥了巨大作用。E法成型工艺的流程主要包括配料、搅拌、过滤、成型、定型、检测等工序，仍存在着一些缺陷和问题。因薄膜片成型过程是表面先固化，而基片内部的有机溶剂仍在挥发，所以内部极易形成一些微观气泡，影响激光的透过率；同时，这一工艺成型过程也容易使薄膜片的表面产生微观凹凸不平的现象，因而增强了激光的反射与散射；其结果是激光透过率降低，损耗增大，对激光器调Q的效果产生不利影响。随着社会的进步与科技的发展，染料调Q薄膜片的应用环境发生了巨大的变化，对调Q薄膜片的性能提出了更高的要求，如在高温状态、低温状态、高速移动、快速转动等情况下，目标的跟踪、定位、测距等工作，原先的调Q薄膜片已不适用。现实要求尽快改进调Q薄膜片的性能，尤其要保证许多特殊场合应用的可行性、可靠性与稳定性。而提高染料调Q薄膜片激光透过率是提升调Q薄膜片使用性能的有效方法，是一项基础性工作，也是首先需要突破的创新点。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术与方法的不足，提供一种新的工艺方法，达到提高染料调Q薄膜片激光透过率的目的，实现提升染料调Q薄膜片的使用性能的效果，使其适应更复杂的应用环境，满足更苛刻的需求条件，在社会经济发展的诸多领域中发挥更大的作用。为解决上述的技术问题，本发明是通过如下措施来达到的该技术方案的特征是在染料调Q薄膜片表面镀制激光增透膜；所述的激光增透膜镀制在薄膜片表面的无机性过渡膜上面；所述的无机性过渡膜是在染料调Q薄膜片成型开始固化时涂敷硅试剂形成的；为实现无机性过渡膜的均匀涂敷，必须延长薄膜片成型固化的时间，这一目的是通过在染料调Q薄膜片配料内增加辅料C2H4Cl2实现的。与现有技术相比，本发明的方法具有如下有益效果现有技术完成的染料调Q薄膜片基片的激光透过率最高达到94%，激光器的单脉冲电压工作坪区彡70V，高温(+50°C )和低温(_40°C )时激光器的阈值电压变化分别为30V，动静比为I : 4至I : 5;本发明产生的有益效果是基片的激光透过率增幅为3 4%，透过率达到97 98%，激光器的单脉冲电压工作坪区展宽到90V，高温(+50°C )和低温(_40°C )时激光器的阈值电压的变化值之和为30V，动静比提高到I : 2至I : 3。
图I 是本发明方法的工序流程图。
具体实施例方式下面结合附图对本发明方法的作业流程作进一步的说明。I、配料工序保持原主料，本发明的特征在于添加了辅料C2H4Cl2。辅料的作用是延长薄膜片成型的固化时间，目的有两个其一是保持涂敷硅试剂有足够的时间，保证固化后在薄膜片表面形成均匀的无机性过渡膜，为镀制激光增透膜打好基础；其二是在较长的固化时间内，能使基片内部的有机溶剂彻底挥发，从而避免微观气泡的形成，提高激光的透过率。一个批量的材料如下主料PMMA-248g ；BDN 液-365ml ；CH2Cl2-425ml ；Nd-911-23.5ml;辅料C2H4Cl2-150ml.2、搅拌工序把配料工序所述的主料和辅料置入专用搅拌器，搅拌速度设为2档，搅拌7小时，保证用料的充分混合。3、过滤工序将搅拌工序充分混合的拌料置入过滤器，滤层为真丝绸滤布3层，力口压O. 5KPa，滤液封盖。4、成型工序本工序要完成薄膜片成型和无机性过渡膜的生成两项内容。薄膜片成型室温，将过滤工序的滤液置入成型均布器3#，下口面高度1mm，支持体2#，速度3档，正面操作；过渡膜形成在薄膜片已成型并开始固化的时机，启动过渡膜涂敷机，将含硅的化学试剂涂敷于薄膜片的表面，并反复3遍，经过涂敷的薄膜片在固化的过程中，硅成分将渗入到薄膜片有机基体的表层，待完全固化后，在薄膜片表面便形成了一层均匀的无机性过渡膜。5、定型工序将表面形成了无机性过渡膜的薄膜片，置入定型器，在恒温60°C，定型4小时。6、镀增透膜工序将定型后的薄膜片置入镀膜机，完成增透膜的镀制。此时，无机性过渡膜起到了关键的作用，它将无机的激光增透膜和有机的薄膜片结合成一体。7、检验工序本发明完成的染料调Q薄膜片技术指标为①薄膜片基片激光透过率增透效果提高3 4%，透过率达97 98% ;
②染料调Q薄膜片透过率范围15 80% ;③工作温度范围(_40°C ) (+50°C )；④存储温度范围(_50°C ) (+70°C )；⑤抗激光辐射能力激光辐射强度300MW/cm2 ；⑥激光器的单脉冲工作坪区在常温、高温(+50°C )和低温(_40°C )下均不小于90V ；⑦激光器的阈值电压变化高温(+50°C )和低温(_40°C )的变化值之和为30V ；⑧工作重复频率1Hz。
本发明实施的检验按以下方法进行用VSU-2G分光光度计，波长I. 06 μ m,检测薄膜片基片的激光增透效果和染料调Q薄膜片的透过率范围；用高、低温试验箱检测工作温度、存储温度；用YAG激光试验仪，检测染料调Q薄膜片抗激光辐射能力、激光器的单脉冲工作坪区、激光器的阈值电压变化、工作重复频率；用本发明的方法完成的染料调Q薄膜片的激光透过率有较大提高，因而其使用性能明显提升，能适应更复杂的应用环境，满足更苛刻的需求条件，在社会经济发展的诸多领域如军工、科研、教学、工业、医疗、美容等应用中能发挥更大的作用，产生更大的效益。
权利要求
1.一种提高染料调Q薄膜片激光透过率的方法，其特征是在染料调Q薄膜片表面镀制激光增透膜。
2.根据权利要求I所述在染料调Q薄膜片表面镀制激光增透膜，其特征在于所述的激光增透膜是镀制在薄膜片表面的无机性过渡膜上面的。
3.根据权利要求2所述的激光增透膜是镀制在薄膜片表面的无机性过渡膜上面的，其特征在于所述的无机性过渡膜是在染料调Q薄膜片成型开始固化时涂敷硅试剂形成的。
4.根据权利要求3所述的无机性过渡膜是在染料调Q薄膜片成型开始固化时涂敷硅试剂形成的，其特征在于为实现无机性过渡膜的均匀涂敷，必须延长薄膜片成型固化的时间，这一目的是通过在染料调Q薄膜片配料时增加辅料C2H4Cl2实现的。
全文摘要
本发明公开了一种提高染料调Q薄膜片激光透过率的方法，该技术方法的特征是在染料调Q薄膜片表面镀制激光增透膜；所述的激光增透膜镀制在薄膜片表面的无机性过渡膜上面；所述的无机性过渡膜是在染料调Q薄膜片成型开始固化时涂敷硅试剂形成的。为此，须延长薄膜片成型固化的时间，而这一目的的实现是通过在染料调Q薄膜片配料内增加辅料C2H4Cl2完成的。用本发明的方法完成的染料调Q薄膜片的激光透过率有较大提高，促使其性能明显提升，能适应更复杂的应用环境，满足更苛刻的需求条件，在社会经济发展的诸多领域如军工、科研、教学、工业、医疗、美容等应用中能发挥更大的作用，产生更大的效益。
文档编号H01S3/11GK102842846SQ20111036261
公开日2012年12月26日 申请日期2011年11月16日 优先权日2011年11月16日
发明者邢子红, 张桂华, 张瑞, 赵媛媛, 张珊 申请人:天津市激光技术研究所