专利名称：一种金属-氮化硅-金属电容的制作方法
技术领域：
本发明涉及微电子领域，特别是涉及一种金属-氮化硅-金属电容的制作方法。
背景技术：
电容器是集成电路中常用的电子元器件，也是集成电路的重要组成单元，其可以被广泛地应用于存储器，微波，射频，智能卡，高压和滤波等芯片中。目前，芯片中广为采用的电容器是平行于硅片衬底的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器。其中金属通常采用与金属互连工艺相兼容的铜、铝等，绝缘体多为高介电常数(k)的电介质材料氮化硅，等离子增强型化学气相沉积法(PECVD，Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)因其沉积温度低而被广泛应用于金属互连工艺中的薄膜沉积。利用PECVD方法制作的氮化硅薄膜内残留大量的硅氢键(Si-H)，使其内存在较多电荷，这导致该氮化硅薄膜在电性厚度方面的均勻性较差，而利用该氮化硅薄膜制作的MIM电容器在击穿电压、漏电流等各电特性方面也会相应较差。此外，随着超大规模集成电路集成度的不断提高，器件特征尺寸不断等比例缩小， 电路内制作的电容器尺寸也相应缩小，对电容制造的均勻性，一致性要求更为严格。并且随着器件尺寸的减少，以及性能对大电容的需求，如何在有限的面积下获得高密度的电容也成为一个有吸引力的课题。公开号为CN101577227A的中国专利公开了一种改进铝-氮化硅-钽化物电容器性能的方法，通过含氧气体处理氮化硅薄膜，形成的氮化硅薄膜内的电荷量较少，提高了氮化硅薄膜的电性厚度和物理厚度的均勻性，采用此方法形成的MIM电容在击穿电压，漏电流等各电特性方面有所改善，但并没有获得高密度的电容。因此，如何在有限面积下获得高密度的电容仍是现在技术发展中急需解决的问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种金属-氮化硅-金属电容的形成方法， 以在有限面积下获得高密度的电容，并能有效地提高层内电容器的电容，改善金属-氮化硅-金属(MOM)电容器的击穿电压、漏电流等各电特性及其各器件间的电学均勻性。为解决上述问题，本发明提供一种金属-氮化硅-金属电容的制作方法，所述方法包括以下步骤提供衬底；在衬底上沉积低k值介质层；在低k值介质层上通过等离子增强型化学气相沉积和含氧气体处理两步循环的方式形成氮化硅；通过光刻和刻蚀去除低k值介质层上的一部分氮化硅，所保留的氮化硅用于后续形成金属-氮化硅-金属电容；在上述结构表面沉积低k值介质层；
利用化学机械研磨去除氮化硅表面上方的多余低k值介质层；通过光刻和刻蚀在低k值介质层和氮化硅中分别形成金属槽；在金属槽内填充金属。较佳的，所述等离子增强型化学气相沉积采用的反应气体包括硅烷和氨气。较佳的，所述硅烷的流量在500sccm至600sccm之间，所述氨气的流量在9000sccm 至15000sCCm之间，硅烷与氨气的流量比为1 15至1 30之间，成膜速率在1500纳米 /分钟至5000纳米/分钟之间。较佳的，所述含氧气体处理所采用的含氧气体包括一氧化氮、一氧化二氮、一氧化碳或二氧化碳。较佳的，所述含氧气体处理所采用的含氧气体流量在2000sCCm至eOOOsccm之间， 处理温度在300摄氏度至600摄氏度之间。较佳的，所述通过等离子增强型化学气相沉积和含氧气体处理两步循环的方式形成氮化硅的过程中，每次沉积的氮化硅厚度为1纳米至10纳米。本发明通过形成低k值介质和高k值氮化硅的混合层，接着进行传统工艺的光刻蚀刻，在高k值氮化硅区域实现MOM结构，在其他区域实现低k值互连；很好的提高了电容器单位面积内的电容，提高了电容器密度，也进一步提高MOM电容器的性能，从而满足不断微型化的芯片对高性能电容器的要求。
图1为本发明实施例形成MOM电容的方法流程图；图2A 2F为本发明实施例形成MOM电容的方法示意图。
具体实施例方式为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式
做详细的说明。本发明提出一种制作金属-氮化硅-金属(MOM)电容器的工艺方法。请参照图1， 为本发明制备MOM电容器形成方法的流程图。步骤201 提供衬底1 ；本实施例中所提供的衬底1可以为单纯的硅衬底，也可以为表面已形成半导体器件的硅衬底。步骤202 如图2A所示，在衬底1上沉积低k值介质层2。所述低k值介质层2采用化学气相淀积或旋转涂覆工艺形成，介电常数为2 3。步骤203 如图2B所示，在低k值介质层2上沉积高k值的氮化硅3。为了改善传统PECVD方法制作的氮化硅3薄膜在电性厚度方面的均勻性，本发明中采用PECVD法沉积氮化硅与含氧气体处理循环进行的方式，即沉积一层氮化硅3后，随后进行含氧气体处理， 然后再次沉积氮化硅3，再进行含氧气体处理，如此循环；每次沉积的氮化硅厚度为1纳米至10纳米，一直到沉积的氮化硅达到工艺中需要的厚度为止。其中，PECVD采用的反应气体为硅烷与氨气，反应的工艺条件为硅烷的流量在500sCCm至eOOsccm之间，氨气的流量在 9000sccm至15000sccm之间，硅烷与氨气的流量比为1 15至1 30之间，成膜速率在 1500纳米/分钟至5000纳米/分钟之间；含氧气体处理所采用的含氧气体包括一氧化氮、一氧化二氮、一氧化碳或二氧化碳，含氧气体的流量在2000至eOOOsccm之间，处理温度在 300至600摄氏度之间。通过沉积一薄层的氮化硅并紧接着对其进行含氧气体处理，可以充分地去除氮化硅薄膜内的硅氢键Si-H，如此循环，可以获得电性厚度均勻性良好的氮化硅。步骤204:如图2C所示，通过光刻和刻蚀去除低k值介质层上的一部分氮化硅，所保留的氮化硅用于后续形成金属-氮化硅-金属电容。步骤205 如图2D所示，在上述结构表面再次沉积低k值介质层2。步骤206 利用化学机械研磨去除氮化硅3表面上方多余的低k值介质2，形成低 k值介质和氮化硅的混合层。步骤207 如图2E所示，在低k值介质层2和氮化硅3中分别形成金属槽^、4b， 其中，低k值介质层2中的金属槽如用于形成互连，氮化硅3中的金属槽4b用于后续形成电容极板。氮化硅3中的金属槽4b可以均勻开设多个，且金属槽4b的深度等于氮化硅3 的深度，即金属槽4b的底部暴露出低k值介质层2。步骤208 如图2F所示，在金属槽中填充金属5，即在低k值介质2和氮化硅3中的金属槽内进行铜互连工艺的铜的扩散阻挡层沉积、铜电镀、铜金属层化学机械研磨等工艺步骤，完成铜互连和MOM电容器的制作。本发明在利用示意图详述本发明实施例时，为了便于说明，表示器件结构的剖面图不依一般比例作局部放大，不应以此作为对本发明的限定。此外，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
权利要求
1.一种金属-氮化硅-金属电容的制作方法，其特征在于，包括步骤提供衬底；在衬底上沉积低k值介质层；在低k值介质层上通过等离子增强型化学气相沉积和含氧气体处理两步循环的方式形成氮化硅；通过光刻和刻蚀去除低k值介质层上的一部分氮化硅，所保留的氮化硅用于后续形成金属-氮化硅-金属电容；在上述结构表面沉积低k值介质层；利用化学机械研磨去除氮化硅表面上方的多余低k值介质层；通过光刻和刻蚀在低k值介质层和氮化硅中分别形成金属槽；在金属槽内填充金属。
2.如权利要求1所述的金属-氮化硅-金属电容的制作方法，其特征在于，所述等离子增强型化学气相沉积采用的反应气体包括硅烷和氨气。
3.如权利要求2所述的金属-氮化硅-金属电容的制作方法，其特征在于，所述硅烷的流量在500sccm至600sccm之间，所述氨气的流量在9000sccm至15000sccm之间，硅烷与氨气的流量比为1 15至1 30，成膜速率在1500纳米/分钟至5000纳米/分钟之间。
4.如权利要求1所述的金属-氮化硅-金属电容的制作方法，其特征在于，所述含氧气体处理所采用的含氧气体包括一氧化氮、一氧化二氮、一氧化碳或二氧化碳。
5.如权利要求1所述的金属-氮化硅-金属电容的制作方法，其特征在于，所述含氧气体处理所采用的含氧气体流量在2000SCCm至6000SCCm之间，处理温度在300摄氏度至 600摄氏度之间。
6.如权利要求1所述的金属-氮化硅-金属电容的制作方法，其特征在于，所述通过等离子增强型化学气相沉积和含氧气体处理两步循环的方式形成氮化硅的过程中，每次沉积的氮化硅厚度为1纳米至10纳米。
全文摘要
本发明介绍了一种金属-氮化硅-金属(MOM)电容的制作方法。通过形成低k值介质和高k氮化硅的混合层，再利用传统工艺的光刻蚀刻在低k值介质和高k氮化硅中形成金属槽并填充金属，在高k值材料氮化硅区域实现了高性能MOM电容器结构，在其他区域实现低k介质的互连。其中，高k氮化硅的形成采用PECVD沉积和含氧气体处理循环进行的方式，能有效去除氮化硅中的硅氢键。与传统的单一k值介质结构相比，本发明既能有效提高层内电容器的电容，又改善了MOM电容器的击穿电压、漏电流等各电特性，以及各器件间的电学均匀性。
文档编号H01L21/02GK102394217SQ20111039280
公开日2012年3月28日 申请日期2011年11月30日 优先权日2011年11月30日
发明者徐强, 毛智彪, 胡友存 申请人:上海华力微电子有限公司