专利名称：有机发光显示装置及其制造方法
技术领域：
本公开涉及有机发光显示(OLED)装置及其制造方法。
背景技术：
本申请要求2011年8月30日提交的韩国专利申请No. 10-2011-0087327的优先权,其全部内容通过引用合并于此。用于在屏幕上显示多种信息的图像显示设备是信息和通信时代的核心技术的一种。这种图像显示设备已经被开发的更薄、更轻并且更便携，并且进一步具有高性能。实际上，由于平板显示装置具有减小的重量和体积以及阴极射线管(CRT)的公知缺点使得平板 显示装置在显示领域备受关注。平板显示装置包括OLED装置，其通过控制有机发光层的发光量来显示图像。OLED装置是采用位于电极之间的薄发光层的自发光显示装置。因此，OLED装置可的和纸一样薄。这种OLED装置通过封装基板发光来显示图像。封装的基板包括以矩阵形状排列并且均配置有3色(即，红、绿、蓝)子像素的多个像素、单元驱动器阵列和有机发光阵列。为了实现多种颜色，OLED装置采用被配置以分别发射红、绿和蓝光的有机发光层。有机发光层夹在两个电极之间并且用于形成有机发光二极管。图I是示出根据相关技术的OLED装置的密封区域的截面图。如图I所示，OLED装置限定为有效显示区域(active area)和焊盘区域，在有效显示区域中排列均包括有机发光二极管的多个像素，并且在焊盘区域中沿着有效显示区域的轮廓形成驱动元件或者供电导线。OLED装置包括占据焊盘区域的边缘的密封线区域。在密封线区域中，布置了用于将设置有有机发光二极管的阵列基板与上基板18进行组合的密封剂。OLED装置的阵列基板包括叠置在下基板10上的缓冲层11、栅绝缘层12和层间绝缘膜13。阵列基板还包括在层间绝缘膜13上形成的信号导线15。信号导线15可以用于形成具有地导线的供电导线或者驱动元件。附图中插入但是未说明的附图标记“20”指示堤层。堤层20不仅仅用于限定有效显示区域内的像素区域而且用于形成有机发光二极管。当在如上所述的下基板10上形成诸如薄膜晶体管和有机发光二极管的元件时，按照与(或者电力导线)信号导线15交叉的方式沿着下基板的边缘形成密封线19。接着，将上基板20和下基板10彼此组合。如附图所示，为了减少处理的数量而取消了在信号线15上形成的保护层的工序。换句话说，从最近的OLED装置的制造工序中取消了保护层形成工序。然而，因此，在布置密封线19和信号导线15的区域中产生污染缺陷。图2是示出根据相关技术的OLED装置的密封线区域中产生的污染缺陷的照片图。参照图2，可见在包括信号导线15上形成的密封线19的区域A中产生污染缺陷。换句话说，由于取消保护膜形成工序而导致在有效显示区域的薄膜晶体管区域和焊盘区域的信号导线区域上形成相关技术的保护膜的情况下不发生的污染缺陷。然而，必须通过取消保护膜形成工序来减少制造工序的数量，以提供针对OLED装置的高产量和成本降低。因此，必须开发适用于减少工序数量并且防止污染缺陷的新技术。
发明内容
根据本实施方式的一个总体方面，一种OLED装置，所述OLED装置包括基板，其被限定为以矩阵形状布置有多个像素的有效显示区域、形成有驱动元件的面板内栅极(GIP)区域、接地区域和密封线区域；薄膜晶体管，其位于所述有效显示区域内的每个像素区域中；有机发光二极管，其位于保护膜上，并且被配置为包括第一电极、有机发光层和第二电极；堤层，其将所述有机发光二极管划分为多个像素单元；信号导线，其形成在所述接地区域和所述密封线区域中；以及延伸部分，其由与所述有机发光二极管的第一电极相同的材料制成并且被配置为覆盖所述信号导线，其中，所述密封线区域中的密封线被形成在被所述延伸部分覆盖的所述信号导线的边缘上、以及与所述信号导线的边缘相邻的层间绝缘膜 上。根据本实施方式的另一个总体方面，一种OLED制造方法，所述方法包括制备基板，所述基板被限定为以矩阵形状形成有多个像素的有效显示区域、形成有驱动元件的面板内栅极(GIP)区域、接地区域和密封线区域；在所述有效显示区域中的每个像素区域中形成薄膜晶体管，以及在与所述密封线区域和所述接地区域相对应的层间绝缘膜上形成信号导线，所述薄膜晶体管配置有沟道层、栅绝缘膜、栅极以及源极和漏极；在设置有所述薄膜晶体管的所述基板上形成保护膜，并且通过接触孔形成工序露出所述薄膜晶体管的所述漏极的一部分和所述信号导线；以及在设置有所述保护膜的所述基板上形成有机发光二极管，所述有机发光二极管配置有第一电极、有机发光层和第二电极，其中，在形成所述第一电极时形成延伸部分以覆盖所述信号导线。根据本实施方式的又一个总体方面，一种OLED制造方法，所述方法包括基板，其被限定为以矩阵形状形成有多个像素的有效显示区域、形成有驱动元件的面板内栅极(GIP)区域、接地区域和密封线区域；薄膜晶体管，其形成于所述有效显示区域内的每个像素区域中；有机发光二极管，其被配置为包括第一电极、有机发光层和第二电极，并且所述有机发光二极管被形成在被设置用于覆盖所述薄膜晶体管的保护膜上；堤层，其被形成为将所述有机发光二极管划分为多个像素单元；信号导线，其形成在所述接地区域和所述密封线区域中；以及密封线，其形成在所述密封线区域中；其中，所述信号导线与栅绝缘膜和层间绝缘膜之间的所述薄膜晶体管的栅极形成在同一层，并且在被形成用于覆盖所述信号导线的层间绝缘膜上形成与所述信号导线相对的密封线。根据本实施方式的再一个总体方面，一种OLED制造方法，所述方法包括制备基板，所述基板被限定为以矩阵形状形成有多个像素的有效显示区域、形成有驱动元件的面板内栅极(GIP)区域、接地区域和密封线区域；在所述有效显示区域中的每个像素区域中形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管配置有沟道层、栅极以及源极和漏极，以及在形成所述栅极时在与所述密封线区域和所述接地区域相对应的栅绝缘膜上形成信号导线；在设置有所述薄膜晶体管的所述基板上形成保护膜，并且露出所述薄膜晶体管的所述漏极的一部分；在设置有所述保护膜的所述基板上形成有机发光二极管，所述有机发光二极管配置有第一电极、有机发光层和第二电极；以及在所述密封线区域内的为了覆盖所述信号导线而形成的层间绝缘膜上形成密封线，并且所述密封线与所述层间绝缘膜直接接触。在研读以下附图和具体描述之后其它系统、方法、特征和优点将对于本领域技术人员变得明显。本说明书中包括的全部这些附加系统、方法、特征和优点在本发明的范围内，并且被以下的权利要求保护。此部分的内容均不作为对权利要求的限制。其它方面和优点在下面接合实施方式一起讨论。应该理解，对本公开的以上概述和以下详述都是示例性和解释性的，并旨在对所要求保护的本公开提供进一步的解释。
附图被包括在本申请中以提供对实施方式的进一步理解，并结合到本申请中且构成本申请的一部分，附图示出了本发明的多个实施方式，且与说明书一起用于解释本公开的原理。在附图中
图I是示出根据相关技术的OLED装置的密封区域的截面图；图2是示出根据相关技术的OLED装置的密封线区域中产生的污染缺陷的照片图；图3是示出根据本公开的一种实施方式的OLED装置的结构的平面图；图4是沿着图3的1-1’线截取的示出OLED装置的截面图；图5A到图是例示根据本公开的一种实施方式的制造OLED装置的方法的截面图；以及图6到图7是示出根据本发明的其它实施方式的OLED装置的截面图。
具体实施例方式下面将详细描述本公开的实施方式，在附图中例示出了本发明的示例。下文引入的实施方式作为示例提供以向本领域技术人员而言传达本发明的精神。因此，这些实施方式可以按照不同形状实现，因而不限制于这里描述的这些实施方式。在附图中，为了便于描述夸张了装置的大小、厚度等。尽可能在包括附图的本公开中用相同的附图标记代表相同或类似构件。图3是示出根据本公开的一种实施方式的OLED装置的结构的平面图。图4是沿着图3的1-1’线截取的示出OLED装置的截面图。参照图3和图4，OLED装置100可以定义为有效显示区域(X区域)、密封线区域(Z区域)和GIP (面板中栅极)区域(Y区域)。有效显示区域(X区域)可限定为按照矩阵形状排列的多个像素区域。在每个像素区域中形成有有机发光二极管230和薄膜晶体管TFT。占据OLED装置100的边缘的密封线区域(Z区域)用于组合下基板200与上基板300。GIP区域(Y区域)定位在有效显示区域(X区域)和密封线区域(Z区域)之间。在GIP区域(Y区域)中形成有选通驱动电路元件。焊盘区域130和数据驱动区域140可设置在OLED装置100的边缘。焊盘区域130用于与外部信号连接器(未示出)电气连接。如图所示，OLED装置100中可还包括定位在GIP区域(Y区域)和密封线区域(Z区域)之间的接地区域。在接地区域上形成有用于地连接的信号导线275。信号导线275与GIP区域(Y区域)中的元件电气接触。在根据本公开的一种实施方式个OLED装置的详细结构中，在下基板200的有效显示区域(X区域)中形成有薄膜晶体管TFT。薄膜晶体管TFT配置有沟道层214，该沟道层形成在下基板200上形成的缓冲层201上；栅极211，该栅极形成在栅绝缘膜202上，该栅绝缘膜被形成以覆盖沟道层214 ;以及源极217a和漏极217b，该源极217a和漏极217b被配置以分别通过所形成的接触孔接触沟道层214的源和漏区域，栅极211位于源极217a和漏极217b之间。另外，在薄膜晶体管TFT上方形成有有机发光二极管230。有机发光二极管230配置有与薄膜晶体管TFT相对地顺序地形成的第一电极(阳极)220、有机发光层221和第二电极(阴极)223，在有机发光二极管230和薄膜晶体管TFT之间设置有保护膜209。保护膜209由有机材料形成。
有机发光二极管230被堤层240划分为多个像素单元。堤层240用于限定多个像素区域。为了减小掩模处理的数量，本公开的一种实施方式迫使使用诸如半色调掩模或者衍射掩模的单个掩模按照一体形成堤层240和间隔体250。类似于有效显示区域(X区域)，还在与GIP区域(Y区域)、接地区域和密封线区域(Z区域)相对应地在下基板200上形成缓冲层201和栅绝缘层202。另外，在对应于GIP区域(Y区域)在栅绝缘膜202上形成多个驱动元件(未示出)和供电导线247。另外，在形成多个驱动元件的下基板上形成有保护膜209。在保护膜209上顺序地形成有与第一电极220在同一层形成的第一连接电极270和从第二电极223延伸的第二连接电极260。第一连接电极270和第二连接电极260用于将有效显示区域(X区域)内的有机发光二极管230的第二电极223接地。第一连接电极270和第二连接电极260通过在堤层240中形成的接触孔彼此电气接触。形成延伸部分270a以从第一连接电极270延伸到密封线区域(Z区域)并且电气接触信号导线275。信号导线275可变为地导线。被配置以从第一电极270延伸的延伸部分270a完全覆盖对应于接地区域和密封线区域(Z区域)在层间绝缘膜212上形成的信号导线 275。在被延伸部分270a覆盖的信号导线275上形成有密封线400。按此方式，根据本公开的一种实施方式的OLED装置使在密封线区域(Z区域)和接地区域中形成的信号导线275被在形成有机发光二极管230的第一电极220时从第一连接电极270延伸而形成的延伸部分270a所覆盖，该延伸部分270a代替了保护膜。因此，密封线400直接接触延伸部分270a。换句话说，密封线400接触具有优异的粘贴属性的延伸部分270a。据此，可增强下基板200和上基板300的组合特性。另外，根据本公开的一种实施方式的OLED装置迫使将信号导线275定位在从密封线400的中心向下基板200的中心的内方向。因此,密封线400与跟信号导线275相邻的层间绝缘膜212和覆盖信号导线275的延伸部分270a相接触。据此，可防止由于潮湿侵入造成的有机发光二极管330劣化缺陷。图5A到图是例示根据本公开的一种实施方式的制造OLED装置的方法的截面图。
参照图5A到图5D，在限定为有效显示区域(X区域)、GIP区域(Y区域)、接地区域和密封线区域(Z区域)的下基板200上形成有缓冲层201。作为下基板200的示例，可使用绝缘玻璃、塑料或者导电基板。缓冲层201可由诸如聚酰亚胺、感光亚克力等的有机绝缘材料或者诸如SiNx和SiO2的无机绝缘材料制成。在有效显示区域(X区域)中形成有顶栅型的薄膜晶体管TFT。为了形成薄膜晶体管TFT，在缓冲层201上形成有沟道层214。沟道层214包括掺杂的沟道区和源/漏区。在设置有沟道层214的下基板200的整个表面上形成栅绝缘膜202。可通过在缓冲层201上形成非晶硅层并且通过热处理工序使非晶硅晶体化为晶体硅层来制备沟道层214。栅绝缘膜202可由诸如氮化硅SiNx、氧化硅SiOx等的有机绝缘材料形成。另外，栅绝缘膜202可包括由无机绝缘材料之一形成的单层，或者由不同的无机绝缘材料形成的多层。 在下基板200上形成上述栅绝缘膜202之后，在栅绝缘膜202上以与沟道层214相对地形成栅极211。可通过在下基板200的整个区域上形成金属膜并且通过掩模工序对金属膜构图来制备栅极211。此时，在下基板200的GIP区域(Y区域)上(更具体地，在对应于GIP区域(Y区域)的栅绝缘膜202上)形成供电导线247和附图中未示出的多个驱动元件包括的晶体管的其它栅极。另外，在下基板200上对应于密封线区域(Z区域)和接地区域的区域叠置缓冲层201和栅绝缘膜202。如图5C所示，在形成上述栅极211等之后，在下基板200的整个表面上形成有层间绝缘膜212，并且通过接触孔形成工序在层间绝缘膜212中形成与沟道层214的源/漏区域相对的有接触孔。之后，通过形成与沟道层214的漏/源区域分别电气接触的源极217a和漏极217b来完成薄膜晶体管。通过在下基板200的整个表面上沉积源/漏金属膜并且通过另一个掩模工序对源/漏金属膜构图来形成源极217a和漏极217b。源/漏金属膜可按照单层或者多层结构形成，源/漏金属膜可由铜Cu、铝Al、铝合金AINd、钥Mo、铬Cr、钛Ti、钽Ta、钥钨MoW、上述这些金属的合金等形成。同时，对应于密封线区域(Z区域)和接地区域在层间绝缘膜212上形成信号导线275。对应于GIP区域(Y区域)在层间绝缘膜212上还形成附图中未示出的晶体管的数据线和源极/漏极。在完成上述薄膜晶体管TFT之后，在下基板200的整个表面上形成保护膜209。针对保护膜209执行又一个掩模工序从而在保护膜209中形成与漏极217b相对的接触孔，并且在密封线区域(Z区域)和接地区域中形成的信号导线外部地露出。保护膜209可由无机绝缘材料或者诸如BCB(苯并环丁烯)、丙烯酸基树脂、PFCB等的有机绝缘材料制成。另外，可通过旋涂法等涂布上述材料中的一种来形成保护膜209。之后，在保护膜209上按照与薄膜晶体管TFT的漏极217b电气接触的方式形成用于有机发光二极管230的第一电极220。通过在上述下基板200的整个表面上形成金属膜并且通过再次掩模工序对金属膜构图来制备有机发光二极管230的第一电极220。第一电极220可由诸如ITO (氧化铟锡)、T0 (氧化锡)、IZO (氧化铟锌)、ITZO (氧化铟锡锌)等透明导电材料形成。或者，第一电极220可形成有双层或者三层结构，该结构包括诸如银膜的金属膜。当形成第一电极220时，在GIP区域(Y区域)和接地区域和密封线区域(Z区域)中同时形成第一连接电极270和配置为从第一电极延伸到密封线区域(Z区域)的延伸部分270a。第一连接电极270和延伸部分270a按照彼此结合为一体形成并且由相同材料形成。根据本实施方式的制造方法，形成延伸部分270a以完全覆盖通过去除保护膜209而外部地露出的信号导线275。因此，信号导线275被延伸部分270a从外部屏蔽。在形成上述第一电极220之后,彼此结合为一体形成用于将有机发光二极管230的形成区域限定为像素单元的堤层240和间隔体250。可通过在上述下基板200的整个表面上形成有机膜并且使用半色调掩模或者衍射掩模对有机膜构图来制备堤层240和间隔 体 250。更具体地，将有机膜形成为具有与间隔体250的高度相对应的厚度。另外，通过将半色调掩模的半透射区域或者衍射掩模的衍射图案与堤层240相对、将半色调掩模或者衍射掩模的非透射区域与间隔体250相对、以及将半色调掩模或者衍射掩模的透射区域与第一电极220的要露出的区域相对来对有机膜构图。之后，在第一电极220的露出部分上顺序地形成有机发光层221和第二电极223。据此，完成有机发光二极管230。换句话说，堤层240将OLED装置100的有效显示区域(X区域)限定为像素单元。可在每个像素区域中形成红、绿、蓝或者白有机发光层221。附图中插入但是未说明的附图标记“ 260 ”指示第二连接电极。第二连接电极260与第二电极223结合为一体形成。另外，第二连接电极260与在GIP区域(Y区域)中的堤层下方形成的第一连接电极270电气接触。在下基板200上形成上述有机发光二极管230之后，在下基板200上对应于密封线区域(Z区域)形成密封线400，接着上基板300与下基板200组合。据此，完成OLED装置。具体地，本实施方式的OLED装置制造方法迫使在信号导线275和延伸部分270a的边缘以及与信号导线275相邻的层间绝缘膜212上形成密封线400。因此，不同于相关技术的是，信号导线275不露出于外部。另外，密封线400直接接触覆盖信号导线275的延伸部分270a而不直接接触信号导线275。因此，与密封线400接触信号导线275的情形相比较，密封线400的接触属性增强。按此方式，本实施方式的OLED装置制造方法迫使信号导线沿着要被由金属材料形成的延伸部分覆盖的有效显示区域的轮廓形成。因此，OLED装置可防止外部潮湿侵入。另外，本实施方式的OLED装置制造方法迫使信号导线275和延伸部分270a的边缘定位在OLED装置100的从密封线区域(Z区域)内的密封线的中心向有效显示区域(X区域)延伸的内方向上定位。据此，可防止由于潮湿侵入造成的有机发光二极管230的劣化现象。图6到图7是示出根据本发明的其它实施方式的OLED装置的截面图。图6和图7中的与图4相同的附图标记对应于相同部件。因此，将针对与图4区分的部件描述图6和图7的OLED装置。参照图6，根据本公开的另一个实施方式的OLED装置可限定为有效显示区域(X区域)、密封线区域(Z区域)、GIP区域(Y区域)和接地区域。有效显示区域(X区域)可限定为按照矩阵形状排列的多个像素区域。在每个像素区域中形成有有机发光二极管230和薄膜晶体管TFT。占据OLED装置100的边缘的密封线区域(Z区域)用于组合下基板200与上基板300。GIP区域(Y区域)定位在有效显示区域(X区域)和密封线区域(Z区域)之间。在GIP区域(Y区域)中形成有栅驱动电路元件。根据本公开的另一个实施方式，在下基板200上形成有缓冲层201、沟道层214和栅绝缘膜202之后，接着在栅绝缘膜202上形成与沟道层214相对的栅极211。可通过在具有栅绝缘膜202的下基板200的整个表面上形成金属膜并且通过掩模工序对金属膜构图来制备栅极211。 在形成栅极211时，同时形成GIP区域(Y区域)中的供电导线247和密封线区域(Z区域)和接地区域中的信号导线375。在形成上述栅极211和信号导线375之后，在下基板200的整个表面上形成层间绝缘膜212。当在下基板200上形成上述层间绝缘膜212时，通过接触孔形成工序在层间绝缘膜的与沟道层214的源/漏区域相对的区域中形成接触孔。同时，可在层间绝缘膜212的与信号导线375相对的再一个区域中形成再一个接触孔。尽管附图中未示出，再一个接触孔将用于以后将第一连接电极370与信号导线375电气接触。随后，形成与沟道层214的源/漏区域电气接触的源极217a和漏极217b，从而完成薄膜晶体管。可通过在具有接触孔的下基板200的整个表面上形成源/漏金属膜并且通过另一个掩模工序对源/漏金属膜构图来制备源极217a和漏极217b。源/漏金属膜可按照单层或者多层结构形成。单层和多层可由由铜Cu、铝Al、铝合金AINd、钥Mo、铬Cr、钛Ti、钽Ta、钥钨MoW、上述金属的合金等形成。在完成上述薄膜晶体管之后，在下基板200的整个表面上形成保护膜209。针对保护膜209进行又一个掩模工序从而在保护膜209中形成与漏极217b相对的接触孔。另外，通过另一个掩模工序形成露出在密封线区域(Z区域)和接地区域中形成的信号导线375中的一条的另一个接触孔。换句话说，当在保护膜209中形成另一个接触孔时，而不是当在层间绝缘膜212中形成再一个接触孔时，形成用于将信号导线375与第一连接电极370电气连接的接触孔。当在保护膜209中形成另一个接触孔时，可通过顺序地去除与信号导线375相对的保护膜209和层间绝缘膜212的区域形成用于将信号导线375与第一连接电极370连接的接触孔。更具体地，当在保护膜202中形成另一个接触孔时去除信号线区域(Z区域)和接地区域中的保护膜209以露出层间绝缘膜212。接着，可在层间绝缘膜212中形成上述露出信号导线375的一部分的接触孔。保护膜209可由无机绝缘材料或者诸如BCB(苯并环丁烯)、丙烯酸基树脂、PFCB等的有机绝缘材料制成。另外，可通过旋涂法等涂布上述材料中的一种来形成保护膜209。之后，在保护膜209上按照与薄膜晶体管TFT的漏极217b电气接触的方式形成用于有机发光二极管230的第一电极220。通过在上述下基板200的整个表面上形成金属膜并且通过再次掩模工序对金属膜构图来制备有机发光二极管230的第一电极220。第一电极220可由诸如ITO (氧化铟锡)、T0 (氧化锡)、IZO (氧化铟锌)、ITZO (氧化铟锡锌)等透明导电材料形成。或者，第一电极220可形成有双层或者三层结构，该结构包括诸如银膜的金属膜。当形成第一电极220时，在GIP区域(Y区域)和接地区域和密封线区域(Ζ区域)中同时形成第一连接电极370。第一连接电极370由相同材料形成。这种第一连接电极370在保护膜209上形成并且与以后形成的第二连接电极260电气接触。之后，通过与图4描述的工序相同的工序形成有机发光二极管230、第二连接电极260和密封线400。因此，将省略关于形成有机发光二极管230、第二连接电极260和密封线400的详细描述以避免重复。
按照此方式，本公开的另一个实施方式迫使与密封线400交叠的信号导线375不仅仅在栅绝缘膜202上形成而且用以后形成的层间绝缘膜212完全覆盖。因此，密封线400与上基板300和下基板200的层间绝缘膜212直接接触。因此，与金属图案相比较，可极大地增强用于层间绝缘膜212的密封线400的粘贴属性。另外，本公开的另一个实施方式使在密封线下方布置的信号导线在栅绝缘膜和层间绝缘膜之间形成。据此，可防止由于潮湿侵入造成的有机发光二极管的劣化现象。此外，本公开的另一个实施方式允许信号导线在绝缘膜下方(更具体地，在层间绝缘膜下方)形成从而信号导线不露出于密封线区域的外部。因此，可防止潮湿侵入其中形成密封线的信号导线区域。如图3和图4所示，可按照沿从密封线400向有效显示区域(X区域)的内方向定位的方式在密封线区域(Ζ区域)和接地区域中形成信号导线275。在此情况下，由于信号导线275的宽度窄，所以信号导线275的电阻必定增加。为了解决此问题，本公开的又一个实施方式迫使如图7所示在形成栅极时在栅绝缘膜202上形成辅助信号导线475。随后，当在层间绝缘膜212中形成针对源极217a和漏极217b的接触孔时在层间绝缘膜212中形成与辅助信号导线475相对的通孔H。之后，当在层间绝缘膜212上形成信号导线275时辅助信号导线475经过通孔H与信号导线275电气接触。据此，可防止或者减轻信号导线275的电阻增加。另外，本公开的又一个实施方式用在形成信号导线275时形成的从第一电极延伸的延伸部分270a代替保护膜209来覆盖密封线区域(Z区域)和接地区域中的信号导线275。因此，密封线400直接接触延伸部分270a。换句话说，密封线400接触具有优异的粘贴属性的延伸部分270a。据此，可增强下基板200和上基板300的组合特性。另外，根据本公开的一种实施方式的OLED装置迫使将信号导线275沿从密封线400的中心向下基板200的中心的内方向定位。因此，密封线400与跟信号导线275相邻的层间绝缘膜212以及覆盖信号导线275的延伸部分270a接触。据此，可防止由于潮湿侵入造成的有机发光二极管330劣化缺陷。具体地，本公开的另一个实施方式可解决由于宽度窄造成的信号导线275的电阻增加。为此，在与信号导线275相对的栅绝缘膜202上形成辅助信号导线475以电气连接到信号导线275。
尽管仅仅关于以上描述的实施方式有限地说明了本公开，但是本领域技术人员应理解本公开不限于这些实施方式，而不背离本公开的实质的前提下可进行修改和变化。因此，本公开的范围将仅仅被所附的权利要求和 等同物确定。
权利要求
1.一种有机发光显示设备，所述有机发光显示设备包括 基板，其被限定为以矩阵形状布置有多个像素的有效显示区域、具有驱动元件的面板内栅极(GIP)区域、接地区域和密封线区域； 薄膜晶体管，其位于所述有效显示区域内的每个像素区域中； 有机发光二极管，其位于保护膜上，并且被配置为包括第一电极、有机发光层和第二电极； 堤层，其将所述有机发光二极管划分为多个像素单元； 信号导线，其位于所述接地区域和所述密封线区域中；以及 延伸部分，其布置为由与所述有机发光二极管的第一电极相同的材料制成并且被配置为覆盖所述信号导线， 其中，所述密封线区域中的密封线被布置在被所述延伸部分覆盖的所述信号导线的边缘上、以及与所述信号导线的边缘相邻的层间绝缘膜上。
2.根据权利要求I所述的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置还包括间隔体，其位于所述堤层上，与所述堤层结合为一体并且由与所述堤层相同材料制成。
3.根据权利要求I所述的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置还包括 第一连接电极，其位于所述保护膜上；以及 第二连接电极，其电气连接到所述第一连接电极并且与所述有机发光二极管的第二电极结合为一体形成。
4.根据权利要求I所述的有机发光显示装置，其中，所述延伸部分与第一连接电极结合为一体形成，并且与所述第二电极、第二连接电极、第一连接电极和所述信号导线电气连接。
5.根据权利要求I所述的有机发光显示装置，其中，所述密封线与覆盖所述信号导线的所述延伸部分以及与所述延伸部分相邻的所述层间绝缘膜直接接触。
6.根据权利要求I所述的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置还包括辅助信号导线，其布置在所述信号导线下方并且电气连接到所述信号导线。
7.—种制造有机发光显示装置的方法，所述方法包括以下步骤 制备基板，所述基板被限定为以矩阵形状形成有多个像素的有效显示区域、形成有驱动元件的面板内栅极(GIP)区域、接地区域和密封线区域； 在所述有效显示区域中的每个像素区域中形成薄膜晶体管，以及在与所述密封线区域和所述接地区域相对应的层间绝缘膜上形成信号导线，所述薄膜晶体管配置有沟道层、栅绝缘膜、栅极以及源极和漏极； 在设置有所述薄膜晶体管的所述基板上形成保护膜，并且通过接触孔形成工序露出所述薄膜晶体管的所述漏极的一部分和所述信号导线；以及 在设置有所述保护膜的所述基板上形成有机发光二极管，所述有机发光二极管配置有第一电极、有机发光层和第二电极， 其中，在形成所述第一电极时形成延伸部分以覆盖所述信号导线。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，形成所述有机发光二极管的步骤还包括 形成堤层，所述堤层被配置为将所述有效显示区域划分为多个像素区域；以及 与所述堤层结合为一体的间隔体。
9.根据权利要求7所述的方法，所述方法还包括形成密封线，所述密封线被配置为与所述信号导线的边缘以及与所述信号导线的边缘相邻的层间绝缘膜直接接触。
10.根据权利要求7所述的方法，其中，第一连接电极被形成在所述保护膜上并且电气连接到第二连接电极，所述第二连接电极与所述有机发光二极管的第二电极结合为一体形成。
11.根据权利要求7所述的方法，其中，所述保护膜由无机绝缘材料和有机绝缘材料中的一种材料形成，所述有机绝缘材料包括苯并环丁烯(BCB)、丙烯酸基树脂和PFCB。
12.根据权利要求7所述的方法，其中，在形成所述栅极的步骤中使得在所述栅绝缘膜上与所述信号导线相对地或者在所述信号导线的下方附加地形成辅助信号导线。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述辅助信号导线经由在所述层间绝缘膜中形成的通孔电气连接到所述信号导线。
14.一种有机发光显不设备,所述有机发光显不设备包括 基板，其被限定为以矩阵形状形成有多个像素的有效显示区域、形成有驱动元件的面板内栅极(GIP)区域、接地区域和密封线区域； 薄膜晶体管，其形成于所述有效显示区域内的每个像素区域中； 有机发光二极管，其被配置为包括第一电极、有机发光层和第二电极，并且所述有机发光二极管被形成在被设置用于覆盖所述薄膜晶体管的保护膜上； 堤层，其被形成为将所述有机发光二极管划分为多个像素单元； 信号导线，其形成在所述接地区域和所述密封线区域中；以及 密封线，其形成在所述密封线区域中； 其中，所述信号导线与栅绝缘膜和层间绝缘膜之间的所述薄膜晶体管的栅极形成在同一层，并且在被形成用于覆盖所述信号导线的层间绝缘膜上形成与所述信号导线相对的密封线。
15.一种制造有机发光显示装置的方法，所述方法包括以下步骤 制备基板，所述基板被限定为以矩阵形状形成有多个像素的有效显示区域、形成有驱动元件的面板内栅极(GIP)区域、接地区域和密封线区域； 在所述有效显示区域中的每个像素区域中形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管配置有沟道层、栅极以及源极和漏极，以及在形成所述栅极时在与所述密封线区域和所述接地区域相对应的栅绝缘膜上形成信号导线； 在设置有所述薄膜晶体管的所述基板上形成保护膜，并且露出所述薄膜晶体管的所述漏极的一部分； 在设置有所述保护膜的所述基板上形成有机发光二极管，所述有机发光二极管配置有第一电极、有机发光层和第二电极；以及 在所述密封线区域内的为了覆盖所述信号导线而形成的层间绝缘膜上形成密封线，并且所述密封线与所述层间绝缘膜直接接触。
全文摘要
本发明公开了有机发光显示装置及其制造方法。该OLED装置包括基板，其被限定为有效显示区域、面板内栅极(GIP)区域、接地区域和密封线区域；薄膜晶体管；有机发光二极管；堤层，其将有机发光二极管划分为多个像素单元；信号导线，其形成在接地区域和密封线区域中；以及延伸部分，其由与有机发光二极管的第一电极相同的材料制成并且被配置为覆盖信号导线，其中，密封线区域中的密封线被形成在被延伸部分覆盖的信号导线的边缘上、以及与所述信号导线的边缘相邻的层间绝缘膜上。该OLED装置通过主要形成与沿有效显示区域的边缘形成的信号导线接触的连接电极并用金属图案覆盖该信号导线来防止在密封线区域产生污染缺陷。
文档编号H01L51/52GK102969456SQ20111045684
公开日2013年3月13日 申请日期2011年12月30日 优先权日2011年8月30日
发明者崔熙东, 田承峻 申请人:乐金显示有限公司