专利名称：镀膜单晶太阳能硅片的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种太阳能电池，特别涉及一种单晶太阳能硅片。
背景技术：
太阳能电池作为电源带动负载或给蓄电池充电。由于硅片表面比较光滑，具有较高的放射率，为了提高光的利用率，现有市场中的太阳能电池一般在硅片的表面做出一种陷光结构——制绒，利用单晶硅的各向异性腐蚀在硅片的表面生成金字塔的结构，这种结构虽然可以减小硅片在光下的反射率，理想的陷光结构可以使电池的反射率控制在13%左右，但反射率仍然较高，从而导致光能的利用率还是较低。
发明内容针对现有的太阳能电池的缺点，本实用新型提供一种新型的镀膜单晶太阳能硅片。为了实现上述目的，本实用新型所采取的措施是镀膜单晶太阳能硅片，包括电池本体，所述的电池本体正电极和背电极的两面均
镀有一层氮化硅膜。本实用新型的有益效果可进一步降低硅片的反射率，理想的氮化硅减反射膜可以使反射率仅仅有4%左右，使光能的转化效率进一步提高；可钝化硅片中的悬挂键、位错、晶界、点缺陷(空位、填隙原子、金属杂质、氧、氮及他们的复合物)筹缺陷，减少少子的复合；提高载流子迁移率20%左右，延长少子的寿命，提高了电池的短路电流和开路电压， 从而提高晶体硅太阳能电池的转化效率。
图1、本实用新型的截面示意图。图2、本实用新型的主视图。
具体实施方式
图1所示，从截面看的视图，图2是主视图，镀膜单晶太阳能硅片，包括电池本体1， 硅片3，正电极4和背电极5，所述的电池本体1的正电极4和背电极5的两面上均镀有一层厚度约为75mm氮化硅膜2，从图中可以看出，整体的是电池本体1。氮化硅膜2附在硅片 3的两面。氮化硅膜2的作用是减少反射率，使光能的转化效率进一步提高；所述的氮化硅膜2厚度约为75mm，这样设计的作用是可使折射率控制在大约2. 0 2. 1以内。双面膜的工艺实现，将短线清洗去处磷硅玻璃后的电池片放在石墨装载框上，放入设备开始工艺(此时的工艺参数包括气体的配比流量、反应速度以及反应功率值等特殊设置)。将镀膜后的电池片翻转后重新放在石墨装载框开始工艺。(此时的工艺参数包括气体的配比流量、反应速度以及反应功率值等特殊设置)。且在整个工艺的过程中镀一面膜时避免另一面受到干扰。对双面镀理想的SiNx:H膜后的电池片进行印刷电极，高温烧结后测试，发现双面镀膜的电池短路电流有较大的提高。 本实用新型的有益效果可进一步降低硅片的反射率，理想的氮化硅减反射膜可以使反射率仅仅有4%左右，使光能的转化效率进一步提高；可钝化硅片中的悬挂键、位错、晶界、点缺陷(空位、填隙原子、金属杂质、氧、氮及他们的复合物)等缺陷，减少少子的复合；提高载流子迁移率20%左右，延长少子(少数载流子)的寿命，提高了电池的短路电流和开路电压，从而提高晶体硅太阳能电池的转化效率。
权利要求1.镀膜单晶太阳能硅片，包括电池本体(1)，其特征在于，所述的电池本体(1)正电极 (4)和背电极(5)的两面均镀有一层氮化硅膜O)。
专利摘要本实用新型公开了一种镀膜单晶太阳能硅片，包括电池本体，所述的电池本体正电极和背电极的两面均镀有一层氮化硅膜。本实用新型的有益效果可进一步降低硅片的反射率，理想的氮化硅减反射膜可以使反射率仅仅有4％左右，使光能的转化效率进一步提高；可钝化硅片中的悬挂键、位错、晶界、点缺陷(空位、填隙原子、金属杂质、氧、氮及他们的复合物)筹缺陷，减少少子的复合；提高载流子迁移率20％左右，延长少子的寿命，提高了电池的短路电流和开路电压，从而提高晶体硅太阳能电池的转化效率。
文档编号H01L31/0216GK202150469SQ20112028841
公开日2012年2月22日 申请日期2011年8月10日 优先权日2011年8月10日
发明者陈一鸣 申请人:温州索乐新能源科技有限公司