专利名称：铜铟镓硒薄膜太阳能电池芯板的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种薄膜太阳能电池芯板，尤其是一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池芯板。
背景技术：
铜铟镓硒薄膜太阳能电池(简称为CIGS薄膜太阳能电池)由于效率高、无衰退、抗辐射、寿命长、成本低廉等特点，是备受人们关注的一种新型光伏电池产品。现有的CIGS薄膜太阳能电池芯板上的膜层存在多样性，除具有铜铟镓硒吸收层外，所具有的缓冲层、窗口层各不相同。目前CIGS薄膜电池上的膜层都未考虑到防止光线反射，电池在接受光能的时候，总会不可避免的出现反射，流失部分光能，最终使得总体功率下降。
背景技术：
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实用新型内容本实用新型的目的在于提供一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池芯板，该电池芯板在接受光能时可防止光线反射。为实现上述目的，本发明采用以下方案铜铟镓硒薄膜太阳能电池芯板，衬底板上所镀的膜层依次为Mo薄膜导电层，铜铟镓硒膜层，CdS薄膜缓冲层，i-ZnO本征层，Ai-ZnO 窗口层，在Ai-ZnO窗口层上镀有氟化镁防反射层。由上述方案可见，本实用新型通过氟化镁防反射层的增设，可使光线反射度大大减弱，功能层接受光能增加，整个电池芯片的功率获得提升。本实用新型结构合理，其防反射膜层的增加，更是提高了铜铟镓硒薄膜电池的功率，使得整个电池的价值提升。
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附图为本实用新型一实施例的结构示意图。
具体实施方式
以下结合实施例进一步说明本实用新型。参见附图本实用新型提供的铜铟镓硒薄膜太阳能电池芯板具有衬底板7，衬底板上所镀的膜层依次为Mo薄膜导电层6，铜铟镓硒膜层5，CdS薄膜缓冲层4，i-ZnO本征层3，Ai-ZnO
3窗口层2，在Ai-ZnO窗口层上镀有氟化镁(MgF2)防反射层1。 衬底板7为玻璃或聚酰亚胺板。所述CdS薄膜缓冲层由CBD化学水浴沉积法分别在醋酸镉溶液体系和硫酸镉溶液体系中沉积。另外，Mo薄膜导电层6的厚度为现有的常规厚度，铜铟镓硒膜层5的厚度为2 3Mm，CdS薄膜缓冲层4的厚度为45 55nm，i-ZnO本征层3的厚度为45 55nm，Ai-ZnO窗口层2的厚度为340 360歷，氟化镁防反射层1的厚度为 90^120nm。以上各个膜层厚度范围都是经过大量实验所得，取中间值基本为较佳值。
权利要求1.铜铟镓硒薄膜太阳能电池芯板，衬底板上所镀的膜层依次为Mo薄膜导电层，铜铟镓硒膜层，CdS薄膜缓冲层，i-ZnO本征层，Al-ZnO窗口层，其特征在于在AL-ZnO窗口层上镀有氟化镁防反射层。
2.根据权利要求1所述的铜铟镓硒薄膜太阳能电池芯板，其特征在于氟化镁防反射层的厚度为90 120nm。
3.根据权利要求1所述的铜铟镓硒薄膜太阳能电池芯板，其特征在于衬底板为玻璃或聚酰亚胺板。
4.根据权利要求1所述的铜铟镓硒薄膜太阳能电池芯板，其特征在于CdS薄膜缓冲层的厚度为45 55nm。
5.根据权利要求1所述的铜铟镓硒薄膜太阳能电池芯板，其特征在于Al-ZnO窗口层厚度为300 320nm。
专利摘要铜铟镓硒薄膜太阳能电池芯板，衬底板上所镀的膜层依次为Mo薄膜导电层，铜铟镓硒膜层，CdS薄膜缓冲层，i-ZnO本征层，AL-ZnO窗口层，在AL-ZnO窗口层上镀有氟化镁防反射层。本实用新型通过氟化镁防反射层的增设，可使光线反射度大大减弱，功能层接受光能增加，整个电池芯片的功率获得提升。
文档编号H01L31/0216GK202183379SQ20112032715
公开日2012年4月4日 申请日期2011年9月2日 优先权日2011年9月2日
发明者孙嵩泉, 宁海洋, 章新良, 罗毅, 陈良范 申请人:普乐新能源(蚌埠)有限公司