专利名称：贴片二极管的改良结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种分离器件结构，尤其涉及一种贴片二极管的结构工艺改良。
背景技术：
贴片二极管(叠料产品)生产过程中，因原产品结构不合理，焊接过程中，两颗晶粒之间极易产生锡珠，在应用过程中存在较高的风险；并且在成型过程中，对贴片二极管外的封装极易出现露铜不良(如图2所示)，过程检验剔除难度较大，且无法100%剔除，投诉风险增加。具体来看如图1至图4所示，贴片二极管为由两个晶片2相对叠合而成，且每个晶片2各具有支撑自身的铜质框架1，该铜质框架1在晶片叠合的端部具有沉降区11，该沉降区11背向沉降方向设有凸台12，并且铜质框架1在沉降区11弯折处设有穿孔13。从传统产品尺寸结构分析，原始沉降区的厚度为0. 54mm，凸台高度为0. 16mm，且穿孔直径为0. 5mm。 通过技术分析发现产生上述锡珠3及露铜不良5的主要与铜质框架的尺寸结构有关。
发明内容鉴于上述现有叠料产品结构的缺陷，本实用新型的目的是提出一种贴片二极管的改良结构，以提高良品率，降低产品的使用风险。本实用新型的上述目的，其技术解决方案为贴片二极管的改良结构，所述贴片二极管为由两个晶片相对叠合而成，且每个晶片各具有支撑自身的铜质框架，所述铜质框架在晶片叠合的端部具有沉降区，所述沉降区背向沉降方向设有凸台，并且铜质框架在沉降区弯折处设有穿孔，其特征在于所述凸台的厚度薄至0. 06mm，且所述穿孔与沉降区底面不相干涉。实施本实用新型的技术方案并将其投入生产工艺后，两晶粒片焊接后锡珠的不良比例由改善前的10%下降至0. 5%，而经产品成型后料片露铜不良的状况也由改善前的1. 3% 降低至0，显然大幅提升了成品良率，并且降低了用户的使用风险。
图1是传统铜质框架的部分正视结构示意图；图2是图1的侧视图；图3是传统产品叠合焊接产生锡珠的示意图；图4是传统产品成型后产生露铜不良的示意图；图5是本实用新型改进后的铜质框架部分正视结构示意图；图6是图5的侧视图；图7是本实用新型产品叠合焊接后成型前的结构示意图。
具体实施方式
[0015]以下便结合实施例附图，对本实用新型的具体实施方式
作进一步的详述，以使本实用新型技术方案更易于理解、掌握。本实用新型针对传统贴片二极管良品率低下、应用品质风险高的问题，深入研究导致该缺陷产生的原因，终发现并对其中的产品工艺尺寸提出改良方案，以使该长期困扰生产者的客户投诉问题得以有效解决。具体来看如图5和图6所示，其结构改良的具体方案为首先降低凸台厚度，将其减薄至0. 06mm，这样可以有效减小贴片二极管的厚度尺寸，减少焊接用锡料，进而避免挤压产生锡珠(如图7所示)。再者为改善露铜不良，在产品加工过程中设计将穿孔的位置纵向向外移动0. 5mm，移出沉降区底面，使两者不相干涉。这样对于先打孔后弯折的工艺，能避免在沉降区底面形成毛刺，因而能有效降低露铜不良的现象再次发生。通过实施以上技术改进，所制得的贴片二极管的锡珠不良由改善前的10%下降至 0. 5%，而经产品成型后料片露铜不良的状况也由改善前的1. 3%降低至0，显然大幅提升了成品良率，并且降低了用户的使用风险。
权利要求1.贴片二极管的改良结构，所述贴片二极管为由两个晶片相对叠合而成，且每个晶片各具有支撑自身的铜质框架，所述铜质框架在晶片叠合的端部具有沉降区，所述沉降区背向沉降方向设有凸台，并且铜质框架在沉降区弯折处设有穿孔，其特征在于所述凸台的厚度薄至0. 06mm，且所述穿孔与沉降区底面不相干涉。
专利摘要本实用新型揭示了一种贴片二极管的改良结构，其为由两个晶片相对叠合而成，且每个晶片各具有支撑自身的铜质框架，其中该铜质框架在晶片叠合的端部具有沉降区，沉降区背向沉降方向设有凸台，并且铜质框架在沉降区弯折处设有穿孔。其特别改良之处为将该凸台的厚度薄至0.06mm，且穿孔与沉降区底面不相干涉。实施本实用新型的技术方案并将其投入生产工艺后，两晶粒片焊接后锡珠的不良比例由改善前的10%下降至0.5%，而经产品成型后料片露铜不良的状况也由改善前的1.3%降低至0，显然大幅提升了成品良率，并且降低了用户的使用风险。
文档编号H01L23/488GK202205759SQ20112034132
公开日2012年4月25日 申请日期2011年9月13日 优先权日2011年9月13日
发明者张国俊, 徐仁庆 申请人:康可电子(无锡)有限公司